CN113572466B - 基于功率分配和阻抗变换网络技术的对称单刀双掷开关 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于功率分配和阻抗变换网络技术的对称单刀双掷开关，包括:TX支路与RX支路，所述TX支路包括：第一ITN单元，设置在射频信号注入端TX端口，输出端形成第一观察节点；两个并列的第一路径和第二路径，经由第一观察节点分成，输出端合并至第二观察节点；所述RX支路包括：第二ITN单元，设置接收端RX端口；两个并列的第三路径和第四路径，与第二ITN单元的连接处形成第三观察节点，并在并联后合并至第二观察节点；该对称单刀双掷开关还包括：第三ITN单元，设置在ANT端口，并且连接在第二观察节点。在TX模式下，RF信号不会流入RX分支。本发明所提出来的无源式开关设计打破了传统由于有源器件缩放而对基于硅的开关设计的功率处理能力的基本限制，基于对称bulk CMOS技术采用功率分配和阻抗变换网络(ITN)技术相结合，使用无源方式提高毫米波单刀双掷开关P1dB。
Description
技术领域
本发明属于射频技术领域，具体涉及一种基于功率分配和阻抗变换网络技术的对称单刀双掷开关
背景技术
单刀双掷(SPDT)开关已广泛应用于无线网络，尤其是时分复用(TDD)系统。从单刀双掷开关设计的角度来看，架构可以分为两类：非对称和对称。与对称架构中设计的对应架构相比，非对称架构可能提供更好的功率处理能力。然而，使用非对称架构的SPDT开关的设计过程比对称设计更复杂。因此，以前发表的文献中的大部分工作都集中在对称SPDT开关设计上。此外，还应考虑一些设计权衡，包括插入损耗(IL)、隔离度(ISO)、功率处理能力(1dB压缩点(P1dB)和三阶截获点(IP3)))和成本。
虽然近些年bulk CMOS技术实现的高性能SPDT开关，但当频率升至毫米波频段时仍然三五族化合物技术的性能较为卓越。为了进一步降低单刀双掷开关设计成本，学术界和工业界在硅基毫米波单刀双掷开关设计方面做出了广泛的努力，特别是使用bulk CMOS技术。过去十年。低损耗和高隔离开关设计已取得多项突破。然而，功率处理能力仍然是有限的，尤其在P1dB方面。采用bulk CMOS技术设计的基于变压器的2路功率组合E波段和W波段功率放大器(PA)可提供15dBm的饱和输出功率。因此，SPDT开关所需的P1dB必须至少高于15dBm。然而，这目前不适用于基于bulk CMOS的设计，并且大多数在E和W波段工作的CMOS开关的P1dB只有大约10dBm。虽然通过使用负偏置电压和堆叠晶体管可以显着改善P1dB，但由于物理限制，它通常不用于基于bulk CMOS的设计。因此寻找一个可以在bulk CMOS技术下，实现高功率处理处理能力，高隔离度和低损耗的开关显得尤为重要又具有挑战。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
为此，本发明的目的在于提出一种基于功率分配和阻抗变换网络技术的对称单刀双掷开关。为了实现上述目的，本发明所要解决的技术问题在于一种基于功率分配和阻抗变换网络技术的对称单刀双掷开关，由于有源器件几乎达到了它的根本极限，解决上述问题的唯一途径是从无源设计的角度探索可能性，本发明采用功率分配和阻抗变换网络(ITN)技术相结合，利用无源方式提高毫米波单刀双掷开关P1dB。
一种基于功率分配和阻抗变换网络技术的对称单刀双掷开关，包括:TX支路与RX支路，所述TX支路包括：
第一ITN单元，设置在射频信号注入端TX端口，输出端形成第一观察节点；
两个并列的第一路径和第二路径，经由第一观察节点分成，输出端合并至第二观察节点；
所述RX支路包括：
第二ITN单元，设置接收端RX端口；
两个并列的第三路径和第四路径，与第二ITN单元的连接处形成第三观察节点，并在并联后合并至第二观察节点；
该对称单刀双掷开关还包括：
第三ITN单元，设置在ANT端口，并且连接在第二观察节点。
进一步地，所述第一ITN单元、第二ITN单元以及第三ITN单元结构相同，均包括一电感以及一电容组成的LC网络。
进一步地，所述第一路径和第二路径包括两个串联的30Ω四分之一波长传输线TL，两个30Ω四分之一波长传输线TL之间形成第四观察节点，通过第四观察节点连接一集总电感器LT接地，并通过第四观察节点连接在一开关n型场效应晶体管的漏极，开关n型场效应晶体管的基极通过一电阻与输入电压连接，开关n型场效应晶体管的源极接地。
进一步地，所述第三路径和第四路径结构与第一路径和第二路径结构相同。
