CN113647016A - 微声带阻滤波器 - Google Patents

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CN113647016A CN202080025907.7A CN202080025907A CN113647016A CN 113647016 A CN113647016 A CN 113647016A CN 202080025907 A CN202080025907 A CN 202080025907A CN 113647016 A CN113647016 A CN 113647016A
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Abstract

一种微声带阻滤波器包括耦合在第一端口(110)和第二端口(120)之间的串联电感器(130)。耦合在第一端口和第二端口之间的电路块(140)包括至少一个串联电容(141)和至少一个分路电容(142)，其中，串联电容和/或分路电容由微声谐振器(141)实现。分路电感器(150)耦合在电路块(140)和用于参考电位的端子(160)之间。

Description

微声带阻滤波器
技术领域
本公开涉及一种微声带阻滤波器。具体地，本公开涉及一种微声带阻滤波器，其包括第一端口和第二端口、串联电感器和分路电感器以及包括串联电容和分路电容的电路块。
背景技术
微声带阻滤波器用于电子设备中，以抑制特定的相对较窄的频带，以避免由被抑制的频率范围对处理的所需频率的失真。抑制很窄频带的带阻滤波器通常称为陷波滤波器。
带阻或陷波滤波器可用于各种电子应用，例如汽车或连接应用，以抑制干扰信号。带阻或陷波滤波器也可用于诸如手机或智能手机的通信应用中，例如抑制专用频带以保护低噪声放大器，抑制载波聚合系统中的谐波以允许适当的信号接收，或用于要求抑制特定频率或窄频率范围的其他功能。
基于LC拓扑的传统陷波滤波器可以在低频率区域或零频率区域中以及在实质上高于阻带频率区域的高频率区域中具有传输零点，使得传统LC陷波滤波器的通带特性对于上述应用领域具有缺点。特别地，用于5G业务的通信应用的可用频带高达8GHz，因此传统陷波滤波器由于其有限的通带性能而难以使用。
本公开的一个目的是提供一种带阻滤波器，其具有深陷波、陡峭的裙边和低的或几乎不衰减的通带。
本公开的另一目的是提供一种带阻滤波器，其避免通带区域中的传输零点。
本发明的另一目的是提供一种带阻滤波器，其在通带区域中具有基本一致的性能，并在阻带区域的设计中提供灵活性。
本发明的另一目的是提供一种具有多于一个带阻区域的带阻滤波器装置。
发明内容
通过根据本权利要求1的特征的微声带阻滤波器来实现上述目的中的一个或多个。
根据本公开的原理的带阻滤波器包括耦合在滤波器的第一输入/输出端口和第二输入/输出端口之间的串联电感器和耦合到参考电位端子的分路电感器。电路块连接在第一端口和第二端口之间，该电路块包括至少一个串联电容和至少一个分路电容。电路块的串联电容和分路电容中的一个或多个由相应的微声谐振器实现。电路块的至少一个分路电容耦合到分路电感器。
上述电路结构在带阻或陷波区域之外的通带区域中表现出全通特性。因此，在通带区域中不包括传输零点，既不在低频率或零频率，也不在高频率或无限频率。相反，上述滤波器结构的通带行为在低插入损耗水平下相当平坦。用于串联电容或分路电容或串联电容和分路电容两者的微声谐振器形成具有陡峭裙部的相对较深的衰减峰值，以建立带阻或陷波频率区域。
电路块可以包括梯形电路结构，梯形电路结构包括至少一个串联电容和至少一个分路电容，其中，至少一个电容被实现为微声谐振器。梯形电路可以包括梯形布置中的更多元件，例如TEE-电路或PI-电路，或者甚至更较高阶TEE-电路或PI-电路。较高阶梯形布置实现了更限定、更窄的阻带区域，并且梯形结构中用于串联和分路电容的微声谐振器的数量允许对阻带区域的下裙部和/或上裙部整形和使其变陡。电路块的梯形结构允许相对灵活地设计关于阻带带宽、阻带衰减水平和裙部陡度的阻带特性。
