CN113589654A - 一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明能够提供一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质。该方法包括如下步骤：获取目标光刻胶的数据，目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据；根据该光刻胶空间数据对目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块。每个单元块上均设置有格点；根据光刻胶成分数据确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息，根据预设工艺参数和原始状态信息确定经过曝光后的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息；通过当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌；本发明能够提前预测出显影后的光刻胶形貌，以指导和优化实际光刻工艺，并有助于对新品种或新类型光刻胶的研发，推进研发进度和降低研发成本。
Description
技术领域
本发明涉及光刻工艺技术领域，更为具体来说，本发明能够提供一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质。
背景技术
随着集成电路技术的演进，缩小集成电路技术节点面临着越来越多的挑战。其中，光刻工艺是整个集成电路制造工艺中必不可少的关键技术。技术节点的缩小需要光刻工艺将越来越小的电路图形转移到光刻胶上，以制造出更小尺寸的晶体管和提高单位面积的晶体管数量。光刻工艺的核心过程可包括：在衬底上涂抹光刻胶，并使光源发出的光经过掩模后照射到光刻胶上，使光刻胶上接收光照的部分发生光化学反应和其他化学反应，从而改变受到光照的部分光刻胶在显影液中的溶解性，由不可溶变为可溶或者由可溶变为不可溶。
在光刻胶上形成需要的图案是光刻工艺的根本和关键，但是由于现有技术存在局限，经常需要大量实验和尝试才能够确定适合的光刻胶和工艺条件，不仅影响了光刻工艺的研发进度，同时需要投入大量的人力和物力。
发明内容
为解决现有技术在确定光刻工艺条件和光刻胶上存在的问题，本发明能够提供一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质，以达到优化光刻工艺条件、推进工艺研发进度以及降低成本的投入等技术目的。
为实现上述的技术目的，本发明能够提供一种用于优化光刻工艺的方法，该方法包括但不限于如下的一个或多个步骤。
获取目标光刻胶的数据。所述目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据。
根据所述光刻胶空间数据对所述目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块。每个所述单元块上均设置有格点。
根据所述光刻胶成分数据确定所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息。
根据预设工艺参数和所述原始状态信息确定经过曝光后的所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息。
通过所述当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌。
进一步地，所述根据所述光刻胶成分数据确定所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息包括：
通过所述光刻胶成分数据得到目标光刻胶的酸分子浓度分布信息、酸抑制剂浓度分布信息及反应物浓度分布信息。
利用所述酸分子浓度分布信息、所述酸抑制剂浓度分布信息以及所述反应物浓度分布信息确定所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息。
其中，所述原始状态信息包括：所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始酸分子浓度信息、原始酸抑制剂浓度信息及原始反应物浓度信息。
进一步地，所述根据预设工艺参数和所述原始状态信息确定经过曝光后的所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息包括：
根据预设工艺参数仿真具有所述原始状态信息的目标光刻胶的曝光过程。
获取经过曝光的所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息。
其中，所述当前状态信息包括：所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前酸分子浓度信息、当前酸抑制剂浓度信息及当前反应物浓度信息。
进一步地，所述酸分子浓度分布信息为酸分子浓度拉普拉斯分布信息。
所述酸抑制剂浓度分布信息为酸抑制剂浓度拉普拉斯分布信息。
所述反应物浓度分布信息为反应物浓度拉普拉斯分布信息。
进一步地，该方法还包括：
根据所述目标光刻胶形貌校准曝光过程中使用的预设工艺参数。
进一步地，该方法还包括：
根据所述目标光刻胶形貌调整目标光刻胶的数据。
进一步地，所述根据所述光刻胶空间数据对所述目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块，包括：