进一步地，在TX模式下，TX支路的两个开关n型场效应晶体管关闭，在所述第四观察节点形成高阻抗，同时，RX支路的两个开关n型场效应晶体管导通，在所述第三观察节点形成低阻抗。
进一步地，标准50Ω阻抗与由ITN单元传输的内部阻抗之间的比率n为1.7。
进一步地，所述对称单刀双掷开关采用55纳米bulk CMOS技术实现，开关n型场效应晶体管的宽度值为50μm。
进一步地，开关n型场效应晶体管的基极连接的电阻的阻值为10K。
本发明的有益效果：
本发明提出了一种基于功率分配和阻抗变换网络技术的对称单刀双掷开关，
解决经典并联晶体管和四分之一波长传输线的单刀双掷开关的弱点，经典的当开关工作在TX模式时，分流连接的晶体管被关闭，它通过观察地面与分流连接的TL一起提供高阻抗。因此，RF信号可以从TX端口传输到ANT端口。根据计算，对于65-nm CMOS技术，3.6dBm传输的RF信号可能会打开截止状态的开关晶体管。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
图1示出了本发明所提出的基于功率分配和阻抗变换网络技术的对称单刀双掷开关结构示意图；
图2示出了本发明所述的开关中使用的TL(针对30Ω阻抗)的横截面图具体物理尺寸；
图3示出了本发明所述开关仿真的输入和输出回波损耗果；
图4示出了本发明所述开关IL的仿真测试结果；
图5示出了本发明所述开关的P1dB仿真测试。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互结合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不限于下面公开的具体实施例的限制。
图1示出了本发明所提出的基于功率分配和阻抗变换网络技术的对称单刀双掷开关结构示意图。
一种基于功率分配和阻抗变换网络技术的对称单刀双掷开关，包括:TX支路与RX支路，TX支路是发射支路，RX支路为接收支路，TX支路包括：第一ITN单元，设置在射频信号注入端TX端口，输出端形成第一观察节点A；通过第一观察节点A分为两路，为结构相同的第一路径和第二路径，经由第一观察节点A分成，输出端合并至第二观察节点D；RX支路包括：第二ITN单元，设置接收端RX端口；
两个并列的第三路径和第四路径，与第二ITN单元的连接处形成第三观察节点E，并在并联后合并至第二观察节点D；该对称单刀双掷开关还包括：第三ITN单元，设置在ANT端口，所述的ANT端口为天线端口，并且连接在第二观察节点D。
在上述的第一ITN单元、第二ITN单元以及第三ITN单元结构相同，均包括一电感以及一电容组成的LC网络。以第一ITN单元为例，包括与TX端口连接的电容C1和电感L1，电容C1接地，电感L1接入第一观察节点A。
第一路径、第二路径、第三路径和第四路径结构均相同，包括两个串联的30Ω四分之一波长传输线TL，两个30Ω四分之一波长传输线TL之间形成第四观察节点B，通过第四观察节点B连接一集总电感器LT接地，并通过第四观察节点B连接在一开关n型场效应晶体管的漏极，开关n型场效应晶体管的基极通过一电阻与输入电压连接，开关n型场效应晶体管的源极接地。
当射频信号注入TX端口时，它首先通过第一ITN单元，它由一个由电感L1和电容C1组成的LC网络构成。使用ITN单元，第一观察节点A的共模阻抗从50Ω转移到15Ω。然后，RF信号被分成两条路径。每个路径由两个四份之一波长、一个开关n型场效应晶体管(nFET)和一个集总电感器LT组成。在TX模式下，两个开关n型场效应晶体管nFET关闭，它们的寄生电容(称为COFF)与集总电感器LT一起形成一个分流LC网络，该网络在第四观察节点B提供所需的高阻抗。同时，RX支路的两个开关n型场效应晶体管nFET导通，这会导致RX支路的观察节点C处为低阻抗。因此，在TX模式下，RF信号不会流入RX分支。一旦射频信号通过开关部分，两个分开的信号在节点D合并，阻抗在ANT端口传输回50Ω。必须注意的是，如果使用功率合成PA，则在设计开关的输入端使用的功率合成网络可能不是必需的。对于这种情况，功率分配器网络和ITN单元可以与用于PA的每个功率单元共同设计。因此，ITN单元可以嵌入到功率合成网络中，以进一步降低开关的整体插入损耗。