根据实施例，电路块可以包括TEE-电路，该TEE-电路包括第一电容和第二电容的串联连接以及耦合到布置在第一串联电容和第二串联电容之间的节点的分路电容。根据电路要求，第一电容、第二电容和分路电容中的一个或多个或全部可由相应的微声谐振器实现。对于TEE-电路，分路电感器耦合在TEE-电路块的分路电容和用于参考电位的端子之间。
根据实施例，电路块可以包括PI-电路，PI-电路包括至少一个串联电容以及耦合到串联电容的端子中的相应一个端子的第一分路电容和第二分路电容。根据电路要求，PI-电路的串联电容、第一分路电容和第二分路电容中的一个或多个或全部可由相应的微声谐振器实现。对于PI-电路，分路电感器耦合在第一分路电容和第二分路电容的公共节点和用于参考电位的端子之间。
耦合在带阻滤波器的第一端口和第二端口之间的串联电感器主要传输那些低于阻带区域的频率。因此，串联电感器在无限频率处提供传输零点。TEE-电路块的串联电容和PI-电路块的串联电容主要传输位于阻带区域之上的那些频率，因为通常串联电容器在零频率处提供传输零点。由于TEE-电路块或PI-电路块的分路路径中的电容器对于阻带区域以下的频率具有高阻抗，因此在该路径中的低频率处不发生传输。由于耦合在电路块和参考电位之间的分路电感器对于阻带区域以上的频率具有高阻抗，因此在该路径中的高频率(直至无限频率)不发生传输。当电感器和电容器串联谐振时，传输发生，从而形成低阻抗，从而在带阻滤波器的阻带中形成有限传输零点(FTZ)。因此，在忽略寄生效应的情况下，根据本发明原理的微声带阻或陷波滤波器在阻带区域中实现相对强的和限定的衰减，并且在阻带外的通带区域中实现相对低的、平坦的插入损耗，而没有传输零点。
可用于实现电路块中的TEE-或PI块的一个或多个或全部电容的微声谐振器可以是任何类型的微声或电声谐振器。这些微声或电声谐振器可以是表面声波(SAW)谐振器、体声波(BAW)谐振器(包括牢固安装的体声波(SMR-BAW)谐振器)和薄膜体声波(FBAR)谐振器。所有这些谐振器包括压电层，至少两个金属电极附着在压电层上，以便通过向电极施加电RF信号来产生声谐振波。其它谐振器如微机电系统(MEMS)谐振器也是可以的。选择同类型的谐振器在一个压电芯片上制作一个TEE-电路块和PI-电路块是有用的。
包括TEE-电路块或PI-电路块的电路块可以包括较高阶TEE-块或PI-块。因此，较高阶PI-电路块可以包括至少两个串联连接的电容和至少三个分路连接的电容，其中，所述电容中的一个或多个或全部由相应的微声谐振器实现。较高阶TEE-电路块可以包括至少三个串联连接的电容和至少两个分路连接的电容，其中，一个或多个或全部所述电容由相应的微声谐振器实现。较高阶TEE-电路块和PI-电路块遵循梯形结构的规则，梯形结构的两端分别有串联电容和分路电容。
通过根据本权利要求16的特征的微声带阻滤波器装置来实现上述目的中的一个或多个。
一种微声带阻滤波器具有良好的匹配性，因此它可以很容易地与任何其他射频电路结合。具体地，一个微声带阻滤波器可以与另一微声带阻滤波器串联连接，以产生具有平坦通带特性和至少两个带阻或陷波区域的滤波器布置。甚至可以串联连接多个微声带阻滤波器。带阻或陷波滤波器特性中的每一个可以彼此相对独立地设计和配置，以使非重叠的阻带区域、阻带带宽以及下阻带裙部和上阻带裙部的特性适应目标应用所需的性能。通过串联连接两个以上的TEE-带阻滤波器和/或PI-带阻滤波器，甚至可以将两个以上的阻带区域组合在一个微声带阻滤波器装置内。
应当理解，前述一般描述和以下详细描述都仅仅是示例性的，并且旨在提供概述或框架以理解权利要求的性质和特征。包括附图以提供进一步的理解，并将其并入本说明书并构成其一部分。附图示出了一个或多个实施例，并且与说明书一起用于解释各种实施例的原理和操作。附图中不同图中的相同元素用相同的参考符号表示。
