CN113639902B - 一种压力传感器及其制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 78
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/18—Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/06—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
- H10N30/302—Sensors
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Abstract
本发明提供了一种压力传感器及其制作方法，该压力传感器包括具有相对的第一面及第二面的衬底、设置在衬底的第一面上的感压膜、设置在衬底的第二面上的压力腔、设置在衬底的第二面上的盖板。感压膜上设置有由四个压敏电阻组成的惠斯通电桥。四个压敏电阻包括两个纵向电阻和两个横向电阻；两个纵向电阻的电阻阻值相等，两个横向电阻的电阻阻值相等。纵向电阻的电阻阻值大于横向电阻的电阻阻值。通过设置两个纵向电阻的电阻阻值大于两个横向电阻的电阻阻值，利用惠斯通电桥上两个纵向桥臂与两个横向桥臂的电阻阻值的不对称设计，以引入与原有非线性趋势相反的非线性在电路层面补偿压力传感器的整体非线性，从而减小压力传感器的非线性误差。
Description
技术领域
本发明涉及技术传感器技术领域，尤其涉及一种压力传感器及其制作方法。
背景技术
近些年MEMS压力传感器已广泛应用于工业控制、航空航天、海洋、军事、生物医疗等诸多领域。硅压阻式压力传感器是目前使用最广泛、用量最大的传感器之一。它主要利用了硅的压阻效应，通过掺杂在感压膜上形成压敏电阻并将电阻连接成惠斯通电桥，感压膜受压时会产生应变，进而导致压敏电阻的电阻率发生变化，使得惠斯通电桥的输出随压力变化而改变。其具有灵敏度高、信号易于测量、易于小型化、便于批量生产等优点。
非线性误差是压阻式压力传感器的一个十分重要的技术指标，是基本误差的主要来源，严重影响压力传感器的精度和准确度，尤其对于高量程压力传感器而言。非线性误差的来源主要包括几何非线性误差、物理非线性误差和电路非线性误差。其中，几何非线性误差是由于膜片的大挠度变形造成的应力与压力之间的非线性。物理非线性误差主要是压阻效应本身的非线性，由于压力导致晶格变形使得能带结构发生变化而产生的非线性。电路非线性误差主要是由于掺杂不均、电阻条刻蚀存在工艺误差等原因引起的电桥各桥臂电学参数不对称而引起的非线性。
发明内容
本发明提供了一种压力传感器及其制作方法，用以减小压力传感器的非线性误差。
第一方面，本发明提供了一种压力传感器，该压力传感器包括具有相对的第一面及第二面的衬底、设置在衬底的第一面上的感压膜、设置在衬底的第二面上的压力腔、以及设置在衬底的第二面上且盖合在压力腔上以形成密封腔体的盖板。其中，感压膜上设置有由四个压敏电阻组成的惠斯通电桥。四个压敏电阻包括两个纵向电阻和两个横向电阻；两个纵向电阻的电阻阻值相等，两个横向电阻的电阻阻值相等。且纵向电阻的电阻阻值大于横向电阻的电阻阻值。
在上述的方案中，通过设置两个纵向电阻的电阻阻值大于两个横向电阻的电阻阻值，利用惠斯通电桥上两个纵向桥臂与两个横向桥臂的电阻阻值的不对称设计，以引入与原有非线性趋势相反的非线性来补偿压力传感器的整体非线性，从而在电路层面减小压力传感器的非线性误差，提高压力传感器的测试精度和准确度，增强压力传感器的性能。
在一种具体的实施方式中，感压膜的形状为正方形；在感压膜的厚度为定值时，感压膜的边长越小，压力传感器的量程越大，纵向电阻与横向电阻的电阻阻值比越大，以确定较为恰当的纵向电阻与横向电阻的电阻阻值比。
在一种具体的实施方式中，感压膜的形状为正方形；在感压膜的边长为定值时，感压膜的厚度越大，压力传感器的量程越大，纵向电阻与横向电阻的电阻阻值比越大，以确定较为恰当的纵向电阻与横向电阻的电阻阻值比。
