CN113594390A - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 217
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 217
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 claims abstract description 185
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本申请实施例提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置。显示面板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多个像素单元;每个所述像素单元包括依次层叠设置的反射层、平坦层、第一电极、发光层和第二电极,所述发光层配置为发出白光;在所述反射层的靠近所述平坦层的一侧设置有第一区域、第二区域和第三区域,在所述第一区域内设置多个第一金属纳米柱,所述第一金属纳米柱配置为反射第一颜色的光,在所述第二区域内设置多个第二金属纳米柱,所述第二金属纳米柱配置为反射第二颜色的光,在所述第三区域内设置多个第三金属纳米柱,所述第三金属纳米柱配置为反射第三颜色的光。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
在相关技术中,OLED显示面板的发光层通过高精度金属掩模板(Fine MetalMask,FMM)通过蒸镀工艺形成,该FMM中开口的大小决定了该显示面板的一个像素中发光区域的尺寸。受到FMM制作精度的限制,该FMM上的开口尺寸很难进一步减小,因此,目前的显示面板都只能达到几百PPI(Pixels Per Inch,像素密度)的显示。而增强现实(AugmentedReality,AR)及虚拟现实(Virtual Reality,VR)显示,对像素密度的要求已经达到几千PPI,超出了现阶段OLED显示所能达到的最高PPI。因此,如何进一步提高显示面板的PPI,是当前亟需解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,有利于提高显示面板的像素密度。具体技术方案如下:
本申请第一方面的实施例提供了一种显示面板,包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多个像素单元;
每个所述像素单元包括依次层叠设置的反射层、平坦层、第一电极、发光层和第二电极,所述发光层配置为发出白光;
在所述反射层的靠近所述平坦层的一侧设置有第一区域、第二区域和第三区域,在所述第一区域内设置多个第一金属纳米柱,所述第一金属纳米柱配置为反射第一颜色的光,在所述第二区域内设置多个第二金属纳米柱,所述第二金属纳米柱配置为反射第二颜色的光,在所述第三区域内设置多个第三金属纳米柱,所述第三金属纳米柱配置为反射第三颜色的光。
在本申请的一些实施例中,所述第一颜色为红色,所述第二颜色为绿色,所述第三颜色为蓝色。
在本申请的一些实施例中,所述第一区域的所述第一金属纳米柱满足下述条件:
在本申请的一些实施例中,所述第二区域的所述第二金属纳米柱满足下述条件:
在本申请的一些实施例中,所述第三区域的所述第三金属纳米柱满足下述条件:
在本申请的一些实施例中,所述第一金属纳米柱、所述第二金属纳米柱和所述第三金属纳米柱在所述显示面板厚度方向上的高度均不相等。
在本申请的一些实施例中,所述第一金属纳米柱、所述第二金属纳米柱和所述第三金属纳米柱在所述衬底基板上的投影面积均不相等。
在本申请的一些实施例中,所述发光层包括依次层叠设置的第一子发光层、第二子发光层和第三子发光层,所述第一子发光层、第二子发光层和第三子发光层配置为可发出不同颜色的光。
在本申请的一些实施例中,所述像素单元还包括与所述第一电极连接的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、第一极和第二极,所述第一电极与第一极和第二极中的一者连接。
在本申请的一些实施例中,所述第一电极由透明金属氧化物制成。
在本申请的一些实施例中,所述第一金属纳米柱、所述第二金属纳米柱和所述第三金属纳米柱的材质为金、银、铝中的一种或多种。
在本申请的一些实施例中,在所述第一区域和所述第二区域之间、所述第二区域和所述第三区域之间以及所述第一区域和所述第三区域之间设置挡光层。
在本申请的一些实施例中,在所述第一区域和所述第二区域之间、所述第二区域和所述第三区域之间以及所述第一区域和所述第三区域之间设置挡光层,在所述挡光层上设置有过孔,所述第一电极通过所述过孔连接所述薄膜晶体管。
本申请的第二方面的实施例提供了一种显示面板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成金属层;
对金属层进行刻蚀,以形成包括多个第一金属纳米柱、多个第二金属纳米柱和多个第三金属纳米柱的重复单元,其中,所述第一金属纳米柱配置为反射第一颜色的光,所述第二金属纳米柱配置为反射第二颜色的光,所述第三金属纳米柱配置为反射第三颜色的光;
在所述金属层上形成平坦层,所述平坦层覆盖所述第一金属纳米柱、所述第二金属纳米柱和所述第三金属纳米柱;
在所述平坦层上形成第一电极;
在所述第一电极上形成发光层;
在所述发光层上形成第二电极。
本申请的第三方面的实施例提供了一种显示装置,包括上述第一方面的任一实施例中的显示面板。
本申请实施例有益效果:
