CN113556120A - 一种小型化大负载的固态继电器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种小型化大负载的固态继电器,包括管壳和内瓷片和驱动电路,驱动电路设置发光二极管D1、光伏V1组成驱动控制电路,且通过光隔离;三极管Q1、电容C1、开关二极管D4、D5组成放大充电电路;开关二极管D3、光伏V1组成泄放电路;MOS芯片V2、V3组成开关电路,各元器件为贴片状结构并采用键合工艺互联,管壳和内瓷片上分别设置有若干电极焊盘,发光二极管D1和开关二极管D2分别固定贴合在内瓷片的电极焊盘上,其余元器件分别固定贴合在管壳的各电极焊盘上,内瓷片扣合在管壳上,且发光二极管D1对准光伏V1。本发明提供了一种小型化大负载的固态继电器,通过设计快速充泄放电路,在减小产品体积的同时,提高继电器驱动能力。
Description
技术领域
本发明属于继电器技术领域,具体涉及一种小型化大负载的固态继电器。
背景技术
对于继电器来说,继电器就是一种具输入和输出隔离的开关。一般来说,体积小,负载能力是继电器不断追求的目标。而现在,体积最小的继电器类型为陶瓷封装的光MOS继电器,要提高其负载能力,必须要提高其驱动能力,只有驱动能力提高,才能为大负载提供保障。而现如今,常规的光MOS继电器都是通过光伏来驱动MOS芯片,如公开号为CN103516343A的中国专利提供的一种固体继电器,由于光伏的驱动能力较弱,很难驱动大负载的MOS芯片,因为大负载的MOS芯片,其结电容较大,而光伏的驱动电流较小。如果要提高其驱动能力,一般需要通过驱动电路来提高其驱动能力,如公开号为CN101872761A的中国专利提供的一种光耦合装置,其通过并联多路受光元件(光伏),来达到提高驱动能力的目的,但是这种并联很有限,因为受光元件的驱动电流一般在几微安至几十微安,如果要驱动大负载时,无法满足要求,而且多路并联后,其体积势必增大,不能满足小型化大负载的需求。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种小型化大负载的固态继电器,通过设计快速充泄放电路,在减小产品体积的同时,提高继电器驱动能力。
本发明通过以下技术方案得以实现:
一种小型化大负载的固态继电器,包括管壳、内瓷片和驱动电路,驱动电路包括发光二极管D1、开关二极管D4、光伏V1、三极管Q1、电容C1、MOS芯片V2、电阻R1,发光二极管D1接入输入电源为光伏V1提供光驱动信号,光伏V1输出正极与MOS芯片V2的源极连接,MOS芯片V2的漏极与开关二极管D4的正极连接,开关二极管D4的负极与MOS芯片V2的源极之间并联有电容C1,开关二极管D4的负极与三极管Q1的集电极连接,三极管Q1的基极与光伏V1输出负极连接,MOS芯片V2的栅极与三极管Q1的发射极之间串联有电阻R1;发光二极管D1、二极管开关D4、光伏V1、三极管Q1、电容C1、MOS芯片V2、电阻R1均为贴片状结构并通过键合接触进行电性连接,且发光二极管D1、二极管开关D4、光伏V1、MOS芯片V2、三极管Q1均为裸芯片,管壳和内瓷片上分别设置有若干电极焊盘,二极管开关D4、光伏V1、MOS芯片V2、三极管Q1、电容C1、电阻R1分别固定贴合在管壳的各电极焊盘上,发光二极管D1固定在内瓷片的电极焊盘上,内瓷片扣合在管壳上,且发光二极管D1对准光伏V1。接通时,三极管Q1、电容C1、开关二极管D4组成放大充电电路,在光信号强度不变的情况下,提高了MOS芯片V2的输出负载,同时采用贴片状裸芯片,从而使产品小型化,同时具有较大的驱动能力。