附图说明
图1示出了根据本公开的原理的微声带阻滤波器的原理框图；
图2示出了包括PI-电路的微声带阻滤波器的示意图；
图3示出了包括PI-电路的另一微声带阻滤波器的示意图；
图4示出了具有包括PI-电路的微声带阻滤波器的各种实施例的传输曲线的传输图；
图5示出了包括较高阶PI-电路的微声带阻滤波器的示意图；
图6示出了包括TEE-电路的微声带阻滤波器的示意图；
图7示出了包括较高阶TEE-电路的微声带阻滤波器的示意图；
图8示出了包括串联连接的TEE-带阻滤波器和PI-带阻滤波器的微声带阻滤波器布置的示意图，；
图9示出了包括图8的电路的传输曲线的传输图；
图10示出了实现微声带阻滤波器的电容的谐振器的并联连接；
图11示出了实现微声带阻滤波器的电容的谐振器的串联连接；
图12示出了实现微声带阻滤波器的电容的谐振器的串联布置和并联布置；
图13示出了谐振器的反串联连接；和
图14示出了谐振器的反并联连接。
具体实施方式
下面将参照示出本公开的实施例的附图更全面地描述本公开。然而，本公开可以以许多不同的形式体现，并且不应被解释为限于本文所述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将向本领域技术人员完全传达本公开的范围。附图未必按比例绘制，但被配置为清楚地说明本发明。
图1描绘了根据本公开的原理的微声带阻或陷波滤波器的原理框图。图1的滤波器包括第一输入/输出端口110和第二输出/输入端口120。电感器130连接在端口110、120之间。电路块140连接在端口110、120之间，其中，电路块140包括通过分路(shunt)电感器150连接到地电位端子160的分路端子149。电路块140包括至少一个串联路径和至少一个分路路径，每个并联路径包括电容。通过微声谐振器或电声谐振器实现诸如141的电容中的至少一个。另一电容142也可以由微声谐振器或如图1所示的电容器来实现。
电路块140通常具有一个或多个串联元件(如141)和一个或多个分路元件(如142)的梯形结构。串联元件和/或分路元件中的一个或多个或全部由各自的微声谐振器实现。梯形布置140的具体形式可由本领域技术人员选择，以满足滤波器所需的RF特性，如下文更详细地说明。
图2示出图1的带阻或陷波滤波器的实施例的示意图。电路块240实现为包括串联电容241和分路电容242、243的PI-电路，分路电容242、243从串联电容241的端子之一连接到分路电感器150。串联电容241实现为微声谐振器，分路电容242、243实现为电容器。可选地，一个或多个分路电容242、243也可实现为谐振器。分路电容242、243之间的节点244通过分路电感器150连接到地电位。
图3示出了图1的带阻或陷波滤波器的另一实施例的示意图，其中，电路块340被配置为PI-电路，其中，所有串联电容和分路电容被实现为谐振器，例如连接在端口110、120之间的谐振器341，连接在端口110和分路电感器150之间的谐振器342，以及连接在端口120和分路电感器150之间的谐振器343。这种谐振器可以实现为微声谐振器。
诸如141、241、341、342、343的谐振器可以实现为SAW谐振器或BAW谐振器。BAW谐振器可以是SMR-BAW谐振器(SMR：牢固安装的谐振器)或FBAR谐振器(FBAR：薄膜体声波谐振器)。各种类型的SAW谐振器都是可能的，例如HQTCF谐振器(HQTCF：高质量温度补偿滤波器)或TFSAW谐振器(TFSAW：薄膜SAW)或其他SAW谐振器类型。其他谐振器概念，如MEMS谐振器也是有用的(MEMS：微机电系统)。谐振器可以包括一对电极和压电材料，其中，电极或者设置在压电材料上，或者将压电材料夹在顶部和底部电极之间。通过向电极施加RF信号产生共振声波，其中，电RF信号和声共振信号之间的相互作用对RF信号执行频率选择功能，从而实现RF滤波器的带阻或陷波性能。
