CN113569661A - 感测装置 - Google Patents

感测装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113569661A
CN113569661A CN202110771647.4A CN202110771647A CN113569661A CN 113569661 A CN113569661 A CN 113569661A CN 202110771647 A CN202110771647 A CN 202110771647A CN 113569661 A CN113569661 A CN 113569661A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sensing
light
sensing pixel
waveform
pixel structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110771647.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113569661B (zh
Inventor
高逸群
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AU Optronics Corp
Original Assignee
AU Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from TW110105004A external-priority patent/TWI769700B/zh
Application filed by AU Optronics Corp filed Critical AU Optronics Corp
Publication of CN113569661A publication Critical patent/CN113569661A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113569661B publication Critical patent/CN113569661B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14678—Contact-type imagers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

一种感测装置，包括发光面板以及感测像素阵列结构。发光面板适于发出第一波形的初始光。感测像素阵列结构包含多个第一感测像素结构以及至少一第二感测像素结构。第一感测像素结构以第一波形的初始光作为第一感测光提供给第一感测元件感测。第一感测像素结构占整体感测像素阵列结构的配置面积比例为90％以上但未达100％。第二感测像素结构包括第二感测元件以及光转换层。第二感测像素结构适于将第一波形的初始光调整成具有第二波形的第二感测光以提供给第二感测元件感测。

Description

感测装置
技术领域
本发明涉及一种感测装置，且特别涉及一种具有至少两种感测像素结构的感测装置。
背景技术
指纹识别功能可支援多种应用，提升使用者体验并增加附加价值，为目前业界的重点开发项目之一。在现有的指纹感测装置中，除了指纹识别用的感测结构外，还设置有指纹防伪用的感测结构，以用于辨别指纹的真伪。指纹防伪用感测结构多搭配色阻等彩色滤光层来实现防伪识别。被指纹反射的光经过彩色滤光层后的光量会减少约2/3，因此指纹防伪用感测结构中的感测元件仅可接收约1/3的光量，使得感测元件所接收到的信号强度降低。因此，如何提升感测元件的灵敏度、及感测元件所接收到的信号强度等，已成为目前研发人员所关注的议题。
发明内容
本发明提供一种感测装置，其设计可有助于提升感测元件接收到的光量，进而改善感测装置的品质。
本发明的至少一实施例提供一种感测装置，包括发光面板以及感测像素阵列结构。发光面板适于发出第一波形的初始光。感测像素阵列结构位于发光面板的背侧，其中感测像素阵列结构包含多个第一感测像素结构以及至少一第二感测像素结构。各第一感测像素结构包括第一感测元件，且各第一感测像素结构以第一波形的初始光作为第一感测光提供给第一感测元件感测，其中多个第一感测像素结构占整体感测像素阵列结构的配置面积比例为90％以上但未达100％。至少一第二感测像素结构包括第二感测元件以及光转换层。光转换层位于第二感测元件与发光面板之间。至少一第二感测像素结构适于将第一波形的初始光调整成第二感测光以提供给第二感测元件感测，且第二感测光具有的第二波形不同于第一波形。光转换层具有激发峰值波长，且激发峰值波长在400nm至750nm的范围内。
在本发明的一实施例中，上述光转换层包含量子点。
在本发明的一实施例中，上述第二感测光包括经由光转换层转换初始光的一部分而获得的转换光以及通过光转换层但未经光转换层转换过的初始光的另一部分。
在本发明的一实施例中，上述至少一第二感测像素结构还包括按序叠置于第二感测元件上的光准直结构与透镜。
在本发明的一实施例中，上述至少一第二感测像素结构的光转换层位于透镜及感测元件之间。
在本发明的一实施例中，上述至少一第二感测像素结构的光转换层位于发光面板及透镜之间。
在本发明的一实施例中，上述感测装置还包含至少一第三感测像素结构。至少一第三感测像素结构包括第三感测元件以及彩色滤光层。彩色滤光层位于第三感测元件与发光面板之间。至少一第三感测像素结构适于将第一波形的初始光调整成第三感测光以提供给第三感测元件感测，且第三感测光具有的第三波形不同于第一波形。
在本发明的一实施例中，上述至少一第二感测像素结构与至少一第三感测像素结构占整体感测像素阵列结构的配置面积比例为少于10％，但超过0％。
在本发明的一实施例中，上述第一波形在400nm至700nm的波长范围内。
本发明的至少另一实施例提供一种感测装置，其包括感测像素阵列结构。感测像素阵列结构包含成阵列排列的多个第一感测像素结构以及至少一第二感测像素结构。多个第一感测像素结构占整体感测像素阵列结构的配置面积比例为90％以上但未达100％。各第一感测像素结构包括第一感测元件，且各第一感测像素结构以第一波形的初始光作为第一感测光提供给第一感测元件感测。至少一第二感测像素结构包括第二感测元件，且至少一第二感测像素结构适于将第一波形的初始光调整成第二感测光以提供给第二感测元件感测，且第二感测光具有的第二波形不同于第一波形。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的一种感测装置的俯视示意图。
