CN113588761A - 基于有机溶剂-解吸电喷雾电离芯片的疏水性化合物质谱分析方法 - Google Patents

基于有机溶剂-解吸电喷雾电离芯片的疏水性化合物质谱分析方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于质谱检测领域，具体涉及一种基于有机溶剂‑解吸电喷雾电离芯片的疏水性化合物质谱分析方法。该方法为：采用中弱极性有机溶剂和极性有机溶剂的混合溶剂，经电喷雾处理后撞击疏水性化合物样品，随后生成的待测样品离子通过扩散进入质谱的离子传输通道进行质谱检测，所述中弱极性有机溶剂占混合溶剂的比例为38‑50％。本发明可用于疏水性化合物的质谱检测，提高质谱的电离和检测效率。可适用不同形态的样品，可检测目标化合物的形态包括但不限于液态、固态样品和含溴化钾压片形式，扩大了样品检测形式。

Description

基于有机溶剂-解吸电喷雾电离芯片的疏水性化合物质谱分 析方法
技术领域
本发明属于质谱检测领域，具体涉及一种基于有机溶剂-解吸电喷雾电离芯片的疏水性化合物质谱分析方法。
背景技术
质谱是近年来发展迅速的一种分析方法，基于电离源对待测组分实现离子化，再经过电场或磁场的作用予以分离和鉴定。在各类型的质谱中，电喷雾质谱(ESI-MS)具有灵敏度高、定性能力强、分析重现性好等优点，广泛应用于生物和化学等领域，并已成为一种重要的分析技术。在其基础上发展了一种全新的直接快速分析环境样品的方法：解吸电喷雾电离法(DESI-MS)。DESI-MS作为一种不需要样品预处理、可在原环境下对样品进行电离的分析技术，不仅适用于中强极性物质还可用于弱极性物质的检测。DESI的电喷雾溶液首先对样品进行润湿溶解从而形成一层薄膜，随后喷射的溶液撞击这层薄膜使其碎裂，溶解在薄膜中的待测物被后续喷射的喷雾溶液碰撞，从而将待测物溅射到空中形成许多子液滴，随着溶剂的蒸发，液滴逐渐缩小，其表面电荷密度不断增大，液滴裂分成更小的带电子液滴，此过程不断重复，直至液滴发生库仑爆炸形成单个离子，最终样品离子进入质谱仪被检测。目前，在DESI-MS的样品检测实验中，通常采用在喷雾溶液中添加适当的反应试剂或有机溶剂来提高待测物的溶解和电离。
极性溶剂一般含有羟基或羰基等极性基团，由于分子内正负电荷重心不重合导致分子产生极性。而非极性溶剂的分子多共价键构成，电子活性和偶极矩很小。根据物质溶解性的“相似相溶”原理，极性溶剂溶解极性共价化合物，非极性溶剂溶解非极性共价化合物。质谱中为了使溶剂更好地促进电离，一般使用的溶剂都是甲醇、乙腈等极性溶剂，这是因为极性溶剂具有良好的导电性、较低表面张力以及较高的介电常数。而中、弱极性有机溶剂(如二氯甲烷、二甲亚砜等)通常是有机反应和液体分离的良好溶剂，但由于其电导率和电离效率较差，使得ESI在选择弱极性电喷雾溶剂上具有一定的局限性。另一方面，由于大多数疏水性化合物在ESI电喷雾溶液中存在溶解度差和电离效率低等问题，现有解决这类问题的普遍方法是通过尝试不同有机溶剂使将这类化合物先行溶解，再于进样后将溶解的样品液稀释于电喷雾液中，最后进行ESI-MS检测。然而，该方法不仅很难检测到样品信号，还有可能出现未溶解的样品析出固体从而堵塞仪器，且寻找到合适的溶解体系需要耗费大量的时间。因此，在中、弱极性有机溶剂的电喷雾溶液中添加极性离子物质先转变成离子化合物，再对其进行电喷雾质谱检测来实现了疏水性化合物的检测。