现在转向图4，示出了带阻/陷波滤波器的实施例的传输函数的几个示例。带阻/陷波滤波器被配置为诸如240和340的PI-电路，包括不同数目的谐振器和不同数目的电容器。例如，传输曲线410表示陷波滤波器，其中，串联电容由微声谐振器实现，两个分路电容由诸如图2所示的电容器实现。传输曲线420表示陷波滤波器，其串联电容和两个分路电容由诸如图3所示的相应微声谐振器实现。曲线430表示陷波滤波器，其中串联电容和一个分路电容由相应的微声谐振器实现，另一个分路电容由电容器实现。曲线440表示陷波滤波器，其中串联电容由电容器实现，两个分路电容由各自的微声谐振器实现。曲线450表示陷波滤波器，其中一个分路电容由微声谐振器实现，另一个分路电容以及串联电容由电容器实现。
从图4可以看出，阻带频率区域的带宽和裙部的陡度可以单独确定，因为PI-电路块中的一个或多个电容是由微声谐振器或电容实现的。在传输特性的带阻或陷波频率区域中，衰减相对较高，从而从输入到输出的信号被衰减。在带阻区域外的通带频率区域中，衰减非常低并且相当平坦，使得带阻滤波器的衰减特性在带阻区域外表现出全通特性。具体地，在通带区域中不包括诸如传输零点的高衰减区域。更具体地，如果忽略寄生，则在低频率或零频率或在高频率或无限频率处不会出现传输零点。同样的原理也适用于使用TEE-电路块而不是PI-电路块的带阻/陷波滤波器。
图5示出陷波滤波器，其中电路块540由较高阶PI-电路实现。电路块540包括连接在端口110、120之间的两个串联的谐振器541、542。三个并联连接的谐振器543、544、545连接在谐振器541、542的端子之一和分路电感器150之间。应当注意，谐振器541、…、545中的一个或多个可以用电容器代替微声谐振器来实现。图3的PI-电路340和图5的PI-电路540都具有从诸如342、543的分路元件开始并以诸如343、545的分路元件结束的梯形结构。与第一阶PI-元件340相比，较高阶PI-元件540可提供较小的阻带区域。此外，较高程度的PI-电路540的裙部可以比第一程度的PI-元件340的裙部陡峭。另一方面，在包括图3和图5的较低阶和较高阶PI-元件的滤波器的阻带区域之外的通带区域中的插入损耗水平在最大程度上彼此相似。
图6示出微声带阻或陷波滤波器的另一实施例的示意图，其包括连接在端口110、120和分路电感器150之间的TEE-电路块640。TEE-电路块640包括串联连接的电容641、642和并联连接电容643，并联连接电容643耦合在电容641、642和分路电感器150之间的节点644之间。所有三个电容641、642、643都实现为微声谐振器，如上文所解释的SAW或BAW或MEMS谐振器。
图7示出陷波滤波器的实施例的示意图，其中电路块740由较高阶TEE-电路实现。电路块740包括连接在端口110、120之间的三个串联的谐振器741、742、743。两个并联连接的谐振器744、745连接在谐振器741、742之间的节点之间以及谐振器742、743与分路电感器150之间。尽管图7中所示的滤波器的所有谐振器741、…、745都由微声谐振器实现，但也可以用电容器而不是微声谐振器来实现谐振器741、…、745中的一个或多个。
图6的TEE-电路640和图7的TEE-电路740都具有从诸如641、741的串联元件开始并以诸如642、743的串联元件结束的梯形结构。与第一阶TEE-元件640相比，较高阶TEE-元件740可提供较小的阻带区域。此外，较高阶的TEE-电路740的裙部可以比第一阶的TEE-元件640的裙部陡峭，其中在包括较低阶和较高阶TEE-元件的滤波器的阻带区域之外的通带区域中的插入损耗水平在最大程度上彼此相似。在带阻/陷波滤波器中，甚至更高程度的PI-电路和TEE-电路也是可能的。