图2A是图1的感测装置中沿剖线I-I’的剖面的第一种实施方式的示意图。
图2B是图1的感测装置中沿剖线I-I’的剖面的第二种实施方式的示意图。
图2C是图1的感测装置中沿剖线I-I’的剖面的第三种实施方式的示意图。
图3是依照本发明的另一实施例的一种感测装置的俯视示意图。
图4A是图3的感测装置中沿剖线I-I’的剖面的第一种实施方式的示意图。
图4B是图3的感测装置中沿剖线I-I’的剖面的第二种实施方式的示意图。
图4C是图3的感测装置中沿剖线I-I’的剖面的第三种实施方式的示意图。
附图标记说明：
10、10A、10B、10C、20、20A、20B、20C：感测装置
100：基板
110：第一感测像素结构
112：第一感测元件
120、120A、120B、120C：第二感测像素结构
122、122A、122B、122C：第二感测元件
124、124A、124B、124C：光转换层
130：第一绝缘层
132：第二绝缘层
134：第三绝缘层
200：发光面板
200a：前侧
200b：背侧
210：初始光
212：第一短波长部分
214：第一长波长部分
216：第一中波长部分
220、220A、220B、220C：第二感测光
222：第一转换光
224：第二转换光
226：第三转换光
300：第三感测像素结构
302：第三感测元件
304：彩色滤光层
310：第三感测光
BM1：第一遮光层
BM2：第二遮光层
BM3：第三遮光层
D1：第一方向
D2：第二方向
F：手指
LS：光准直结构
ML：透镜
MLa：表面
SS：感测像素阵列结构
V1：第一开口
V2：第二开口
V3：第三开口
具体实施方式
在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在“另一元件上”、或“连接到另一元件”、“重叠于另一元件”时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”或“耦合”是可为二元件间存在其它元件。
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在包括多个形式，包括“至少一个”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的，术语“及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”及/或“包括”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
此外，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下面”或“上面”可以包括上方和下方的取向。
本文使用的“约”、“实质上”、或“近似”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。再者，本文使用的“约”、“实质上”、或“近似”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此，可以预期到作为例如制造技术及/或公差的结果的图示的形状变化。因此，本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外，所示的锐角可以是圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状，并且不是旨在限制权利要求的范围。
图1是依照本发明的一实施例的一种感测装置的俯视示意图。请参照图1，感测装置10包括感测像素阵列结构SS。在本实施例中，感测像素阵列结构SS包含成阵列排列的多个第一感测像素结构110以及至少一第二感测像素结构120。
多个第一感测像素结构110与多个第二感测像素结构120可分别沿着第一方向D1及第二方向D2排列成阵列。在本实施例中，第一方向D1与第二方向D2相交，但本发明不以此为限。在一实施例中，第一感测像素结构110例如作为指纹识别用感测像素结构，而第二感测像素结构120则用于防伪识别之用。也就是说，第一感测像素结构110与第二感测像素结构120虽同样可提供感测作用，但两者可用于判别不同信息。如图1所示，第一感测像素结构110的数量可多于第二感测像素结构120的数量。
在本实施例中，第二感测像素结构120虽以多个为例来说明，但不以此为限。在一些实施例中，排成阵列以构成感测像素阵列结构SS的感测像素结构中可以仅包括单一个第二感测像素结构。换言之，感测像素阵列结构SS可仅具有单个防伪识别用的第二感测像素结构120，而其余的感测像素结构都是用于指纹识别用的第一感测像素结构110。
在本实施例中，第一感测像素结构110占整体感测像素阵列结构SS的配置面积比例大于第二感测像素结构120占整体感测像素阵列结构SS的配置面积比例。举例来说，第一感测像素结构110占整体感测像素阵列结构SS的配置面积比例优选为90％以上但未达100％。换句话说，第二感测像素结构120占整体感测像素阵列结构SS的配置面积比例的优选为10％以下。另外，第二感测像素结构120占整体感测像素阵列结构SS的配置面积比例的下限并无特别限定，只要大于0％即可。
第二感测像素结构120在感测像素阵列结构SS中的排列布局方式可依不同需求而调整。举例而言，如图1所示，第二感测像素结构120在感测像素阵列结构SS中以三个一组，且每组的三个第二感测像素结构120沿着第二方向D2交错排列的方式布局。在此，沿着第二方向D2交错排列的三个第二感测像素结构120例如构成开口朝向图1左侧的V字形。在第一方向D1上，相邻两个第二感测像素结构120之间例如间隔三个第一感测像素结构110。另外，在第二方向D2上，相邻两组第二感测像素结构120之间例如间隔分别沿着第一方向D1排列成四列的第一感测像素结构110。在其他实施例中，上述三个第二感测像素结构120也可沿着第二方向D2排列成一直线或是一斜线或是散布的排列，所属技术领域中技术人员可依据设计需求调整第二感测像素结构120的数量以及排列方式，本发明并不以此为限。