金属配合物是一类由金属原子或离子通过配位键、氢键和静电等作用力与相应有机配体有序结合成具有高度规整网状空间结构的化合物。其中的过渡金属配合物在均相有机反应中具有较高的催化活性以及在光、电等方面具有独特的热力学性质，使其在配位化学和催化化学等领域具有巨大的发展潜力。在过渡金属中，以Ru、Re和Ir为中心的金属配合物具有良好的光学性质，在光化学领域中具有重要地位。以金属配合物为代表的疏水性化合物在常规电喷雾液态系中存在溶解度差、电离效率低等问题，使得基于常规芯片-电喷雾质谱分析方法检测这类化合物存在相当的困难。
ESI-MS在疏水性中性金属配合物的分析中存在溶解度差、电离效率低等问题。MALDI-MS在金属配合物检测中存在的重要问题是，有机基质在<500Da的质量区产生的干扰信号会抑制分析物的信号强度，有机基质易与分析物产生加合产物导致谱峰识别困难并且在某些情况下会造成假阳性，同时面临着基质选择困难以及不同样品对基质选择性的问题。而DESI可直接检测固态样品，避免了疏水性化合物的溶解步骤，还可以通过改变DESI中的电喷雾组成来增加疏水性金属配合物的溶解度，从而提升待测样品的离子化效率。
DESI-MS在疏水性化合物的检测中，添加有机溶剂对仪器造成的损害较小，原因是DESI的电喷雾尖端是指向基质表面的样品位置，与质谱进样口呈一定的角度，避免了大部分喷雾溶剂直接进入质谱仪的可能。此外，在电喷雾溶剂溶解样品并将其“拾起”的过程中，只有少量溶剂被后续喷射的喷雾溶液碰撞溅射到空中，解离基质表面的这部分喷雾溶剂会被雾化气体蒸发，导致最后只有极少量的有机溶剂进入质谱中，降低了有机溶剂对仪器的损害。
微流控芯片具有体积小、功能强等优点，其通道尺寸常处于微米级别，使分析时间缩短，大大提升了实验效率。将微流控芯片设计应用于电喷雾电离源，集成化和功能化使得检测通量和自动化程度大大提高。
3D打印技术应用到微流控芯片的制备中，可实现制作工艺的标准化、一体化和自动化。相比于传统的光刻芯片技术，大大缩短了芯片的制作时间，提高了加工的精密度，为一体式制备复杂结构的三维芯片奠定基础。另外，由该方法还可延伸出注塑法和浇蜡法来制作高精密度的微流控芯片。
发明内容
本发明针对现有技术的不足，提供一种基于有机溶剂-解吸电喷雾电离芯片的疏水性化合物质谱分析方法。
基于有机溶剂-解吸电喷雾电离芯片的疏水性化合物质谱分析方法，采用中弱极性有机溶剂和极性有机溶剂的混合溶剂，经电喷雾处理后撞击疏水性化合物样品，随后生成的待测样品离子通过扩散进入质谱的离子传输通道进行质谱检测，所述中弱极性有机溶剂占混合溶剂的比例为38-50％。体系中中弱极性有机溶剂极性溶剂的比例一方面影响样品溶解量，另一方面也影响电离效果包括电离强度和电喷雾稳定性，中弱极性溶剂比例较低时，喷雾溶剂溶液的样品量减少，样品离子的生成量减少，中弱极性溶剂比例过高时，使喷雾溶液难以电离，且喷雾稳定性不够，样品离子强度低，另外中弱极性有机溶剂的引入除了可以提高以金属配合物为代表的疏水性化合物在质谱检测中的溶解性，还能通过增加表面润湿性加快电荷的转移，提升离子化效率。综上，中弱极性有机溶剂占混合溶剂的比例优选为38-50％。
上述方案中，所述的疏水性化合物为以Ru、Re和Ir金属为中心离子的疏水性金属配合物。
上述方案中，可检测目标化合物的形态包括但不限于液态、固态样品和含溴化钾压片形式(已经由红外光谱检测过的含溴化钾压片亦可)。
上述方案中，所述的中弱极性有机溶剂为二甲亚砜、二氯甲烷。
上述方案中，所述的极性有机溶剂为含甲酸的甲醇溶液或含甲酸的乙腈溶液，甲酸的含量为0.05-0.5％。含少量的甲酸能促进电离，更容易形成电喷雾。
上述方案中，所述基于有机溶剂-解吸电喷雾电离芯片的疏水性化合物质谱分析方法，包括以下步骤：
提供质谱分析装置，包括沿一个方向依次布设的双相混合-解吸电喷雾电离源芯片(DESI芯片)，用于放置样品的样品承载台和质谱仪，双相混合-解吸电喷雾电离源芯片(DESI芯片)上设有极性溶剂进样口，中弱极性溶剂进样口和氮气进样口，DESI芯片一端部设有电喷雾尖端，极性溶剂进样口上连接有极性溶剂通道，中弱极性溶剂进样口上连接有中弱极性溶剂通道，氮气进样口上连接有辅助雾化氮气通道，极性溶剂通道、中弱极性溶剂通道和辅助雾化氮气通道与电喷雾尖端连通，电喷雾尖端朝向样品承载台，电喷雾尖端喷出的电离液撞击样品后产生待测样品离子，经质谱仪的质谱进样口通过扩散进入质谱的离子传输通道进行质谱检测。
具体步骤为：将样品分别配制成待分析样品液，取待分析样品液滴加到样品承载台的样品孔中，样品静置，通过注射泵将极性溶剂、中弱极性溶剂分别注入双相混合-解吸电喷雾电离源芯片的对应溶剂通道，调控二者比例，将氮气引入雾化氮气导流机构，随后氮气包裹的电喷雾溶液撞击样品并将其溶解，由此生成的待测样品离子经质谱进样口通过扩散进入质谱的离子传输通道，对样品进行DMEC-DESI-MS分析。
上述方案中，所述极性溶剂通道和中弱极性溶剂通道与一个鱼肠型通道连通，通过鱼肠型通道和电喷雾尖端连通。鱼肠状回型通道有助于极性溶剂和中弱极性溶剂充分混匀。
上述方案中，所述极性溶剂通道上设有电喷雾装置，将极性溶剂转化为电喷雾溶液，具体地，可在极性溶剂通道上设置T型铂电极，高压电源的电线接口连接T型铂电极，极性溶剂通过高压直流电源连接的T型铂电极后形成电喷雾液。
上述方案中，样品承载台上设有贯穿承载台的空心小孔，空心小孔的底部设有基质层，小孔内放置样品，。
优选地，所述的基质为滤纸、锡箔、玻璃，优选为玻璃，基质的存在一方面起支撑作用，另外一方面可以有助分析物顺利离开基质材料进入质谱得以检测。
上述方案中，固定质谱位置，样品相对于质谱进样口左右移动的距离为-5～5mm。
上述方案中，固定质谱位置，样品中心到质谱进样口的距离为2.25mm～12.25mm。
上述方案中，固定质谱位置，样品相对于质谱进样口上下移动的距离为-7.8mm～3mm。
样品距离质谱采样口的距离过近，致使样品来不及离子化就已进入质谱进样口。而距离过大，样品的能量损失严重，使电离效率下降，影响质谱检测。
上述方案中，固定质谱位置，芯片喷雾尖端相对于质谱进样口左右移动的距离为-3～3mm。当喷雾在水平方向上进行移动时，离子强度会随移动距离的增加而下降，电喷雾溶液与样品的接触面积也相应减少，喷雾携带的样品更多的被质谱的金属外壳阻挡，离子强度下降。
上述方案中，固定质谱位置，芯片喷雾尖端相对于质谱进样口的距离为1.5mm～11.5mm。裹挟样品的喷雾需要相应的空间和时间进行溶液挥发和库伦爆炸电荷传递，一定的距离可提供裹挟样品的喷雾相应的空间和时间，由此有助于进行溶液挥发和库伦爆炸电荷传递，
但当喷雾尖端离质谱进样口的距离过大时，由于喷雾扩散过于严重，喷雾携带的电荷和能量相应下降，而使质谱检测的离子强度降低。
上述方案中，固定质谱位置，芯片喷雾尖端相对于质谱进样口上下移动的距离为-0.5mm～9.5mm。距离过小，喷雾溶液来不及电离而在基质表面形成积液，离子信号下降。距离过大时，由于喷雾扩散过于严重，导致激发样品电离的能量不足，离子信号下降。
上述方案中，芯片喷雾尖端相对于质谱进样口水平方向的角度为40°～56°。一定的夹角可以产生足够使喷雾液滴将样品溶解并使其离子化的动能，使质谱检测的离子强度达到最优。
上述方案中，保持两相溶剂总流速不变，通过调整中弱极性溶剂的流速，调整极性溶剂和中弱极性溶剂的比例。总流速不变，有助于维持喷雾稳定。
上述方案中，所述极性溶剂和中弱极性溶剂的总流速为0.6μL·min-1-3.8μL·min-1。一定的流速有助于提高电喷雾溶液和样品的接触面积，提高拾起样品，而当流速过高时，又会使得电喷雾溶液来不及电离，在基质表面产生了溶剂积液，致样品电离效率下降。
上述方案中，所述电喷雾电压为2.0kV到6.0kV。电喷雾稳定性和电离效率受电压的影响，在一定范围内增加电压不仅使得单位时间内样品的离子化效率增加，还会减弱空气流对电喷雾稳定性的影响，离子强度增加。而随着电压的继续增加，离子强度下降，由于过高的电压引起了电场场强的波动，影响了喷雾的稳定性。此外，电压过高也会使喷雾尖端与质谱之间形成电流，致使样品的离子化效率减弱。
按上述方案，所述固态压片样品的厚度为0.2-0.8mm；固态压片样品中含KBr的比例为0％-90％。固态压片样品形式可用于红外光谱和DMEC-DESI-MS联合检测。质谱离子强度没有随着固态压片样品厚度的变化而变化，在流速不变的情况下喷雾溶液所能拾起的样品量一定，喷雾溶剂所溶解进而拾取的样品发生在片剂样品表面，与样品的厚度无关。固态压片样品中含KBr的比例为0％-90％。KBr的比例越少，喷雾溶剂与目标分析物的接触面积越大，离子信号越大。但在较高的KBr比例条件下仍然可以检测到样品的离子信号，说明该分析平台可以实现对少量固体样品的检测。
本发明所述基于有机溶剂-解吸电喷雾电离芯片的疏水性化合物质谱分析方法的工作原理为：样品置于样品承载台的孔道内，极性溶剂和中弱极性溶剂通过对应通道进入电喷雾电离源混合后，从金属电喷雾尖端喷出，在氮气包裹下，电喷雾溶液撞击样品并将其溶解，其中：极性溶剂的使用可促进电喷雾电离过程中溶剂的挥发和易于形成离子，中弱极性溶剂的使用可促进样品的溶解，进入质谱的离子传输通道，从而实现对液态、固态样品和已经由红外光谱检测过的含溴化钾压片形式的样品的质谱检测。其中用到的解吸电喷雾电离芯片可采用3D打印制备，还可用注塑、浇蜡等方式制备。便于制备。
本发明的有益效果如下：
(1)本发明通过引入中弱极性有机溶剂提高以金属配合物为代表的疏水性化合物的溶解性，另外还能通过增加表面润湿性加快电荷的转移，提升离子化效率，可用于疏水性化合物的质谱检测，提高质谱的电离和检测效率。
可适用的产品形式多样。
(2)本发明可适用不同形态的样品，可检测目标化合物的形态包括但不限于液态、固态样品和含溴化钾压片形式(已经由红外光谱检测过的含溴化钾压片亦可)，扩大了样品检测形式，不拘泥于传统的可溶于极性溶剂的液态样品。不同形态的样品置于样品承载台孔道内，极性溶剂和中弱极性溶剂以不同比例引入芯片，混合后从电喷雾尖端喷出，在氮气包裹下，电喷雾溶液撞击样品并将其溶解，进入质谱的离子传输通道即可进行检测。
(3)解吸电喷雾电离芯片能够实现双相有机溶剂(包括极性溶剂和中弱极性溶剂)的充分混合，且在氮气包裹下能充分形成电喷雾。一体式的解吸电喷雾电离芯片消除了传统意义上光刻蚀技术制作微流控芯片的多种离子干扰和检测误差大、制备重复性低等问题。且可采用3D打印制备，还可用注塑、浇蜡等方式制备。大大缩短了芯片的制作时间，提高了加工的精密度，为一体式制备复杂结构的三维芯片奠定基础。
附图说明
图1为3D打印双相混合电喷雾芯片的实物图。其中1号进样口连接中弱极性溶剂通道，2号进样口连接极性溶剂通道，3号进样口连接辅助雾化氮气通道，侧面的小圆孔将会集成一枚电喷雾针，大圆孔为氮气包裹出口。2号进样口的中弱极性溶剂和1号进样口的极性溶剂在回型的鱼肠状通道混匀，之后从侧面的电喷雾尖端圆孔和氮气包裹出口喷出
图2为双相混合-解吸电喷雾(DESI)芯片的DESI-MS分析系统的实验装置图。从左到右是分别是DESI芯片、样品承载台和质谱。通道b连接2号进样口，为极性溶剂通道；通道a连接1号进样口，为中弱极性溶剂通道；通道c连接3号进样口，为辅助雾化氮气通道；通道d为中弱极性溶剂和极性溶剂混匀的回型鱼肠状通道，move为样品和芯片喷雾尖端相对质谱进样口左右移动的方向。
图3为实施例1的质谱检测图。m/z为745.1321的质谱峰是[Re-3]失去Cl离子得到的[Re-3]+的样品离子峰。
图4为实施例2的质谱检测图(图4A)和红外光谱检测图(图4a)。(A)中，m/z为1163.3787的质谱峰是[Ir-8][PF6]失去碎片离子[PF6]-得到的[Ir-8]+离子峰。(a)中，苯环和吡啶的C-H伸缩振动的特征吸收峰为3053cm-1；苯取代衍生物的C＝C面内振动吸收峰为2000-1600cm-1；苯环骨架振动的吸收峰为1400-1600cm-1。
具体实施方式
为了更好地理解本发明，下面结合实施例进一步阐明本发明的内容，但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
基于有机溶剂-解吸电喷雾电离芯片的疏水性化合物质谱分析方法，引入中弱极性有机溶剂以提高疏水性化合物包括金属配合物在质谱检测中的溶解性。可检测目标化合物的形态包括但不限于液态、固态样品和已经由红外光谱检测过的含溴化钾压片形式。
提供质谱分析装置，如图1和图2所示，包括沿一个方向依次布设的双相混合-解吸电喷雾电离源芯片，样品承载台和质谱仪，双相混合-解吸电喷雾电离源芯片(DESI芯片)上设有2号极性溶剂进样口，1号中弱极性溶剂进样口和3号氮气进样口，DESI芯片一端部设有电喷雾尖端，极性溶剂进样口上连接有极性溶剂通道b，中弱极性溶剂进样口上连接有中弱极性溶剂通道a，氮气进样口上连接有辅助雾化氮气通道c，极性溶剂通道和中弱极性溶剂通道与一个鱼肠型通道d连通，通过鱼肠型通道和电喷雾尖端连通，极性溶剂通道上设置T型铂电极，高压电源的电线接口连接T型铂电极，极性溶剂通过高压直流电源连接的T型铂电极后形成电喷雾液；样品承载台上设有贯穿承载台的空心小孔，空心小孔的底部，样品承载台的下表面设玻璃基质层；电喷雾尖端朝向样品承载台，电喷雾尖端喷出的电离液撞击样品后产生待测样品离子，经质谱仪的质谱进样口通过扩散进入质谱的离子传输通道进行质谱检测；
质谱检测的工作原理是：不同形态的样品置于样品承载孔道内，极性溶剂和中弱极性溶剂引入芯片混合后从电喷雾尖端喷出，在氮气包裹下，电喷雾溶液撞击样品并将其溶解，进入质谱的离子传输通道，从而实现对不同形态的待测样品进行高分辨质谱检测。
实施例1
基于有机溶剂-解吸电喷雾电离芯片的疏水性化合物质谱分析方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)首先引入DMSO作为中弱极性有机溶剂来提高样品的溶解性；
(2)其次目标化合物为液态疏水性金属配合物[Re(CO)3Cl(C33H26N4)]([Re-3])结构如下图(5μL，10μg/mL)，置于样品承载台的玻璃基质表面；
(3)随后通过注射泵将极性溶剂(含0.1％甲酸的甲醇溶液)、中弱极性溶剂(DMSO)及氮气注入对应通道，溶剂在鱼肠状回型通道内混匀，从电喷雾尖端喷出，在氮气包裹下，电喷雾溶液撞击样品并将其溶解，进入质谱的离子传输通道，进行质谱检测，质谱检测图如图3：
Figure BDA0002476477800000081
其中，两相溶剂总流速为2.6μL·min-1，极性溶剂：中弱极性溶剂比例＝60:40(v/v)，电离电压为5.0kV，辅助氮气压力为0.1Mpa。DMSO作为溶剂时，其比例为40％，样品的离子强度达到最大值。固定质谱位置，样品中心到质谱进样口的距离为3.5mm；相对于质谱左右移动的距离为0mm；上下移动的距离为-2mm即样品在质谱进样口下方，垂直距离为2mm；芯片喷雾尖端相对于质谱进样口的距离为6.5mm；相对于质谱左右移动的距离为0mm；上下移动的距离为4.5mm即芯片喷雾尖端在质谱进样口上方，垂直距离为4.5mm；和水平方向的角度为48°。
本实施例中样品的离子强度检测结果如下：m/z为745.1321的质谱峰是母体失去了Cl离子得到的，与商品化高分辨质谱检测理论值745.1372相对比，其误差为百万分之6.8，离子信号强度达到了6.7×104，实现了精确检测，同时从质谱图上可以看出，杂质峰较少，背景信号干扰较小。
以上结果表明，我们所构建的基于DMEC芯片-DESI-MS分析方法可以实现对疏水性金属配合物的直接检测，这使该分析方法在疏水性化合物的检测中具有潜在的应用价值。
实施例2
基于有机溶剂-解吸电喷雾电离芯片的疏水性化合物质谱分析方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)首先引入中弱极性有机溶剂CH2Cl2提高样品的溶解性；
(2)其次目标化合物为固态疏水性金属配合物[Ir-8][PF6](样品：KBr＝1:10，w/w)压片，红外光谱分析后，置于样品承载台的玻璃基质表面；
Figure BDA0002476477800000091
(3)随后通过注射泵将极性溶剂(含0.1％甲酸的甲醇溶液)、中弱极性溶剂(CH2Cl2)及氮气注入对应通道，溶剂在鱼肠状回型通道内混匀，从电喷雾尖端喷出，在氮气包裹下，电喷雾溶液撞击样品并将其溶解，进入质谱的离子传输通道，进行质谱检测，质谱检测图(图4A)和红外光谱检测图(图4a)如说明书附图：
其中，两相溶剂总流速为2.6μL·min-1，极性溶剂：中、弱极性溶剂比例＝55:45(v/v)，电离电压为4.5kV。CH2Cl2比例为45％时，样品的离子强度达到最大值。样品承载台上的基质材料为玻璃。固定质谱位置，样品中心到质谱进样口的距离为3.5mm；相对于质谱左右移动的距离为0mm；上下移动的距离为-2mm即样品在质谱进样口下方，垂直距离为2mm；芯片喷雾尖端相对于质谱进样口的距离为6.5mm；相对于质谱左右移动的距离为0mm；上下移动的距离为4.5mm即芯片喷雾尖端在质谱进样口上方，垂直距离为4.5mm；和水平方向的角度为48°。
本实施例中的离子强度检测结果如下：质谱图(A)中，m/z为1163.3787的质谱峰是[Ir-8][PF6]失去碎片离子[PF6]-得到的[Ir-8]+离子峰。离子强度为9.9×103，质谱检测的质荷比为1163.3787，与商品化高分辨质谱检测理论值1163.3945相比，可以精确到百分之一质量数，实现了精确检测，同时从质谱图上可以看出，杂质峰较少，背景信号干扰较少。在红外光谱图(a)中苯环和吡啶的C-H伸缩振动的特征吸收峰位于3053cm-1区域；2000-1600cm-1区域为苯衍生物的C＝C面内变形振动吸收峰，虽然此峰振动强度较弱，但该区域干扰较少且非常有特征，可以用于鉴定苯环的取代情况；在1400-1600cm-1区域为苯环骨架振动的吸收峰。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的实例，而并非对实施方式的限制。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而因此所引申的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之内。

Claims (10)

1.基于有机溶剂-解吸电喷雾电离芯片的疏水性化合物质谱分析方法，其特征在于：采用中弱极性有机溶剂和极性有机溶剂的混合溶剂，经电喷雾处理后撞击疏水性化合物样品，随后生成的待测样品离子通过扩散进入质谱的离子传输通道进行质谱检测，所述中弱极性有机溶剂占混合溶剂的比例为38-50％。
2.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于：所述的疏水性化合物为以Ru、Re和Ir金属为中心离子的疏水性金属配合物；可检测目标化合物的形态包括但不限于液态、固态样品和含溴化钾压片形式。
3.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于：所述的中弱极性有机溶剂为二甲亚砜、二氯甲烷。
4.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于：所述固态压片样品的厚度为0.2-0.8mm；固态压片样品中含KBr的比例为0％-90％；所述的极性有机溶剂为含甲酸的甲醇溶液或含甲酸的乙腈溶液，甲酸的含量为0.05-0.5％。
5.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
提供质谱分析装置，包括沿一个方向依次布设的双相混合-解吸电喷雾电离源芯片，用于放置样品的样品承载台和质谱仪，双相混合-解吸电喷雾电离源芯片上设有极性溶剂进样口，中弱极性溶剂进样口和氮气进样口，DESI芯片一端部设有电喷雾尖端，极性溶剂进样口上连接有极性溶剂通道，中弱极性溶剂进样口上连接有中弱极性溶剂通道，氮气进样口上连接有辅助雾化氮气通道，极性溶剂通道、中弱极性溶剂通道和辅助雾化氮气通道与电喷雾尖端连通，电喷雾尖端朝向样品承载台，电喷雾尖端喷出的电离液撞击样品后产生待测样品离子，经质谱仪的质谱进样口通过扩散进入质谱的离子传输通道进行质谱检测；
具体步骤为：将样品分别配制成待分析样品液，取待分析样品液滴加到样品承载台的样品孔中，样品静置，通过注射泵将极性溶剂、中弱极性溶剂分别注入双相混合-解吸电喷雾电离源芯片的对应溶剂通道，调控二者比例，将氮气引入雾化氮气导流机构，随后氮气包裹的电喷雾溶液撞击样品并将其溶解，由此生成的待测样品离子经质谱进样口通过扩散进入质谱的离子传输通道，对样品进行DMEC-DESI-MS分析。
6.根据权利要求5所述的分析方法，其特征在于：所述极性溶剂通道和中弱极性溶剂通道与一个鱼肠型通道连通，通过鱼肠型通道和电喷雾尖端连通；所述极性溶剂通道上设有电喷雾装置，将极性溶剂转化为电喷雾溶液；样品承载台上设有贯穿承载台的空心小孔，空心小孔的底部设有基质层，小孔内放置样品。
7.根据权利要求6所述的分析方法，其特征在于：所述的基质为玻璃、滤纸和锡箔纸。
8.根据权利要求5所述的分析方法，其特征在于：固定质谱位置，样品相对于质谱进样口左右移动的距离为-5～5mm；固定质谱位置，样品中心到质谱进样口的距离为2.25mm～12.25mm；固定质谱位置，样品相对于质谱进样口上下移动的距离为-7.8mm～3mm；固定质谱位置，芯片喷雾尖端相对于质谱进样口左右移动的距离为-3～3mm；固定质谱位置，芯片喷雾尖端相对于质谱进样口的距离为1.5mm～11.5mm；固定质谱位置，芯片喷雾尖端相对于质谱进样口上下移动的距离为-0.5mm～9.5mm；芯片喷雾尖端相对于质谱进样口水平方向的角度为40°～56°。
9.根据权利要求5所述的分析方法，其特征在于：，保持两相溶剂总流速不变，通过调整中弱极性溶剂的流速，调整极性溶剂和中弱极性溶剂的比例；所述极性溶剂和中弱极性溶剂的总流速为0.6μL·min-1-3.8μL·min-1。
10.根据权利要求6所述的分析方法，其特征在于：所述电喷雾电压为2.0kV到6.0kV。
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