本申请实施例提供的一种显示面板及其制作方法、显示装置。其中的显示面板在第一电极的背离发光层的一侧设置有反射层,反射层上设置有第一区域、第二区域和第三区域,其中,第一区域内设置第一金属纳米柱,第二区域内设置第二金属纳米柱,第三区域内设置第三金属纳米柱。本申请实施例中的显示面板在工作时,在发光层发出的白光的激发下,第一金属纳米柱、第二金属纳米柱和第三金属纳米柱受到扰动,电荷分布发生振荡,激发出表面等离子体激元。当入射光的频率和表面等离子体振荡频率一致时,会发生共振,在共振波长处,显著增大的散射或吸收使得等离子体呈现出与共振波长相对应的颜色。也就是说,本实施例中的第一金属纳米柱可与第一颜色的光发生共振,使第一金属纳米柱反射出第一颜色的光;同理,第二金属纳米柱可与第二颜色的光发生共振,使第二金属纳米柱反射出第二颜色的光;第三金属纳米柱可与第三颜色的光发生共振,使第三金属纳米柱反射出第三颜色的光。而由于白光是复合光,其可由第一颜色的光、第二颜色的光和第三颜色的光混合而成,故而,在当发光层发出的白光的激发下,第一金属纳米柱、第二金属纳米柱和第三金属纳米柱可分别呈现第一颜色、第二颜色和第三颜色,由此,使第一金属纳米柱、第二金属纳米柱和第三金属纳米柱可以构成显示面板的一个像素。这种构成像素的方式,无需利用FMM对发光层进行加工,因此,像素密度不会受到FMM制作工艺的限制。因此,和相关技术中的显示面板相比,有利于达到更高的像素密度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的实施例。
图1为本申请一种实施例的显示面板的结构示意图;
图2为本申请实施例的第一金属纳米柱、第二金属纳米柱和第三金属纳米柱的俯视示意图;
图3为本申请另外一种实施例的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员基于本申请所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
如图1所示,本申请第一方面的实施例提供了一种显示面板10。显示面板10包括衬底基板100和设置在衬底基板100上的多个像素单元。每个像素单元包括依次层叠设置的反射层200、平坦层300、第一电极400、发光层500和第二电极700,发光层500配置为发出白光。在反射层200的靠近平坦层300的一侧设置有第一区域201、第二区域202和第三区域203,在第一区域201内设置多个第一金属纳米柱210,第一金属纳米柱210配置为反射第一颜色的光,在第二区域202内设置有多个第二金属纳米柱220,第二金属纳米柱220配置为反射第二颜色的光,在第三区域203内设置有多个第三金属纳米柱230,第三金属纳米柱230配置为反射第三颜色的光。
根据本申请实施例的显示面板10,其在第一电极400的背离发光层500的一侧设置有反射层200,反射层200上设置有第一区域201、第二区域202和第三区域203,其中,第一区域201内设置第一金属纳米柱210,第二区域202内设置第二金属纳米柱220,第三区域203内设置第三金属纳米柱230。本申请实施例中的显示面板10在工作时,在发光层500发出的白光的激发下,第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230受到扰动,电荷分布发生振荡,激发出表面等离子体激元。当入射光的频率和表面等离子体振荡频率一致时,会发生共振,在共振波长处,显著增大的散射或吸收使得等离子体呈现出与共振波长相对应的颜色。也就是说,本实施例中的第一金属纳米柱210可与第一颜色的光发生共振,使第一金属纳米柱210反射出第一颜色的光;同理,第二金属纳米柱220可与第二颜色的光发生共振,使第二金属纳米柱220反射出第二颜色的光;第三金属纳米柱230可与第三颜色的光发生共振,使第三金属纳米柱230反射出第三颜色的光。而由于白光是复合光,其可由第一颜色的光、第二颜色的光和第三颜色的光混合而成,故而,在当发光层500发出的白光的激发下,第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230可分别呈现第一颜色、第二颜色和第三颜色,由此,使第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230可以构成显示面板10的一个像素。这种构成像素的方式,无需利用FMM对发光层500进行加工,因此,像素密度不会受到FMM制作工艺的限制。因此,和相关技术中的显示面板10相比,有利于达到更高的像素密度。
进一步地,反射层为金属层,其材质可以为金、银、铝中的一种,或者由金、银、铝中的多种制成的合金。
进一步地,第一颜色、第二颜色和第三颜色为不同的颜色。例如,第一颜色为红色,第二颜色为绿色,第三颜色为蓝色,相应地,第一金属纳米柱210可以反射红光,第二金属纳米柱220可以反射绿光,第三金属纳米柱230可以反射蓝光。
在本申请的一些实施例中,发光层500为电致发光材料层,其在第一电极400和第二电极700所形成的电场的激励下能够发光。
具体地,由于金属纳米柱在和相应颜色的光发生共振时,才会反射出相应颜色的光。因此,需要对第一区域201、第二区域202和第三区域203的金属纳米柱进行一定的参数设置,以使第一区域201内的第一金属纳米柱210反射红光、第二区域202内的第二金属纳米柱220反射绿光、第三区域203内的第三金属纳米柱230反射蓝光。
实现共振的条件如下:
其中,表示金属纳米柱顶端的金属反射相,表示金属纳米柱底端的金属反射相,λ表示共振波长,n表示平坦层300的折射率,Lcavity表示谐振腔的腔长,在本实施例中即为金属纳米柱所在的平面到第一电极400的距离,m表示共振阶数。只要反射相满足上述公式,就可以反射出不同颜色的光,其中,对于反射红光的情况,公式等号的右边2(m+1)π需满足2.2π,对于反射绿光的情况,公式等号的右边2(m+1)π需满足1.6π,对于反射蓝光的情况,公式等号的右边2(m+1)π需满足1.3π。基于上述共振条件,可以分别对第一区域201内的第一金属纳米柱210、第二区域202的第二金属纳米柱220和第三区域203的第三金属纳米柱230进行相应的参数设置。
在一个具体的示例中,第一区域201的第一金属纳米柱210满足下述条件:
