CN102231347A - 一种高分断能力的低功耗继电器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种高分断能力的低功耗继电器，包括限位片，线包、衔铁、轭铁、弹簧、进线片、出线片和动簧片，动簧片上下两侧焊有第一凸台和第二凸台，并通过一铜编织线与进线片电连接，限位片的下侧与第一凸台相对地焊接有挡止部，出线片始端的上侧与第二凸台相对地焊接有第三凸台，其特征在于，加大挡止部和第三凸台之间的距离，同时，所述的高分断能力的低功耗继电器还包括一自动延时降压电路，工作电压经自动延时降压电路加载至线包两端。采用增大挡止部和第三凸台之间的间距，提高继电器的分断能力，再辅助以一自动延时降压电路，采用较大工作电压吸合继电器线包，经一定时间延时后，又降低电压维持吸合，大大地降低了功耗，结构简单，制造成本低廉。

Description

一种高分断能力的低功耗继电器

技术领域

本发明涉及一种高分断能力的低功耗继电器，其触点包括至少一组单刀单掷或至少一组单刀双掷，用于较高电压回路的闭合和分断。

背景技术

如图1所示，现有技术中的单刀单掷低压继电器，包括限位片1，线包2、衔铁3、轭铁4、弹簧5、进线片6、出线片7和动簧片8，动簧片8上下两侧焊有第一凸台9和第二凸台10，并通过一铜编织线11与进线片6电连接，限位片1的下侧与第一凸台9相对应地焊接有挡止部13，出线片7始端的上侧与第二凸台10相对地焊接有第三凸台12。为了闭合和分断较高电压回路，必须增大挡止部13和第三凸台12之间的间距，因为继电器触点分断时，电压很高而间距不足将导致第二凸台10和第三凸台12之间的空气被电离而击穿导电，大大地降低了继电器的使用寿命。然而，增大挡止部13和第三凸台12之间的间距，也就意味着继电器的线包需要较高的吸合和维持电压，增大了继电器的功耗。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种高分断能力的低功耗继电器，它功耗低而分断能力高，适用于较高电压回路的闭合和分断。

为实现上述目的，本发明采用这样一种高分断能力的低功耗继电器，包括限位片1，线包2、衔铁3、轭铁4、弹簧5、进线片6、出线片7和动簧片8，所述的动簧片8上下两侧焊有第一凸台9和第二凸台10，并通过一铜编织线11与所述的进线片6电连接，所述的限位片1的下侧与所述的第一凸台9相对地焊接有挡止部13，所述的出线片7始端的上侧与所述的第二凸台10相对地焊接有第三凸台12，加大所述的挡止部13和所述的第三凸台12之间的距离，同时，所述的高分断能力的低功耗继电器还包括一自动延时降压电路，工作电压经所述的自动延时降压电路加载至所述的线包两端。

特别地，所述的自动延时降压电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、二极管D1、电容C1和电阻R1、R2、R3，控制端V_T经所述的电阻R1接至第一晶体管T1的基极，所述的第一晶体管T1的集电极经所述的线包接至工作电压正端，所述的第一晶体管T1的集电极还经所述的二极管D1与所述的电容C1的正端连接，所述的电容C1的正端经所述的电阻R2接至所述的第二晶体管T2的基极，所述的第二晶体管T2的集电极接至所述的第一晶体管T1的发射极，所述的第一晶体管T1的发射极经电阻R3与第二晶体管T2的发射极和电容C1的负端一起接至工作电压负端。

特别地，所述的自动延时降压电路包括第三晶体管T3、二极管D2、电阻R4和电容C2，控制端V_T的电压加至所述的第三晶体管T3的基极，所述的工作电压正端经所述的电阻R4、所述的线包接至所述的第三晶体管T3的集电极，所述的第三晶体管T3的发射极接至工作电压负端，在所述的线包的两端反并接一续流二极管D2，在所述的电阻R4两端并接所述的电容C2。

本发明和现有技术的区别在于：采用增大挡止部和第三凸台之间的间距，提高继电器的分断能力，再辅助以一自动延时降压电路，采用较大工作电压吸合继电器线包，经一定时间延时后，又降低电压维持吸合，大大地降低了功耗，结构简单，制造成本低廉。

附图说明

图1是现有技术中的普通低压继电器的结构示意图。

图2是本发明实施例中自动延时降压电路原理图。

图3是本发明另一种实施例中自动延时降压电路原理图。

图中：1、限位片，2、线包，3、衔铁，4、轭铁，5、弹簧，6、进线片，7、出线片，8、动簧片，9、第一凸台，10、第二凸台，11、铜编织线，12、第三凸台，13、挡止部，R1～R4、电阻，T1～T3、晶体管，J、继电器，D1～D2、二极管，C1～C2、电容，V_T、控制端。