在本实施例中，第一感测像素结构110及第二感测像素结构120可具有不同的结构设计而提供不同的感测功能。以相同的初始光入射第一感测像素结构110及第二感测像素结构120时，第一感测像素结构110可直接以第一波形的初始光作为第一感测光来进行感测，而第二感测像素结构120可将第一波形的初始光调整成具有第二波形的第二感测光，来感测第二感测光。通过第一感测像素结构110及第二感测像素结构120分别感测不同波形的感测光，可产生不同的识别信号。感测装置10可经由演算法分析不同感测像素结构所感测到的信号以判断感测像素阵列结构SS所感测到的指纹信号是否异常，从而识别所获得的指纹信号的真伪。
以下，将例示说明可应用于上述实施例中第一感测像素结构及第二感测像素结构的实施形态，但本发明并不限定于以下的实施形态。
图2A是图1的感测装置中沿剖线I-I’的剖面的第一种实施方式的示意图。在此必须说明的是，图2A沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，在此不赘述。
请参照图2A，感测装置10A包括基板100、发光面板200以及感测像素阵列结构SS。在一实施例中，基板100可以是透明基板或非透明基板，其材质可以是石英基板、玻璃基板、高分子基板或其他适当材质，但本发明不以此为限。基板100上可设置用以形成例如信号线、驱动元件、测试元件、开关元件、存储电容等的各种膜层。
在本实施例中，发光面板200具有前侧200a与背侧200b。以下说明中，可将发光面板200的靠近或是面向手指F的一侧称为发光面板200的前侧200a，则相对于发光面板200的前侧200a的另一侧可称为发光面板200的背侧200b。另外，发光面板200的背侧200b也可理解成面向感测像素阵列结构SS的一侧。也就是说，发光面板200的背侧200b位于感测像素阵列结构SS与发光面板200的前侧200a之间。发光面板200适于由前侧200a发出光线，因此前侧200a可理解为发光面板200的出光侧。
在本实施例中，发光面板200适于发出第一波形的初始光210。在一实施例中，第一波形所涵盖的波长范围可依据发光面板200的发光件的设计而决定。第一波形的初始光210例如是由可见光组合而成。举例来说，第一波形的初始光210可由不同颜色的可见光组合而成，使得第一波形落在400nm至700nm的范围内。为了方便说明，在此可依据波长范围将第一波形的初始光210划分成第一短波长部分212、第一长波长部分214及第一中波长部分216。
在本实施例中，感测像素阵列结构SS位于发光面板200的背侧200b，且感测像素阵列结构SS位于基板100及发光面板200之间。在本实施例中，感测像素阵列结构SS的第一感测像素结构110包括第一感测元件112。第一感测像素结构110以第一波形的初始光210作为第一感测光，并提供给第一感测元件112感测。也就是说，第一感测像素结构110可以不改变初始光210的波形使得第一感测元件112感测到的第一感测光具有相同于初始光210的第一波形。换言之，第一感测元件112感测到的第一感测光例如由初始光210的第一短波长部分212、第一长波长部分214及第一中波长部分216所组成。在一实施例中，第一感测元件112可以包括读取电路结构、电极层、感测层等各种膜层及/或构件(未示出)。
在本实施例中，感测像素阵列结构SS的第二感测像素结测像素结构120的每一者可包括第二感测元件122以及光转换层124。光转换层124具有波长转换特性，其吸收峰值波长小于激发峰值波长。光转换层124的吸收峰值波长可落在第一波形的波长范围内且光转换层124的激发峰值波长例如在400nm至750nm的范围内，但不以此为限。也就是说，光转换层124可吸收第一波形的初始光210中的一部分并将被吸收的部分转换为具有较长波长范围的光。在一实施例中，光转换层124可包含量子点或荧光粉等。因此，第二感测像素结构120适于将第一波形的初始光210调整成第二感测光220，以提供给第二感测元件122感测，其中第二感测光220所具有的第二波形不同于初始光210所具有的第一波形。
在本实施例中，第一感测像素结构110及第二感测像素结构120各自还包括按序叠置于第一感测元件112、第二感测元件122上的光准直结构LS与透镜ML。
如图2A所示，光准直结构LS可包括按序叠置于基板100上的第一绝缘层130、第一遮光层BM1、第二绝缘层132、第二遮光层BM2及第三绝缘层134。在一实施例中，第一绝缘层130例如包覆第一感测元件112的顶面与侧面以及各第二感测元件122的顶面与侧面。第一遮光层BM1例如具有多个第一开口V1，且第一开口V1可暴露出部分的第一绝缘层130。在本实施例中，多个第一开口V1可分别对应于第一感测元件112与各第二感测元件122。第二绝缘层132例如填满第一遮光层BM1的第一开口V1，且覆盖第一遮光层BM1的顶面。第二遮光层BM2例如具有多个第二开口V2，且第二开口V2可暴露出部分的第二绝缘层132。在本实施例中，第二开口V2可对应于第一开口V1。如此一来，第一感测元件112与各第二感测元件122便可接收通过第一开口V1及第二开口V2调控的光线而进行感测。
第三绝缘层134例如填满第二遮光层BM2的第二开口V2，且覆盖第二遮光层BM2的顶面。在一实施例中，第一绝缘层130及第二绝缘层132的材质可以包括有机材料，例如亚克力材料、硅氧烷材料、聚酰亚胺材料、环氧树脂材料或上述材料的叠层，但本发明不限于此。第一遮光层BM1及第二遮光层BM2的材质可以包括金属、黑色树脂或石墨等遮光材料、或上述遮光材料的叠层，但本发明不限于此。第三绝缘层134的材质可以包括无机材料或有机材料，其中无机材料例如为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述材料的叠层等，有机材料例如为亚克力材料、硅氧烷材料、聚酰亚胺材料、环氧树脂材料或上述材料的叠层等。需说明的是，虽然图2A中第三绝缘层134仅示出为单层结构，但在其他实施例中，第三绝缘层134也可为多层结构。举例来说，第三绝缘层134也可为两层、三层或四层结构，可依据设计需求调整第三绝缘层134的层数及其材料，本发明并不以此为限。
多个透镜ML位于光准直结构LS及发光面板200之间。在本实施例中，光准直结构LS上还设置有第三遮光层BM3。第三遮光层BM3例如具有多个第三开口V3，且第三开口V3可暴露出部分的第三绝缘层134。在本实施例中，第三开口V3可对应于第二开口V2。在一实施例中，第三遮光层BM3的材质可以包括金属、黑色树脂或石墨等遮光材料、或上述遮光材料的叠层，但本发明不限于此。透镜ML例如设置于第三开口V3中。透镜ML可以是中心厚度较边缘厚度大的透镜结构，例如对称双凸透镜、非对称双凸透镜、平凸透镜或凹凸透镜。透镜ML可以提升光准直，使散射光或折射光所导致的漏光及混光的问题能够降低，进而减少光损耗。