在一种具体的实施方式中，感压膜的形状为圆形；在感压膜的厚度为定值时，感压膜的半径越小，压力传感器的量程越大，纵向电阻与横向电阻的电阻阻值比越大，以确定较为恰当的纵向电阻与横向电阻的电阻阻值比。
在一种具体的实施方式中，感压膜的形状为圆形；在感压膜的半径为定值时，感压膜的厚度越大，压力传感器的量程越大，纵向电阻与横向电阻的电阻阻值比越大，以确定较为恰当的纵向电阻与横向电阻的电阻阻值比。
在一种具体的实施方式中，纵向电阻与横向电阻的初始电阻率为定值；在感压膜受压发生设定形变时，纵向电阻与横向电阻所处位置的应力越大，纵向电阻与横向电阻的电阻阻值比越小，以确定较为恰当的纵向电阻与横向电阻的电阻阻值比。
在一种具体的实施方式中，在感压膜受压发生设定形变时，纵向电阻与横向电阻的初始电阻率越大，纵向电阻与横向电阻的电阻阻值比越小，以确定较为恰当的纵向电阻与横向电阻的电阻阻值比。
在一种具体的实施方式中，纵向电阻与横向电阻的电阻阻值比为大于1，且小于或等于2，以确定较为恰当的纵向电阻与横向电阻的电阻阻值比。
在一种具体的实施方式中，衬底的材质为单晶硅，四个压敏电阻形成于衬底的(100)晶面，且四个压敏电阻沿衬底的<110>晶向排列，提高压力传感器的灵敏度。
在一种具体的实施方式中，每个压敏电阻为P型电阻；每个P型电阻包括在衬底的第一面掺杂硼形成的P-压阻区，且纵向电阻中P-压阻区的长度大于横向电阻P-压阻区的长度，以便于设置压敏电阻。
在一种具体的实施方式中，每个P型电阻还包括在衬底的第一面掺杂形成于P-压阻区两侧且与P-压阻区导电连接的P+低阻区；四个P-压阻区通过对应的P+低阻区连接形成惠斯通电桥；在衬底的第一面上还设置有使惠斯通电桥与外部绝缘隔开的钝化层；且惠斯通电桥上设置有外漏于钝化层外且作为惠斯通电桥的输入端或输出端的管脚。以便于向惠斯通电桥内通电压等输入信号，测量惠斯通电桥的输出电压等输出信号的变化。且防止惠斯通电桥与外部电连接，进而影响压力传感器的测试精度，或损坏压力传感器。
第二方面，本发明还提供了一种压力传感器的制作方法，该制作方法包括：提供具有相对的第一面及第二面的衬底；在衬底的第一面上设置用于组成惠斯通电桥的四个压敏电阻；其中，四个压敏电阻包括两个纵向电阻和两个横向电阻；两个纵向电阻的阻值相等，两个横向电阻的阻值相等；且纵向电阻的电阻阻值大于横向电阻的电阻阻值；在衬底的第二面上设置压力腔；在衬底的第二面上设置盖合在压力腔上以形成密封腔体的盖板。通过设置两个纵向电阻的电阻阻值大于两个横向电阻的电阻阻值，利用惠斯通电桥上两个纵向桥臂与两个横向桥臂的电阻阻值的不对称设计，以引入与原有非线性趋势相反的非线性来补偿压力传感器的非线性，从而减小压力传感器的非线性误差，提高压力传感器的测试精度和准确度，增强压力传感器的性能。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种压力传感器的剖面图；
图2为本发明实施例提供的一种压力传感器上四个压敏电阻的分布示意图；
图3为本发明实施例提供的一种压力传感器制作过程中所提供的衬底的剖面示意图；
图4为本发明实施例提供的一种压力传感器制作过程中掺杂硼形成P-压阻区的示意图；
图5为本发明实施例提供的一种压力传感器制作过程中掺杂形成N+隔离区的示意图；
图6为本发明实施例提供的一种压力传感器制作过程中掺杂形成P+低阻区的示意图；
图7为本发明实施例提供的一种压力传感器制作过程中在介质层上刻蚀接触孔的示意图；
图8为本发明实施例提供的一种压力传感器制作过程中设置管脚的示意图；
图9为本发明实施例提供的一种压力传感器制作过程中设置钝化层的示意图；
图10为本发明实施例提供的一种压力传感器制作过程中设置压力腔的示意图。
附图标记：
10-衬底 11-感压膜 12-压力腔
13-盖板 14-纵向电阻 15-横向电阻
21-P-压阻区 22-P+低阻区 23-N+隔离区
31-SiO2层 32-SiNx层 33-介质层
34-钝化层 41-接触孔 42-导线 43-管脚