其中,表示第一金属纳米柱210顶端的金属反射相,表示第一金属纳米柱210底端的金属反射相,λ表示共振波长,n表示平坦层300的折射率,L1,cavity表示第一区域201和第一电极400之间的距离。此处的λ的取值范围为红光的波长范围。由此,使第一金属纳米柱210能够反射红光。
在一个具体的示例中,第二区域202的第二金属纳米柱220满足下述条件:
其中,表示第二金属纳米柱220顶端的金属反射相,表示第二金属纳米柱220底端的金属反射相,λ表示共振波长,n表示平坦层300的折射率,L2,cavity表示第二区域202和第一电极400之间的距离。此处的λ的取值范围为绿光的波长范围。由此,使第二金属纳米柱220能够反射绿光。
在一个具体的示例中,第三区域203的第三金属纳米柱230满足下述条件:
其中,表示第三金属纳米柱230顶端的金属反射相,表示第三金属纳米柱230底端的金属反射相,λ表示共振波长,n表示平坦层300的折射率,L3,cavity表示第三区域203和第一电极400之间的距离。此处的λ的取值范围为蓝光的波长范围。由此,使第三金属纳米柱230能够反射蓝光。
在本申请的一些实施例中,如图2所示,第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230可以是圆柱、椭圆柱和棱柱中的一种或多种。本申请对此不进行限制。
在本申请的一些实施例中,第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230在显示面板10厚度方向上的高度均不相等。金属纳米柱的高度是影响金属反射相的因素之一,因此,在第一金属纳米柱210反射红光、第二金属纳米柱220反射绿光、第三金属纳米柱230反射蓝光的情况下,第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230的高度是有所差异的。
在本申请的一些实施例中,第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230在衬底基板100上的投影面积均不相等。金属纳米柱的横截面面积(其等于金属纳米柱在衬底基板上的投影面积)也是影响金属反射相的因素之一,因此,在第一金属纳米柱210反射红光、第二金属纳米柱220反射绿光、第三金属纳米柱230反射蓝光的情况下,第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230在衬底基板100上的投影面积也是不相等的。
在本申请的一些实施例中,第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230的高度为80nm~100nm,第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230的直径为80nm~100nm,相邻两个第一金属纳米柱210之间的间距为150nm~140nm,相邻两个第二金属纳米柱220之间的间距为150nm~140nm,相邻两个第二金属纳米柱220之间的间距为150nm~140nm。在满足上述限定条件的情况下,第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230可以较好地与相应波长的光发生共振。
在本申请的一些实施例中,发光层500包括依次层叠设置的第一子发光层510、第二子发光层520和第三子发光层530,第一子发光层510、第二子发光层520和第三子发光层530配置为可发出不同颜色的光。也就是说,第一子发光层510、第二子发光层520和第三子发光层530所发出的不同颜色的光混合在一起,形成白光。例如,第一子发光层510可以发出红光、绿光和蓝光中的一种,第二子发光层520可以发出红光、绿光和蓝光中的另一种,第三子发光层530可以发出红光、绿光和蓝光中的第三种。
在本申请的一些实施例中,显示面板10可以是如图1所示的被动驱动式(PassiveMatrix,PM)显示面板10,也可以是如图3所示的主动驱动式(Active Matrix,AM)显示面板10。当显示面板10为PM式显示面板10时,发生层可直接形成在衬底基板100上,显示面板10中无需制作TFT结构。当显示面板10为AM式显示面板10时,显示面板10中设置有TFT结构。
具体地,基于显示面板10为AM式显示面板10的情况,如图3所示,像素单元还包括与第一电极400连接的薄膜晶体管600,薄膜晶体管600包括栅极610、有源层620、第一极630和第二极640,第一电极400与第一极630和第二极640中的一者连接。其中,第一极630和第二极640为源极和漏极中的一者。进一步地,第一极630和第二极640中的漏极与第一电极400连接。
其中,显示面板10还可以包括像素定义层900,像素定义层900中可设置有露出第一电极400的像素开口,发光层500设置在像素开口内。具体地,像素定义层900可以为有机材料制作而成,例如光刻胶层有机材料。
在本申请的一些实施例中,第一电极400由透明金属氧化物制成,其具有很好的透光性,使得发光层500所发射的光可以透过第一电极400照射在反射层200上。
在本申请的一些实施例中,第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230的材质为金、银、铝中的一种或多种。例如,第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230可以均由银制成。又如,也可以是第一金属纳米柱210由金制成,第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230由银制成。当然,第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230也可以是金、银、铝中任意多种金属的合金。
在本申请的一些实施例中,在第一区域201和第二区域202之间、第二区域202和第三区域203之间以及第一区域201和第三区域203之间设置挡光层800,由此,可以防止不同颜色的光之间发生串扰的问题。
进一步地,针对主动驱动式(Active Matrix,AM)显示面板10,当还设置有挡光层800时,可以在挡光层800上设置过孔,第一电极400通过过孔连接薄膜晶体管600。本实施例将用于实现第一电极400与薄膜晶体管600连接过孔设置在挡光层800上,由此,使第一电极400与薄膜晶体管600的连接位置避开第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230,从而避免结构之间发生干涉。
本申请第二方面的实施例提供了一种显示面板10的制作方法。该方法包括以下步骤:
制作反射层;
对反射层进行刻蚀,以形成包括多个第一金属纳米柱210、多个第二金属纳米柱220和多个第三金属纳米柱230的重复单元,其中,第一金属纳米柱210配置为反射第一颜色的光,第二金属纳米柱220配置为反射第二颜色的光,第三金属纳米柱230配置为反射第三颜色的光;
在反射层上形成平坦层300,平坦层300覆盖第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230;
在平坦层300上形成第一电极400;
在第一电极400上形成发光层500;
在发光层500上形成第二电极700。
根据本申请实施例的显示面板10的制作方法,其制作出的显示面板10,在第一电极400的背离发光层500的一侧设置有反射层200,在反射层200上形成具有第一金属纳米柱210的第一区域201、具有第二金属纳米柱220的第二区域202,以及第三金属纳米柱230的第三区域203,并且,第一金属纳米柱210配置为反射第一颜色的光,第二金属纳米柱220配置为反射第二颜色的光,第三金属纳米柱230配置为反射第三颜色的光。本申请实施例中的显示面板10在工作时,在当发光层500发出的白光的激发下,第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230可分别呈现第一颜色、第二颜色和第三颜色,由此,使第一金属纳米柱210、第二金属纳米柱220和第三金属纳米柱230可以构成显示面板10的一个像素。这种构成像素的方式,无需利用FMM对发光层500进行加工,因此,像素密度不会受到FMM制作工艺的限制。因此,和相关技术中的显示面板10相比,有利于达到更高的像素密度。
本申请第三方面的实施例提供了一种显示装置,包括上述第一方面的任一实施例中的显示面板10。其中,显示装置包括但不限于电脑、手机、电视等。
根据本申请实施例的显示装置,由于与第一方面的实施例中的显示面板10具有相同的发明构思,因此,本申请实施例中的显示装置可以获得第一方面的实施例中的显示面板10的全部有益效果。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅为本申请的较佳实施例,并非用于限定本申请的保护范围。凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均包含在本申请的保护范围内。
Claims (15)
1.一种显示面板,其特征在于,包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多个像素单元;
每个所述像素单元包括依次层叠设置的反射层、平坦层、第一电极、发光层和第二电极,所述发光层配置为发出白光;
在所述反射层的靠近所述平坦层的一侧设置有第一区域、第二区域和第三区域,在所述第一区域内设置多个第一金属纳米柱,所述第一金属纳米柱配置为反射第一颜色的光,在所述第二区域内设置多个第二金属纳米柱,所述第二金属纳米柱配置为反射第二颜色的光,在所述第三区域内设置多个第三金属纳米柱,所述第三金属纳米柱配置为反射第三颜色的光。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一颜色为红色,所述第二颜色为绿色,所述第三颜色为蓝色。
6.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属纳米柱、所述第二金属纳米柱和所述第三金属纳米柱在所述显示面板厚度方向上的高度均不相等。
7.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属纳米柱、所述第二金属纳米柱和所述第三金属纳米柱在所述衬底基板上的投影面积均不相等。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光层包括依次层叠设置的第一子发光层、第二子发光层和第三子发光层,所述第一子发光层、第二子发光层和第三子发光层配置为可发出不同颜色的光。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素单元还包括与所述第一电极连接的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、第一极和第二极,所述第一电极与第一极和第二极中的一者连接。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极由透明金属氧化物制成。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属纳米柱、所述第二金属纳米柱和所述第三金属纳米柱的材质为金、银、铝中的一种或多种。
12.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述第一区域和所述第二区域之间、所述第二区域和所述第三区域之间以及所述第一区域和所述第三区域之间设置挡光层。
13.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,在所述第一区域和所述第二区域之间、所述第二区域和所述第三区域之间以及所述第一区域和所述第三区域之间设置挡光层,在所述挡光层上设置有过孔,所述第一电极通过所述过孔连接所述薄膜晶体管。
14.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
制作反射层;
对反射层进行刻蚀,以形成包括多个第一金属纳米柱、多个第二金属纳米柱和多个第三金属纳米柱的重复单元,其中,所述第一金属纳米柱配置为反射第一颜色的光,所述第二金属纳米柱配置为反射第二颜色的光,所述第三金属纳米柱配置为反射第三颜色的光;
在所述反射层上形成平坦层,所述平坦层覆盖所述第一金属纳米柱、所述第二金属纳米柱和所述第三金属纳米柱;
在所述平坦层上形成第一电极;
在所述第一电极上形成发光层;
在所述发光层上形成第二电极。
15.一种显示装置,其特征在于,包括根据权利要求1至13中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110869755.5A CN113594390B (zh) | 2021-07-30 | 2021-07-30 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113594390A true CN113594390A (zh) | 2021-11-02 |
CN113594390B CN113594390B (zh) | 2024-04-26 |
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ID=78252391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110869755.5A Active CN113594390B (zh) | 2021-07-30 | 2021-07-30 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113594390B (zh) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106654047A (zh) * | 2016-12-22 | 2017-05-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
CN110865475A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-03-06 | 南京芯视元电子有限公司 | 一种高衍射效率相位型空间光调制器 |
CN111384286A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
US20200227685A1 (en) * | 2019-01-16 | 2020-07-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus including nano-structured mirror |
CN111879728A (zh) * | 2020-07-15 | 2020-11-03 | 常州机电职业技术学院 | 一种提高折射率传感器件品质因数的结构及测试方法 |
CN112945377A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-11 | 河北工业大学 | 一种基于等离子激元的深紫外光电探测器 |
CN113066843A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组及其制作方法 |
CN113113452A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-07-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
-
2021
- 2021-07-30 CN CN202110869755.5A patent/CN113594390B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106654047A (zh) * | 2016-12-22 | 2017-05-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
CN111384286A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
US20200227685A1 (en) * | 2019-01-16 | 2020-07-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus including nano-structured mirror |
CN110865475A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-03-06 | 南京芯视元电子有限公司 | 一种高衍射效率相位型空间光调制器 |
CN111879728A (zh) * | 2020-07-15 | 2020-11-03 | 常州机电职业技术学院 | 一种提高折射率传感器件品质因数的结构及测试方法 |
CN112945377A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-11 | 河北工业大学 | 一种基于等离子激元的深紫外光电探测器 |
CN113113452A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-07-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN113066843A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组及其制作方法 |
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