优选地,所述光伏V1的正极和负极的键合面设置在同侧面;发光二极管D1、二极管开关D4的正负极均分别设置在正反两面;电阻R1的正极和负极的键合面设置在同侧面;三极管Q1的基极和发射极的键合面设置在正面,集电极的键合面设置在背面;MOS芯片V2的正面设置为源极的键合面,且在正面划分一个小区域设置为栅极的键合面,背面为漏极的键合面。
进一步地,所述发光二极管D1串联有开关二极管D2,二极管开关D2固定在内瓷片上与发光二极管D1间隔的电极焊盘上。
进一步地,所述三极管Q1的基极和发射极之间并联有开关二极管D3,开关二极管D3的正极与三极管Q1的发射极连接,开关二极管D3的负极与三极管Q1的基极连接,开关二极管D3为贴片状结构并固定在管壳的电极焊盘上。开关二极管D3和光伏V1组成泄放电路,关断时,由开关二极管D3、光伏V1组成泄放电路,快速消耗MOS芯片V2结电容上的电荷将被很快泄放掉,从而使产品快速关断。
优选地,所述二极管开关D3的正负极分别设置在正反两面。
进一步地,所述电容C1为瓷介电容,且电容C1的电容值比MOS芯片V2的结电容大一个数量级。
优选地,所述电阻R1为芯片电阻。
进一步地,还包括MOS芯片V3、电阻R2、开关二极管D5,MOS芯片V3的源极与光伏V1输出正极连接,MOS芯片V3的栅极与三极管Q1的发射极之间串联有电阻R2,MOS芯片V3的漏极与与开关二极管D5的正极连接,开关二极管D5的负极与三极管Q1的集电极连接,MOS芯片V3、电阻R2、开关二极管D5均为贴片状结构并通过键合接触进行电性连接,MOS芯片V3、电阻R2、开关二极管D5分别固定贴合在管壳的各电极焊盘上。
优选地,所述二极管开关D5的正负极分别设置在正反两面;电阻R2的正极和负极的键合面设置在同侧面;MOS芯片V3的正面设置为源极的键合面,且在正面划分一个小区域设置为栅极的键合面,背面为漏极的键合面。
优选地,所述电阻R2为芯片电阻。
本发明的有益效果在于:
与现有技术相比,采用全裸芯装配,以及电路设计和结构设计,使固态继电器整体体积小型化;通过设计快速充泄放电路,在减小产品体积的同时,提高继电器驱动能力,从而实现小体积大负载固态继电器,满足装备小型化、轻量化的发展需求。
附图说明
图1是本发明中驱动电路的结构示意图;
图2是本发明中固态继电器的内部结构示意图;
图3是本发明中管壳组合的结构示意图;
图4是本发明中管壳的结构示意图;
图5是本发明中管壳组合的装配流程图;
图6是本发明中二极管组合的结构示意图;
图7是本发明中内瓷片的结构示意图;
图8是本发明中二极管组合的装配流程图。
具体实施方式
下面进一步描述本发明的技术方案,但要求保护的范围并不局限于所述。
一种小型化大负载的固态继电器,包括管壳、内瓷片和驱动电路,驱动电路包括发光二极管D1、开关二极管D4、光伏V1、三极管Q1、电容C1、MOS芯片V2、电阻R1,发光二极管D1接入输入电源为光伏V1提供光驱动信号,光伏V1输出正极与MOS芯片V2的源极连接,MOS芯片V2的漏极与开关二极管D4的正极连接,开关二极管D4的负极与MOS芯片V2的源极之间并联有电容C1,开关二极管D4的负极与三极管Q1的集电极连接,三极管Q1的基极与光伏V1输出负极连接,MOS芯片V2的栅极与三极管Q1的发射极之间串联有电阻R1;发光二极管D1、二极管开关D4、光伏V1、三极管Q1、电容C1、MOS芯片V2、电阻R1均为贴片状结构并通过键合接触进行电性连接,且发光二极管D1、二极管开关D4、光伏V1、MOS芯片V2、三极管Q1均为裸芯片,管壳和内瓷片上分别设置有若干电极焊盘,二极管开关D4、光伏V1、MOS芯片V2、三极管Q1、电容C1、电阻R1分别固定贴合在管壳的各电极焊盘上,发光二极管D1固定在内瓷片的电极焊盘上,内瓷片扣合在管壳上,且发光二极管D1对准光伏V1。