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为了方便理解本发明实施例提供的压力传感器，下面首先说明一下本发明实施例提供的压力传感器的应用场景，该压力传感器作为传感器中的一种，通过感受压力信号，并能按照一定的规律将压力信号转换成可用的输出的电信号。下面结合附图对该压力传感器进行详细的叙述。
参考图1及图2，本发明实施例提供的压力传感器包括具有相对的第一面及第二面的衬底10、设置在衬底10的第一面上的感压膜11、设置在衬底10的第二面上的压力腔12、以及设置在衬底10的第二面上且盖合在压力腔12上以形成密封腔体的盖板13。其中，感压膜11上设置有由四个压敏电阻组成的惠斯通电桥。四个压敏电阻包括两个纵向电阻14和两个横向电阻15；两个纵向电阻14的电阻阻值相等，两个横向电阻15的电阻阻值相等。且纵向电阻14的电阻阻值大于横向电阻15的电阻阻值。
在上述的方案中，通过设置两个纵向电阻14的电阻阻值大于两个横向电阻15的电阻阻值，利用惠斯通电桥上两个纵向桥臂与两个横向桥臂的电阻阻值的不对称设计，以引入与原有非线性趋势相反的非线性来补偿压力传感器的整体非线性，从而减小压力传感器的非线性误差，提高压力传感器的测试精度和准确度，增强压力传感器的性能。下面结合附图对上述各个部件进行详细的介绍。
在设置衬底10时，衬底10具有相对的第一面及第二面，可以以图1中位于衬底10上方的表面为衬底10的第一面，以图1中位于衬底10下方的表面为衬底10的第二面。在具体确定衬底10的材质时，衬底10的材质可以为单晶硅，也可以为其他能够作为压力传感器的衬底10的材料。衬底10的形状可以为如图2示出的正方形，也可以为圆形。
在衬底10的第一面上设置有感压膜11，在衬底10的第二面上设置有中空的压力腔12，能够使感压膜11发生形变。在压力传感器受压时，感压膜11发生形变，通过感压膜11形变的大小来反应压力传感器所受压力的大小。在感压膜11发生形变时，感压膜11上的压敏电阻也发生形变，从而使压敏电阻的阻值发生变化。通过形成的惠斯通电桥结构测试四个压敏电阻的阻值变化情况，以计算出压力传感器所受的压力。在确定感压膜11的形状时，感压膜11的形状可以为正方形，也可以为圆形。应当注意的是，感压膜11的形状与衬底10的形状并不具有关联性，即衬底10的形状可以与感压膜11的形状不一致。衬底10仅仅作为设置感压膜11及压力腔12的载体，故而感压膜11及压力腔12的形状可以与衬底10的形状不一致。
在设置上述的盖板13时，盖板13可以通过键合方式将盖板13设置在衬底10的第二面。且盖板13盖合在压力腔12上，以形成一个密闭的腔体结构。另外，盖板13可以为玻璃盖板。
上述将惠斯通电桥中的四个压敏电阻分为两个纵向电阻14及两个横向电阻15的分类方式为现有技术中常规的对惠斯通电桥中四个桥臂分类的方式。其中纵向电阻14指在感压膜11受压时，该电阻所受的主要应力与该电阻上电流的流通方向相同的电阻，可以以图2中位于上下方向上的两个电阻L作为纵向电阻14。横向电阻15是指在感压膜11受压时，该电阻所受的主要应力与该电阻上电流的流通方向垂直的电阻，可以以图2中位于左右方向上的两个电阻T作为横向电阻15。
本发明实施例提供的纵向电阻14的电阻阻值大于横向电阻15的电阻阻值，即纵向电阻14的电阻阻值与横向电阻15的电阻阻值之比(为便于下面描述，将“纵向电阻14的电阻阻值与横向电阻15的电阻阻值之比”简称为“纵横电阻之比”)大于1。另外，随着纵横电阻之比从1逐渐扩大时，压力传感器的非线性误差会先逐渐减小后逐渐增大。即纵横电阻之比存在一个范围，能够将压力传感器的非线性误差补偿至较为理想的状态，此时，压力传感器的非线性误差非常小，压力传感器的测试精度较好。
在具体确定纵横电阻之比时，纵横电阻之比与压力传感器量程、压敏电阻的初始电阻率、压敏电阻在衬底10的第一面上所处的应力位置相关。其中，上述压敏电阻的初始电阻率是指在感压膜不受外力作用的情况下，压敏电阻的电阻率。感压膜11的厚度越大，压力传感器的量程越大；感压膜11的厚度越小，压力传感器的量程越小。以图1中衬底10上压力腔12的上表面与衬底10的第一面的上表面之间的距离d表征感压膜11的厚度。
