CN113644174B - 具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在多量子阱层上生长p型复合层，p型复合层包括p型InGaN层与p型GaN层，In元素有降低Mg的活化能的效果，可以提高p型InGaN层与p型GaN层中Mg的激活率以提高空穴数量。p型InGaN层插设在p型GaN层中，p型InGaN层可以作为低势垒区，存储部分空穴，对空穴起到扩展作用，以使得空穴可以更均匀地进入多量子阱层中，提高发光二极管的发光均匀度。发光二极管的发光效率与发光均匀度均可以得到提高。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管制作领域，特别涉及具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法。
背景技术
发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等，提高芯片发光效率是发光二极管不断追求的目标。
发光二极管外延片则是用于制备发光二极管的基础结构，发光二极管外延片至少包括衬底与衬底上的n型GaN层、多量子阱层与p型GaN层。p型GaN层中通常会掺杂Mg以提高p型GaN层内部的空穴数量，使得p型GaN层中可以提供足够的空穴进入多量子阱层中进行发光。但p型GaN层能够提供的空穴的数量有限，p型GaN层中如果重掺杂Mg以提高空穴数量又会带来缺陷过多的问题，且Mg元素过多时，也容易导致p型GaN层中出现Mg掺杂不均而导致p型GaN层内缺陷较多的问题，导致最终得到的发光二极管的发光效率不够理想。
发明内容
本公开实施例提供了具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法，能够提高进入多量子阱层内的空穴数量以提高具有p型复合层的发光二极管外延片的发光效率。所述技术方案如下：
本公开实施例提供了一种具有p型复合层的发光二极管外延片，所述具有p型复合层的发光二极管外延片包括n型GaN层、多量子阱层及p型复合层，所述p型复合层包括p型InGaN层与p型GaN层，所述p型InGaN层插设在所述p型GaN层中，且所述p型InGaN层与所述p型GaN层中均掺杂Mg，所述p型GaN层包括n个依次层叠的子层，n为大于或等于3的整数，所述n个子层的厚度沿所述p型GaN层的生长方向线性减小，所述n个子层中Mg的掺杂浓度沿所述p型GaN层的生长方向呈指数降低，每个所述子层内Mg的掺杂浓度恒定。
可选地，所述p型InGaN层的厚度与所述p型GaN层的厚度之比为1：2～1：5。
可选地，所述p型InGaN层的厚度为2～10nm，所述p型GaN层的厚度为3～20nm。
可选地，第i+1个所述子层的厚度为第i个所述子层的厚度的1/3～1/2，且第i+1个所述子层中Mg的掺杂浓度与第i个所述子层中Mg的掺杂浓度之比为e1～e2，i为整数，且1≤i≤n-1。
可选地，最靠近所述多量子阱层的所述子层的厚度为5～10nm，最靠近所述多量子阱层的所述子层中Mg的掺杂浓度为5*1019cm-3～1*1020cm-3。
可选地，所述p型InGaN层插设第二个子层与第三个子层之间，所述第二个子层为最靠近所述多量子阱层的第二个所述子层，所述第三个子层为最靠近所述多量子阱层的第三个所述子层。
可选地，所述p型InGaN层的中部的Mg的掺杂浓度大于所述p型InGaN层的两端的Mg的掺杂浓度。
可选地，在所述p型InGaN层的生长方向上的所述p型InGaN层的两端的Mg的掺杂浓度相等。
可选地，所述p型InGaN层中的In含量沿所述p型InGaN层的生长方向降低。
本公开实施例提供了一种具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法，所述具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长n型GaN层；