所述光伏V1的正极和负极的键合面设置在同侧面;发光二极管D1、二极管开关D4的正负极均分别设置在正反两面;电阻R1的正极和负极的键合面设置在同侧面;三极管Q1的基极和发射极的键合面设置在正面,集电极的键合面设置在背面;MOS芯片V2的正面设置为源极的键合面,且在正面划分一个小区域设置为栅极的键合面,背面为漏极的键合面。
所述发光二极管D1串联有开关二极管D2,二极管开关D2固定在内瓷片上与发光二极管D1间隔的电极焊盘上。
所述三极管Q1的基极和发射极之间并联有开关二极管D3,开关二极管D3的正极与三极管Q1的发射极连接,开关二极管D3的负极与三极管Q1的基极连接,开关二极管D3为贴片状结构并固定在管壳的电极焊盘上。
所述二极管开关D3的正负极分别设置在正反两面。
所述电容C1为瓷介电容,且电容C1的电容值比MOS芯片V2的结电容大一个数量级。
所述电阻R1为芯片电阻。
还包括MOS芯片V3、电阻R2、开关二极管D5,MOS芯片V3的源极与光伏V1输出正极连接,MOS芯片V3的栅极与三极管Q1的发射极之间串联有电阻R2,MOS芯片V3的漏极与与开关二极管D5的正极连接,开关二极管D5的负极与三极管Q1的集电极连接,MOS芯片V3、电阻R2、开关二极管D5均为贴片状结构并通过键合接触进行电性连接,MOS芯片V3、电阻R2、开关二极管D5分别固定贴合在管壳的各电极焊盘上。
所述二极管开关D5的正负极分别设置在正反两面;电阻R2的正极和负极的键合面设置在同侧面;MOS芯片V3的正面设置为源极的键合面,且在正面划分一个小区域设置为栅极的键合面,背面为漏极的键合面。
所述电阻R2为芯片电阻。
实施例
一种小型化大负载的固态继电器,为了实现快速通断及提高驱动能力,其驱动电路如图1所示,由发光二极管D1、开关二极管D2、D3、D4和D5、光伏V1、三极管Q1、电容C1、电阻R1、R2、MOS芯片V2、V3组成,发光二极管D1接入输入电源为光伏V1提供光驱动信号,光伏V1输出正极与MOS芯片V2的源极连接,MOS芯片V2的漏极与开关二极管D4的正极连接,开关二极管D4的负极与MOS芯片V2的源极之间并联有电容C1,开关二极管D4的负极与三极管Q1的集电极连接,三极管Q1的基极与光伏V1输出负极连接,MOS芯片V2的栅极与三极管Q1的发射极之间串联有电阻R1,MOS芯片V3的源极与光伏V1输出正极连接,MOS芯片V3的栅极与三极管Q1的发射极之间串联有电阻R2,MOS芯片V3的漏极与与开关二极管D5的正极连接,开关二极管D5的负极与三极管Q1的集电极连接,三极管Q1的基极和发射极之间并联有开关二极管D3,开关二极管D3的正极与三极管Q1的发射极连接,开关二极管D3的负极与三极管Q1的基极连接。
发光二极管D1、光伏V1组成驱动控制电路,且通过光隔离;三极管Q1、电容C1、开关二极管D4、D5组成放大充电电路;开关二极管D3、光伏V1组成泄放电路;MOS芯片V2、V3组成开关电路。
其中发光二极管D1、二极管开关D2、D3、D4和D5、光伏V1、MOS芯片V2和V3、三极管Q1均为裸芯片。
所述电容C1为瓷介电容,且电容C1的电容值比MOS芯片V2的结电容大一个数量级。