具体实施方式

一种高分断能力的低功耗继电器，包括限位片1，线包2、衔铁3、轭铁4、弹簧5、进线片6、出线片7和动簧片8，动簧片8上下两侧焊有第一凸台9和第二凸台10，并通过一铜编织线11与进线片6电连接，限位片1的下侧与第一凸台9相对地焊接有挡止部13，出线片7始端的上侧与第二凸台10相对地焊接有第三凸台12，加大挡止部13和第三凸台12之间的距离，同时，辅助以一自动延时降压电路，工作电压经自动延时降压电路加载至线包两端。

如图2所示，是实施例一中的自动延时降压电路的电路原理图，包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、二极管D1、电容C1和电阻R1、R2、R3，控制端V_T经电阻R1接至第一晶体管T1的基极，第一晶体管T1的集电极经线包接至工作电压正端，第一晶体管T1的集电极还经二极管D1与电容C1的正端连接，电容C1的正端经电阻R2接至第二晶体管T2的基极，第二晶体管T2的集电极接至第一晶体管T1的发射极，第一晶体管T1的发射极经电阻R3与第二晶体管T2的发射极和电容C1的负端一起接至工作电压负端。实施例一的工作原理：当控制端V_T无信号输入时，第一晶体管T1截止，工作电压通过继电器J的线包、二极管D1向电容C1充电，当电容C1正端的电压逐渐上升至使第二晶体管T2导通，电阻R3被短接，此时，在控制端V_T输入控制信号，使第一晶体管T1导通，工作电压全部加载于继电器J的线包上，线包吸合，触点工作，同时，二极管D1截止，当电容C1上的电量通过电阻R2放电至使第二晶体管T2截止，工作电压经过分压电阻R3降压后加载至线包两端，维持继电器J的线包吸合。

如图3所示，是另一个实施例中的自动延时降压电路的电路原理图，自动延时降压电路包括第三晶体管T3、二极管D2、电阻R4和电容C2，控制端V_T的电压加至第三晶体管T3的基极，工作电压正端经电阻R4、线包接至第三晶体管T3的集电极，第三晶体管T3的发射极接至工作电压负端，在线包的两端反并接一续流二极管D2，在电阻R4两端并接电容C2。实施例二的工作原理：在控制端V_T输入控制信号，上电瞬间，工作电压通过电容C2耦合全部加载于继电器J的线包，线包吸合，触点工作，经延时后，工作电压经过分压电阻R4分压后，得到较小电压维持继电器J的线包吸合。

Claims (3)

1.一种高分断能力的低功耗继电器，包括限位片(1)，线包(2)、衔铁(3)、轭铁(4)、弹簧(5)、进线片(6)、出线片(7)和动簧片(8)，所述的动簧片(8)上下两侧焊有第一凸台(9)和第二凸台(10)，并通过一铜编织线(11)与所述的进线片(6)电连接，所述的限位片(1)的下侧与所述的第一凸台(9)相对地焊接有挡止部(13)，所述的出线片(7)始端的上侧与所述的第二凸台(10)相对地焊接有第三凸台(12)，其特征在于：加大所述的挡止部(13)和所述的第三凸台(12)之间的距离，同时，所述的高分断能力的低功耗继电器还包括一自动延时降压电路，工作电压经所述的自动延时降压电路加载至所述的线包两端。

2.根据权利要求1所述的高分断能力的低功耗继电器，其特征在于：所述的自动延时降压电路包括第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、二极管(D1)、电容(C1)和电阻(R1、R2、R3)，控制端(V_T)经所述的电阻(R1)接至第一晶体管(T1)的基极，所述的第一晶体管(T1)的集电极经所述的线包接至工作电压正端，所述的第一晶体管(T1)的集电极还经所述的二极管(D1)与所述的电容(C1)的正端连接，所述的电容(C1)的正端经所述的电阻(R2)接至所述的第二晶体管(T2)的基极，所述的第二晶体管(T2)的集电极接至所述的第一晶体管(T1)的发射极，所述的第一晶体管(T1)的发射极经电阻(R3)与第二晶体管(T2)的发射极和电容(C1)的负端一起接至工作电压负端。

3.根据权利要求1所述的高分断能力的低功耗继电器，其特征在于：所述的自动延时降压电路包括第三晶体管(T3)、二极管(D2)、电阻(R4)和电容(C2)，控制端(V_T)的电压加至所述的第三晶体管(T3)的基极，所述的工作电压正端经所述的电阻(R4)、所述的线包接至所述的第三晶体管(T3)的集电极，所述的第三晶体管(T3)的发射极接至工作电压负端，在所述的线包的两端反并接一续流二极管(D2)，在所述的电阻(R4)两端并接所述的电容(C2)。

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