CN113543000A - 一种mems压电芯片及mems器件 - Google Patents
一种mems压电芯片及mems器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113543000A CN113543000A CN202110737583.6A CN202110737583A CN113543000A CN 113543000 A CN113543000 A CN 113543000A CN 202110737583 A CN202110737583 A CN 202110737583A CN 113543000 A CN113543000 A CN 113543000A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- mems
- piezoelectric
- connecting part
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
- H04R17/02—Microphones
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/04—Microphones
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0257—Microphones or microspeakers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0264—Pressure sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0118—Cantilevers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
- H04R2201/003—Mems transducers or their use
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种MEMS压电芯片及MEMS器件，所述压电芯片包括由下到上依次设置的衬底、绝缘层和压电薄膜，所述衬底上开设腔体，所述压电薄膜包括位于中心的活动部和与所述活动部一体成型的位于活动部外周的连接部；所述连接部的外侧固定在所述绝缘层上，所述连接部的内侧悬设于所述衬底上，所述活动部悬设于所述腔体上；所述连接部设有多个沿上下向贯穿的弯曲状的孔隙，使连接部形成多个弯曲状的悬臂梁。本发明所公开的MEMS压电芯片及MEMS器件通过在压电薄膜连接部形成多个弯曲状的悬臂梁结构，可有效提高芯片的灵敏度，并有利于释放压电薄膜的残余应力，提高芯片可靠性。
Description
技术领域
本发明属于MEMS技术领域，特别涉及一种MEMS压电芯片及MEMS器件。
背景技术
压电材料能够实现机械能与电能的相互转化，是进行能量转换和信号传递的重要载体。 相对于块体材料，压电薄膜具有体积小、成本低、制作简单、能量转换效率高、与半导体工 艺兼容等优点，在MEMS器件中得到广泛应用。
MEMS压电器件，如压力传感器、水听计、麦克风等，通常是将压电薄膜集成在具有腔 体的衬底上，其结构简单，不但具有优异的防污、防尘、防水性能，且无需偏置电压，功耗低，启动速度快。然而，由于生长工艺的限制，压电薄膜普遍存在较大的残余应力，导致膜片容易发生翘曲和形变，且限制器件灵敏度的提高。
请参阅图1和图2，现有技术中通常选择在压电薄膜30的中心设置孔隙40，以达到减小 薄膜残余应力并提高灵敏度的目的。这种设计可在一定程度上减小薄膜残余应力，但对器件 灵敏度的作用有限，且孔隙的存在会使得器件在低频输入(如压力、低频声波)时的信号下 跌，影响器件的性能。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种MEMS压电芯片及MEMS器件，在保证芯片低频响应的同时，减小压电薄膜的残余应力，进一步提高压电芯片的灵敏度。
为达到上述目的，本发明的技术方案如下：
一种MEMS压电芯片，包括由下到上依次设置的衬底、绝缘层和压电薄膜，所述衬底上 开设腔体，所述压电薄膜包括位于中心的活动部和与所述活动部一体成型的位于活动部外周 的连接部；所述连接部的外侧固定在所述绝缘层上，所述连接部的内侧悬设于所述衬底上， 所述活动部悬设于所述腔体上；所述连接部设有多个沿上下向贯穿的弯曲状的孔隙，使连接 部形成多个弯曲状的悬臂梁。
上述方案中，所述活动部的形状为圆形，多个所述悬臂梁均匀分布在所述活动部的外周， 所述悬臂梁的两侧与所述活动部在连接顶点处的夹角度数相同。
上述方案中，所述绝缘层呈连续的环状结构，所述环状结构的内周为圆形，所述悬臂梁 的两侧与所述绝缘层的内周在连接顶点处的夹角度数相同。
进一步的技术方案中，所述悬臂梁的中部至少具有一个转角，所述转角为圆角或棱角。
上述方案中，所述压电薄膜自下向上依次包括下电极层、压电层及上电极层。
上述方案中，所述下电极层和上电极层的材料为铝、钼、钛中的一种，所述压电层的材 料为AlN、ZnO、PZT中的一种。
上述方案中，所述衬底采用半导体衬底，选自硅衬底、锗衬底、SOI衬底、GeOI衬底、碳化硅衬底中的一种。
上述方案中，所述腔体由所述衬底的下表面凹至所述衬底的上表面形成，所述腔体贯穿 所述衬底；或所述腔体由所述衬底的上表面凹入一定深度形成，所述腔体不贯穿所述衬底。
一种MEMS器件，包含上述的MEMS压电芯片。
进一步的技术方案中，所述MEMS器件包括压电式压力传感器或压电麦克风。
通过上述技术方案，本发明提供的一种MEMS压电芯片及MEMS器件，具有如下有效效果：
1.本发明通过在压电薄膜的连接部设置若干弯曲状的孔隙，有利于释放压电薄膜的残余 应力，减少压电薄膜的翘曲或形变，提高压电芯片的可靠性。
2.弯曲状的孔隙将压电薄膜的连接部分割成多个弯曲状的悬臂梁结构，一方面，弯曲状 的悬臂梁结构可在振动时进行伸缩，有利于增大压电薄膜上下的位移量；另一方面，多个悬 臂梁结构可进行串联，可将单个压电薄膜的输出信号进行叠加，因此，本发明的技术方案可 大大提高灵敏度。
3.由于孔隙设置在衬底的上方，气流或者声压无法直接从孔隙通过，而必须经过压电薄 膜与衬底之间的间隙，从而增加了气流或者声压通过孔隙的阻尼，有利于改善MEMS压电芯 片的低频下跌问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术 描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为现有技术中MEMS压电芯片的剖面结构示意图；
图2为现有技术中MEMS压电芯片的压电薄膜的平面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的MEMS压电芯片的平面结构示意图；
图4为图3中A-A剖面示意图；
图5为本发明另一实施例提供的MEMS压电芯片的剖面示意图；
图6为图3中的B部分放大示意图；
图7为本发明实施例提供的转角为圆角的压电薄膜的平面结构示意图；
图8为本发明实施例提供的转角为棱角的压电薄膜的平面结构示意图。
图中，10、衬底；101、腔体；20、绝缘层；30、压电薄膜；301、下电极层；302、压电 层；303、上电极；304、连接部；305、活动部；40、孔隙。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描 述。
需要说明的是，本发明实施例中方向性指示(诸如上、下、左、右……)仅用于解释在 某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则 该方向性指示也相应地随之改变。
本发明提供一种MEMS压电芯片，如图3-图7所示，包括由下到上依次设置的衬底10、 绝缘层20和压电薄膜30，衬底10上开设腔体101，压电薄膜30包括位于中心的活动部305 和与活动部305一体成型的位于活动部305外周的连接部304；连接部304的外侧固定在绝 缘层20上，连接部304的内侧悬设于衬底10上，活动部305悬设于腔体101上。
连接部304设有多个沿上下向贯穿的弯曲状的孔隙40，使连接部304形成弯曲状的悬臂 梁。在本发明的实施例中，孔隙40的数量为24个，相应地，连接部304的悬臂梁结构的数 量也为24个。图3中孔隙宽度仅为示意图，实际宽度可根据MEMS工艺和应用需求进行调整。
具体地，活动部305的形状为圆形，多个悬臂梁均匀分布在活动部的外周，悬臂梁的两 侧与活动部305在连接顶点处的弦切角度相同，即图6中的E和F两个角度相同，可以避免 应力分布不均匀而造成压电薄膜30的疲劳破坏，并保证压电薄膜30的振动为上下垂直振动。
具体地，绝缘层20呈连续的环状结构，环状结构的内周为圆形，悬臂梁的两侧与绝缘层 20的内周的连接顶点处的弦切角度相同，即图6中的G和H两个角度相同，可以避免应力 分布不均匀而造成压电薄膜30的疲劳破坏，并保证压电薄膜30的振动为上下垂直振动。绝 缘层20的材料为氧化硅或氮化硅。
具体地，悬臂梁的中部至少具有一个转角，该转角可以是如图7所示的圆角，也可以是 如图8所示的棱角。
具体地，压电薄膜30自下向上依次包括下电极层301、压电层302及上电极层303。
具体地，下电极层301、上电极层303的材料包括但不限于铝、钼、钛的一种，压电层302的材料包括但不限于AlN、ZnO、PZT的一种；在本发明的实施例中，下电极层301和上 电极层302的材料均为钼，压电层302的材料为AlN。
具体地，衬底10采用常见的半导体衬底，包括但不限于硅衬底、锗衬底、SOI衬底、GeOI 衬底、碳化硅衬底的一种；在本发明的实施例中，衬底10采用单晶硅衬底。
具体地，腔体101贯穿或不贯穿衬底10；在本发明的一实施例中，如图4所示，腔体101 由衬底101的下表面凹至衬底101的上表面形成，此时，腔体101贯穿衬底10；在本发明的 另一实施例中，如图5所示，腔体101由衬底10的上表面凹入一定深度形成，此时，腔体101不贯穿衬底10。
需要说明的是，本发明通过在压电薄膜的连接部设置若干弯曲状的孔隙，有利于释放薄 膜的残余应力，减少薄膜的翘曲或形变，提高芯片的可靠性。
需要说明的是，本发明设置的弯曲状的孔隙可将压电薄膜的连接部分割成多个弯曲状的 悬臂梁结构，从而大大提高芯片的灵敏度，其原因如下：一方面，弯曲状的悬臂梁结构可在 振动时进行伸缩，有利于增大压电薄膜的位移量；另一方面，多个悬臂梁结构可进行串联， 即可将单个压电薄膜的输出信号进行叠加，因此，本发明的技术方案可大大提高灵敏度。
需要说明的是，相对于现有方案，本发明的孔隙设置在衬底的上方，气流或者声压无法 直接从孔隙通过，而必须经过压电薄膜与衬底之间的间隙，从而增加了气流或者声压通过狭 缝的阻尼，有利于改善MEMS压电芯片的低频下跌问题。
本发明还提供一种MEMS器件，包括上述的MEMS压电芯片。该MEMS器件包括但不 限于压电式压力传感器、压电麦克风。由于MEMS器件采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些 实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理 可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被 限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的 范围。
Claims (10)
1.一种MEMS压电芯片，其特征在于，包括由下到上依次设置的衬底、绝缘层和压电薄膜，所述衬底上开设腔体，所述压电薄膜包括位于中心的活动部和与所述活动部一体成型的位于活动部外周的连接部；所述连接部的外侧固定在所述绝缘层上，所述连接部的内侧悬设于所述衬底上，所述活动部悬设于所述腔体上；所述连接部设有多个沿上下向贯穿的弯曲状的孔隙，使连接部形成多个弯曲状的悬臂梁。
2.根据权利要求1所述的一种MEMS压电芯片，其特征在于，所述活动部的形状为圆形，多个所述悬臂梁均匀分布在所述活动部的外周，所述悬臂梁的两侧与所述活动部在连接顶点处的夹角度数相同。
3.根据权利要求1所述的一种MEMS压电芯片，其特征在于，所述绝缘层呈连续的环状结构，所述环状结构的内周为圆形，所述悬臂梁的两侧与所述绝缘层的内周在连接顶点处的夹角度数相同。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种MEMS压电芯片，其特征在于，所述悬臂梁的中部至少具有一个转角，所述转角为圆角或棱角。
5.根据权利要求1所述的一种MEMS压电芯片，其特征在于，所述压电薄膜自下向上依次包括下电极层、压电层及上电极层。
6.根据权利要求1所述的一种MEMS压电芯片，其特征在于，所述下电极层和上电极层的材料为铝、钼、钛中的一种，所述压电层的材料为AlN、ZnO、PZT中的一种。
7.根据权利要求1所述的一种MEMS压电芯片，其特征在于，所述衬底采用半导体衬底，选自硅衬底、锗衬底、SOI衬底、GeOI衬底、碳化硅衬底中的一种。
8.根据权利要求1所述的一种MEMS压电芯片，其特征在于，所述腔体由所述衬底的下表面凹至所述衬底的上表面形成，所述腔体贯穿所述衬底；或所述腔体由所述衬底的上表面凹入一定深度形成，所述腔体不贯穿所述衬底。
9.一种MEMS器件，其特征在于，包含如权利要求1-8任一项所述的MEMS压电芯片。
10.根据权利要求9所述的一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括压电式压力传感器或压电麦克风。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110737583.6A CN113543000A (zh) | 2021-06-30 | 2021-06-30 | 一种mems压电芯片及mems器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110737583.6A CN113543000A (zh) | 2021-06-30 | 2021-06-30 | 一种mems压电芯片及mems器件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113543000A true CN113543000A (zh) | 2021-10-22 |
Family
ID=78126356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110737583.6A Pending CN113543000A (zh) | 2021-06-30 | 2021-06-30 | 一种mems压电芯片及mems器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113543000A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140084394A1 (en) * | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Micro electro mechanical system (mems) microphone and fabrication method thereof |
| JP2018170697A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 新日本無線株式会社 | 圧電素子 |
| WO2020136994A1 (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | 株式会社村田製作所 | 圧電トランスデューサ |
| CN212850998U (zh) * | 2020-09-27 | 2021-03-30 | 潍坊歌尔微电子有限公司 | 压电式麦克风芯片、麦克风及电子设备 |
-
2021
- 2021-06-30 CN CN202110737583.6A patent/CN113543000A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140084394A1 (en) * | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Micro electro mechanical system (mems) microphone and fabrication method thereof |
| JP2018170697A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 新日本無線株式会社 | 圧電素子 |
| WO2020136994A1 (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | 株式会社村田製作所 | 圧電トランスデューサ |
| CN212850998U (zh) * | 2020-09-27 | 2021-03-30 | 潍坊歌尔微电子有限公司 | 压电式麦克风芯片、麦克风及电子设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2023029908A (ja) | マイクロメカニカル音響変換器 | |
| US10433068B2 (en) | MEMS acoustic transducer with combfingered electrodes and corresponding manufacturing process | |
| US10322481B2 (en) | Support structure and method of forming a support structure | |
| WO2019033854A1 (zh) | 具有双振膜的差分电容式麦克风 | |
| CN109803217B (zh) | 压电式麦克风 | |
| CN111294715B (zh) | 压电mems麦克风 | |
| CN111148000B (zh) | 一种mems麦克风及阵列结构 | |
| KR100685092B1 (ko) | Ｍｅｍｓ 공정을 이용한 마이크로폰 및 그 제조 방법 | |
| CN112261526B (zh) | Mems声传感器 | |
| US10085094B2 (en) | MEMS devices and processes | |
| CN112601169A (zh) | 一种宽频带高灵敏度谐振式压电mems麦克风 | |
| CN113365196A (zh) | Mems扬声器及mems扬声器制造方法 | |
| CN110113702B (zh) | 一种mems结构的制造方法 | |
| CN113526456A (zh) | 一种mems压电芯片及mems器件 | |
| CN209748811U (zh) | 一种mems结构 | |
| CN113543000A (zh) | 一种mems压电芯片及mems器件 | |
| EP3177038B1 (en) | Mems microphone | |
| CN216752082U (zh) | Mems麦克风芯片 | |
| CN114222231A (zh) | 基于固支梁结构的双晶压电式mems麦克风 | |
| CN113460949A (zh) | 一种mems压电芯片及mems器件 | |
| WO2022110349A1 (zh) | 一种压电式麦克风及其制作方法 | |
| US20190062146A1 (en) | Mems devices and processes | |
| JP2016144046A (ja) | 音響センサ | |
| WO2024140310A1 (zh) | 压电振膜、压电换能器及制备方法、发声装置和电子设备 | |
| CN213991016U (zh) | 压电式麦克风 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211022 |