所述电阻R1、R2为芯片电阻。
所述发光二极管D1串联有开关二极管D2。
为了实现电路结构布局,减小体积,实现小型化,固态继电器的内部封装如图2、图3、图6所示,还包括管壳、内瓷片,驱动电路中的发光二极管D1、二极管开关D2、D3、D4和D5、光伏V1、三极管Q1、电容C1、MOS芯片V2和V3、电阻R1和R2均为贴片状结构并通过键合接触进行电性连接,二极管开关D3、D4和D5、光伏V1、三极管Q1、电容C1、MOS芯片V2和V3、电阻R1和R2固定贴合在管壳的各电极焊盘上,发光二极管D1和二极管开关D2固定在内瓷片的各电极焊盘上,内瓷片扣合在管壳上,且发光二极管D1对准光伏V1。
产品驱动电路体积非常小,且驱动能力较强。继电器采用微组装工艺生产。元器件采用环氧导电胶粘接,各元器件采用键合工艺互联,最后采用平行封焊工艺封装。
其装配流程包括以下步骤:
步骤一:管壳和内瓷片均按驱动电路分区设置电极,各电极进行金属化形成焊盘,管壳结构如图4所示、内瓷片结构如图7所示;光伏V1、MOS芯片V2和V3、发光二极管D1、二极管开关D2、D3、D4和D5、三极管Q1、电阻R1和R2、电容C1加工为贴片状,发光二极管D1、二极管开关D2、D3、D4和D5、光伏V1、MOS芯片V2和V3、三极管Q1均为裸芯片,电阻R1和R2为芯片电阻;
光伏V1的正极和负极的键合面设置在同侧面;发光二极管D1、二极管开关D2、D3、D4和D5的正负极均分别设置在正反两面;电阻R1和R2的正极和负极的键合面设置在同侧面;三极管Q1的基极和发射极的键合面设置在正面,集电极的键合面设置在背面;MOS芯片V2和V3的正面设置为源极的键合面,且在正面划分一个小区域设置为栅极的键合面,背面为漏极的键合面;
步骤二:采用微组装工艺进行装配,将光伏V1、MOS芯片V2和V3、二极管开关D3、D4和D5、三极管Q1、电阻R1和R2、电容C1放置到管壳的各个焊盘上,通过键合接触方式按驱动电路连接关系连接各元器件,并通过环氧导电胶固定,获得管壳组件,如图4所示;
步骤三:将发光二极管D1、二极管开关D2放置到内瓷片的各个焊盘上,通过键合接触方式按驱动电路连接关系连接发光二极管D1和二极管开关D2,并通过环氧导电胶固定,获得二极管组件,如图6所示;
步骤四:将内瓷片扣合在管壳上,使发光二极管D1的发光部对准光伏V1,最后进行平行封焊工艺封装成一个整体。
工作原理如下:
接通时,通过发光二极管发光D1,将光信号传递给光伏V1,将光信号转换为电信号,驱动三极管Q1,将小信号放大,从而提高MOS芯片V2、V3的栅极的注入电流,以提高其驱动能力,该电流可以达到几毫安,甚至上百毫安。当MOS芯片V2、V3接通后,电流由电容C1提供,电容C1的电容值比MOS芯片V2、V3的结电容大一个数量级。
关断时,发光二极管D1失去电流,光伏V1即失去电信号,导致三极管Q1关断,这时,MOS芯片V2、V3的栅极,通过开关二极管D3、光伏V1、回到MOS芯片V2、V3的源极,形成回路,由于V1具有快放功能,所以,MOS芯片V2、V3结电容上的电荷将被很快泄放掉,从而使产品快速关断。
本发明提供的一种小型化大负载的固态继电器,采用全裸芯装配,以及电路设计和结构设计,使固态继电器整体体积小型化;通过设计快速充泄放电路,在减小产品体积的同时,提高继电器驱动能力,从而实现小体积大负载固态继电器,满足装备小型化、轻量化的发展需求。
Claims (10)