另一方面，发光面板200的出光方向例如远离感测像素阵列结构SS。如此一来，当手指F靠近发光面板200的前侧200a时，发光面板200所发出的第一波形的初始光210可被手指F反射，被手指F反射的第一波形的初始光210可以先通过透镜ML、第二开口V2以及第一开口V1提升准直度，再进入第一感测元件112以及各第二感测元件122，以使第一感测元件112及各第二感测元件122可以取得品质良好的指纹信号，从而使感测装置10A具有良好的指纹识别度。
第二感测像素结构120的光转换层124位于第二感测元件122与发光面板200之间。在本实施例中，光转换层124例如位于透镜ML及感测元件122A之间。具体而言，光转换层124例如位于第三绝缘层134中靠近透镜ML的一侧。虽然图2A中示出为光转换层124直接接触透镜ML的底部，但在其他实施例中，光转换层124与透镜ML之间可间隔一距离；或者在第三绝缘层134为多层结构的情况下，还间隔有多层结构的其中至少一层，只要光转换层124位于第一波形的初始光210的行经路线上即可，本发明不以此为限。
在本实施例中，第二感测光220包括经由光转换层124转换第一波形的初始光210的一部分而获得的转换光，以及通过光转换层124但未经光转换层124转换过的第一波形的初始光210的另一部分。依据波长转换特性，第二感测像素结构120可包括三种设计，例如第二感测像素结构120A、第二感测像素结构120B以及第二感测像素结构120C。第二感测像素结构120A可包括用于将第一波形的初始光210调整成第二感测光220A的光转换层124A以及感测第二感测光220A的第二感测元件122A；第二感测像素结构120B可包括用于将第一波形的初始光210调整成第二感测光220B的光转换层124B以及感测第二感测光220B的第二感测元件122B；第二感测像素结构120C可包括用于将第一波形的初始光210调整成第二感测光220C的光转换层124C以及感测第二感测光220C的第二感测元件122C。不过，在一些实施例中，多个第二感测像素结构120可以仅具有同一种设计，或是整个感测装置10A可以仅包括单一个第二感测像素结构120。
以下将例示说明第二感测像素结构120A、第二感测像素结构120B及第二感测像素结构120C中分别获得的第二感测光220A、第二感测光220B及第二感测光220C的实施形态，但本发明并不限定于以下的实施形态。
在第二感测像素结构120A中，光转换层124A的波长转换特性例如可将初始光210的第一短波长部分212转换为第一转换光222，但不转换初始光210的第一长波长部分214及第一中波长部分216。也就是说，第一短波长部分212的波长范围可以为光转换层124A的吸收波长范围，而第一转换光222的波长范围可以为光转换层124A的激发波长范围。因此，第二感测像素结构120A的第二感测元件122A可接受经由光转换层124A转换过的第一转换光222以及通过光转换层124A但未经光转换层124A转换过的第一长波长部分214及第一中波长部分216。如此一来，第二感测元件122A接收由第一转换光222、第一长波长部分214及第一中波长部分216相互叠加而形成的第二感测光220A。在一些实施例中，初始光210的第一短波长部分212可能并未完全被光转换层124A吸收，因此第二感测光220A甚至可包括部分的未被转换的第一短波长部分212。在一些实施例中，第一短波长部分212、第一长波长部分214及第一中波长部分216分别呈现为蓝色、红色与绿色，而第一转换光222例如呈现为红色，则第二感测光220A相较于初始光210而言例如偏橘色。
在第二感测像素结构120B中，光转换层124B的光转换特性例如可将初始光210的第一短波长部分212转换为第二转换光224，但不转换初始光210的第一长波长部分214及第一中波长部分216。如此一来，第二感测元件122B接收由第二转换光224、第一长波长部分214及第一中波长部分216相互叠加而形成的第二感测光220B。在一些实施例中，初始光210的第一短波长部分212可能并未完全被光转换层124B吸收，因此第二感测光220B甚至可包括部分的未被转换的第一短波长部分212。在一些实施例中，第一短波长部分212、第一长波长部分214及第一中波长部分216分别呈现为蓝色、红色与绿色，而第二转换光224例如呈现为绿色，则第二感测光220B相较于初始光210而言偏黄绿色。
在第二感测像素结构120C中，光转换层124C的光转换特性例如可将初始光210的第一短波长部分212转换为第三转换光226，但不转换初始光210的第一长波长部分214及第一中波长部分216。如此一来，第二感测元件122C接收由第三转换光226、第一长波长部分214及第一中波长部分216相互叠加而形成的第二感测光220C。在一些实施例中，初始光210的第一短波长部分212可能并未完全被光转换层124C吸收，因此第二感测光220C甚至可包括部分的未被转换的第一短波长部分212。在一些实施例中，第三转换光226的波长范围不同于第一短波长部分212的波长范围。具体而言，第三转换光226的波长范围例如是第一短波长部分212的波长范围朝向长波长范围的方向偏移。举例来说，第三转换光226的波长范围可介于第一短波长部分212的波长范围及第一中波长部分216的波长范围之间。在一些实施例中，由于第三转换光226的波长范围相较于第一短波长部分212朝向长波长范围偏移，则第二感测光220C例如呈现与初始光210不同的光。
光转换层124的波长转换作用可改变光的波长范围但不会大幅吸收光线。因此，经由光转换层124可将被手指F反射而入射至第二感测像素结构120的第一波形的初始光210调整成第二波形的第二感测光220，但不会导致明显的光量损失。如此一来，第二感测元件122A、第二感测元件122B及第二感测元件122C可接收足够光量的第二感测光220，从而提升感测元件的正确性。换言之，通过光传换层124的设置可增强感测元件所接收到的信号强度，从而改善感测装置10A的品质，以提升指纹防伪效果。