如图2和图3所示，与上、右裙部相比较，在微声带阻/陷波滤波器中使用PI-电路可以具有相对陡峭的下、左裙部，上、右裙部似乎比陡峭的下侧裙部弱。如图6所示，在微声带阻/陷波滤波器中使用TEE-电路导致阻带特性，该阻带特性具有阻带区域的相对陡峭的上、右裙部和相对微弱的下、左裙部。在电路设计中，PI-电路和TEE-电路之间的选择可能取决于陷波频率区以下或以上接近通带要求。例如，如果上裙部应该是陡峭的，以便在缺口上方需要低插入损耗时实现限定的上裙部缺口行为，则可以选择TEE-电路。如果下裙部应该是陡峭的，以实现刚好低于阻带的低插入损耗，则可以选择PI-电路。
图8示出串联连接的两个微声带阻/陷波滤波器830、840。带阻滤波器830包括TEE-电路并连接到端口810。带阻滤波器840包括PI-电路并连接到端口810和带阻滤波器830。滤波器830的一个端口(例如端口831)连接到滤波器840的一个端口(例如端口841)，其中滤波器830、840的其他端口连接到输入/输出端口810和820。由于滤波器830、840各自表现出全通特性，因此可以串联连接所述带阻/陷波滤波器中的两个或多个以实现两个或多个带阻频率区域，其中通带区域基本上保持相对低的插入损耗。
图9示出描述图8的级联带阻/陷波滤波器830、840的滤波器的传输特性的传输图。图9的传输曲线包括源自TEE-电路带阻滤波器830的相对宽的带阻区域930。传输曲线还包括源自PI-带阻滤波器840的相对窄的带阻区域940。滤波器830包括以TEE-方式连接的两个串联谐振器和一个分路谐振器，带阻滤波器840包括以PI-方式连接的两个分路谐振器和一个串联电容器。应用上面讨论的原理，例如改变微声谐振器的数目与电容器的数目以及选择第一阶或更较高阶TEE-或PI-电路，可以基本上彼此独立地配置带阻区域的形状和宽度。通过TEE-和PI-两种电路方式实现了接近通带要求。在没有寄生效应的情况下，带外通带性能不会表现出由电容或电感效应引起的退化。
图10示出了微声谐振器的并联，其可用于实现上述带阻/陷波滤波器中的一个或多个电容，以进一步改善带阻性能。代替单个谐振器，可以使用并联的谐振器序列。谐振器的并联连接序列包括彼此并联连接的谐振器1010、1011、1012。虽然描绘了三个谐振器，但是可以使用两个或更多个多达n个并联的谐振器。n个并联谐振器1010、1011、1012中的每一个可以具有不同的静态电容C0j和不同的串联谐振频率fsj(j＝1，…，n)以及机械电容Cmj和静态电容C0j之间的不同电容比(j＝1，…，n)。
图11示出了微声谐振器的串联连接，其可用于实现上述带阻/陷波滤波器中的一个或多个电容，以进一步改善带阻性能。代替单个谐振器，可以使用m个串联的谐振器序列。串联连接的谐振器序列包括彼此串联连接的谐振器1110、1111、1112。虽然描述了三个谐振器，但是可以使用串联连接的两个或多个多达m个谐振器。m个串联连接的谐振器1110、1111、1112中的每一个可以具有不同的静态电容C0i和不同的串联谐振频率fsi(i＝1，…，m)，以及机械电容Cmi和静态电容C0i之间的不同电容比(i＝1，…，m)。
所提及参数的差是可选的，使得两个或多个谐振器可以具有相同的参数值，并且可以根据要实现的电路要求和电路规格实现为相同的谐振器。这包括所有并联或串联连接的谐振器可以相同地实现。例如，在具有5个谐振器的陷波滤波器的实现中，3个谐振器可以相同地实现，2个谐振器可以以不同的参数实现，例如机械电容、静态电容和串联谐振频率中的一个或多个。
图12示出了串联和并联微声谐振器的组合。这种谐振器的串联和并联阵列可用于实现上述带阻/陷波滤波器中的一个或多个电容。该阵列包括并联连接的两个或多个串联连接的谐振器1210、1211、1212。图12所示的两个或多个或每个谐振器可以具有不同的静态电容C0ij和不同的串联谐振频率fsij(i＝1，...，m和j＝1，...，n)，以及机械电容Cmij和静态电容C0ij之间的不同电容比。此选项包括参数也可以相同。
图13示出了谐振器的反串联连接，其可用于实现上述任何电容或替换上述任何谐振器。谐振器的反串联连接改善了线性度，提高了陷波滤波器的性能。谐振器1310、1320串联连接，其中包括在所述谐振器中的压电材料的晶轴的极性具有用相应箭头描绘的反串联取向。谐振器1310的箭头示出为从左到右，谐振器1320的箭头示出为从右到左，这与谐振器1310相比是相反的方向。在实践中，压电材料的相反极性取向可以被选择，例如，在所述谐振器的制造期间或通过布局修改。电场或电压与压电材料的例如晶轴同向或相反，导致在给定电压或电流下的不同振动行为。
图14示出了谐振器的反并联连接，其可用于实现上述任何一种电容或替换上述任何一种谐振器。谐振器的反并联改善了线性度，提高了陷波滤波器的性能。谐振器1410、1420彼此并联连接，其中包括在所述谐振器中的压电材料的晶轴的极性具有用相应箭头所示的反平行取向。
对于本领域的技术人员来说，显而易见的是，在不脱离所附权利要求中所公开的精神或范围的情况下，可以进行各种修改和变化。由于本领域技术人员可能会想到结合本公开内容的精神和实质的所公开实施例的修改、组合、子组合和变化，因此本公开内容应被解释为包括所附权利要求书范围内的所有内容。

Claims (17)

1.一种微声带阻滤波器，包括：
第一端口(110)和第二端口(120)；
串联电感器(130)，耦合在所述第一端口和所述第二端口之间；
电路块(140)，耦合到所述第一端口和所述第二端口，并且包括至少一个串联电容(141)和至少一个分路电容(142)，所述至少一个串联电容和/或所述至少一个分路电容是由微声谐振器(141)实现的；
分路电感器(150)，耦合在所述电路块和用于参考电位的端子之间。
2.根据权利要求1所述的微声带阻滤波器，其中所述电路块(240，340，540，640，740)包括梯形电路，所述梯形电路包括所述至少一个串联电容(241，341，541，542，641，642，741，742，743)和所述至少一个分路电容(242，243，342，343，543，544，545，643，744，745)。
3.根据权利要求1或2所述的微声带阻滤波器，其中所述电路块包括TEE-电路(640)，所述TEE-电路包括第一电容(641)和第二电容(642)的串联连接以及分路电容(643)，所述分路电容耦合到设置在所述第一电容和所述第二电容之间的节点，其中所述第一电容、所述第二电容和所述分路电容中的一个或多个电容由相应的微声谐振器(641，642，643)实现。
4.根据权利要求3所述的微声带阻滤波器，其中所述分路电感器(150)被耦合在所述分路电容(643)和所述用于参考电位的端子之间。
5.根据权利要求1或2所述的微声带阻滤波器，其中所述电路块包括PI-电路，所述PI-电路包括至少一个串联电容(241，341)和第一分路电容(242，342)、以及第二分路电容(243，343)，所述第一分路电容耦合到所述至少一个串联电容的端子，所述第二分路电容耦合到所述至少一个串联电容的另一端子，所述至少一个串联电容和所述第一分路电容和所述第二分路电容中的一个或多个电容是由相应的微声谐振器(241，341，342，343)实现的。
6.根据权利要求5所述的微声带阻滤波器，
其中所述分路电感器(150)被耦合在所述第一分路电容和所述第二分路电容(242，243，342，343)之间的节点(244)和所述用于参考电位的端子之间。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的微声带阻滤波器，其中所述串联电容和/或所述分路电容中的每一个电容是由微声谐振器实现的。
8.根据权利要求7所述的微声带阻滤波器，
其中所述微声谐振器被选自表面声波谐振器、体声波谐振器、薄膜体声波谐振器和微机电系统谐振器。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的微声带阻滤波器，其中所述电路块(540)包括至少两个串联连接的电容(541，542)和至少三个分路连接的电容(543，544，545)，其中所述至少三个分路连接的电容被连接到所述至少两个串联连接的电容的端子之一、并且被连接到所述分路电感器(150)，并且其中所述电容中的一个或多个或全部电容是由相应的微声谐振器(541，…，545)实现的。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的微声带阻滤波器，其中所述电路块(740)包括至少三个串联连接的电容(741，742，743)和至少两个分路连接的电容(744，745)，其中所述至少两个分路连接的电容被连接到所述至少三个串联连接的电容中的两个电容之间的节点之一、并且被连接到所述分路电感器(150)，并且其中所述电容中的一个或多个或全部电容是由相应的微声谐振器(741，…，745)实现的。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的微声带阻滤波器，包括：
第一微声谐振器(641)，连接到所述第一端口(110)；
第二微声谐振器(642)，连接到所述第一微声谐振器(641)，并且连接到所述第二端口(120)；以及
第三微声谐振器(643)，连接到所述第一微声谐振器(641)和所述第二微声谐振器(642)以及所述分路电感器(150)；
其中所述串联电感器(130)并联连接到所述第一微声谐振器(641)和所述第二微声谐振器(642)的所述串联连接。
12.根据权利要求1至10中任一项所述的微声带阻滤波器，包括：
第一微声谐振器(341)，连接在所述第一端口(110)和所述第二端口(120)之间；
第二微声谐振器(342)，连接在所述第一端口(110)和所述分路电感器(150)之间；以及
第三微声谐振器(343)，连接在所述第二端口(120)和所述分路电感器(150)之间，其中，
所述串联电感器(130)被并联连接到所述第一微声谐振器(341)。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的微声带阻滤波器，其中所述至少一个串联电容(141)和/或所述至少一个分路电容(142)是通过两个或更多个微声谐振器(1010，1011，1012)的串联连接、或两个或更多个微声谐振器(1110，1111，1112)的串联连接、或两个或更多个微声谐振器(1210，1211，1212)的两个或更多个串联连接的并联连接实现的。
14.根据权利要求13所述的微声带阻滤波器，其中所述两个或更多个微声谐振器具有不同的静态电容(C0n，C0m，C0mn)和/或不同的谐振频率(fsn，fsm，fsmn)。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的微声带阻滤波器，其中所述至少一个串联电容(141)和/或所述至少一个分路电容(142)是通过至少两个微声谐振器(1310，1320)的反串联连接或两个或更多个微声谐振器(1410，1420)的反并联连接实现的。
16.一种微声带阻滤波器装置，包括根据权利要求1至15中任一项所述的第一微声带阻滤波器(830)和根据权利要求1至15中任一项所述的第二微声带阻滤波器(840)，所述第二微声带阻滤波器串联连接到所述第一微声带阻滤波器，其中所述第一微声带阻滤波器的所述端口(831)之一被连接到所述第二微声带阻滤波器的所述端口(841)之一。
17.根据权利要求16所述的微声带阻滤波器装置，所述第一微声带阻滤波器和所述第二微声带阻滤波器各自具有带阻频率区域(930，940)，其中所述带阻频率区域是不重叠的。
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