1.一种小型化大负载的固态继电器,其特征在于:包括管壳、内瓷片和驱动电路,驱动电路包括发光二极管D1、开关二极管D4、光伏V1、三极管Q1、电容C1、MOS芯片V2、电阻R1,发光二极管D1接入输入电源为光伏V1提供光驱动信号,光伏V1输出正极与MOS芯片V2的源极连接,MOS芯片V2的漏极与开关二极管D4的正极连接,开关二极管D4的负极与MOS芯片V2的源极之间并联有电容C1,开关二极管D4的负极与三极管Q1的集电极连接,三极管Q1的基极与光伏V1输出负极连接,MOS芯片V2的栅极与三极管Q1的发射极之间串联有电阻R1;发光二极管D1、二极管开关D4、光伏V1、三极管Q1、电容C1、MOS芯片V2、电阻R1均为贴片状结构并通过键合接触进行电性连接,且发光二极管D1、二极管开关D4、光伏V1、MOS芯片V2、三极管Q1均为裸芯片,管壳和内瓷片上分别设置有若干电极焊盘,二极管开关D4、光伏V1、MOS芯片V2、三极管Q1、电容C1、电阻R1分别固定贴合在管壳的各电极焊盘上,发光二极管D1固定贴合在内瓷片的电极焊盘上,内瓷片扣合在管壳上,且发光二极管D1对准光伏V1。
2.如权利要求1所述的一种小型化大负载的固态继电器,其特征在于:所述光伏V1的正极和负极的键合面设置在同侧面;发光二极管D1、二极管开关D4的正负极均分别设置在正反两面;电阻R1的正极和负极的键合面设置在同侧面;三极管Q1的基极和发射极的键合面设置在正面,集电极的键合面设置在背面;MOS芯片V2的正面设置为源极的键合面,且在正面划分一个小区域设置为栅极的键合面,背面为漏极的键合面。
3.如权利要求1所述的一种小型化大负载的固态继电器,其特征在于:所述发光二极管D1串联有开关二极管D2,二极管开关D2固定在内瓷片上与发光二极管D1间隔的电极焊盘上。
4.如权利要求1所述的一种小型化大负载的固态继电器,其特征在于:所述三极管Q1的基极和发射极之间并联有开关二极管D3,开关二极管D3的正极与三极管Q1的发射极连接,开关二极管D3的负极与三极管Q1的基极连接,开关二极管D3为贴片状结构并固定在管壳的电极焊盘上。
5.如权利要求4所述的一种小型化大负载的固态继电器,其特征在于:所述二极管开关D3的正负极分别设置在正反两面。
6.如权利要求1所述的一种小型化大负载的固态继电器,其特征在于:所述电容C1为瓷介电容,且电容C1的电容值比MOS芯片V2的结电容大一个数量级。
7.如权利要求1所述的一种小型化大负载的固态继电器,其特征在于:所述电阻R1为芯片电阻。
8.如权利要求1所述的一种小型化大负载的固态继电器,其特征在于:还包括MOS芯片V3、电阻R2、开关二极管D5,MOS芯片V3的源极与光伏V1输出正极连接,MOS芯片V3的栅极与三极管Q1的发射极之间串联有电阻R2,MOS芯片V3的漏极与与开关二极管D5的正极连接,开关二极管D5的负极与三极管Q1的集电极连接,MOS芯片V3、电阻R2、开关二极管D5均为贴片状结构并通过键合接触进行电性连接,MOS芯片V3、电阻R2、开关二极管D5分别固定贴合在管壳的各电极焊盘上。
9.如权利要求8所述的一种小型化大负载的固态继电器,其特征在于:所述二极管开关D5的正负极分别设置在正反两面;电阻R2的正极和负极的键合面设置在同侧面;MOS芯片V3的正面设置为源极的键合面,且在正面划分一个小区域设置为栅极的键合面,背面为漏极的键合面。
10.如权利要求8所述的一种小型化大负载的固态继电器,其特征在于:所述电阻R2为芯片电阻。
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