在一些实施例中，第一感测元件112与各第二感测元件122的吸收频谱可依据感测层材料或是感测结构的设计而有所限定。举例而言，采用富硅氧化层(Silicon-richoxide；SRO)作为感测层的感测元件大致具有波长范围落在480nm至520nm的吸收频谱，而具有PIN二极管结构的感测元件大致具有波长范围落在580nm至620nm的吸收频谱。因此，初始光210的第一短波长部分212、第一长波长部分214及第一中波长部分216并非都可有效致使感测元件感测。对于数量较少的第二感测像素结构120而言，第二感测元件122的感测效率可能受到限制。不过，本实施例在数量较少的第二感测像素结构120中设置光转换层124，可通过光转换材料的选择，让第二感测光220的更多部分的光线具有落在感测元件的吸收频谱中的波长，从而有助于提升第二感测元件122的感测灵敏性及感测效率。因此，感测装置10A可以具有理想的防伪识别功能。
图2B是图1的感测装置中沿剖线I-I’的剖面的第二种实施方式的示意图。在此必须说明的是，图2B沿用图2A的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，在此不赘述。
在本实施例中，图2B所示的感测装置10B与图2A所示的感测装置10A相比的不同之处在于：光转换层124位于发光面板200及透镜ML之间。
具体而言，光转换层124例如位于发光面板200的背侧200b上。因此，被手指F反射的第一波形的初始光210可先经由光转换层124调整成第二波形的第二感测光220，再通过透镜ML、第二开口V2及第一开口V1提升准直度。通常经由光转换层124调整而成的第二感测光220会较初始光210发散，因此感测装置10B的第二感测光220还通过透镜ML，以进一步提升其准直度，使各第二感测元件122可以接受到品质良好的指纹信号，从而改善感测装置10B的指纹防伪效果。
图2C是图1的感测装置中沿剖线I-I’的剖面的第三种实施方式的示意图。在此必须说明的是，图2C沿用图2A的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，在此不赘述。
在本实施例中，图2C所示的感测装置10C与图2A所示的感测装置10A相比的不同之处在于：光转换层124设置于透镜ML的表面MLa上。
具体而言，光转换层124例如位于透镜ML的面向发光面板200的表面MLa上。因此，被手指F反射的第一波形的初始光210可先经由光转换层124调整成第二波形的第二感测光220，且第二感测光220直接通过透镜ML，再通过第二开口V2及第一开口V1提升准直度。如此一来，第二感测光220直接通过透镜ML可避免因光转换层124所导致的发散现象的产生，从而改善感测装置10C的指纹防伪效果。
图3是依照本发明的另一实施例的一种感测装置的俯视示意图。在此必须说明的是，图3沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，在此不赘述。
在本实施例中，图3所示的感测装置20与图1所示的感测装置10相比的不同之处在于：感测装置20的感测像素阵列结构SS还包括至少一第三感测像素结构300。具体来说，感测装置20的感测像素阵列结构SS包含成阵列排列的多个第一感测像素结构110、至少一第二感测像素结构120以及至少一第三感测像素结构300。
在一实施例中，第三感测像素结构300例如可与第二感测像素结构120同样是作为防伪识别之用。举例来说，第三感测像素结构300可用于判别与第二感测像素结构120不同的防伪识别信息，从而有助于提升识别结果的正确性。如图3所示，第二感测像素结构120的数量可多于第三感测像素结构300的数量。
在本实施例中，第三感测像素结构300虽以多个为例来说明，但不以此为限。在一些实施例中，排成阵列以构成感测像素阵列结构SS的感测像素结构中可以仅包括单一个第三感测像素结构300。
在本实施例中，第一感测像素结构110占整体感测像素阵列结构SS的配置面积比例大于第二感测像素结构120及第三感测像素结构300占整体感测像素阵列结构SS的配置面积比例。举例来说，第二感测像素结构120及第三感测像素结构300的配置面积总和占整体感测像素阵列结构SS的配置面积比例优选为少于10％，但超过0％。也就是说，第一感测像素结构110占整体感测像素阵列结构SS的配置面积大于90％，但未达100％。
第三感测像素结构300在感测像素阵列结构SS中的排列布局方式可依不同需求而调整。举例而言，如图3所示，感测装置20例如是将感测装置10的多个第二感测像素结构120的其中一者取代为第三感测像素结构300。也就是说，在感测装置20的感测像素阵列结构SS中，以两个第二感测像素结构120与一个第三感测像素结构300为一组，且每组的第二感测像素结构120与第三感测像素结构300沿着第二方向D2交错排列的方式布局。在此，第三感测像素结构300例如位于每组感测像素结构的一侧，而仅相邻于一个第二感测像素结构120。在其他实施例中，第三感测像素结构300也可位于每组感测像素结构的中间部分，而相邻于两个第二感测像素结构120；或者第三感测像素结构300可不与第二感测像素结构120相邻而散布的排列。所属技术领域中技术人员可依据设计需求调整第三感测像素结构300的数量以及排列方式，本发明并不以此为限。
在本实施例中，第三感测像素结构300可具有与第一感测像素结构110及第二感测像素结构120不同的结构设计而提供不同的感测功能。举例而言，第三感测像素结构300可将第一波形的初始光调整成具有第三波形的第三感测光，来感测第三感测光。通过第一感测像素结构110、第二感测像素结构120及第三感测像素结构300分别感测不同波形的感测光，可产生更多种类的识别信号，从而提升感测装置20的正确性。
以下，将例示说明可应用于上述实施例中第一感测像素结构、第二感测像素结构及第三感测像素结构的实施形态，但本发明并不限定于以下的实施形态。
图4A是图3的感测装置中沿剖线I-I’的剖面的第一种实施方式的示意图。在此必须说明的是，图4A沿用图2A的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，在此不赘述。
在本实施例中，图4A所示的感测装置20A与图2A所示的感测装置10A相比的不同之处在于：感测装置20A中以第三感测像素结构300取代感测装置10A的第二感测像素结构120C。具体来说，感测装置20A的感测像素阵列结构SS例如包括第一感测像素结构110、第二感测像素结构120A、第二感测像素结构120B及第三感测像素结构300。在其他实施例中，第三感测像素结构300可取代第二感测像素结构120A、第二感测像素结构120B、第二感测像素结构120C或上述感测像素结构的其中两者的组合，本发明不以此为限。
