CN113555377A - 滤光组件及其形成方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000001914 filtration Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 302
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 17
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
Abstract
一种滤光组件及其形成方法，滤光组件包括：第一遮光层，所述第一遮光层内具有多个第一通孔；第二遮光层，所述第二遮光层位于所述第一遮光层上，所述第二遮光层内具有多个第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔一一对应；光吸收层，所述光吸收层位于所述第二遮光层上，所述光吸收层内具有多个第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔一一对应。所述滤光组件能够降低光串扰发生的风险。
Description
技术领域
本发明涉及指纹识别技术领域，尤其涉及一种滤光组件及其形成方法。
背景技术
光学指纹识别装置可实现指纹自动采集，广泛应用于考勤机、门禁、手机或者平板电脑等设备上。
光学指纹识别装置主要是利用光的折射和反射原理，光源射出的光线在手指表面指纹凹凸不平的线纹上折射的角度及反射回去的光线明暗不同，CMOS(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor)光学传感器件相应会收集到不同明暗程度的图片信息，从而完成指纹的采集。
光学指纹识别装置具有较强的环境适应性及良好的稳定性，且生产成本低，广泛应用于考勤机、门禁、手机或者平板电脑等设备上。
光源射出的光线经手指表面反射后形成的反射光为发散光，光线方向差异性大，为提高反射光光线方向的一致性，光学指纹识别装置内设置滤光组件，以将光线方向倾斜角度大的光线滤除掉，从而改善光学传感器件形成的指纹图像质量。
但是，现有滤光组件仍有待改进。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种滤光组件及其形成方法，能够降低光串扰发生的风险。
为解决上述问题，本发明提供一种滤光组件，包括：第一遮光层，所述第一遮光层内具有多个第一通孔；第二遮光层，所述第二遮光层位于所述第一遮光层上，所述第二遮光层内具有多个第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔一一对应；光吸收层，所述光吸收层位于所述第二遮光层上，所述光吸收层内具有多个第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔一一对应。
可选的，所述第二通孔尺寸小于所述第一通孔尺寸。
可选的，所述第二通孔尺寸小于所述第三通孔尺寸。
可选的，所述第一遮光层材料为金属。
可选的，所述第一遮光层材料为铝或者铜。
可选的，所述第二遮光层材料为金属。
可选的，所述第二遮光层材料为铝或者铜。
可选的，所述滤光组件还包括：第一介质层，所述第一介质层位于所述第一遮光层及所述第二遮光层之间。
可选的，所述滤光组件还包括：第二介质层，所述第二介质层位于所述第二遮光层及所述光吸收层之间。
可选的，所述滤光组件还包括：红外截止层，所述红外截止层位于所述第二介质层与所述第二遮光层之间。
可选的，所述红外截止层包括多个交替堆叠的第一截止膜和第二截止膜。
可选的，所述第一截止膜的材料为氧化钛，所述第二截止膜的材料为氧化硅。
可选的，所述滤光组件还包括：凸透镜组，位于所述光吸收层上，所述凸透镜组包括多个凸透镜，所述凸透镜与所述第三通孔一一对应。
可选的，所述滤光组件还包括：第三介质层，所述第三介质层位于所述凸透镜组与所述光吸收层之间。
可选的，所述滤光组件还包括：基底，所述第一遮光层位于所述基底上，所述基底内具有感光层。
可选的，所述滤光组件还包括：隔离层，所述隔离层位于所述基底与所述第一遮光层之间。
可选的，所述隔离层的厚度为1μm～4μm。
可选的，所述滤光组件还包括：第三遮光层，所述第三遮光层位于所述隔离层内，所述第三遮光层内具有多个第四通孔，所述第四通孔与所述第一通孔一一对应，所述第四通孔尺寸大于所述第一通孔尺寸。
可选的，所述第三遮光层的数量为一个或者多个。
可选的，当所述第三遮光层的数量为多个时，沿垂直于所述基底表面，多个所述第三遮光层间隔排布，且越靠近所述基底，所述第三遮光层的所述第四通孔尺寸越大。
相应的，本发明还提供一种所述滤光组件的形成方法，包括：形成第一遮光层，所述第一遮光层内具有多个第一通孔；在所述第一遮光层上形成第二遮光层，所述第二遮光层内具有多个第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔一一对应；在所述第二遮光层上形成光吸收层，所述光吸收层内具有多个第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔一一对应。
可选的，形成所述第二遮光层前，还包括：形成覆盖所述第一遮光层的第一介质层，所述第一介质层位于所述第一遮光层及所述第二遮光层之间。
可选的，形成所述第二遮光层后，且在形成所述光吸收层前，还包括：在所述第二遮光层上形成第二介质层，所述第二介质层位于所述第二遮光层及所述光吸收层之间。
可选的，形成所述第二遮光层后，且在形成所述第二介质层前，还包括：在所述第二遮光层上形成红外截止层，所述红外截止层位于所述第二介质层与所述第二遮光层之间。
可选的，形成所述光吸收层后，还包括：在所述光吸收层上形成凸透镜组，所述凸透镜组包括多个凸透镜，所述凸透镜与所述第三通孔一一对应。
可选的，形成所述光吸收层后，且在形成所述凸透镜组前，还包括：在所述光吸收层上形成第三介质层，所述第三介质层位于所述凸透镜组与所述光吸收层之间。
可选的，形成所述第一遮光层前，还包括：提供基底，所述基底内具有感光层，在所述基底上形成所述第一遮光层。
可选的，提供所述基底后，且在形成所述第一遮光层前，还包括：在所述基底上形成隔离层，所述隔离层位于所述基底与所述第一遮光层之间。
可选的，所述隔离层的厚度为1μm～4μm。
可选的，形成所述隔离层的过程中，还包括：在所述隔离层内形成第三遮光层，所述第三遮光层内具有多个第四通孔，所述第四通孔与所述第一通孔一一对应，所述第四通孔尺寸大于所述第一通孔尺寸。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
所述滤光组件包括：第一遮光层、第二遮光层及光吸收层。所述第一遮光层内具有多个第一通孔；所述第二遮光层内具有多个第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔一一对应；所述光吸收层内具有多个第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔一一对应。所述第二遮光层能够对所述光吸收层的第三通孔输出的光线进行滤光处理，以滤除掉部分光线方向倾斜角度大的光线，使得第三通孔输出的方向倾斜角度小的光线能够穿过相应的所述第二通孔及所述第一通孔。其中，倾斜角度为光线方向与第一方向的夹角，所述第一方向垂直于所述光吸收层表面。所述光吸收层的第三通孔输出的部分光线由于光线方向倾斜角度过大，形成串扰光线，得以穿过相邻或者距离更远的所述第二通孔。所述串扰光线由所述第二通孔输出后射向所述第一遮光层表面，在所述第一遮光层表面发生反射，从而被所述第一遮光层屏蔽掉。由此，所述第一遮光层能够减少串扰光信号，改善光信号质量。
附图说明
图1是本发明一实施例的滤光组件的结构示意图；
图2至图5是本发明滤光组件的形成方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
现结合一种滤光组件进行分析，所述滤光组件包括：遮光层，所述遮光层内具有多个第一通孔；光吸收层，所述光吸收层位于所述遮光层上，所述光吸收层内具有多个第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔一一对应。所述遮光层能够滤除掉所述第二通孔输出的部分光线方向倾斜角度大的光线，但是，所述光吸收层的第三通孔输出的部分光线由于光线方向倾斜角度过大，能够穿过相邻或者距离更远的所述第二通孔，从而使所述第二通孔射出光线包括串扰光信号，造成所述第二通孔出射的光信号质量差，影响图像质量。
发明人对上述滤光组件进行了研究，经创造性劳动，发明人注意到，滤光组件包括第一遮光层、第二遮光层及光吸收层，所述第一遮光层能够遮蔽掉具有大倾斜角的串扰光信号，从而降低光串扰发生的风险。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
参考图1，一种滤光组件100，包括：第一遮光层210，所述第一遮光层210内具有多个第一通孔211；第二遮光层220，所述第二遮光层220位于所述第一遮光层210上，所述第二遮光层220内具有多个第二通孔221，所述第二通孔221与所述第一通孔211一一对应；光吸收层230，所述光吸收层230位于所述第二遮光层220上，所述光吸收层230内具有多个第三通孔231，所述第三通孔231与所述第二通孔221一一对应。
本实施例中，所述滤光组件100还包括：凸透镜组300，位于所述光吸收层230上，所述凸透镜组300包括多个凸透镜，所述凸透镜与所述第三通孔231一一对应。
所述凸透镜顶部表面呈圆弧面，所述凸透镜底部呈平面状。
初始光线800入射所述凸透镜顶部表面，经所述凸透镜会聚形成会聚光线。所述凸透镜能够调制初始光线800方向，减小部分初始光线800倾斜角度。其中，倾斜角度为光线方向与第一方向y的夹角，所述第一方向y垂直于所述光吸收层230表面。
本实施例中，所述凸透镜材料为有机化合物，属于光刻胶材料。在其他实施例中，所述凸透镜材料还可以为玻璃。
所述光吸收层230适于对所述会聚光线进行第一滤光处理。
所述光吸收层230材料为吸光材料。射向所述光吸收层230表面或者所述第一通孔211侧壁的会聚光线会被所述光吸收层230吸收。
本实施例中，所述光吸收层230材料为有机化合物。所述光吸收层230材料的颜色为黑色，有助于提高所述光吸收层230对光线的吸收效果。
部分所述会聚光线穿过与入射的所述凸透镜对应的所述第三通孔231，形成第一滤光光线。然而还有部分所述会聚光线，由于具有较大倾斜角度，能够斜穿与入射的所述凸透镜相错的所述第三通孔231，形成第一串扰光线。
所述第二遮光层220适于对光线进行第二滤光处理。
所述第二遮光层220材料为金属材料。射向所述第二遮光层220表面的光线会在所述第二遮光层220表面发生反射，从而被所述第二遮光层220遮蔽掉。
本实施例中，由于所述第二通孔221尺寸D2小于所述第三通孔231尺寸D3，因而所述第二遮光层220能够滤除所述第三通孔231出射的光线中部分光线方向倾斜角度大的光线，使由所述第二通孔221出射的光线方向更为集中。
所述第二遮光层220材料为铝或者铜。本实施例中，所述第二遮光层220材料为铝。
由此，部分所述第一滤光光线穿过与出射的所述第三通孔231相对应的所述第二通孔221，形成第二滤光光线。然而还有部分所述第一串扰光线，由于具有大倾斜角度，能够斜穿与出射的所述第三通孔231相错的所述第二通孔221，形成第二串扰光线802。
所述第一遮光层210适于对光线进行第三滤光处理。
所述第一遮光层210材料为金属材料。射向所述第一遮光层210表面的光线会在所述第一遮光层210表面发生反射，从而被所述第一遮光层210遮蔽掉。
所述第二串扰光线802容易被所述第一遮光层210表面接收，进而被所述第一遮光层210遮蔽掉，由此，所述第一遮光层210能够减少串扰光信号，改善光信号质量。
所述第二遮光层220材料为铝或者铜。本实施例中，所述第二遮光层220材料为铝。
本实施例中，所述第一通孔211尺寸D1大于所述第二通孔221尺寸D2。由所述第二通孔221出射的所述第二滤光光线能够穿过对应的所述第一通孔211，形成第三滤光光线801。
本实施例中，所述滤光组件100还包括：基底400，所述第一遮光层210位于所述基底400上，所述基底400内具有感光层(图中未示出)。
所述感光层适于接收所述第一通孔211输出的所述第三滤光光线801以形成图像。由于所述第三滤光光线801方向集中且串扰光信号少，因而图像清晰度高，成像质量高。
本实施例中，所述滤光组件100还包括：隔离层500，所述隔离层500位于所述基底400与所述第一遮光层210之间。
所述隔离层500材料为透光材料，光线可透射所述隔离层500。本实施例中，所述隔离层500材料为氧化硅。在其他实施例中，所述隔离层500材料还可以为有机化合物。
若所述隔离层500的厚度H1过大，导致所述第一遮光层210与所述基底400表面距离过远，影响所述第一遮光层210对所述基底400的遮光效果，会增大在所述第二遮光层220上发生反射的串扰光线射向所述基底400表面的风险；本实施例中，所述隔离层500的厚度H1为1μm～4μm。
在其他实施例中，所述滤光组件100还包括：第三遮光层(图中未示出)，所述第三遮光层位于所述隔离层500内，所述第三遮光层内具有多个第四通孔，所述第四通孔与所述第一通孔211一一对应，所述第四通孔尺寸大于所述第一通孔211尺寸D1。
其中，所述第三遮光层的数量为一个或者多个。
当所述第三遮光层的数量为多个时，沿垂直于所述基底400表面，即沿所述第一方向y，多个所述第三遮光层间隔排布，且越靠近所述基底400，所述第三遮光层的所述第四通孔尺寸越大。
所述第三遮光层材料为金属材料，具体的，所述第二遮光层220材料为铝或者铜。射向所述第三遮光层表面的光线会在所述第三遮光层表面发生反射，从而被所述第三遮光层遮蔽掉。
所述第三遮光层有助于进一步减少所述感光层接收的光信号内的串扰光信号，以进一步改善光信号质量。
本实施例中，所述滤光组件100还包括：第一介质层610，所述第一介质层610位于所述第一遮光层210及所述第二遮光层220之间。
所述第一介质层610材料为透光材料，光线可透射所述第一介质层610。本实施例中，所述第一介质层610材料为氧化硅。在其他实施例中，所述第一介质层610材料还可以为有机化合物。
需要说明的是，本实施例中，所述滤光组件100还包括：第一填充层，所述第一填充层填充满所述第一通孔211。所述第一填充层材料与所述第一介质层610材料相同。
再者，本实施例中，所述滤光组件100还包括：第二填充层，所述第二填充层填充满所述第二通孔221。所述第二填充层材料也与所述第一介质层610材料相同。
本实施例中，所述滤光组件100还包括：第二介质层620，所述第二介质层620位于所述第二遮光层220及所述光吸收层230之间。
所述第二介质层620材料为透光材料，光线可透射所述第二介质层620。本实施例中，所述第二介质层620材料为有机化合物，属于光刻胶材料。
本实施例中，所述滤光组件100还包括：红外截止层700，所述红外截止层700位于所述第二介质层620与所述第二遮光层220之间。
当在室外环境中使用所述滤光组件100时，太阳光中的红外光会与初始光线800一同入射所述凸透镜顶部表面，导致形成的会聚光线内掺杂有红外光。所述红外截止层700位于所述第二介质层620与所述第二遮光层220之间，有助于滤除掉所述会聚光线内的红外光。
本实施例中，所述红外截止层700包括多个交替堆叠的第一截止膜(图中未示出)和第二截止膜(图中未示出)，所述第一截止膜和第二截止膜材料不相同。
由于所述红外截止层700包括多个交替堆叠的第一截止膜和第二截止膜，因而所述红外光在所述红外截止层700内会发生多次折射与反射，利于所述红外截止层700充分吸收所述红外光，从而改善所述红外截止层700对红外光的滤除效果。
本实施例中，所述第一截止膜的材料为氧化钛，所述第二截止膜的材料为氧化硅。
本实施例中，所述红外截止层700对波长范围处于405nm～580nm的光线的透光率大于90％，对波长范围处于615nm～1050nm的光线的透光率小于1％。
本实施例中，所述滤光组件100还包括：第三介质层630，所述第三介质层630位于所述凸透镜组300与所述光吸收层230之间。
所述第三介质层630材料为透光材料，光线可透射所述第三介质层630。本实施例中，所述第三介质层630材料为有机化合物，属于光刻胶材料。
所述第三介质层630为单层或者双层结构。本实施例中，所述第三介质层630为双层结构，所述第三介质层630包括第一介质子层631及第二介质子层632，所述第一介质子层631与所述凸透镜相接触，所述第二介质子层632与所述光吸收层230相接触。
需要说明的是，本实施例中，所述滤光组件100还包括：第三填充层，所述第三填充层填充满所述第三通孔231。所述第三填充层材料与所述第三介质层630的第二介质子层632材料相同。
本发明还提供一种上述滤光组件100的形成方法。下面借助附图对所述形成方法进行详细的介绍。
参考图2，提供基底400，所述基底400内具有感光层，在所述基底400上形成第一遮光层210，所述第一遮光层210内具有多个第一通孔211。
本实施例中，形成所述第一遮光层210的工艺包括：采用沉积工艺在所述基底400上形成第一遮光膜(图中未示出)；刻蚀所述第一遮光膜形成多个贯穿所述第一遮光膜的第一通孔211，形成所述第一遮光层210。
所述第一遮光膜材料为金属。本实施例中，所述第一遮光膜材料为铝；在其他实施例中，所述第一遮光膜材料为铜。
本实施例中，所述第一遮光层210还可以为传感器芯片金属互联结构中的其中一层，借助原金属互联结构形成所述第一遮光层210，有助于减少工艺操作难度。
本实施例中，提供所述基底400后，且在形成所述第一遮光层210前，还包括：在所述基底400上形成隔离层500，所述隔离层500位于所述基底400与所述第一遮光层210之间。
本实施例中，所述隔离层500的厚度H1为1μm～4μm。
本实施例中，采用沉积工艺形成所述隔离层500。
在其他实施例中，形成所述隔离层500的过程中，还包括：在所述隔离层500内形成第三遮光层(图中未示出)，所述第三遮光层内具有多个第四通孔，所述第四通孔与所述第一通孔211一一对应，所述第四通孔尺寸大于所述第一通孔211尺寸D1。
其中，所述第三遮光层的数量为一个或者多个。当所述第三遮光层的数量为多个时，沿垂直于所述基底400表面，多个所述第三遮光层间隔排布，且越靠近所述基底400，所述第三遮光层的所述第四通孔尺寸越大。
参考图3，在所述第一遮光层210上形成第二遮光层220，所述第二遮光层220内具有多个第二通孔221，所述第二通孔221与所述第一通孔211一一对应。
本实施例中，形成所述第二遮光层220的工艺包括：采用沉积工艺在所述第一遮光层210上形成第二遮光膜；刻蚀所述第二遮光膜形成多个贯穿所述第二遮光膜的第二通孔221，形成所述第二遮光层220。
本实施例中，采用刻蚀工艺形成所述第二通孔221后，还包括：形成填充满所述第二通孔221的第二填充膜(图中未示出)，所述第二填充膜覆盖所述第二遮光层220顶部表面；研磨去除所述第二遮光层220顶部表面的所述第二填充膜，形成所述第二填充层。
所述第二遮光膜材料为金属。本实施例中，所述第二遮光膜材料为铝；在其他实施例中，所述第二遮光膜材料为铜。
本实施例中，所述第二遮光层220还可以为传感器芯片金属互联结构中的其中一层，借助原金属互联结构形成所述第二遮光层220，有助于减少工艺操作步骤。
本实施例中，所述第二通孔221尺寸D2大于所述第一通孔211尺寸D1(参考图2)。
本实施例中，形成所述第二遮光层220前，还包括：形成覆盖所述第一遮光层210的第一介质层610，所述第一介质层610位于所述第一遮光层210及所述第二遮光层220之间。
形成所述第一介质层610的工艺包括：形成填充满所述第一通孔211的第一介质膜(图中未示出)，所述第一介质膜覆盖所述第一遮光层210顶部表面；采用化学机械研磨工艺对所述第一介质膜进行平坦化处理，填充于所述第一通孔211的所述第一介质膜作为所述第一填充层，高于所述第一遮光层210顶部表面的所述第一介质膜作为所述第一介质层610。
参考图4，在所述第二遮光层220上形成光吸收层230，所述光吸收层230内具有多个第三通孔231，所述第三通孔231与所述第二通孔221一一对应。
本实施例中，形成所述光吸收层230的工艺包括：采用沉积工艺在所述第二遮光层220上形成光吸收膜；刻蚀所述光吸收膜形成多个贯穿所述光吸收膜的第三通孔231，形成所述光吸收层230。
本实施例中，所述第三通孔231尺寸D3大于所述第二通孔221尺寸D2(参考图3)。
本实施例中，形成所述第二遮光层220后，且在形成所述光吸收层230前，还包括：在所述第二遮光层220上形成第二介质层620，所述第二介质层620位于所述第二遮光层220及所述光吸收层230之间。
本实施例中，形成所述第二遮光层220后，且在形成所述第二介质层620前，还包括：在所述第二遮光层220上形成红外截止层700，所述红外截止层700位于所述第二介质层620与所述第二遮光层220之间。
本实施例中，所述红外截止层700包括多个交替堆叠的第一截止膜和第二截止膜，所述第一截止膜的材料为氧化钛，所述第二截止膜的材料为氧化硅。
参考图5，在所述光吸收层230上形成凸透镜组300，所述凸透镜组300包括多个凸透镜，所述凸透镜与所述第三通孔231一一对应。
本实施例中，形成所述光吸收层230后，且在形成所述凸透镜组300前，还包括：在所述光吸收层230上形成第三介质层630，所述第三介质层630位于所述凸透镜组300与所述光吸收层230之间。
本实施例中，所述第三介质层630为双层结构，所述第三介质层630包括第一介质子层631及第二介质子层632，所述第一介质子层631与所述凸透镜相接触，所述第二介质子层632与所述光吸收层230相接触。
形成所述第三介质层630的工艺包括：形成填充满所述第三通孔231的第二介质子膜(图中未示出)，所述第二介质子膜覆盖所述光吸收层230表面；对所述第二介质子膜进行平坦化处理，填充于所述第三通孔231内的第二介质子膜作为所述第三填充层，高于所述光吸收层230顶部表面的所述第二介质子膜作为所述第二介质子层632；在所述第二介质子层632表面沉积第一介质子膜；对所述第一介质子膜进行平坦化处理，形成所述第一介质子层631。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (30)
1.一种滤光组件，其特征在于，包括：
第一遮光层，所述第一遮光层内具有多个第一通孔；
第二遮光层，所述第二遮光层位于所述第一遮光层上，所述第二遮光层内具有多个第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔一一对应；
光吸收层，所述光吸收层位于所述第二遮光层上，所述光吸收层内具有多个第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔一一对应。
2.如权利要求1所述的滤光组件，其特征在于，所述第二通孔尺寸小于所述第一通孔尺寸。
3.如权利要求1所述的滤光组件，其特征在于，所述第二通孔尺寸小于所述第三通孔尺寸。
4.如权利要求1所述的滤光组件，其特征在于，所述第一遮光层材料为金属。
5.如权利要求4所述的滤光组件，其特征在于，所述第一遮光层材料为铝或者铜。
6.如权利要求1所述的滤光组件，其特征在于，所述第二遮光层材料为金属。
7.如权利要求6所述的滤光组件，其特征在于，所述第二遮光层材料为铝或者铜。
8.如权利要求1所述的滤光组件，其特征在于，还包括：第一介质层，所述第一介质层位于所述第一遮光层及所述第二遮光层之间。
9.如权利要求1所述的滤光组件，其特征在于，还包括：第二介质层，所述第二介质层位于所述第二遮光层及所述光吸收层之间。
10.如权利要求9所述的滤光组件，其特征在于，还包括：红外截止层，所述红外截止层位于所述第二介质层与所述第二遮光层之间。
11.如权利要求10所述的滤光组件，其特征在于，所述红外截止层包括多个交替堆叠的第一截止膜和第二截止膜。
12.如权利要求11所述的滤光组件，其特征在于，所述第一截止膜的材料为氧化钛，所述第二截止膜的材料为氧化硅。
13.如权利要求1所述的滤光组件，其特征在于，还包括：凸透镜组，位于所述光吸收层上，所述凸透镜组包括多个凸透镜，所述凸透镜与所述第三通孔一一对应。
14.如权利要求13所述的滤光组件，其特征在于，还包括：第三介质层，所述第三介质层位于所述凸透镜组与所述光吸收层之间。
15.如权利要求1所述的滤光组件，其特征在于，还包括：基底，所述第一遮光层位于所述基底上，所述基底内具有感光层。
16.如权利要求15所述的滤光组件，其特征在于，还包括：隔离层，所述隔离层位于所述基底与所述第一遮光层之间。
17.如权利要求16所述的滤光组件，其特征在于，所述隔离层的厚度为1μm～4μm。
18.如权利要求16所述的滤光组件，其特征在于，还包括：第三遮光层，所述第三遮光层位于所述隔离层内，所述第三遮光层内具有多个第四通孔，所述第四通孔与所述第一通孔一一对应，所述第四通孔尺寸大于所述第一通孔尺寸。
19.如权利要求18所述的滤光组件，其特征在于，所述第三遮光层的数量为一个或者多个。
20.如权利要求19所述的滤光组件，其特征在于，当所述第三遮光层的数量为多个时，沿垂直于所述基底表面，多个所述第三遮光层间隔排布，且越靠近所述基底，所述第三遮光层的所述第四通孔尺寸越大。
21.一种滤光组件的形成方法，其特征在于，包括：
形成第一遮光层，所述第一遮光层内具有多个第一通孔；
在所述第一遮光层上形成第二遮光层，所述第二遮光层内具有多个第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔一一对应；
在所述第二遮光层上形成光吸收层，所述光吸收层内具有多个第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔一一对应。
22.如权利要求21所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二遮光层前，还包括：形成覆盖所述第一遮光层的第一介质层，所述第一介质层位于所述第一遮光层及所述第二遮光层之间。
23.如权利要求21所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二遮光层后，且在形成所述光吸收层前，还包括：在所述第二遮光层上形成第二介质层，所述第二介质层位于所述第二遮光层及所述光吸收层之间。
24.如权利要求23所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二遮光层后，且在形成所述第二介质层前，还包括：在所述第二遮光层上形成红外截止层，所述红外截止层位于所述第二介质层与所述第二遮光层之间。
25.如权利要求21所述的形成方法，其特征在于，形成所述光吸收层后，还包括：在所述光吸收层上形成凸透镜组，所述凸透镜组包括多个凸透镜，所述凸透镜与所述第三通孔一一对应。
26.如权利要求25所述的形成方法，其特征在于，形成所述光吸收层后，且在形成所述凸透镜组前，还包括：在所述光吸收层上形成第三介质层，所述第三介质层位于所述凸透镜组与所述光吸收层之间。
27.如权利要求21所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一遮光层前，还包括：提供基底，所述基底内具有感光层，在所述基底上形成所述第一遮光层。
28.如权利要求27所述的形成方法，其特征在于，提供所述基底后，且在形成所述第一遮光层前，还包括：在所述基底上形成隔离层，所述隔离层位于所述基底与所述第一遮光层之间。
29.如权利要求28所述的形成方法，其特征在于，所述隔离层的厚度为1μm～4μm。
30.如权利要求29所述的形成方法，其特征在于，形成所述隔离层的过程中，还包括：在所述隔离层内形成第三遮光层，所述第三遮光层内具有多个第四通孔，所述第四通孔与所述第一通孔一一对应，所述第四通孔尺寸大于所述第一通孔尺寸。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202010339108.9A CN113555377A (zh) | 2020-04-26 | 2020-04-26 | 滤光组件及其形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202010339108.9A CN113555377A (zh) | 2020-04-26 | 2020-04-26 | 滤光组件及其形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113555377A true CN113555377A (zh) | 2021-10-26 |
Family
ID=78101550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010339108.9A Pending CN113555377A (zh) | 2020-04-26 | 2020-04-26 | 滤光组件及其形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113555377A (zh) |
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