根据所述光刻胶空间数据确定所述目标光刻胶的长度信息、宽度信息及高度信息，所述目标光刻胶呈长方体形状。
基于所述长度信息、所述宽度信息及所述高度信息对所述目标光刻胶占据的空间进行均匀地分割，以确定多个长方体形状的单元块；
其中，所述格点为长方体形状的单元块上的一个顶点。
进一步地，所述长方体形状的单元块的长度小于10纳米。
为实现上述的技术目的，本发明还能够提供一种用于优化光刻工艺的装置，该装置包括但不限于数据获取模块、空间分割模块、状态读取模块、曝光仿真模块以及形貌预测模块。
数据获取模块，用于获取目标光刻胶的数据；所述目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据；
空间分割模块，用于根据所述光刻胶空间数据对所述目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块；每个所述单元块上均设置有格点；
状态读取模块，用于根据所述光刻胶成分数据确定所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息；
曝光仿真模块，用于根据预设工艺参数和所述原始状态信息确定经过曝光后的所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息；
形貌预测模块，用于通过所述当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌。
为实现上述的技术目的，本发明还可提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令被一个或多个处理器执行时实现本发明任一实施例中的用于优化光刻工艺的方法。
本发明的有益效果为：
基于光刻胶占用空间的分割和格点状态信息变化仿真的方式，本发明能够在实际光刻工艺生产前预测出显影后的光刻胶形貌，以确定待形成的图案是否符合工艺和设计要求，有效避免了常规方式大量的试验和尝试的问题，极大地节约了人力成本和物力成本。可见本发明技术方案能够基于计算机辅助技术模拟出光刻胶在光刻工艺中的变化过程，从而指导和优化实际光刻工艺，并有助于对新种类或新类型光刻胶的研发，进一步地推进研发进度和降低研发成本。本发明技术方案能够用于各种逻辑器件、各种存储器件等集成电路的设计和辅助加工，具有便于使用和熟练掌握、适用范围非常广、市场潜力巨大等突出优点。
附图说明
图1示出了本发明实施例中用于优化光刻工艺的方法的流程示意图。
图2示出了本发明实施例中用于优化光刻工艺的装置的组成示意图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本发明提供的一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质进行详细的解释和说明。
如图1所示，本发明一个或多个实施例能够提供一种用于优化光刻工艺的方法，该方法可包括但不限于如下的一个或多个步骤。
首先，获取目标光刻胶的数据；该目标光刻胶的数据可包括但不限于光刻胶空间数据和光刻胶成分数据。本发明涉及的目标光刻胶可以为化学放大胶，当然也可为传统光刻胶。
其次，本发明能够根据光刻胶空间数据对目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块。其中，每个单元块上均设置有格点。
可选地，本发明实施例可基于时域有限差分方式对目标光刻胶占据的空间进行分割，以实现对三维空间的离散化和确定通过离散化方式得到的格点。基于时域有限差分方式，本实施例还可将反应时间离散为多个时间格点，以正显影光刻胶为例，本实施例中相邻时间格点之间的时间间隔可相同且可均小于或等于1秒。
在本发明的一些实施例中，根据光刻胶空间数据对目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块，包括：根据光刻胶空间数据确定目标光刻胶的长度(x方向)信息、宽度(y方向)信息及高度(z方向)信息，本实施例目标光刻胶呈长方体形状。基于长度信息、宽度信息及高度信息对目标光刻胶占据的空间进行均匀地分割，即在x、y、z三个方向上分别取相同长度，以确定多个长方体形状的单元块。其中，格点为长方体形状的单元块上的一个顶点，例如左前方顶点。可选地，本实施例长方体形状的单元块的长度小于10纳米，例如可以为1～10纳米。
再次，本发明根据光刻胶成分数据确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息。
在本发明一些实施例中，根据光刻胶成分数据确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息包括：通过光刻胶成分数据得到目标光刻胶的酸分子浓度分布信息、酸抑制剂浓度分布信息以及反应物浓度分布信息，利用酸分子浓度分布信息、酸抑制剂浓度分布信息及反应物浓度分布信息确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息。其中，原始状态信息包括目标光刻胶上各个格点位置处的原始酸分子浓度信息、原始酸抑制剂浓度信息以及原始反应物浓度信息。
可选地，酸分子浓度分布信息具体为酸分子浓度拉普拉斯分布信息，酸抑制剂浓度分布信息具体可为酸抑制剂浓度拉普拉斯分布信息，反应物浓度分布信息具体可为反应物浓度拉普拉斯分布信息。
可选地，本实施例还可以包括归一化处理酸分子浓度分布信息、酸抑制剂浓度分布信息及反应物浓度分布信息的步骤，以便于将不同计量单位统一。