在本实施例中，感测像素阵列结构SS的第三感测像素结构300的每一者可包括第三感测元件302以及彩色滤光层304。第三感测像素结构300可以不包括光转换层或是光转换材料，例如量子点、荧光粉等。彩色滤光层304具有滤光特性，可用于屏蔽及/或吸收特定波长范围的光线，而只允许另一特定波长范围的光线通过。也就是说，彩色滤光层304可屏蔽及/或吸收第一波形的初始光210中的一部分，并使第一波形的初始光210中的另一部分通过。在一实施例中，彩色滤光层304可以是所属技术领域中技术人员所周知的用于感测装置中的任一种彩色滤光层。因此，第三感测像素结构300适于将第一波形的初始光210调整成第三感测光310，以提供给第三感测元件302感测，其中第三感测光310所具有的第三波形不同于初始光210所具有的第一波形。
在本实施例中，第三感测像素结构300还包括按序叠置于第三感测元件302上的光准直结构LS与透镜ML。具体来说，光准直结构LS与透镜ML的结构设计及配置关系可参照前述实施例的描述，而不再重述。
第三感测像素结构300的彩色滤光层304例如位于第三感测元件302及发光面板200之间。在本实施例中，彩色滤光层304例如填满第二遮光层BM2的第二开口V2，且覆盖部分的第二遮光层BM2的顶面，但本发明不以此为限。在其他实施例中，彩色滤光层304与第二遮光层BM2之间可间隔一距离；或者在第三绝缘层134为多层结构的情况下，还间隔有多层结构的其中至少一层，只要彩色滤光层304位于第一波形的初始光210的行经路线上即可。
在本实施例中，第三感测光310仅包括通过彩色滤光层304的初始光210中的一部分。依据第三感测像素结构300的滤光特性，第三感测像素结构300可仅允许落在短波长范围、中波长范围或长波长范围的光线通过。举例而言，将初始光210的第一波形划分成第一短波长部分212、第一长波长部分214以及第一中波长部分216且第三感测像素结构300仅允许第一短波长部分212的光线通过的情况下，第一长波长部分214及第一中波长部分216会被彩色滤光层304屏蔽及/或吸收，而仅有第一短波长部分212才能通过彩色滤光层304以作为第三感测光310被第三感测元件302感测。如此，第一波形的初始光210在通过彩色滤光层304后仅会剩余第一短波长部分212可提供给第三感测元件302。相较于第二感测像素结构120的第二感测元件122而言，第三感测元件302接收到的光量相对较少，但可能接收到波长范围较集中的光线。因此，搭配第二感测像素结构120与第三感测像素结构300，可得到多重感测信号，而有助于提升识别结果的正确性。在一些实施例中，第一短波长部分212、第一长波长部分214及第一中波长部分216分别呈现为蓝色、红色与绿色，第三感测光310则例如呈现为蓝光，但不以此为限。在其他实施例中，彩色滤光层304可基于材料的选择而仅允许第一长波长部分214通过，或是仅允许第一中波长部分216通过。
基于上述，通过搭配具有光转换层的第二感测像素结构以及具有彩色滤光层的第三感测像素结构，可用于判别不同的防伪识别信息，以增加感测装置20A所判别的信息种类，从而提升识别结果的正确性。
图4B是图3的感测装置中沿剖线I-I’的剖面的第二种实施方式的示意图。在此必须说明的是，图4B沿用图4A的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，在此不赘述。
在本实施例中，图4B所示的感测装置20B与图4A所示的感测装置20A相比的不同之处在于：光转换层124位于发光面板200及透镜ML之间。具体而言，第二感测像素结构120A的光转换层124A及第二感测像素结构120B的光转换层124B位于发光面板200及透镜ML之间。如此一来，通过光转换层124A及光转换层124B所造成的散射光线，可以先通过透镜ML、第二开口V2以及第一开口V1提升准直度，以使第二感测元件122A及第二感测元件122B可以取得品质良好的指纹信号，从而使感测装置20B具有良好的指纹防伪效果。
图4C是图3的感测装置中沿剖线I-I’的剖面的第三种实施方式的示意图。在此必须说明的是，图4C沿用图4A的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，在此不赘述。
在本实施例中，图4C所示的感测装置20C与图4A所示的感测装置20A相比的不同之处在于：光转换层124设置于透镜ML的表面MLa上。具体而言，第二感测像素结构120A的光转换层124A及第二感测像素结构120B的光转换层124B设置于透镜ML的表面MLa上。如此一来，通过光转换层124A及光转换层124B所造成的散射光线因直接通过透镜ML而提升准直度，接着，再通过第二开口V2以及第一开口V1进一步提升准直度，从而使感测装置20C具有良好的指纹防伪效果。
在一些可选用的实施例中，光转换层124A及光转换层124B可位在与彩色滤光层304相同的膜层位置中，也就是位于第三绝缘层134与第二遮光层BM2之间。
综上所述，本发明的感测装置通过设置第一感测像素结构及至少一第二感测像素结构，可分别感测不同波形的感测光，以产生不同的识别信号。如此一来，感测装置可经由演算法分析不同的信号以判断感测像素阵列结构所感测到的指纹信号是否异常，从而识别所获得的指纹信号的真伪。另外，通过第二感测像素结构的光转换层将初始光调整成具有不同波形的感测光，可在避免光量损失的同时，提升感测元件所接收到的信号强度、感测灵敏性及感测效率，从而改善感测装置的品质，以提升指纹防伪效果。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (10)

1.一种感测装置，包括：
发光面板，适于发出第一波形的初始光；以及
感测像素阵列结构，位于所述发光面板的背侧，其中
所述感测像素阵列结构包含：
多个第一感测像素结构，各所述第一感测像素结构包括第一感测元件，且各所述第一感测像素结构以所述第一波形的所述初始光作为第一感测光提供给所述第一感测元件感测，其中所述多个第一感测像素结构占整体所述感测像素阵列结构的配置面积比例为90％以上但未达100％；以及
至少一第二感测像素结构，所述至少一第二感测像素结构包括第二感测元件以及光转换层，所述光转换层位于所述第二感测元件与所述发光面板之间，且所述至少一第二感测像素结构适于将所述第一波形的所述初始光调整成第二感测光以提供给所述第二感测元件感测，且所述第二感测光具有的第二波形不同于所述第一波形，
所述光转换层具有激发峰值波长且所述激发峰值波长在400nm至750nm的范围内。
2.如权利要求1所述的感测装置，其中所述光转换层包含量子点。