图2示出了本发明所述的开关中使用的TL(针对30Ω阻抗)的横截面图具体物理尺寸。本发明所述的开关需要电感器LT与开关nFET形成谐振器。通过在设计频率下使用接地电感器实现的LT值选择为170pH。当通过原理图仿真关闭和打开nFET时，这种基于nFET微带线的LC谐振回路将分别提供480Ω和9Ω阻抗。另外接地电阻的值的选定10K，因为它SPDT开关的整体性能有一些不利影响，例如TX和RX模式之间的切换速度以及隔离/插入损耗。为了提高开关速度，需要相对较小的电阻。然而，在栅极端使用较小值的电阻会降低栅极和地之间的隔离，从而导致开关的IL恶化。因此，需要通过设计优化仔细确定该的值。金属壁是通过堆叠所有金属层构建的，并用于所有TL，以避免任何不必要的耦合。TL使用最顶层的金属层，其厚度为1.325μm，而接地层使用M2和M3的组合实现，M1仅用于DC。由于本发明中使用了不同特性阻抗的TL，根据需要的阻抗，可以有效地调整TL的宽度。根据EM仿真结果，30Ω的TL的信号路径宽度为10μm，信号路径与金属屏蔽信号路径传输线之间的间隙宽度为4μm，而信号路径和间隙的宽度均为10μm。另外，硅基板的高度为737μm。SiO2的相对介电常数为4.1。
参见图3、图4、图5。图3示出了本发明所述开关仿真的输入和输出回波损耗果。图4示出了本发明所述开关IL的仿真结果。图5示出了本发明所述开关的P1dB仿真测试。本发明所述的SPDT开关实现了宽带匹配，在87GHz和110GHz之间的输入和输出回波损耗均优于-10dB。当VCTRL＝0V和VCTRL_B＝1.2V时，对开关的IL进行测试。结果如图4(a)所示。从87-100GHz，插入损耗大约为3.5dB，超过100GHz时会略微增加到4.1dB。另一方面，当施加VCTRL＝1.2V和VCTRL_B＝0V时，采用开关的ISO，如图4(b)所示，测得的ISO在87至110GHz之间的带宽范围内从-18dB到-16dB变化。在90GHz时，IL和ISO分别优于3.5dB和17dB。通过对本发明所述开关的P1dB仿真测试，最终实现了大约15dBm的P1dB，实现了较高的功率处理能力。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种基于功率分配和阻抗变换网络技术的对称单刀双掷开关，其特征在于，包括:TX支路与RX支路，所述TX支路包括：
第一ITN单元，设置在射频信号注入端TX端口，输出端形成第一观察节点；
两个并列的第一路径和第二路径，经由第一观察节点分成，输出端合并至第二观察节点；
所述RX支路包括：
第二ITN单元，设置接收端RX端口；
两个并列的第三路径和第四路径，与第二ITN单元的连接处形成第三观察节点，并在并联后合并至第二观察节点；
该对称单刀双掷开关还包括：
第三ITN单元，设置在ANT端口，并且连接在第二观察节点；
所述第一ITN单元、第二ITN单元以及第三ITN单元结构相同，均包括一电感以及一电容组成的LC网络；
所述第一路径和第二路径包括两个串联的30Ω四分之一波长传输线TL，两个30Ω四分之一波长传输线TL之间形成第四观察节点，通过第四观察节点连接一集总电感器LT接地，并通过第四观察节点连接在一开关n型场效应晶体管的漏极，开关n型场效应晶体管的基极通过一电阻与输入电压连接，开关n型场效应晶体管的源极接地；
所述第三路径和第四路径结构与第一路径和第二路径结构相同。
2.按照权利要求1所述的对称单刀双掷开关，其特征在于，在TX模式下，TX支路的两个开关n型场效应晶体管关闭，在所述第四观察节点形成高阻抗，同时，RX支路的两个开关n型场效应晶体管导通，在所述第三观察节点形成低阻抗。
3.按照权利要求1所述的对称单刀双掷开关，其特征在于，标准50Ω阻抗与由ITN单元传输的内部阻抗之间的比率n为1.7。
4.按照权利要求1所述的对称单刀双掷开关，其特征在于，所述对称单刀双掷开关采用55纳米bulk CMOS技术实现，开关n型场效应晶体管的宽度值为50 μm。
5.按照权利要求1所述的对称单刀双掷开关，其特征在于，开关n型场效应晶体管的基极连接的电阻的阻值为10K。
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114826230B (zh) * | 2022-04-28 | 2023-04-25 | 电子科技大学 | 一种应用可重构滤波网络的超宽带单刀多掷射频开关 |
| CN116232259B (zh) * | 2023-02-13 | 2023-08-11 | 优镓科技(北京)有限公司 | 基于后匹配架构的射频前端、射频电路和芯片 |
| CN116155316B (zh) * | 2023-02-27 | 2023-10-17 | 优镓科技(苏州)有限公司 | 基于g类功放架构的射频前端 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101394173A (zh) * | 2007-09-19 | 2009-03-25 | 中国科学院微电子研究所 | 基于增强型phemt的单刀双掷开关 |
| CN105227167A (zh) * | 2015-09-21 | 2016-01-06 | 温州大学 | 一种cmos开关电路 |
| CN105915203A (zh) * | 2016-04-07 | 2016-08-31 | 杭州中科微电子有限公司 | 一种全cmos单刀双掷开关电路 |
| CN108011648A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-05-08 | 绵阳鑫阳知识产权运营有限公司 | 用于接收机的开关电路 |
| CN109193079A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-01-11 | 重庆西南集成电路设计有限责任公司 | 阻抗变换单刀双掷微波开关 |
| CN110350900A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-10-18 | 伍晶 | 一种单刀单掷开关及单刀双掷开关 |
| CN111525917A (zh) * | 2020-04-11 | 2020-08-11 | 复旦大学 | 一种基于变压器的宽带单刀单掷开关及单刀多掷开关 |
Family Cites Families (1)
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101394173A (zh) * | 2007-09-19 | 2009-03-25 | 中国科学院微电子研究所 | 基于增强型phemt的单刀双掷开关 |
| CN105227167A (zh) * | 2015-09-21 | 2016-01-06 | 温州大学 | 一种cmos开关电路 |
| CN105915203A (zh) * | 2016-04-07 | 2016-08-31 | 杭州中科微电子有限公司 | 一种全cmos单刀双掷开关电路 |
| CN108011648A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-05-08 | 绵阳鑫阳知识产权运营有限公司 | 用于接收机的开关电路 |
| CN109193079A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-01-11 | 重庆西南集成电路设计有限责任公司 | 阻抗变换单刀双掷微波开关 |
| CN110350900A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-10-18 | 伍晶 | 一种单刀单掷开关及单刀双掷开关 |
| CN111525917A (zh) * | 2020-04-11 | 2020-08-11 | 复旦大学 | 一种基于变压器的宽带单刀单掷开关及单刀多掷开关 |
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Effective date of registration: 20231207 Address after: 311200 No.8, qiannong East Road, Xiaoshan Economic and Technological Development Zone, Xiaoshan District, Hangzhou City, Zhejiang Province Applicant after: Hangzhou Research Institute of Xi'an University of Electronic Science and technology Address before: 310051 Baijin Coast Garden, Binjiang District, Hangzhou City, Zhejiang Province 20-2-1302 Applicant before: Chen Lisheng |
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