在所述n型GaN层上生长多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长p型复合层，所述p型复合层包括p型InGaN层与p型GaN层，所述p型InGaN层插设在所述p型GaN层中，且所述p型InGaN层与所述p型GaN层中均掺杂Mg，所述p型GaN层包括n个依次层叠的子层，n为大于或等于3的整数，所述n个子层的厚度沿所述p型GaN层的生长方向线性减小，所述n个子层中Mg的掺杂浓度沿所述p型GaN层的生长方向呈指数降低，每个所述子层内Mg的掺杂浓度恒定。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
在多量子阱层上生长p型复合层，p型复合层包括p型InGaN层与p型GaN层，p型InGaN层中In元素本身有一定的降低Mg的活化能的效果，可以提高p型InGaN层与p型GaN层中Mg的激活率以提高空穴数量。而p型InGaN层与p型GaN层中均掺杂Mg，使得p型InGaN层与p型GaN层本身可以提供较多的空穴数量，以提高发光二极管的发光效率。而p型InGaN层插设在p型GaN层中，p型InGaN层可以作为低势垒区，存储部分空穴，对空穴起到扩展作用，以使得空穴可以更均匀地进入多量子阱层中，提高发光二极管的发光均匀度。发光二极管的发光效率与发光均匀度均可以得到提高。由于Mg在p型GaN层中掺杂时，具有一定的滞后效应，依照理论掺杂量对Mg进行掺杂，最终得到的p型GaN层中Mg容易积累在后半部，导致最终得到的p型GaN层的质量受到影响，提供的空穴的数量也会受到影响。因此使p型GaN层包括n个子层，且n个子层中Mg的掺杂浓度沿p型GaN层的生长方向呈指数降低，对应的n个子层的厚度沿p型GaN层的生长方向线性减小，厚度的减小趋势低于Mg的掺杂浓度的降低趋势，后半程掺杂的较少的Mg为前半程的Mg预留除了掺杂空间。最终得到的p型GaN层中Mg的掺杂浓度会较为均匀，p型GaN层整体的质量也较好，可以提供更多的空穴且空穴不易被p型GaN层中的缺陷捕获而影响空穴的移动。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种具有p型复合层的发光二极管外延片的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的另一种具有p型复合层的发光二极管外延片的结构示意图；
图3是本公开实施例提供的一种具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法流程图；
图4是本公开实施例提供的另一种具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
图1是本公开实施例提供的一种具有p型复合层的发光二极管外延片的结构示意图，参考图1可知，本公开实施例提供了一种具有p型复合层的发光二极管外延片，该具有p型复合层的发光二极管外延片包括n型GaN层2、多量子阱层3及p型复合层4，p型复合层4包括p型InGaN层41与p型GaN层42，p型InGaN层41插设在p型GaN层42中，且p型InGaN层41与p型GaN层42中均掺杂Mg，p型GaN层42包括n个依次层叠的子层421，n为大于或等于3的整数，n个子层421的厚度沿p型GaN层42的生长方向线性减小，n个子层421中Mg的掺杂浓度沿p型GaN层42的生长方向呈指数降低，每个子层421内Mg的掺杂浓度恒定。
在多量子阱层3上生长p型复合层4，p型复合层4包括p型InGaN层41与p型GaN层42，p型InGaN层41中In元素本身有一定的降低Mg的活化能的效果，可以提高p型InGaN层41与p型GaN层42中Mg的激活率以提高空穴数量。而p型InGaN层41与p型GaN层42中均掺杂Mg，使得p型InGaN层41与p型GaN层42本身可以提供较多的空穴数量，以提高发光二极管的发光效率。而p型InGaN层41插设在p型GaN层42中，p型InGaN层41可以作为低势垒区，存储部分空穴，对空穴起到扩展作用，以使得空穴可以更均匀地进入多量子阱层3中，提高发光二极管的发光均匀度。发光二极管的发光效率与发光均匀度均可以得到提高。由于Mg在p型GaN层42中掺杂时，具有一定的滞后效应，依照理论掺杂量对Mg进行掺杂，最终得到的p型GaN层42中Mg容易积累在后半部，导致最终得到的p型GaN层42的质量受到影响，提供的空穴的数量也会受到影响。因此使p型GaN层42包括n个子层421，且n个子层421中Mg的掺杂浓度沿p型GaN层42的生长方向呈指数降低，对应的n个子层421的厚度沿p型GaN层42的生长方向线性减小，厚度的减小趋势低于Mg的掺杂浓度的降低趋势，后半程掺杂的较少的Mg为前半程的Mg预留除了掺杂空间。最终得到的p型GaN层42中Mg的掺杂浓度会较为均匀，p型GaN层42整体的质量也较好，可以提供更多的空穴且空穴不易被p型GaN层42中的缺陷捕获而影响空穴的移动。
示例性地，p型InGaN层41的厚度与p型GaN层42的厚度之比为1：2～1：5。
p型InGaN层41的厚度与p型GaN层42的厚度之比在以上范围内时，所得到的p型复合层4整体的质量较好，并且p型复合层4能够提供较为充足的空穴，使得最终得到的发光二极管的发光效率可以得到大幅度提高。
可选地，p型InGaN层41的厚度为2～10nm，p型GaN层42的厚度为3～20nm。
p型InGaN层41的厚度与p型GaN层42的厚度分别在以上范围内时，可适用于制备较多不同厚度规格的具有p型复合层的发光二极管外延片，并且p型InGaN层41与p型GaN层42本身的质量较好，保证提供的空穴数量足够。且p型GaN层42的厚度与p型InGaN层41的厚度之和也小于现有技术中p型GaN层42的常规厚度，因此一定程度上也可以减小p型复合层4对光线的吸收，提高最终得到的发光二极管的发光效率。
示例性地，p型InGaN层41的中部的Mg的掺杂浓度大于p型InGaN层41的两端的Mg的掺杂浓度。
p型InGaN层41的中部的Mg的掺杂浓度大于p型InGaN层41的两端的Mg的掺杂浓度，p型InGaN层41两端的质量较好，可以实现与p型GaN层42之间的良好过渡，保证最终得到的p型复合层4的晶体质量。p型InGaN层41的中部也可以提供足够的空穴，保证质量的同时可以保证有充足的空穴进入多量子阱层3中。
示例性地，p型InGaN层41中的Mg的掺杂浓度在p型InGaN层41的生长方向上可呈抛物线状连续变化。可以保证最终得到的p型InGaN层41的质量较好且可以提供足够的空穴。
可选地，在p型InGaN层41的生长方向上的p型InGaN层41的两端的Mg的掺杂浓度相等。
p型InGaN层41的两端的Mg的掺杂浓度相等的情况下，p型InGaN层41中Mg的掺杂浓度较为对称，p型InGaN层41两端的应力可以相互抵消部分，p型InGaN层41内部的应力减少会使得p型InGaN层41内部的缺陷减小，最终可以有效提高p型InGaN层41的晶体质量。
可选地，p型InGaN层41中Mg的掺杂浓度最高为1～5*1019cm-3，InGaN层中Mg的掺杂浓度最低为1～5*1018cm-3。
p型InGaN层41中Mg的掺杂浓度最高值和最低值分别为以上范围，所得到的p型InGaN层41的质量较好，也可以提供较为充足的空穴。
示例性地，p型InGaN层41中的In含量沿p型InGaN层41的生长方向降低。
p型InGaN层41中的In含量沿p型InGaN层41的生长方向降低，则p型InGaN层41中的势垒沿p型InGaN层41的生长方向升高，可以在靠近多量子阱层3的一侧设置较低的势垒区域，以保证靠近多量子阱层3一侧的空穴可以更均匀地进入多量子阱层3中。
可选地，p型InGaN层41中的In含量沿p型InGaN层41的生长方向线性减小。便于控制p型InGaN层41的良好生长。
示例性地，p型InGaN层41中的In含量可为1～5％。p型InGaN层41本身的质量较好且p型InGaN层41内Mg的激活率也较高。
需要说明的是，图1中仅显示了n等于3的情况，在本公开所提供的其他实现方式中，n也可等于4、5或6或8。本公开对此不做限制。
可选地，第i+1个子层421的厚度为第i个子层421的厚度的1/3～1/2，且第i+1个子层421中Mg的掺杂浓度与第i个子层421中Mg的掺杂浓度之比为e1～e2，i为整数，且1≤i≤n-1。
第i+1个子层421的厚度为第i个子层421的厚度的1/3～1/2，且第i+1个子层421中Mg的掺杂浓度与第i个子层421中Mg的掺杂浓度之比在以上范围内时，p型GaN层42中Mg的掺杂与子层421的厚度变化较为合理，得到的p型GaN层42的质量可以得到大幅度提高。
示例性地，最靠近多量子阱层3的一个子层421的厚度可为5～10nm，最靠近多量子阱层3的一个子层421中Mg的掺杂浓度可为5*1019cm-3～1*1020cm-3。
最靠近多量子阱层3的一个子层421的厚度与Mg的掺杂浓度分别在以上范围内时，得到的p型GaN层42的质量较好，Mg的掺杂浓度也较为均匀。
在本公开所提供的一种实现方式中，最靠近多量子阱层3的一个子层421中Mg的掺杂浓度可为5*1019cm-3，距离多量子阱层3最远的一个子层421中Mg掺杂浓度可为5*1018cm-3。得到的发光二极管的质量较好。
示例性地，p型InGaN层41插设第二子层与第三子层之间，第二子层为最靠近多量子阱层3的第二子层，第三子层为最靠近多量子阱层3的第三子层。
p型InGaN层41插设第二子层与第三子层之间，p型InGaN层41与第二子层及第三子层之间适配性较好，可以保证最终得到的p型复合层4的质量。P型复合层4也能够提供充足的空穴。
图2是本公开实施例提供的另一种具有p型复合层的发光二极管外延片的结构示意图，参考图2可知，在本公开提供的另一种实现方式中，具有p型复合层的发光二极管外延片可包括衬底1及生长在衬底1上的缓冲层5、n型GaN层2、多量子阱层3、AlGaN电子阻挡层6、p型复合层4及p型接触层7。
需要说明的是，图2中所示的p型复合层4与图1中所示的p型复合层4的结构相同，因此此处不再赘述。
可选地，衬底1可为蓝宝石衬底1。易于制作与获取。
示例性地，缓冲层5可包括依次层叠在衬底1上的GaN三维成核层51、GaN填平层52与非掺杂GaN层53。能够有效缓解晶格失配。
在本公开所提供的其他实现方式中，缓冲层5也可为铝氮、铝镓氮或铝铟镓氮中的一种。本公开对此不做限制。
可选地，n型GaN层2的掺杂元素可为Si，且Si元素的掺杂浓度可为1×1018～1×1019cm-3。n型GaN层2整体的质量较好。
示例性地，n型GaN层2的厚度可为1～5μm。得到的n型GaN层2整体的质量较好。
在本公开提供的一种实现方式中，n型GaN层2的厚度可为3μm。本公开对此不做限制。
示例性地，多量子阱层3包括多个交替层叠的InGaN阱层31及GaN垒层32，InGaN阱层31的厚度可为2～5nm，GaN垒层32的厚度可为8～20nm。
示例性地，多量子阱层3的整体厚度可为50～130nm，In摩尔含量13％～25％。
可选地，AlGaN电子阻挡层6中Al组分可为0.15～0.25。阻挡电子的效果较好。
可选地，AlGaN电子阻挡层6的厚度可为20～100nm。得到的AlGaN电子阻挡层6的质量较好。
能够提供足够的空穴，并保证具有p型复合层的发光二极管外延片整体的成本不会过高。
示例性地，p型接触层7的厚度可为10～50nm。
需要说明的是，图3中所示的外延片结构相对图1中所示的外延片结构，在衬底1与n型GaN层2之间增加了缓冲层5，在多量子阱层3与p型复合层4之间增加了阻止电子溢流的AlGaN电子阻挡层6，并在p型复合层4上还生长有p型接触层7。得到的外延片的质量及发光效率会更好。
需要说明的是，在本公开所提供的其他实现方式中，具有p型复合层的发光二极管外延片也还可包括其他层次结构，本公开对此不做限制。
图3是本公开实施例提供的一种具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法流程图，如图3所示，该具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法包括：
S101：提供一衬底。
S102：在衬底上生长n型GaN层。
S103：在n型GaN层上生长多量子阱层。
S104：在多量子阱层上生长p型复合层，p型复合层包括p型InGaN层与p型GaN层，p型InGaN层插设在p型GaN层中，且p型InGaN层与p型GaN层中均掺杂Mg，p型GaN层包括n个依次层叠的子层，n为大于或等于3的整数，n个子层的厚度沿p型GaN层的生长方向线性减小，n个子层中Mg的掺杂浓度沿p型GaN层的生长方向呈指数降低，每个子层内Mg的掺杂浓度恒定。