3.如权利要求1所述的感测装置，其中所述第二感测光包括经由所述光转换层转换所述第一波形的所述初始光的一部分而获得的转换光以及通过所述光转换层但未经所述光转换层转换过的所述第一波形的所述初始光的另一部分。
4.如权利要求1所述的感测装置，其中所述至少一第二感测像素结构还包括按序叠置于所述第二感测元件上的光准直结构与透镜。
5.如权利要求4所述的感测装置，其中所述至少一第二感测像素结构的所述光转换层位于所述透镜及所述感测元件之间。
6.如权利要求4所述的感测装置，其中所述至少一第二感测像素结构的所述光转换层位于所述发光面板及所述透镜之间。
7.如权利要求1所述的感测装置，还包含至少一第三感测像素结构，所述至少一第三感测像素结构包括第三感测元件以及彩色滤光层，所述彩色滤光层位于所述第三感测元件与所述发光面板之间，且所述至少一第三感测像素结构适于将所述第一波形的所述初始光调整成第三感测光以提供给所述第三感测元件感测，且所述第三感测光具有的第三波形不同于所述第一波形。
8.如权利要求7所述的感测装置，其中所述至少一第二感测像素结构与所述至少一第三感测像素结构占整体所述感测像素阵列结构的配置面积比例为少于10％，但超过0％。
9.如权利要求1所述的感测装置，其中所述第一波形在400nm至700nm的波长范围内。
10.一种感测装置，包括：
感测像素阵列结构，包含成阵列排列的多个第一感测像素结构以及至少一第二感测像素结构，其中，
所述多个第一感测像素结构占整体所述感测像素阵列结构的配置面积比例为90％以上但未达100％，
各所述第一感测像素结构包括第一感测元件，且各所述第一感测像素结构以所述第一波形的所述初始光作为第一感测光提供给所述第一感测元件感测，且
所述至少一第二感测像素结构包括第二感测元件，且所述至少一第二感测像素结构适于将所述第一波形的所述初始光调整成第二感测光以提供给所述第二感测元件感测，且所述第二感测光具有的第二波形不同于所述第一波形。
CN202110771647.4A 2020-08-17 2021-07-08 感测装置 Active CN113569661B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063066416P 2020-08-17 2020-08-17
US63/066,416 2020-08-17
TW110105004A TWI769700B (zh) 2020-08-17 2021-02-09 感測裝置
TW110105004 2021-02-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113569661A true CN113569661A (zh) 2021-10-29
CN113569661B CN113569661B (zh) 2023-06-30

Family

ID=78164055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110771647.4A Active CN113569661B (zh) 2020-08-17 2021-07-08 感测装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220052090A1 (zh)
CN (1) CN113569661B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017206558A1 (zh) * 2016-05-31 2017-12-07 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其指纹识别方法
CN109389108A (zh) * 2017-08-08 2019-02-26 金佶科技股份有限公司 取像装置
US20200026898A1 (en) * 2018-07-20 2020-01-23 Egis Technology Inc. Optical fingerprint sensing module
CN210442816U (zh) * 2019-09-06 2020-05-01 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹识别装置和电子设备
CN111129056A (zh) * 2019-09-12 2020-05-08 神盾股份有限公司 光学感测器、光学感测系统以及光学感测器的制造方法
CN111291719A (zh) * 2020-03-03 2020-06-16 北京迈格威科技有限公司 指纹识别装置、显示面板、设备及指纹识别方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6597398B1 (en) * 1999-06-02 2003-07-22 Intel Corporation Image sensor response enhancement using fluorescent phosphors
DE60012474T2 (de) * 2000-03-13 2004-11-25 Csem Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique S.A. Bildgebendes pyrometer
JP5106870B2 (ja) * 2006-06-14 2012-12-26 株式会社東芝 固体撮像素子
KR20090061310A (ko) * 2007-12-11 2009-06-16 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조방법
JP2011107508A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Showa Denko Kk 蛍光体フィルタ、蛍光体フィルタの製造方法およびランプ
KR102291493B1 (ko) * 2016-08-11 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20180064629A (ko) * 2016-12-05 2018-06-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102398667B1 (ko) * 2017-06-05 2022-05-16 삼성전자주식회사 위상 검출 픽셀을 포함하는 이미지 센서