接着，根据预设工艺参数和原始状态信息确定经过曝光后的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息。可见本发明基于预设工艺参数仿真和模拟出目标光刻胶的曝光过程，并通过状态信息的变化反应出曝光结果。
本发明实施例中预设工艺参数包括反应时间，本发明仿真曝光工序的过程包括在多个时间格点下的时域步长进行迭代模拟曝光的步骤。本实施例预设工艺参数还能够包括反应速率，具体为在仿真曝光工序中各个格点位置处的反应速率。本发明实施例的反应速率可由反应温度、参加反应的各种物质的浓度等预设工艺参数确定的，可见本发明的反应速率实际上为物理化学意义上的化学反应的速度，其等价于参加反应的各种物质消耗的速率。
本发明一些实施例中根据预设工艺参数和原始状态信息确定经过曝光后的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息包括：根据预设工艺参数仿真具有原始状态信息的目标光刻胶的曝光过程，并获取经过曝光的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息。其中，当前状态信息包括：目标光刻胶上各个格点位置处的当前酸分子浓度信息、当前酸抑制剂浓度信息及当前反应物浓度信息。
以正显影化学放大胶为例，其需要经过两个阶段的化学反应才会改变光刻胶的可溶性。第一个阶段发生光化学反应：曝光时光刻胶的不同位置会接收到不同剂量的光照，光刻胶内发生光化学反应生成酸分子；该反应虽然类似传统光刻胶在曝光后发生的反应，但是传统光刻胶光化学反应的产物可以直接改变光刻胶的可溶性，而化学放大胶在第一阶段作为光化学产物的酸分子用于作为第二个阶段的催化剂。第二个阶段化学反应：具体可在曝光后烘焙的高温环境中诱发化学放大胶反应，将第一个阶段产生的酸分子作为催化剂参与反应。催化剂在该反应过程中将不会被消耗，但是还存在一些其他的化学反应消耗酸分子；因此，在第一阶段光化学反应中产生的每一个酸分子，将在第二阶段反应中催化生成大量化学产物，改变光刻胶的可溶性。本实施例第一阶段反应通过如下公式表示：
解析解为：G＝G0e-CIt；将G归一化，定义
则
其中，G表示PAG(高分子光敏剂，在发生光化学反应后生成酸)浓度，t表示表示时间，I表示光强度分布(也即能量分布)，G0表示初始PAG浓度，H表示酸分子浓度，C表示常数。第二阶段反应通过如下公式表示：
(反应物)，
(酸分子)，
(酸抑制剂)；进行归一化处理，定义
归一化后反应速率进行相应调整，Kamp＝k4G0，Kquench＝kQG0。其中，M0表示初始反应物浓度，经过
后光刻胶的溶解性降低；M表示反应物浓度，m表示归一化后的反应物浓度；Q表示酸抑制剂浓度，q表示归一化后的酸抑制剂浓度；k4表示放大反应的反应速率，Kamp表示在M和H归一化后相应调整得到的反应速率；kQ表示酸抑制反应的反应速率，类似地，Kquench表示归一化后调整的反应速率，DH表示酸分子扩散速率，DQ表示酸抑制剂分子扩散速率。
最后，通过当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌，即根据当前酸分子浓度信息、当前酸抑制剂浓度信息及当前反应物浓度信息预测目标光刻胶形貌。
具体地，本发明通过当前酸分子浓度信息、当前酸抑制剂浓度信息及当前反应物浓度信息分别确定当前酸分子浓度分布信息(反应结束后最终时刻)、当前酸抑制剂浓度分布信息(反应结束后最终时刻)及当前反应物浓度分布信息(反应结束后最终时刻)。当前酸分子浓度分布信息具体可为当前酸分子浓度拉普拉斯分布信息，当前酸抑制剂浓度分布信息具体可为当前酸抑制剂浓度拉普拉斯分布信息，当前反应物浓度分布信息具体可为当前反应物浓度拉普拉斯分布信息。在此基础上，本发明实施例通过当前酸分子浓度拉普拉斯分布信息、当前酸抑制剂浓度拉普拉斯分布信息以及当前反应物浓度拉普拉斯分布信息直接确定目标光刻胶形貌，即光刻胶上哪些部分会在显影液中保留、哪些部分会在显影液中溶解。
应当理解的是，显影过程的本质在于利用显影液洗掉光刻胶。若以正显影放大胶为例，反应物浓度低的区域将溶解于显影液中而被冲洗掉；若以负显影光刻胶为例，反应物浓度高的区域将溶解于显影液而被冲洗掉。最终显影液形貌能够直接由反应物浓度m(x,y,z)确定，据此得到最终的结果F＝f(m(x,y,z))；为进一步提高效率，本发明可采用硬阈值模型等方式直接得到结果F。
本实施例中酸分子或酸抑制剂或反应物浓度拉普拉斯分布计算公式具体为：
其中，
表示当前酸分子浓度或酸抑制剂浓度或反应物浓度的拉普拉斯分布，
表示拉普拉斯算符，hi,j,k表示基于时域有限差分方式对光刻胶所处三维空间进行离散化处理后在空间格点(i,j,k)处归一化酸分子浓度或酸抑制剂浓度或反应物浓度的分布，Δ表示相邻空间格点之间的距离(在xyz三个方向上取为相同值)。应当理解的是，拉普拉斯算符
作用于三维场时为：
即得到拉普拉斯分布。
可见本发明实施例三维场中一个空间格点的拉普拉斯结果是由该点相邻的六个点(上下左右前后)的和与该点求差得到的。当计算误差积累到一定程度后，会出现情况(1)该点小于相邻六个点，或情况(2)该点大于相邻六个点。无论是情况(1)或是情况(2)，往往随着计算的进行可能被不断放大而产生不可忽略的误差。为此，本发明一些实施例还包括抑制误差的步骤，具体通过当前酸分子浓度拉普拉斯分布、当前酸抑制剂浓度拉普拉斯分布及当前反应物浓度拉普拉斯分布与预设误差抑制卷积核进行卷积运算(例如实现加权平均目的)，以达到抑制误差的目的。本实施例中预设误差抑制卷积核为高斯卷积核，该高斯卷积核期望可为0，方差可表示为：
其中，
表示方差，D表示基于酸分子浓度分布、酸抑制剂浓度分布及反应物浓度分布得到的归一化扩散速率，Δt表示对时域离散化得到的迭代时间间隔(即相邻时间格点的间隔)。本发明能够通过误差抑制方式提高结果的精确性。
本发明基于时域有限差分方式进行计算，在时域迭代一个时间补偿后则能够得到如下被离散化的反应物浓度分布、酸分子浓度分布、酸抑制剂浓度分布的结果。
mi,j,k,t+1＝mi,j,k,t+Δt(-Kampmi,j,k,thi,j,k,t)
mi,j,k,t＝mi,j,k,t+1
hi,j,k,t＝hi,j,k,t+1
qi,j,k,t＝qi,j,k,t+1
在实际工艺生产中实际使用的工艺参数与工艺研发设计的参数往往存在一定的偏差，所以本发明可选实施例中的用于优化光刻工艺的方法还包括：根据目标光刻胶形貌校准曝光过程中使用的预设工艺参数，从而可进一步改善光刻工艺；根据目标光刻胶形貌调整目标光刻胶的数据，从而进一步改善光刻工艺。可见本发明能够通过不断调整预设工艺参数和/或初始光刻胶酸分子浓度、酸抑制剂浓度、反应物浓度的方式预测实际光刻工艺中光刻胶反应后的形貌，由此可得到最符合实际工艺生产需要的工艺参数和/或指导新光刻胶的开发，提高工艺进度的同时极大地降低了成本。可理解的是，本发明涉及的目标光刻胶可为正显影光刻胶或负显影光刻胶。
如图2所示，与用于优化光刻工艺的方法基于相同发明技术构思，本发明还有一些实施例能够提供一种用于优化光刻工艺的装置。
该装置可包括但不限于数据获取模块、空间分割模块、状态读取模块、曝光仿真模块以及形貌预测模块。
数据获取模块用于获取目标光刻胶的数据。目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据。
空间分割模块用于根据光刻胶空间数据对目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块。每个单元块上均设置有格点。
空间分割模块具体能够根据光刻胶空间数据确定目标光刻胶的长度信息、宽度信息及高度信息，目标光刻胶呈长方体形状；空间分割模块还可用于基于长度信息、宽度信息及高度信息对目标光刻胶占据的空间进行均匀地分割，以确定多个长方体形状的单元块；其中，格点为长方体形状的单元块上的一个顶点。本实施例中长方体形状的单元块的长度小于10纳米。
状态读取模块用于根据光刻胶成分数据确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息。
状态读取模块具体能够用于通过光刻胶成分数据得到目标光刻胶的酸分子浓度分布信息、酸抑制剂浓度分布信息及反应物浓度分布信息，并能用于利用酸分子浓度分布信息、酸抑制剂浓度分布信息以及反应物浓度分布信息确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息；其中，原始状态信息包括目标光刻胶上各个格点位置处的原始酸分子浓度信息、原始酸抑制剂浓度信息及原始反应物浓度信息。
可选地，酸分子浓度分布信息为酸分子浓度拉普拉斯分布信息，酸抑制剂浓度分布信息为酸抑制剂浓度拉普拉斯分布信息，反应物浓度分布信息为反应物浓度拉普拉斯分布信息。
曝光仿真模块用于根据预设工艺参数和原始状态信息确定经过曝光后的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息。
曝光仿真模块具体用于根据预设工艺参数仿真具有原始状态信息的目标光刻胶的曝光过程，以及用于获取经过曝光的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息；其中，当前状态信息包括目标光刻胶上各个格点位置处的当前酸分子浓度信息、当前酸抑制剂浓度信息及当前反应物浓度信息。
形貌预测模块用于通过当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌。
本发明用于优化光刻工艺的装置还可包括参数校准模块和数据校准模块。
参数校准模块用于根据目标光刻胶形貌校准后续其他曝光过程中所使用的预设工艺参数，从而进一步改善光刻工艺。
数据校准模块用于根据目标光刻胶形貌调整后续其他待光刻的目标光刻胶的数据，从而进一步改善光刻工艺。
与用于优化光刻工艺的方法基于相同的发明技术构思，本发明还能够提供一种计算机存储介质，该计算机存储介质上存储有计算机程序指令，计算机程序指令被一个或多个处理器执行时实现本发明任一实施例中的用于优化光刻工艺的方法。该方法用于优化光刻工艺的方法包括如下一个或多个步骤：首先，获取目标光刻胶的数据；目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据。其次，根据光刻胶空间数据对目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块；每个单元块上均设置有格点。本发明一些实施例根据光刻胶空间数据对目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块，包括：根据光刻胶空间数据确定目标光刻胶的长度信息、宽度信息及高度信息，目标光刻胶呈长方体形状。基于长度信息、宽度信息及高度信息对目标光刻胶占据的空间进行均匀地分割，以确定多个长方体形状的单元块。其中，格点为长方体形状的单元块上的一个顶点。可选地，长方体形状的单元块的长度小于10纳米。再次，根据光刻胶成分数据确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息。本发明一些实施例中根据光刻胶成分数据确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息包括：通过光刻胶成分数据得到目标光刻胶的酸分子浓度分布信息、酸抑制剂浓度分布信息及反应物浓度分布信息，利用酸分子浓度分布信息、酸抑制剂浓度分布信息以及反应物浓度分布信息确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息。其中，原始状态信息包括：目标光刻胶上各个格点位置处的原始酸分子浓度信息、原始酸抑制剂浓度信息及原始反应物浓度信息。可选地，酸分子浓度分布信息为酸分子浓度拉普拉斯分布信息，酸抑制剂浓度分布信息为酸抑制剂浓度拉普拉斯分布信息，反应物浓度分布信息为反应物浓度拉普拉斯分布信息。接着，根据预设工艺参数和原始状态信息确定经过曝光后的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息。本发明一些实施例中根据预设工艺参数和原始状态信息确定经过曝光后的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息包括：根据预设工艺参数仿真具有原始状态信息的目标光刻胶的曝光过程，获取经过曝光的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息。其中，当前状态信息包括：目标光刻胶上各个格点位置处的当前酸分子浓度信息、当前酸抑制剂浓度信息及当前反应物浓度信息。最后，通过当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌。本发明可选实施例中的用于优化光刻工艺的方法还包括：根据目标光刻胶形貌校准曝光过程中使用的预设工艺参数，从而进一步改善光刻工艺。本发明可选实施例中的用于优化光刻工艺的方法还包括：根据目标光刻胶形貌调整目标光刻胶的数据，从而进一步改善光刻工艺。
在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读存储介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，"计算机可读存储介质"可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读存储介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)，只读存储器(ROM，Read-Only Memory)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM，Erasable Programmable Read-Only Memory，或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM，Compact Disc Read-Only Memory)。另外，计算机可读存储介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。
应当理解，本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA，Programmable Gate Array)，现场可编程门阵列(FPGA，Field Programmable Gate Array)等。
在本说明书的描述中，参考术语“本实施例”、“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明实质内容上所作的任何修改、等同替换和简单改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种用于优化光刻工艺的方法，其特征在于，包括：
获取目标光刻胶的数据；所述目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据；
根据所述光刻胶空间数据对所述目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块；每个所述单元块上均设置有格点；
根据所述光刻胶成分数据确定所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息；
根据预设工艺参数和所述原始状态信息确定经过曝光后的所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息；
通过所述当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌。
2.根据权利要求1所述的用于优化光刻工艺的方法，其特征在于，所述根据所述光刻胶成分数据确定所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息包括：
通过所述光刻胶成分数据得到目标光刻胶的酸分子浓度分布信息、酸抑制剂浓度分布信息及反应物浓度分布信息；
利用所述酸分子浓度分布信息、所述酸抑制剂浓度分布信息以及所述反应物浓度分布信息确定所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息；
其中，所述原始状态信息包括：所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始酸分子浓度信息、原始酸抑制剂浓度信息及原始反应物浓度信息。
3.根据权利要求2所述的用于优化光刻工艺的方法，其特征在于，所述根据预设工艺参数和所述原始状态信息确定经过曝光后的所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息包括：
根据预设工艺参数仿真具有所述原始状态信息的目标光刻胶的曝光过程；
获取经过曝光的所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息；
其中，所述当前状态信息包括：所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前酸分子浓度信息、当前酸抑制剂浓度信息及当前反应物浓度信息。
4.根据权利要求2所述的用于优化光刻工艺的方法，其特征在于，
所述酸分子浓度分布信息为酸分子浓度拉普拉斯分布信息；
所述酸抑制剂浓度分布信息为酸抑制剂浓度拉普拉斯分布信息；
所述反应物浓度分布信息为反应物浓度拉普拉斯分布信息。
5.根据权利要求1所述的用于优化光刻工艺的方法，其特征在于，还包括：
根据所述目标光刻胶形貌校准曝光过程中使用的预设工艺参数。
6.根据权利要求1所述的用于优化光刻工艺的方法，其特征在于，还包括：
根据所述目标光刻胶形貌调整目标光刻胶的数据。
7.根据权利要求1所述的用于优化光刻工艺的方法，其特征在于，所述根据所述光刻胶空间数据对所述目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块，包括：
根据所述光刻胶空间数据确定所述目标光刻胶的长度信息、宽度信息及高度信息，所述目标光刻胶呈长方体形状；
基于所述长度信息、所述宽度信息及所述高度信息对所述目标光刻胶占据的空间进行均匀地分割，以确定多个长方体形状的单元块；
其中，所述格点为长方体形状的单元块上的一个顶点。
8.根据权利要求7所述的用于优化光刻工艺的方法，其特征在于，
所述长方体形状的单元块的长度小于10纳米。
9.一种用于优化光刻工艺的装置，其特征在于，包括：
数据获取模块，用于获取目标光刻胶的数据；所述目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据；
空间分割模块，用于根据所述光刻胶空间数据对所述目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块；每个所述单元块上均设置有格点；
状态读取模块，用于根据所述光刻胶成分数据确定所述目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息；
曝光仿真模块，用于根据预设工艺参数和所述原始状态信息确定经过曝光后的所述目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息；
形貌预测模块，用于通过所述当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌。
10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令被一个或多个处理器执行时实现如权利要求1至8中任一项权利要求所述的用于优化光刻工艺的方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110712768.1A CN113589654A (zh) | 2021-06-25 | 2021-06-25 | 一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN202110712768.1A CN113589654A (zh) | 2021-06-25 | 2021-06-25 | 一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113589654A true CN113589654A (zh) | 2021-11-02 |
Family
ID=78244671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110712768.1A Pending CN113589654A (zh) | 2021-06-25 | 2021-06-25 | 一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113589654A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004060223A1 (de) * | 2004-12-15 | 2006-07-06 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bestimmen einer Verteilung einer Komponente in einem Volumen eines Photolacks nach einem Nachbackprozess |
| US20170299963A1 (en) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
| EP3734366A1 (en) * | 2019-05-03 | 2020-11-04 | ASML Netherlands B.V. | Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus |
-
2021
- 2021-06-25 CN CN202110712768.1A patent/CN113589654A/zh active Pending
Patent Citations (3)
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