图3中所示的具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法所对应的技术效果，可对应参考图1中所示的具有p型复合层的发光二极管外延片对应的技术效果，因此此处不再赘述。执行完步骤S104之后的具有p型复合层的发光二极管外延片结构则可参见图1。
步骤S104中，p型InGaN层的生长温度与生长压力分别为850～950℃与100～200torr。得到的p型InGaN层的质量较好。
步骤S104中，p型GaN层的生长温度与生长压力可分别为800～900℃与200～500torr得到的p型GaN层的质量较好。
图4是本公开实施例提供的另一种具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法流程图，如图4所示，该具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法包括：
S201：提供一衬底。
其中，衬底可为蓝宝石衬底。易于实现与制作。
可选地，步骤S201还可包括：在氢气气氛下，处理衬底表面的时长为6～10min。
示例性地，处理衬底表面时，反应腔的温度可为1000～1200℃，反应腔的压力可为200～500Torr。
在本公开所提供的一种实现方式中，处理衬底时，反应腔的温度也可为1100℃，处理衬底表面的时长可为8min。
步骤S201还可包括：对衬底的表面进行氮化处理，在衬底的表面铺一层氮原子。可以便于氮化镓材料的快速生长。
S202：在衬底上生长缓冲层。
可选地，控制反应腔的温度为450℃～600℃，反应腔的压力为200torr～500torr，生长GaN三维成核层；然后升高反应腔的温度至950℃～1200℃依次生长GaN填平层与非掺杂GaN层。得到质量较好的缓冲层。
S203：在缓冲层上生长n型GaN层。
可选地，n型GaN层的生长温度可为950℃～1200℃，n型GaN层的生长压力可为200Torr～500Torr。
S204：在n型GaN层上生长多量子阱层。
步骤S204中，多量子阱层包括交替生长的InGaN阱层与GaN垒层。
可选地，InGaN阱层的生长温度与生长压力分别为700～800℃与100torr～300torr，GaN垒层的生长温度与生长压力分别为700～900℃与100torr～300torr。得到的多量子阱层的质量较好。
可选地，InGaN阱层的厚度为2～4nm，GaN垒层的厚度为5～10nm。得到的多量子阱层的质量较好。
S205：在多量子阱层上生长AlGaN电子阻挡层。
AlGaN电子阻挡层的生长温度可为600～1000℃，AlGaN电子阻挡层的生长压力可为100～300Torr。在此条件下生长得到的AlGaN电子阻挡层的质量较好，有利于提高发光二极管的发光效率。
S206：在AlGaN电子阻挡层上生长p型复合层。
可选地，p型复合层的生长步骤可参照图1中所示的步骤S104，因此此处不再赘述。
S207：在p型复合层上生长p型接触层。
可选地，p型接触层的生长压力可为100Torr～300Torr，p型接触层的生长温度可为850℃～1050℃。
在本公开所提供的一种实现方式中，p型接触层的生长温度可为950℃，p型接触层的生长压力可为200Torr。
需要说明的是，图4中所示的具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法，相对图1中所示的发光二极管的制备方法，提供了一种更为详细的具有p型复合层的发光二极管外延片的生长方式。
S208：对具有p型复合层的发光二极管外延片进行退火处理。
步骤S208可包括：将温度调整至650℃～850℃，在氢气氛围下对具有p型复合层的发光二极管外延片进行5分钟～15分钟的退火处理。
在本公开所提供的一种实现方式中，退火温度可为750℃，退火时间可为10min。
执行完步骤S208后的具有p型复合层的发光二极管外延片的结构可参见图4。
需要说明的是，在本公开实施例中，采用VeecoK 465i or C4 or RB MOCVD(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现发光二极管的生长方法。采用高纯H2(氢气)或高纯N2(氮气)或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，三甲基镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，硅烷(SiH4)作为N型掺杂剂，三甲基铝(TMAl)作为铝源，二茂镁(CP2Mg)作为P型掺杂剂。
以上所述，并非对本公开作任何形式上的限制，虽然本公开已通过实施例揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种具有p型复合层的发光二极管外延片，其特征在于，所述具有p型复合层的发光二极管外延片包括n型GaN层、多量子阱层及p型复合层，所述p型复合层包括p型InGaN层与p型GaN层，所述p型InGaN层插设在所述p型GaN层中，且所述p型InGaN层与所述p型GaN层中均掺杂Mg，所述p型GaN层包括n个依次层叠的子层，n为大于或等于3的整数，所述n个子层的厚度沿所述p型GaN层的生长方向线性减小，所述n个子层中Mg的掺杂浓度沿所述p型GaN层的生长方向呈指数降低，每个所述子层内Mg的掺杂浓度恒定。
2.根据权利要求1所述的具有p型复合层的发光二极管外延片，其特征在于，所述p型InGaN层的厚度与所述p型GaN层的厚度之比为1:2～1:5。
3.根据权利要求1所述的具有p型复合层的发光二极管外延片，其特征在于，所述p型InGaN层的厚度为2～10nm，所述p型GaN层的厚度为3～20nm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的具有p型复合层的发光二极管外延片，其特征在于，第i+1个所述子层的厚度为第i个所述子层的厚度的1/3～1/2，且第i+1个所述子层中Mg的掺杂浓度与第i个所述子层中Mg的掺杂浓度之比为e1～e2，i为整数，且1≤i≤n-1。
5.根据权利要求1～3任一项所述的具有p型复合层的发光二极管外延片，其特征在于，最靠近所述多量子阱层的所述子层的厚度为5～10nm，最靠近所述多量子阱层的所述子层中Mg的掺杂浓度为5*1019cm-3～1*1020cm-3。
6.根据权利要求1～3任一项所述的具有p型复合层的发光二极管外延片，其特征在于，所述p型InGaN层插设第二个子层与第三个子层之间，所述第二个子层为最靠近所述多量子阱层的第二个所述子层，所述第三个子层为最靠近所述多量子阱层的第三个所述子层。
7.根据权利要求1～3任一项所述的具有p型复合层的发光二极管外延片，其特征在于，所述p型InGaN层的中部的Mg的掺杂浓度大于所述p型InGaN层的两端的Mg的掺杂浓度。
8.根据权利要求7所述的具有p型复合层的发光二极管外延片，其特征在于，在所述p型InGaN层的生长方向上的所述p型InGaN层的两端的Mg的掺杂浓度相等。
9.根据权利要求1～3任一项所述的具有p型复合层的发光二极管外延片，其特征在于，所述p型InGaN层中的In含量沿所述p型InGaN层的生长方向降低。
10.一种具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长n型GaN层；
在所述n型GaN层上生长多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长p型复合层，所述p型复合层包括p型InGaN层与p型GaN层，所述p型InGaN层插设在所述p型GaN层中，且所述p型InGaN层与所述p型GaN层中均掺杂Mg，所述p型GaN层包括n个依次层叠的子层，n为大于或等于3的整数，所述n个子层的厚度沿所述p型GaN层的生长方向线性减小，所述n个子层中Mg的掺杂浓度沿所述p型GaN层的生长方向呈指数降低，每个所述子层内Mg的掺杂浓度恒定。
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