在感压膜11的形状为正方形时，通常情况下，感压膜11的厚度越大，感压膜11的边长越小，压力传感器的量程越大，其最优纵横电阻比越大。具体的，在感压膜11的厚度为定值时，感压膜11的边长越小，压力传感器的量程越大，纵向电阻14与横向电阻15的电阻阻值比越大。或者是：在感压膜11的边长为定值时，感压膜11的厚度越大，压力传感器的量程越大，纵向电阻14与横向电阻15的电阻阻值比越大。
在感压膜11的形状为圆形时，通常情况下，感压膜11的厚度越大，感压膜11的半径越小，压力传感器的量程越大，其最优纵横电阻比越大。具体的，在感压膜11的厚度为定值时，感压膜11的半径越小，压力传感器的量程越大，纵向电阻14与横向电阻15的电阻阻值比越大。或者是：在感压膜11的半径为定值时，感压膜11的厚度越大，压力传感器的量程越大，纵向电阻14与横向电阻15的电阻阻值比越大。
另外，压力传感器中压敏电阻的初始电阻率越大、压敏电阻所处位置应力越大，其最优纵横电阻比越小。在确定纵向电阻14与横向电阻15的初始电阻率时，纵向电阻14的初始电阻率与横向电阻15的初始电阻率可以相等，也可以不相等。在纵向电阻14及横向电阻15的初始电阻率为定值，在感压膜11受压发生设定形变时，纵向电阻14与横向电阻15所处位置的应力越大，纵向电阻14与横向电阻15的电阻阻值比越小。其中，上述感压膜11发生设定形变指感压膜11的形变量相同或较为相似。通过使感压膜11发生相同或较为相同的形变，确定纵向电阻14及横向电阻15在衬底10上的不同分布位置下，纵横电阻之比的恰当值。
或者，在感压膜11受压发生设定形变时，纵向电阻14与横向电阻15的初始电阻率越大，纵向电阻14与横向电阻15的电阻阻值比越小。其中，上述感压膜11发生设定形变同样指感压膜11的形变量相同或较为相似。通过使感压膜11发生相同或较为相同的形变，确定纵向电阻14及横向电阻15在不同的初始电阻率的情况下，纵横电阻之比的恰当值。
由于不同的压力传感器的设计各不相同，优化非线性的最优纵横电阻之比也会有差异，通常来说最优纵横电阻之比大于1，且小于或等于2。具体的，纵横电阻之比可以为1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2.0等大于1且小于等于2之间的任意值。
在衬底10的材质为单晶硅时，在设置四个压敏电阻时，四个压敏电阻形成于衬底10的(100)晶面，且四个压敏电阻沿衬底10的<110>晶向排列，提高压力传感器的灵敏度。其中，上述(100)晶面以及<110>晶向是密勒系统中用于表征晶面及晶向的符号。
在设置每个压敏电阻时，每个压敏电阻可以为P型电阻。具体设置时，参考图1，每个P型电阻可以包括在衬底10的第一面掺杂硼形成的P-压阻区21。该P-压阻区21为每个压敏电阻在工作时，表征形变及阻值变化的核心区。在具体使纵向电阻14大于横向电阻15时，参考图2，纵向电阻14中P-压阻区21的长度大于横向电阻15P-压阻区21的长度，以便于设置压敏电阻。应当理解的是，压敏电阻的初始电阻率与在P-压阻区21的掺杂浓度有关，通常情况下，掺杂浓度越大，初始电阻率越小；掺杂浓度越小，初始电阻率越大。
继续参考图1，每个P型电阻还可以包括在衬底10的第一面掺杂形成于P-压阻区21两侧且与P-压阻区21导电连接的P+低阻区22。四个P-压阻区21通过对应的P+低阻区连接形成所述惠斯通电桥，即四个压敏电阻的P-压阻区21不是直接通过导线42连接，而是通过导线42连接设置在每个P-压阻区21两侧的P+低阻区22，从而用于连接形成惠斯通电桥的导线42通过对应的P+低阻区22与对应的P-压阻区21实现间接电连接。上述连接四个压敏电阻的P+低阻区22的导线42可以为铝、铜、金、银等金属导线。
继续参考图1，在衬底10的第一面上还设置有使惠斯通电桥与外部绝缘隔开的钝化层34，惠斯通电桥上设置有外漏于钝化层34外且作为惠斯通电桥的输入端或输出端的管脚43，以便于向惠斯通电桥内通电压等输入信号，测量惠斯通电桥的输出电压等输出信号的变化。且防止惠斯通电桥与外部电连接，进而影响压力传感器的测试精度，或损坏压力传感器。在具体确定管脚43的个数时，其与惠斯通电桥选择开环还是闭环的连接方式有关。例如，在惠斯通电桥为闭环时，管脚43的个数可以为4个；在惠斯通电桥为开环时，管脚43的个数为5个。在具体设置每个管脚43时，每个管脚43与导线42电连接。可以设置导线42与管脚43为一体结构，以便于设置。应当注意的是，管脚43的个数并不限于仅仅与惠斯通电桥的开环或闭环的连接方式有关，管脚43的个数也与是否连接补偿电路有关。其中，上述补偿电路是现有技术中的用于感压膜上的一种电路。在设置有补偿电路时，还需要设置用于连接补偿电路的管脚43，从而使管脚43的个数可能更多。
通过设置两个纵向电阻14的电阻阻值大于两个横向电阻15的电阻阻值，利用惠斯通电桥上两个纵向桥臂与两个横向桥臂的电阻阻值的不对称设计，以引入与原有非线性趋势相反的非线性在电路层面补偿压力传感器的整体非线性，从而减小压力传感器的非线性误差，提高压力传感器的测试精度和准确度，增强压力传感器的性能。
另外，本发明还提供了一种压力传感器的制作方法，参考图1及图2，该制作方法包括：提供具有相对的第一面及第二面的衬底10；在衬底10的第一面上设置用于组成惠斯通电桥的四个压敏电阻；其中，四个压敏电阻包括两个纵向电阻14和两个横向电阻15；两个纵向电阻14的阻值相等，两个横向电阻15的阻值相等；且纵向电阻14的电阻阻值大于横向电阻15的电阻阻值；在衬底10的第二面上设置压力腔12；在衬底10的第二面上设置盖合在压力腔12上以形成密封腔体的盖板13。通过设置两个纵向电阻14的电阻阻值大于两个横向电阻15的电阻阻值，利用惠斯通电桥上两个纵向桥臂与两个横向桥臂的电阻阻值的不对称设计，以引入与原有非线性趋势相反的非线性来补偿压力传感器的整体非线性，从而减小压力传感器的非线性误差，提高压力传感器的测试精度和准确度，增强压力传感器的性能。下面结合附图对上述步骤进行详细的介绍。
步骤1：提供具有相对的第一面及第二面的衬底10。参考图3，提供有一个具体第一面及第二面的单晶硅衬底10。在衬底10的第二面(以图3中位于下面的表面为第二面)依次淀积SiO2层31，低应力淀积SiNx层32作为背面保护层。且还需去除衬底10的第一面上淀积的保护层。
步骤2：在衬底10的第一面上设置用于组成惠斯通电桥的四个压敏电阻；其中，四个压敏电阻包括两个纵向电阻14和两个横向电阻15；两个纵向电阻14的阻值相等，两个横向电阻15的阻值相等；且纵向电阻14的电阻阻值大于横向电阻15的电阻阻值。具体的，参考图4，在衬底10的第一面上淀积一层SiO2层31。注前氧化后，光刻注入硼离子，在衬底10的第一面上形成P-压阻区21。且该部分横向电阻15与纵向电阻14阻值不同，参考图2，体现在纵向电阻14的长度较横向电阻15长。
在P-压阻区21掺杂完成后，参考图5及图6，依次光刻注入形成N+隔离区23及P+低阻区22。
在设置好P-压阻区21、N+隔离区23及P+低阻区22后，参考图7，在衬底10的第一面上淀积介质层33；之后刻蚀出接触孔41。
参考图8，淀积金属层在接触孔41及介质层33上，之后刻蚀形成连接四个P-压阻区21的导线42，以将四个压敏电阻连接形成惠斯通电桥，从而完成金属布线。
参考图9，淀积钝化层34，并对覆盖在导线42上方部分的钝化层34刻蚀形成外漏于钝化层34外的管脚43。
步骤3：在衬底10的第二面上设置压力腔12。参考图10，在衬底10的第二面上进行背腔腐蚀形成压力腔12，且还去除背面保护层。
步骤4：在衬底10的第二面上设置盖合在压力腔12上以形成密封腔体的盖板13。参考图1，在衬底10的第二面上通过键合方式将盖板13设置在衬底10的第二面上。
以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种压力传感器，其特征在于，包括：
具有相对的第一面及第二面的衬底；
设置在所述衬底的第一面上的感压膜，所述感压膜上设置有由四个压敏电阻组成的惠斯通电桥；所述四个压敏电阻包括两个纵向电阻和两个横向电阻；所述两个纵向电阻的电阻阻值相等，所述两个横向电阻的电阻阻值相等；且所述纵向电阻的电阻阻值大于所述横向电阻的电阻阻值，利用惠斯通电桥上两个纵向桥臂与两个横向桥臂的电阻阻值的不对称设计，以引入与原有非线性趋势相反的非线性来补偿压力传感器的整体非线性，减小压力传感器的非线性误差；
设置在所述衬底的第二面上的压力腔；
设置在所述衬底的第二面上且盖合在所述压力腔上以形成密封腔体的盖板。
2.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述感压膜的形状为正方形；在所述感压膜的厚度为定值时，所述感压膜的边长越小，所述纵向电阻与所述横向电阻的电阻阻值比越大。
3.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述感压膜的形状为正方形；在所述感压膜的边长为定值时，所述感压膜的厚度越大，所述纵向电阻与所述横向电阻的电阻阻值比越大。
4.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述感压膜的形状为圆形；在所述感压膜的厚度为定值时，所述感压膜的半径越小，所述纵向电阻与所述横向电阻的电阻阻值比越大。
5.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述感压膜的形状为圆形；在所述感压膜的半径为定值时，所述感压膜的厚度越大，所述纵向电阻与所述横向电阻的电阻阻值比越大。
6.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述纵向电阻与所述横向电阻的初始电阻率为定值；
在所述感压膜受压发生设定形变时，所述纵向电阻与所述横向电阻所处位置的应力越大，所述纵向电阻与所述横向电阻的电阻阻值比越小。
7.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，在所述感压膜受压发生设定形变时，所述纵向电阻与所述横向电阻的初始电阻率越大，所述纵向电阻与所述横向电阻的电阻阻值比越小。
8.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述纵向电阻与所述横向电阻的电阻阻值比为大于1，且小于或等于2。
9.如权利要求1-8任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述衬底的材质为单晶硅，所述四个压敏电阻形成于所述衬底的(100)晶面，且所述四个压敏电阻沿所述衬底的<110>晶向排列。
10.如权利要求9所述的压力传感器，其特征在于，每个压敏电阻为P型电阻；每个P型电阻包括在所述衬底的第一面掺杂硼形成的P-压阻区，且所述纵向电阻中P-压阻区的长度大于所述横向电阻P-压阻区的长度。
11.如权利要求10所述的压力传感器，其特征在于，每个P型电阻还包括在所述衬底的第一面掺杂形成于所述P-压阻区两侧且与所述P-压阻区导电连接的P+低阻区；
所述四个P-压阻区通过对应的P+低阻区连接形成所述惠斯通电桥；
在所述衬底的第一面上还设置有使所述惠斯通电桥与外部绝缘隔开的钝化层；
所述惠斯通电桥上设置有外漏于所述钝化层外且作为所述惠斯通电桥的输入端或输出端的管脚。
12.一种压力传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供具有相对的第一面及第二面的衬底；
在所述衬底的第一面上设置用于组成惠斯通电桥的四个压敏电阻；其中，所述四个压敏电阻包括两个纵向电阻和两个横向电阻；所述两个纵向电阻的阻值相等，所述两个横向电阻的阻值相等；且所述纵向电阻的电阻阻值大于所述横向电阻的电阻阻值，利用惠斯通电桥上两个纵向桥臂与两个横向桥臂的电阻阻值的不对称设计，以引入与原有非线性趋势相反的非线性来补偿压力传感器的整体非线性，减小压力传感器的非线性误差；
在所述衬底的第二面上设置压力腔；
在所述衬底的第二面上设置盖合在所述压力腔上以形成密封腔体的盖板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010347092.6A CN113639902B (zh) | 2020-04-27 | 2020-04-27 | 一种压力传感器及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010347092.6A CN113639902B (zh) | 2020-04-27 | 2020-04-27 | 一种压力传感器及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113639902A CN113639902A (zh) | 2021-11-12 |
| CN113639902B true CN113639902B (zh) | 2023-08-15 |
Family
ID=78415313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010347092.6A Active CN113639902B (zh) | 2020-04-27 | 2020-04-27 | 一种压力传感器及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113639902B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114061797B (zh) * | 2021-11-17 | 2023-12-22 | 东南大学 | 一种双电桥结构mems压阻式压力传感器及其制备方法 |
| CN114088257B (zh) * | 2021-11-17 | 2023-12-22 | 东南大学 | 一种mems压阻式压力传感器及其制备方法 |
| CN114608730B (zh) * | 2022-03-24 | 2024-03-19 | 天水天光半导体有限责任公司 | 一种硅圆膜压阻传感器、及其实现方法 |
| CN114964599A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-08-30 | 南京高华科技股份有限公司 | 微机械压力传感器及其制作方法 |
| CN116839771B (zh) * | 2023-06-30 | 2024-06-04 | 电子科技大学 | 一种单轴敏感的集成应力传感器及其设计方法 |
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| CN2110217U (zh) * | 1991-12-13 | 1992-07-15 | 天津大学 | 硅高温压力传感器 |
| CN101034021A (zh) * | 2007-03-02 | 2007-09-12 | 清华大学 | 宽应力区硅压力传感器 |
| CN204128719U (zh) * | 2014-09-28 | 2015-01-28 | 缪建民 | 高灵敏度硅压阻压力传感器 |
-
2020
- 2020-04-27 CN CN202010347092.6A patent/CN113639902B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN204128719U (zh) * | 2014-09-28 | 2015-01-28 | 缪建民 | 高灵敏度硅压阻压力传感器 |
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| Title |
|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113639902A (zh) | 2021-11-12 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |