CN113611805B - 发光器件及其制备方法和发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光器件及其制备方法和发光装置。发光器件包括层叠设置的阴极、无机电子传输层、发光层和阳极；其中，所述无机电子传输层为n型掺杂剂掺杂的二氧化锆层，所述n型掺杂剂选自钒、铌、钽、锑和铋中的至少一种。该发光器以具有较低导带底能级且掺杂有n型掺剂的二氧化锆层作为无机电子传输层，其与发光器件中的其他有机功能层的LUMO或导带底能级接近，且电子导电性好，有助于发光器件的电子传输，提高发光器件的发光性能。

Description

发光器件及其制备方法和发光装置
技术领域
本发明涉及显示和照明技术领域，特别是涉及一种发光器件及其制备方法和发光装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)和量子点发光二极管(QLED)显示器件由于具有自发光、可柔性、可折叠、轻薄、抗震性好、可视角大、灵敏度高等诸多的优势，得到了企业界和学术界广泛的关注和研究。
OLED和QLED的结构可分为正置和倒置两种，其中倒置结构具有一些特殊的优势，例如：底部阴极与n沟道TFT驱动单元能够更好的结合，器件的寿命具有更大的潜力。当前，在倒置结构OLED和QLED中，n型金属氧化物(例如ZnO、TiO2等)被广泛用作电子注入层或电子传输层材料，这是因为n型金属氧化物一般具有优异的电子导电性、稳定性等性质，为器件结构设计、提高器件稳定性等方面带来便利。但是，大多数n型金属氧化物(例如ZnO、TiO2等)的导带底能级为-4eV～-4.5eV左右，虽然有助于和电极之间形成欧姆接触，但与有机电子传输材料、有机发光材料、高能量子点等的最低未占分子轨道(LUMO)能级或导带底能级之间却具有较大的电子势垒(通常>1eV)，这制约着倒置结构OLED和QLED的发展，影响着发光性能。
因而，现有技术还有待进一步改进和提高。
发明内容
基于此，有必要提供一种发光器件，能够有效提高发光性能。
本发明提供一种发光器件，包括层叠设置的阴极、无机电子传输层、发光层和阳极；
其中，所述无机电子传输层为n型掺杂剂掺杂的二氧化锆(ZrO2)层，所述n型掺杂剂选自钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、锑(Sb)和铋(Bi)中的至少一种。
上述发光器件以具有较低导带底能级的且掺杂有n型掺杂剂的ZrO2(二氧化锆)层作为无机电子传输层，与发光器件中发光层的有机发光材料或量子点材料的LUMO或导带底能级接近，降低了阴极与发光层之间的电子注入势垒，并通过掺杂n型掺杂剂提高ZrO2的电子导电性，从而有助于促进发光器件的电子传输，进而提高了发光器件的发光性能。
在其中一些实施例中，所述发光层的导带底能级为-3eV～-3.5eV，或所述发光层的LUMO为-2.5eV～-3eV。
在其中一些实施例中，所述n型掺杂剂掺杂的二氧化锆层的导带底能级为-2.8eV～-3.0eV。
在其中一些实施例中，基于所述无机电子传输层的总质量，所述n型掺杂剂的含量为0.1wt％～15wt％。
进一步地，所述n型掺杂剂为铌。
进一步地，基于所述无机电子传输层的总质量，所述n型掺杂剂的含量为1wt％～10wt％。
在其中一些实施例中，所述发光器件还包括：
空穴传输层，所述空穴传输层设于所述阳极和所述发光层之间；所述空穴传输层的材料选自CDBP、mCBP、CBP、mCP、TCTA、TAPC、NPB和α-NPD中的至少一种。
在其中一些实施例中，所述发光器件还包括：
空穴注入层，所述空穴注入层设于所述阳极和所述空穴传输层之间，所述空穴注入层的材料选自HAT-CN、F4-TCNQ、MoO3、V2O5、WO3和ReO3中的至少一种。
在其中一些实施例中，所述发光器件为OLED器件或QLED器件。
在其中一些实施例中，所述OLED器件还包括有机电子传输层，所述有机电子传输层设于所述无机电子传输层和所述发光层之间，所述有机电子传输层的材料选自TPBi、TmPyPb、BCP、Balq、Bphen、TmPyTz和B3PYMPM中的至少一种。
本发明另一目的在于提供一种发光器件的制备方法，用于制备上述发光器件，所述制备方法包括如下步骤：
形成阴极，于所述阴极上依次层叠形成无机电子传输层、发光层和阳极；或者
形成阳极，于所述阳极上依次层叠形成发光层、无机电子传输层和阴极；
其中，所述无机电子传输层为n型掺杂剂掺杂的二氧化锆层，所述n型掺杂剂选自钒、铌、钽、锑和铋中的至少一种。
在其中一些实施例中，形成所述无机电子传输层的方法为磁控溅射法或水热法。
本发明又一目的在于提供一种发光装置，所述发光装置包括上述的发光器件或采用上述制备方法制得的发光器件。
值得说明的是，该发光装置可以为显示装置或照明装置。显示装置可为平板显示、电视显示、电子纸、逻辑与存储电路、柔性显示等。
附图说明
图1为本发明一实施例的发光器件的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述，并给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
为了解决传统的n型金属氧化物电子注入/传输层与有机电子传输层、有机发光层或高能量子点发光层之间存在较大电子势垒，制约着OLED、QLED器件性能提高的问题，目前，大多数的方案是在n型金属氧化物层和有机功能层之间嵌入能够降低表面功函数的界面偶极层来降低电子势垒，然而该方法在大规模量产中应用性差。因此，本发明申请人选择具有较低导带能级的n型掺杂的ZrO2作为电子传输层或电子注入层的材料，简化器件结构，利于大规模生产，并通过掺杂n掺杂剂来提高ZrO2的电子导电性，促进OLED、QLED等发光器件的发展。
如图1所示，本发明一实施例提供了一种发光器件100，包括基板10，以及层叠设置于基板10上的阴极20、无机电子传输层30、发光层50和阳极80。
可以理解，本具体实施例的发光器件100为倒置型结构。在其他实施例中，发光器件可为正置型结构，则上述层结构相应改变。
其中，发光层50的导带底能级为-3eV～-3.5eV，或LUMO为-2.5eV～-3eV。无机电子传输层30为n型掺杂剂掺杂的二氧化锆(ZrO2)层，n型掺杂剂选自钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、锑(Sb)和铋(Bi)中的至少一种；所述n型掺杂剂掺杂的二氧化锆层的导带底能级为-2.8eV～-3.0eV。
上述发光器件100在阴极20和发光层50之间设置无机电子传输层30，该无机电子传输层30为掺杂有n型掺杂剂的ZrO2层，其中，n型掺杂剂掺杂的二氧化锆层的导带底能级为-2.8eV～-3.0eV，n型掺杂剂掺杂的二氧化锆能够降低从阴极20注入电子的势垒，使电子能有效地注入到发光层50中；而且，Zr最外层具有四个价电子，n型掺杂剂V、Nb、Ta、Sb和Bi的最外层具有五个价电子，当n型掺杂剂原子替代Zr原子位置时，将产生多余的价电子，使晶格中形成自由电子，从而提高了ZrO2的自由电子浓度，继而能够提高无机电子传输层30的电子电导率，提高电子传输速率，如此，该发光器件100不但结构简单，利于大规模量产，又具有良好的电子传输性能。
在本发明中，掺杂有n型掺杂剂的ZrO2层既具有电子传输功能，又具有电子注入的功能，即无机电子传输层30相当于电子传输层和电子注入层。
在一些实施例中，基于无机电子传输层30的总质量，n型掺杂剂的含量为0.1wt％～15wt％。可以理解，当n型掺杂剂的含量超过15wt％之后，将导致发光器件的散射现象偏严重，导致电子迁移率显著下降，从而不利于提高电子电导率；且随着掺杂剂的浓度增大，散射现象会越来越严重。
进一步地，n型掺杂剂为铌。
进一步地，基于无机电子传输层30的总质量，n型掺杂剂的含量为1wt％～10wt％。更具体的，可以为1wt％、2wt％、3wt％、4wt％、5wt％、6wt％、7wt％、8wt％、9wt％、10wt％等。
在一些实施例中，无机电子传输层的厚度为10nm～200nm。
基板10可以为聚酰亚胺或聚酯等柔性基板，也可以为玻璃等刚性基板。
阴极20的材料可以ITO、IZO、IGZO等。
阳极80的材料可以为Ag、Al或Mg，或者这些金属形成的低功函数的复合金属，如Mg-Ag合金等。
在一些实施例中，发光器件100还包括设置在阳极80和发光层50之间的空穴传输层60。
进一步地，空穴传输层60的材料选自CDBP(4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基联苯)、mCBP(3,3’-二(N-咔唑基)-1,1’-联苯)、CBP(4,4'-二(9-咔唑)联苯)、mCP(9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑)、TCTA(4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺)、TAPC(4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺])、NPB(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)和α-NPD等中的至少一种。
在一实施例中，发光器件100还包括设置在阳极80和空穴传输层60之间的空穴注入层70。
进一步地，空穴注入层70的材料选自HAT-CN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)、F4-TCNQ(四氟四氰基醌二甲烷)、MoO3(三氧化钼)、V2O5(五氧化二钒)、WO3(三氧化钨)和ReO3(三氧化铼)等中的至少一种。
在本具体实施例中，发光器件100的发光层150为有机发光层，即发光器件100为OLED器件。
进一步地，有机发光层的材料选自Ir(piq)3、Ir(ppy)3、C545T、Ir(ppy)2(acac)、Firpic和DCJTB中的至少一种。
在其他实施例中，发光器件的发光层可以为量子点发光层，即发光器件为QLED器件。
进一步地，量子点发光层的材料可以选自II-VI族化合物半导体，包括但不限于CdS、CdSe、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnCdS/ZnS、CdSe/CdS/ZnS；也可以选自III-V族或IV-VI族化合物半导体，包括但不限于的InP、InAs、InP、InAsP、GaAs、PbS/ZnS、PbSe/ZnS；还可以选自I-III-VI族等半导体纳米晶。
在本实施例中，发光器件100还包括有机电子传输层40，有机电子传输层40设置在发光层50和无机电子传输层30之间。
进一步地，有机电子传输层40的材料选自TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、TmPyPb(1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯)、BCP(2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉)、Balq(2-甲基-8-羟基喹啉对羟基联苯合铝)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲罗啉)、TmPyTz(2,4,6-三(3-(吡啶基)苯基)-1,3,5-三嗪)和B3PYMPM(4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶)等中的至少一种。
在一些实施例中，有机电子传输层40的厚度为10nm～200nm。
本发明一实施方式提供一种发光器件的制备方法，用于制备如图1所示的发光器件，包括以下步骤：
形成阴极，于阴极上依次层叠形成无机电子传输层、发光层和阳极。
其中，无机电子传输层为n型掺杂剂掺杂的二氧化锆层，n型掺杂剂选自钒、铌、钽、锑和铋中的至少一种。
在一些实施例中，基于无机电子传输层的总质量，n型掺杂剂的含量为0.1wt％～15wt％。
在一些实施例中，形成无机电子传输层的方法为磁控溅射法或水热法等。其中，采用磁控溅射法可以于阴极上直接制备出n型掺杂剂掺杂的ZrO2薄膜层；采用水热法既可以于阴极直接制备出ZrO2薄膜层，也可以先制备n型掺杂剂掺杂的ZrO2纳米颗粒，然后采用涂布法制备ZrO2薄膜层。
在一些实施例中，在磁控溅射法中，n型掺杂剂的材料选自钒靶、铌靶、钽靶、锑靶和铋靶，以及这些金属元素的氧化物靶材如氧化钒靶、氧化铌靶、氧化钽靶、氧化锑靶和氧化铋靶，含有钒、铌、钽、锑和铋中的至少两种元素的合金靶材如钒-铌靶等，或者这此合金的氧化物靶材中的至少一种。
在一些实施例中，在水热法中，n型掺杂剂的金属掺杂元素的来自钒、铌、钽、锑或铋的盐，例如：乙醇盐、丁醇盐、异丙醇盐、醋酸盐、乙酰丙酮化合物、卤化物、卤氧化物等。
在一些实施例中，n型掺杂剂掺杂的ZrO2纳米颗粒的制备包括如下步骤：
将n型金属掺杂元素的盐与氯氧化锆溶于二甲基亚砜，得第一混合溶液；
将四甲基氢氧化铵溶于乙醇，得第二混合混液；
将第一混合溶液升温至55℃～65℃后，滴入第二混合溶液，混匀，反应1.5h～2.5h；反应结束后，用正己烷清洗，得到n型掺杂剂掺杂的ZrO2纳米颗粒。
进一步地，n型金属掺杂元素的盐为n型金属掺杂元素的卤化物。
本发明另一实施方式提供一种发光器件的制备方法，包括以下步骤：
形成阴极，于所述阴极上依次层叠形成无机电子传输层、发光层和阳极；或者，形成阳极，于所述阳极上依次层叠形成发光层、无机电子传输层和阴极。其中，无机电子传输层为n型掺杂剂掺杂的二氧化锆层，n型掺杂剂选自钒、铌、钽、锑和铋中的至少一种。
本发明又一实施方式还提供一种发光装置，该发光装置包括上述发光器件。
在一些实施例中，发光装置可以为显示装置或照明装置。其中，显示装置包括但不限于平板显示、电视显示、电子纸、逻辑与存储电路、柔性显示等。
以下为具体实施例
实施例1一种水热法制备Nb(5wt％)-doped ZrO2纳米颗粒
(1)取0.5mmol氯化铌、10mmol氯氧化锆溶于20ml二甲基亚砜；
(2)取20mmol四甲基氢氧化铵溶于乙醇；
(3)对步骤(1)的混合溶液搅拌，并加热至60℃；
(4)将步骤(2)溶液逐滴滴入步骤(3)的混合溶液中，反应2小时；
(5)待反应结束后，用正己烷清洗生成物，得到Nb(5wt％)-doped ZrO2。
实施例2一种倒置结构的OLED
(1)以透明导电薄膜ITO作为阴极，厚度为50nm；
(2)在ITO上利用溶液法沉积Nb(5wt％)-doped ZrO2纳米颗粒作为电子注入/传输层，厚度为60nm；
(3)在电子注入/传输层上利用溶液法沉积Bphen作为有机电子传输层，厚度为30nm；
(4)在有机电子传输层上利用蒸镀法共沉积CBP:Ir(piq)3(5wt％)作为发光层，厚度为25nm；
(5)在发光层上利用蒸镀法沉积TCTA作为空穴传输层，厚度为30nm；
(6)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积HAT-CN作为空穴注入层，厚度为10nm；
(7)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阳极，厚度为120nm。
实施例3：一种倒置结构的QLED
(1)以透明导电薄膜ITO作为阴极，厚度为50nm；
(2)在ITO上利用溶液法沉积Nb(9wt％)-doped ZrO2纳米颗粒作为电子注入/传输层，厚度为90nm；
(3)在电子注入/传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS作为量子点发光层，厚度为20nm；
(4)在量子点发光层上利用蒸镀法沉积TCTA作为空穴传输层，厚度为30nm；
(5)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积MoO3作为空穴注入层，厚度为10nm；
(6)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阳极，厚度为120nm。
实施例4一种倒置结构的OLED
(1)以透明导电薄膜ITO作为阴极，厚度为50nm；
(2)在ITO上利用溶液法沉积V(10wt％)-doped ZrO2纳米颗粒作为电子注入/传输层，厚度为60nm；
(3)在电子注入/传输层上利用溶液法沉积Bphen作为有机电子传输层，厚度为30nm；
(4)在有机电子传输层上利用蒸镀法共沉积CBP:Ir(piq)3(5wt％)作为发光层，厚度为25nm；
(5)在发光层上利用蒸镀法沉积TCTA作为空穴传输层，厚度为30nm；
(6)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积HAT-CN作为空穴注入层，厚度为10nm；
(7)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阳极，厚度为120nm。
实施例5一种倒置结构的QLED
(1)以透明导电薄膜ITO作为阴极，厚度为50nm；
(2)在ITO上利用溶液法沉积Sb(5wt％)-doped ZrO2纳米颗粒作为电子注入/传输层，厚度为90nm；
(3)在电子注入/传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS作为量子点发光层，厚度为20nm；
(4)在量子点发光层上利用蒸镀法沉积TCTA作为空穴传输层，厚度为30nm；
(5)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积MoO3作为空穴注入层，厚度为10nm；
(6)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阳极，厚度为120nm。
实施例6一种倒置结构的OLED
(1)以透明导电薄膜ITO作为阴极，厚度为50nm；
(2)在ITO上利用溶液法沉积Bi(12wt％)-doped ZrO2纳米颗粒作为电子注入/传输层，厚度为60nm；
(3)在电子注入/传输层上利用溶液法沉积Bphen作为有机电子传输层，厚度为30nm；
(4)在有机电子传输层上利用蒸镀法共沉积CBP:Ir(piq)3(5wt％)作为发光层，厚度为25nm；
(5)在发光层上利用蒸镀法沉积TCTA作为空穴传输层，厚度为30nm；
(6)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积HAT-CN作为空穴注入层，厚度为10nm；
(7)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阳极，厚度为120nm。
实施例7：一种倒置结构的QLED
(1)以透明导电薄膜ITO作为阴极，厚度为50nm；
(2)在ITO上利用溶液法沉积Ta(9wt％)-doped ZrO2纳米颗粒作为电子注入/传输层，厚度为90nm；
(3)在电子注入/传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS作为量子点发光层，厚度为20nm；
(4)在量子点发光层上利用蒸镀法沉积TCTA作为空穴传输层，厚度为30nm；
(5)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积MoO3作为空穴注入层，厚度为10nm；
(6)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阳极，厚度为120nm。
对比例1一种倒置结构的OLED
(1)以透明导电薄膜ITO作为阴极，厚度为50nm；
(2)在ITO上利用溶液法沉积ZrO2纳米颗粒作为电子注入/传输层，厚度为60nm；
(3)在电子注入/传输层上利用溶液法沉积Bphen作为有机电子传输层，厚度为30nm；
(4)在有机电子传输层上利用蒸镀法共沉积CBP:Ir(piq)3(5wt％)作为发光层，厚度为25nm；
(5)在发光层上利用蒸镀法沉积TCTA作为空穴传输层，厚度为30nm；
(6)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积HAT-CN作为空穴注入层，厚度为10nm；
(7)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阳极，厚度为120nm。
对比例2一种倒置结构的QLED
(1)以透明导电薄膜ITO作为阴极，厚度为50nm；
(2)在ITO上利用溶液法沉积ZrO2纳米颗粒作为电子注入/传输层，厚度为90nm；
(3)在电子注入/传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS作为量子点发光层，厚度为20nm；
(4)在量子点发光层上利用蒸镀法沉积TCTA作为空穴传输层，厚度为30nm；
(5)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积MoO3作为空穴注入层，厚度为10nm；
(6)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阳极，厚度为120nm。
性能检测
对上述实施例2～7以及对比例1～2的OLED器件或QLED的驱动电压、外量子效率(EQE)和亮度衰减等性能进行检测，结果见下表1。
表1
V(v)@10mA/cm<sup>2</sup> EQE(％)@10mA/cm<sup>2</sup> T<sub>95</sub>(h)@1000cd/m<sup>2</sup>
对比例1 5.3 15 1200
对比例2 5.6 12 5
实施例2 4.1 17 3000
实施例3 4.3 15 18
实施例4 3.9 16 2500
实施例5 4.5 15 15
实施例6 4.3 16 2200
实施例7 4.5 13 22
注：V@10mA/cm2表示电流密度为10mA/cm2时对应的驱动电压；
EQE@10mA/cm2表示电流密度为10mA/cm2时对应的EQE；
T95(h)@1000cd/m2表示器件在初始亮度为1000cd/m2下持续点亮，当亮度衰减至初始亮度的95％(此处为950cd/m2)时所经历的时间。
由上表1可知，本申请实施例2～7的QLED或OLED器件以具有低功函数且掺杂n型掺杂剂V、Nb或Sb等的ZrO2作为电子注入层和电子传输层，有效地降低了其与有机功能层或量子点发光层之间的电子势垒，提高了电子注入/传输层的电导率，降低了器件的驱动电压，延长了器件的亮度衰减寿命；并简化了器件结构和制备工艺。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：
层叠设置的阴极、无机电子传输层、发光层和阳极；
其中，所述无机电子传输层为n型掺杂剂掺杂的二氧化锆层，所述n型掺杂剂选自钒、铌、钽、锑和铋中的至少一种；
其中，所述发光层的导带底能级为-3eV ~ -3.5eV，或所述发光层的LUMO为-2.5eV ~ -3eV；
其中，所述n型掺杂剂掺杂的二氧化锆层的导带底能级为-2.8eV ~ -3.0eV。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，基于所述无机电子传输层的总质量，所述n型掺杂剂的含量为0.1 wt% ~ 15 wt%。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述n型掺杂剂为铌；和/或
基于所述无机电子传输层的总质量，所述n型掺杂剂的含量为1wt% ~10 wt%。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括：
空穴传输层，所述空穴传输层设于所述阳极和所述发光层之间；所述空穴传输层的材料选自CDBP、mCBP、CBP、mCP、TCTA、TAPC、NPB和α-NPD中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括：
空穴注入层，所述空穴注入层设于所述阳极和所述空穴传输层之间，所述空穴注入层的材料选自HAT-CN、F4-TCNQ、MoO3、V2O5、WO3和ReO3中的至少一种。
6.根据权利要求1~5任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件为OLED器件或QLED器件。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述OLED器件还包括：
有机电子传输层，所述有机电子传输层设于所述无机电子传输层和所述发光层之间，所述有机电子传输层的材料选自TPBi、TmPyPb、BCP、Balq、Bphen、TmPyTz和B3PYMPM中的至少一种。
8.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成阴极，于所述阴极上依次层叠形成无机电子传输层、发光层和阳极；或者
形成阳极，于所述阳极上依次层叠形成发光层、无机电子传输层和阴极；
其中，所述无机电子传输层为n型掺杂剂掺杂的二氧化锆层，所述n型掺杂剂选自钒、铌、钽、锑和铋中的至少一种；
其中，所述发光层的导带底能级为-3eV ~ -3.5eV，或所述发光层的LUMO为-2.5eV ~ -3eV；
其中，所述n型掺杂剂掺杂的二氧化锆层的导带底能级为-2.8eV ~ -3.0eV。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，形成所述无机电子传输层的方法为磁控溅射法或水热法。
10.一种发光装置，其特征在于，包括：
如权利要求1~7任一项所述的发光器件；或者，采用权利要求8或9所述的制备方法制得的发光器件。
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