US10643051B2 (en) * 2017-07-13 2020-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Optics-based fingerprint sensor, electric device including optics-based fingerprint sensor, and operation method of electric device
US11092850B2 (en) * 2017-08-25 2021-08-17 Nanosys, Inc. Using multiple excitation wavelengths in nanostructure based display devices
KR20190080171A (ko) * 2017-12-28 2019-07-08 광주대학교산학협력단 고감도 이미지 센서 및 그 제조방법
US11552228B2 (en) * 2018-08-17 2023-01-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
EP3657381B1 (en) * 2018-09-25 2022-08-17 Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. Fingerprint recognition apparatus and method, and terminal device
CN111566659B (zh) * 2018-12-13 2021-08-13 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹识别装置、方法和电子设备
KR20210055817A (ko) * 2019-11-07 2021-05-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 구동 방법
KR20220008551A (ko) * 2020-07-14 2022-01-21 삼성전자주식회사 전자 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
CN114287127B (zh) * 2020-07-27 2023-10-31 华为技术有限公司 一种滤光阵列、移动终端以及设备
KR20220014441A (ko) * 2020-07-27 2022-02-07 삼성디스플레이 주식회사 지문 인증 장치, 이를 포함하는 표시 장치, 및 지문 인증 방법
TWI792173B (zh) * 2021-02-04 2023-02-11 力晶積成電子製造股份有限公司 指紋感測系統

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017206558A1 (zh) * 2016-05-31 2017-12-07 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其指纹识别方法
CN109389108A (zh) * 2017-08-08 2019-02-26 金佶科技股份有限公司 取像装置
US20200026898A1 (en) * 2018-07-20 2020-01-23 Egis Technology Inc. Optical fingerprint sensing module
CN210442816U (zh) * 2019-09-06 2020-05-01 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹识别装置和电子设备
CN111129056A (zh) * 2019-09-12 2020-05-08 神盾股份有限公司 光学感测器、光学感测系统以及光学感测器的制造方法
CN111291719A (zh) * 2020-03-03 2020-06-16 北京迈格威科技有限公司 指纹识别装置、显示面板、设备及指纹识别方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113569661B (zh) 2023-06-30
US20220052090A1 (en) 2022-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110426891B (zh) 一种显示面板及显示装置
US20230251404A1 (en) Texture image acquiring device, display device, and collimator
US11988855B2 (en) Optical fingerprint sensors
CN109271834B (zh) 检测装置
CN108734134A (zh) 指纹识别装置
WO2022143535A1 (zh) 指纹模组及电子设备
CN109155091B (zh) 紫外线荧光色检测装置以及紫外线荧光色检测方法
WO2023179466A1 (zh) 像素结构、图像传感器芯片、摄像头模组及电子设备
CN109977785A (zh) 指纹输入装置
TWI769700B (zh) 感測裝置
CN111242012A (zh) 具有指纹识别功能的显示装置
CN115275067A (zh) 显示面板和显示装置
CN113569661B (zh) 感测装置
US20190088186A1 (en) Display device
CN111126342B (zh) 一种显示面板及显示装置
US20230268470A1 (en) Display device
TWI758093B (zh) 生物特徵辨識裝置
TWI744027B (zh) 感測元件基板
CN112307951B (zh) 显示装置
CN112599012A (zh) 一种显示面板和显示装置
TWI749864B (zh) 光學感測模組
CN110690361B (zh) 显示装置
CN113724613B (zh) 显示模组
TWI840960B (zh) 電子裝置以及製造電子裝置的方法
CN114566514A (zh) 感光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant