CN113540788B - 一种电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种电子设备，涉及显示技术领域，用于在改善天线效率的同时，简化终端的装配过程问题。该电子设备包括主板、金属边框、显示模组以及屏蔽结构。主板包括射频电路。金属边框与射频电路相耦接，且用于接收或发送射频信号。屏蔽结构位于显示模组内或者显示模组靠近所述主板的一侧，且与显示模组相连接。屏蔽结构包括金属屏蔽层，该金属屏蔽层与金属边框和射频电路绝缘，该金属屏蔽层在金属边框与显示模组之间可以产生反射，削弱金属边框辐射的能量在显示模组中产生的场强值，达到屏蔽金属边框辐射至显示模组的能量，以降低显示模组内部有耗材料对天线辐射能量的吸收，达到提升天线效率的目的。

Description

一种电子设备

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种电子设备。

背景技术

终端产品在小型化、轻薄化、高屏占比的发展趋势下，其内部架构空间紧张，从而使得天线的净空区域不断被压缩，导致天线效率很难提高。目前为了提高天线效率，可以设置连接于天线端部的屏蔽结构。然而，这样会影响到产品的主架构，增加产品设计的复杂度。此外具有上述结构的天线，其使用区域或空间自由度有限，装配过程也更加复杂。

发明内容

本申请实施例提供一种电子设备，用于在改善天线效率的同时，简化终端的装配过程问题。

为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：

本申请实施例的第一方面，提供一种电子设备。该电子设备包括主板、金属边框、显示模组以及屏蔽结构。显示模组用于显示图像。主板包括射频电路。金属边框与射频电路相耦接，用于接收或发送射频信号。显示模组设置于金属边框内，被金属边框环绕。屏蔽结构位于显示模组内或者显示模组靠近主板的一侧，且与显示模组相连接。该屏蔽结构包括金属屏蔽层。金属屏蔽层与金属边框和射频电路绝缘，该金属屏蔽层为环形。在此情况下，屏蔽结构中的金属屏蔽层可以在金属边框与显示模组之间可以产生反射，从而削弱金属边框辐射的能量在显示模组中产生的场强值。使得显示模组中的金属材料，特别是透明金属材料上集中的场分布有所减弱，从而减小该透明金属材料上的电流，达到屏蔽金属边框辐射至显示模组的能量，以降低显示模组内部有耗材料对天线辐射能量的吸收，达到提升天线效率的目的。此外，由于上述金属屏蔽层为环形，因此当金属屏蔽层设置于显示模组靠近主板的一侧时，位于该金属屏蔽层远离显示模组一侧的通讯电路，例如进场通讯电路，可以穿过上述环形中的开孔部分进行收发信号。此外，当金属屏蔽层位于显示模组内，例如设置于该显示模组中显示屏的出光侧时，上述环形的开孔部分可以用于露出显示屏的有效显示区，从而减小对显示效果的影响。

可选的，金属屏蔽层包括由多条交叉的金属线构成的网格结构。该网格结构中相邻两条金属线之间具有间隙，从而可以增加金属屏蔽层中镂空部分的面积，进而增加金属屏蔽层的透过率。

可选的，金属线的线宽为0.1μm～20μm之间；相邻两条金属线的间距为0.1μm～500μm之间；金属线具有方阻R；0＜R≤10欧姆/□。其中，“欧姆/□”为方阻的单位。在此情况下，可以采用metal mesh工艺制备上述金属屏蔽层，从而使得具有上述线宽和线间距的金属屏蔽层的透过率达到85％。此外，金属线的方阻在10欧姆/□以内，可以使得金属屏蔽具有良好的导电性能，有利于提高金属屏蔽层对金属边框辐射能量反射，以提升屏蔽效果。

可选的，金属屏蔽层环形部分的宽度H的范围为0mm＜H≤2mm。当金属屏蔽层H大于2mm时，该金属屏蔽层屏蔽效果的收益逐渐趋于水平。因此，为了节约材料，上述金属屏蔽层120未开孔部分的宽度H可以在0mm＜H≤2mm的范围内。

可选的，金属边框、金属屏蔽层以及显示模组均为圆环形。金属边框、金属屏蔽层以及显示模组的圆心重叠。或者，金属边框、金属屏蔽层以及显示模组均为矩形环。金属边框、金属屏蔽层以及显示模组的几何中心重叠。几何中心为矩形环两条对角线的交点。这样一来，可以有利于对金属边框、金属屏蔽层以及显示模组进行组装。

可选的，电子设备包括近场通讯电路。近场通讯电路、屏蔽结构均设置于显示模组靠近主板的一侧。屏蔽结构位于近场通讯电路与显示模组之间。近场通讯电路用于穿过金属屏蔽层的开孔部分，在显示模组一侧发送或接收近场通讯信号。这样一来，即可以通过屏蔽结构屏蔽显示模组中金属材料对天线能量的吸收，有可以使得进场通讯信号可以穿过屏蔽结构中的开孔部分，实现进场信号的接收和发送。

可选的，电子设备包括近场通讯电路。近场通讯电路、屏蔽结构均设置于显示模组靠近主板的一侧。近场通讯电路位于屏蔽结构与显示模组之间。近场通讯电路用于在显示模组一侧发送或接收近场通讯信号。通过将屏蔽结构设置于进场通讯电路的下方，可以避免其对进场通讯电路在显示屏一侧进行结构和发送通讯信号的影响。在此情况下，金属屏蔽层可以完全覆盖显示屏的背面，使得金属屏蔽层的覆盖范围足够大，提高屏蔽效果。

可选的，显示模组包括显示屏。屏蔽结构设置于显示屏的出光侧。金属屏蔽层开孔部分用于露出显示屏的有效显示区域。在此情况下，当显示屏为液晶显示屏，且该显示屏中的公共电极位于其对盒基板上时，设置于显示屏出光侧的屏蔽结构更靠近该公共电极。此外，当显示屏为有机发光二极管显示屏时，该有机发光二极管远离主板一侧的第一电极(例如阴极)更靠近上述屏蔽结构。由于上述公共电极和第一电极均可以采用透明金属材料制备，因此可以使得屏蔽结构距离上述透明金属材料较近，从而可以有效降低由透明金属材料对金属边框辐射能量的吸收，达到提升天线效率的目的。

可选的，屏蔽结构还包括第一透明载板。金属屏蔽层设置于第一透明载板靠近显示模组的一侧表面。第一透明载板与显示模组相连接，第一透明载板的厚度为23μm～150μm之间。当第一透明载板的厚度小于23μm，对制作工艺的精度要求较高，不利于降低生产成本。此外，当第一透明载板的厚度大于150μm时，会增加电子设备的整体厚度，不利于达到产品小型化，轻薄化的设计要求。

可选的，显示模组还包括设置于显示屏出光侧的触控屏。触控屏包括第二透明载板以及多个绝缘且透明的触控电极。触控电极位于第二透明载板远离显示屏的一侧表面。金属屏蔽层设置于触控屏与显示屏之间。第二透明载板与显示屏相连接。在此情况下，显示模组为外挂式触控显示模组。屏蔽结构中的金属屏蔽层与采用透明金属材料制备的触控电极的距离较近，从而可以有效降低由透明金属材料对金属边框辐射能量的吸收，达到提升天线效率的目的。

可选的，显示模组还包括多个绝缘且透明的触控电极。触控电极设置于显示屏远离主板的一侧表面。屏蔽结构还包括第一透明载板。金属屏蔽层设置于第一透明载板远离显示屏的一侧表面。第一透明载板与显示屏相连接。在此情况下，显示模组为外挂式触控显示模组。屏蔽结构中的金属屏蔽层与采用透明金属材料制备的触控电极的距离较近，从而可以有效降低由透明金属材料对金属边框辐射能量的吸收，达到提升天线效率的目的。

可选的，显示屏包括多个绝缘且透明的触控电极。屏蔽结构还包括第一透明载板。金属屏蔽层设置于第一透明载板靠近显示屏的一侧表面。第一透明载板与显示屏相连接。在此情况下，显示模组为内嵌式触控显示模组。屏蔽结构中的金属屏蔽层与采用透明金属材料制备的触控电极的距离较近，从而可以有效降低由透明金属材料对金属边框辐射能量的吸收，达到提升天线效率的目的。

可选的，构成金属屏蔽层的材料包括银、铜中的至少一种。这样一来，可以使得金属屏蔽层的材料具有良好的导电性能，增强金属屏蔽层对金属边框辐射能量进行反射的效果，以提升屏蔽效果。

可选的，金属屏蔽层与主板上的接地端相耦接。这样一来，也可以达到屏蔽的效果。

可选的，屏蔽结构用于屏蔽金属边框辐射至显示模组的能量，从而削弱金属边框辐射的能量在显示模组中产生的场强值。使得显示模组中的金属材料，特别是透明金属材料上集中的场分布有所减弱，从而减小该透明金属材料上的电流，达到屏蔽金属边框辐射至显示模组的能量，以降低显示模组内部有耗材料对天线辐射能量的吸收，达到提升天线效率的目的。

可选的，屏蔽结构设置于金属边框内，且被金属边框环绕。这样一来，可以将屏蔽结构与显示模组相贴合，使得金属边框能够对显示模组和屏蔽结构均进行包裹。

本申请实施例的第二方面，提供一种电子设备。该电子设备包括显示面膜组、主板、金属边框以及屏蔽结构。其中，显示模组用于显示图像。主板包括射频电路。金属边框环绕显示模组设置，且与射频电路相耦接，用于接收或发送射频信号。屏蔽结构位于显示模组内或者显示模组靠近主板的一侧，且与显示模组相连接。屏蔽结构包括金属屏蔽层。金属屏蔽层与金属边框和射频电路绝缘。金属屏蔽层包括由多条交叉的金属线构成的网格结构。金属屏蔽层的屏蔽效果同上所述，此处不再赘述。此外，将金属屏蔽层设置成金属网格状时，当金属屏蔽层设置于显示模组靠近主板的一侧时，位于该金属屏蔽层远离显示模组一侧的通讯电路，例如进场通讯电路，可以穿过上述网格结构的间隙(或开孔)部分进行收发信号。此外，当金属屏蔽层位于显示模组内，例如设置于该显示模组中显示屏的出光侧时，上述网格结构的间隙部分(或开孔)可以用于露出显示屏的有效显示区，从而减小对显示效果的影响。

可选的，金属线的线宽为0.1μm～20μm之间；相邻两条金属线的间距为0.1μm～500μm之间；金属线具有方阻R；0＜R≤10欧姆/□。在此情况下，金属屏蔽层的透过率达到85％。

可选的，电子设备包括近场通讯电路。近场通讯电路、屏蔽结构均设置于显示模组靠近主板的一侧。屏蔽结构位于近场通讯电路与显示模组之间。近场通讯电路用于穿过网格结构开孔部分，在显示模组一侧发送或接收近场通讯信号。将屏蔽结构设置于近场通讯电路与显示模组之间的技术效果同上所述，此处不再赘述。

可选的，电子设备包括近场通讯电路；近场通讯电路、屏蔽结构均设置于显示模组靠近主板的一侧。近场通讯电路位于屏蔽结构与显示模组之间；近场通讯电路用于在显示模组一侧发送或接收近场通讯信号。将近场通讯电路位于屏蔽结构与显示模组之间的技术效果同上所述，此处不再赘述。

可选的，显示模组包括显示屏。屏蔽结构设置于显示屏的出光侧。屏蔽结构设置于显示屏的出光侧的技术效果同上所述，此处不再赘述。

本申请实施例的第三方面，提供一种电子设备。该电子设备包括：显示模组、主板、金属边框以及屏蔽结构。显示模组用于显示图像。主板包括射频电路。环绕显示模组的金属边框，与射频电路相耦接，用于接收或发送射频信号。屏蔽结构位于显示模组靠近主板的一侧，且与显示模组相连接。屏蔽结构包括金属屏蔽层。金属屏蔽层与金属边框和射频电路绝缘。金属屏蔽层覆盖显示模组靠近主板的一侧。金属屏蔽层的屏蔽效果同上所述，此处不再赘述。此外，金属屏蔽层覆盖显示模组靠近主板的一侧，使得金属屏蔽层可以完全覆盖显示屏的背面，使得金属屏蔽层的覆盖范围足够大，提高屏蔽效果。

可选的，电子设备包括近场通讯电路。近场通讯电路、屏蔽结构均设置于显示模组靠近主板的一侧。近场通讯电路位于屏蔽结构与显示模组之间。近场通讯电路用于在显示模组一侧发送或接收近场通讯信号。近场通讯电路位于屏蔽结构与显示模组之间的技术效果同上所述，此处不再赘述。

附图说明

图1a为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图；

图1b为本申请实施例提供的另一种电子设备的结构示意图；

图1c为图1a或图1b中沿E-E进行剖切得到的剖视图；

图2a为图1c中显示模组的一种结构示意图；

图2b为图1c中显示模组的另一种结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种天线频率与有耗材料吸收天线的能量的曲线示意图；

图4a为本申请实施例提供的一种显示屏的结构示意图；

图4b为本申请实施例提供的一种显示屏内部结构示意图；

图5为本申请实施例提供的另一种显示屏的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的屏蔽结构的一种设置方式示意图；

图7a为本申请实施例提供的一种电子设备的截面结构示意图；

图7b为本申请实施例提供的另一种电子设备的结构示意图；

图7c为本申请实施例提供的另一种电子设备的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的屏蔽结构的另一种设置方式示意图；

图9a为本申请实施例提供的另一种电子设备的结构示意图；

图9b为本申请实施例提供的屏蔽结构的一种设置方式示意图；

图10a为本申请实施例提供的一种天线频率与有耗材料吸收天线的能量曲线示意图；

图10b为本申请实施例提供的一种天线频率与S参数曲线示意图；

图11为本申请实施例提供的电子设备的一种电场分布示意图；

图12为本申请实施例提供的电子设备的一种电流分布示意图；

图13为本申请实施例提供的另一种天线频率与有耗材料吸收天线的能量的曲线示意图；

图14为本申请实施例提供的屏蔽结构的另一种设置方式示意图；

图15a为本申请实施例提供的屏蔽结构的一种结构示意图；

图15b为本申请实施例提供的屏蔽结构的另一种结构示意图；

图15c为本申请实施例提供的屏蔽结构的另一种结构示意图；

图16为本申请实施例提供的另一种电子设备的截面结构示意图；

图17a为图16中屏蔽结构的一种结构示意图；

图17b为图16中屏蔽结构的另一种结构示意图；

图17c为图16中屏蔽结构的另一种结构示意图；

图18为本申请实施例提供的另一种电子设备的截面结构示意图；

图19为本申请实施例提供的另一种电子设备的截面结构示意图。

附图标记：

01-电子设备；10-显示模组；20-金属边框；11-导通部件；12-屏蔽结构；30-主板；101-显示屏；102-BLU；200-阵列基板；201-对盒基板；202-液晶层；212-液晶分子；31-像素电极；32-公共电极；41-第一衬底；100-亚像素；33-OLED器件；331-第一电极；332-第二电极；333-发光功能层；34-封装盖板；120-金属屏蔽层；121-第一透明载板；122-金属线；50-镂空结构；103-NFC；105-盖板；104-触控屏；114-第二透明载板；124-触控电极。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。

以下，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

此外，本申请中，“上”、“下”、“左”、“右”等方位术语可以包括但不限于相对附图中的部件示意置放的方位来定义的，应当理解到，这些方向性术语可以是相对的概念，它们用于相对于的描述和澄清，其可以根据附图中部件附图所放置的方位的变化而相应地发生变化。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。此外，术语“耦接”可以是实现信号传输的电性连接的方式。“耦接”可以是直接的电性连接，也可以通过中间媒介间接电性连接。

本申请实施例提供一种的电子设备。该电子设备可以包括手机、平板电脑、智能手表等能够进行手持通话和显示的电子产品。本申请实施例对上述电子设备的具体形式不做特殊限制。以下为了方便说明，是以电子设备01为如图1a所示的智能手表或如图1b所示的手机为例进行的说明。

电子设备01如图1a或图1b所示可以包括显示模组10和金属边框20。显示模组10用于显示图像。金属边框20环绕显示模组10的一周设置，可以使得显示模组10设置于金属边框20内。此外，电子设备01还包括如图1c(沿图1a或图1b中E-E进行剖切得到的剖视图)所示的主板30。该主板30可以为硬质的印刷电路板(printed circuit board，PCB)或者柔性印刷电路板(flexible printed circuit board，FPCB)。主板30上设置有射频(radiofrequency，RF)电路。

金属边框20可以通过如图1c所示的导通部件11，例如螺钉或者弹片与主板30上的RF电路相耦接。从而通过螺钉或者弹片向金属边框20直接进行馈电使得该金属边框20能够作为天线接收或发送射频信号。或者，金属边框20与导通部件11之间可以形成电容，从而可以通过该电容向金属边框20进行间接耦合馈电。本申请对金属边框20的馈电方式不做限定。

此外，上述导通部件11与主板30上RF电路电连接的位置可以称为电路板的馈入点。导通部件11所耦接的电路板馈入点不同以及接地点的设置位置不同，通过该导通部件11向金属边框20馈电后，该金属边框20作为天线的工作频率可以不同。

示例的，金属边框20可以作为蓝牙天线，其工作频率为2.4GHz、无线保真(wireless-fidelity，Wi-Fi)天线，其工作频率为2.4GHz或5GHz、全球定位系统(globalpositioning system，GPS)天线，其工作频率可以为1228MHZ，或者通信天线，例如第四代通信技术(4G)信号。从而可以使得金属边框20作为天线可以覆盖低频(例如700MHz～960MHz左右)、中高频(例如1710MHz～2690MHz)等频段。此外，金属边框20还可以作为第五代通信技术(5G)的通信天线，其工作频率可以为450MHz～6GHz，或者，24GHz～52GHz。本申请对金属边框20各个部分作为天线的工作频率不做限定。

此外，位于金属边框20内的上述显示模组10，可以包括显示屏(display panel，DP)。在本申请的一些实施例中，如图2a所示，上述显示屏101可以为液晶显示(liquidcrystal display，LCD)屏。在此情况下，如图2a所示，上述显示模组10还包括用于向该LCD提供光源的背光模组(back light unit，BLU)102。LCD屏可以为硬性显示屏。

或者，在本申请的另一些实施例中，如图2b所示，上述显示屏101可以为有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示屏。该OLED显示屏能够实现自发光，因此显示模组10中无需设置上述BLU102。OLED显示屏可以为硬性显示屏，或者当该OLED显示屏的衬底为柔性衬底时，上述OLED显示屏可以为柔性显示屏。

在此基础上，为了提高金属边框20的天线效率，本申请实施例提供的电子设备01还包括如图1c所示的屏蔽结构12。该屏蔽结构12可以设置于金属边框20内，与金属边框20绝缘，且与上述显示模组10相连接。该屏蔽结构12用于屏蔽金属边框20辐射至显示模组10的能量。

上述显示模组10中，特别是该显示模组10的显示屏101内具有一些金属材料会对金属边框20辐射的能量进行吸收，从而会降低金属边框20的天线效率，上述金属材料可以称为有耗材料。如图3(有耗材料吸收天线的能量与天线工作频率的曲线分布图)所示，在2～2.8GHz的频率范围内，显示模组10中由金属材料(曲线①)吸收天线辐射的能量可以达到0.15瓦(W)左右。然而，上述金属材料中由透明金属材料(曲线②)，例如氧化银锡(indiumtin oxide，ITO)吸收天线辐射的能量最高可以达到0.04瓦(W)左右。所以透明金属材料对金属边框20(即天线)辐射能量的吸收，在整个金属材料对天线辐射能量吸收中的占比较大。

在此情况下，通过在金属边框20内设置屏蔽结构12，该屏蔽结构12在金属边框20与显示模组10之间可以产生反射，从而削弱金属边框20辐射的能量在显示模组10中产生的场强值。使得上述透明金属材料上集中的场分布有所减弱，从而减小该透明金属材料上的电流，达到屏蔽金属边框20辐射至显示模组10的能量，以降低显示模组10内部有耗材料，例如上述ITO对金属边框20辐射能量的吸收，达到提升天线效率的目的。

以下对显示模组10中透明金属材料的设置方式进行举例说明。

例如，在本申请的一些实施例中，显示模组10包括上述LCD显示屏101和BLU20时，该LCD显示屏101可以包括如图4a所示的阵列基板200和与阵列基板200相对设置的对盒基板201。阵列基板200和对盒基板201之间具有空腔从而形成液晶盒(cell)。此外，上述LCD显示屏101还包括填充于阵列基板200和对盒基板201之间的液晶层202。其中，为了实现彩色显示，上述对盒基板201可以包括彩色滤光层(图中未示出)。此时，具有该彩色滤光层的对盒基板201可以称为彩膜基板。上述彩色滤光层可以将BLU20发出的白光，根据显示屏101中亚像素(sub pixel)位置的不同滤除不同的颜色，例如红光、绿光或者蓝光。

为了控制不同亚像素所在区域的液晶层202中液晶分子212的偏转方向，以控制亚像素的显示灰阶，上述阵列基板200可以包括如图4b所示的第一衬底41，以及位于该第一衬底41上的多个像素电路(图中未示出)。每个像素电路位于一个亚像素100内。该像素电路40可以包括一个晶体管T和与该晶体管T相耦接的液晶电容。

其中，液晶电容C1可以由图4b中位于各个亚像素100中的像素电极(pixelelectrode)31和覆盖整个第一衬底41的公共电极(common electrode)32构成。构成上述像素电极31和公共电极32的材料可以为透明金属材料，例如上述ITO。

需要说明的是，公共电极32可以与像素电极31均设置于阵列基板200的第一衬底41上。或者，像素电极31设置于阵列基板200的第一衬底41上，而公共电极32位于对盒基板201内。本申请对像素电极31和公共电极32的设置位置不做限定。

或者，又例如在本申请的另一些实施例中，显示模组10包括上述OLED显示屏101。如图5所示，该OLED显示屏101内设置有多个OLED器件33。该OLED发光器件33包括第一电极331(例如阴极)、第二电极332(例如阳极)以及位于第一电极331和第二电极332之间的发光功能层333。当向第一电极331和第二电极332施加电压后，第一电极331和第二电极332之间形成的电场可以激发发光功能层333中的发光层进行发光。

示例的，当上述OLED器件33为顶发光器件时，构成该第一电极331的材料可以为透明金属材料，例如ITO。从而使得OLED器件33可以向上(远离主板30)的方向进行发光。在本申请的一些实施例中，OLED显示屏中的各个OLED器件的第一电极331可以相连接称为一体结构的阴极层。

或者，又例如在本申请的另一些实施例中，当显示模组10具有触控功能时，该显示模组10还可以包括多个绝缘且透明的触控电极。构成该触控电极124的材料可以为上述透明金属材料，例如ITO。

需要说明的是，本申请对具有触控功能的显示模组10的类型不做限定。例如可以采用外挂(on cell)技术将上述触控电极制作于显示屏101的出光侧。或者，可以采用内嵌式(in cell)技术将上述触控电极集成于显示屏101内部。此外，上述触控电极实现触控的方式可以是自容式触控，也可以是互容式触控。

在此基础上，为了减小显示模组10中上述透明金属材料对金属边框20辐射至显示模组10的能量进行吸收，上述屏蔽结构12可以包括如图6所示的金属屏蔽层120，该金属屏蔽层120与上述金属边框20和射频电路绝缘。该金属屏蔽层120可以如图6所示设置于显示模组10下方(即靠近主板30的一侧)。或者也可以设置于显示模组10内。

此外，为了提高金属屏蔽层120对金属边框20辐射能量反射，以提升屏蔽效果。构成上述金属屏蔽层120的材料可以采用导电性能良好的金属材料，例如，银或者铜中的至少一种。

以下基于上述显示模组10的结构，对屏蔽结构12的结构以及设置方式进行举例说明。

示例一

本示例中，屏蔽结构12设置于显示模组10下方(即靠近主板30的一侧)。

在此情况下，可以将金属屏蔽层120直接粘贴于显示模组10的背面(即靠近主板30的一侧表面)。或者，如图7a所示，屏蔽结构12还可以包括用于承载金属屏蔽层120的第一透明载板121。该金属屏蔽层120靠近显示模组10设置。上述第一透明载板121可以与显示模组10的背面通过粘接压合的方式相连接，使得金属屏蔽层120可以悬浮于金属边框20中。在此情况下，由于显示模组10被金属边框20环绕，所以贴合于显示模组10下方的屏蔽结构12也可以设置于该金属边框20内，且被该金属边框环绕。

这样一来，可以使得金属屏蔽层120更容易安装于电子设备01内。并且，金属屏蔽层120所在的平面与显示模组10的显示面，以及主板30所在的平面平行或近似平行，从而使得金属屏蔽层120不会对电子设备01的主架构造成较大的影响，减小了产品设计和装配的复杂度。

此外，构成上述第一透明载板121的材料可以为树脂材料，例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate，PET)。本申请对第一透明载板121的厚度不做限定。示例的，该第一透明载板121的厚度可以在23μm～150μm之间。当第一透明载板121的厚度小于23μm，对制作工艺的精度要求较高，不利于降低生产成本。此外，当第一透明载板121的厚度大于150μm时，会增加电子设备01的整体厚度，不利于达到产品小型化，轻薄化的设计要求。在本申请的一些实施例中，上述第一透明载板121的厚度可以为23μm、30μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm、100μm或者150μm。

需要说明的是，上述显示模组10的背面是指，当显示模组10包括LCD显示屏101和BLU20时，上述显示模组10的背面是指BLU20靠近主板30的一侧表面。或者，当显示模组10包括OLED显示屏101时，该显示模组10的背面是指OLED显示屏101靠近主板30的一侧表面。

此外，上述电子设备01还可以包括如图7a所示的近场通讯电路(near fieldcommunication，NFC)103。该NFC103设置于显示模组10靠近主板30的一侧。并且上述屏蔽结构12位于NFC103与显示模组10之间。

在此基础上，为了使得NFC103能够在显示模组一侧发送或接收近场通讯信号，如图7a所示，该金属屏蔽层120上设置有至少一个镂空结构50(图7a以一个镂空结构50为例)。从而使得NFC103可以穿过金属屏蔽层120上的镂空结构50发送近场信号，或者外界的进场信号可以穿过金属屏蔽层120上的镂空结构50被NFC103接收。

以下对上述镂空结构50的设置方式进行举例说明。

在本申请的一些实施例中，如图7b所示，该金属屏蔽层120具有一个镂空结构50。该镂空结构50可以为开设于金属屏蔽层120上的开孔。在此情况下，该金属屏蔽层120可以为环形。在本申请的一些实施例中，为了使得金属屏蔽层120的外形与整个电子设备01的外形相匹配，上述金属屏蔽层120边界轮廓形状、开孔(即镂空结构50)形状可以与金属边框20边界轮廓形状相吻合。

例如，当电子设备01为如图7b所示的手表时，该手表的金属边框20边界轮廓为圆形，因此金属屏蔽层120边界轮廓形状、开孔(即镂空结构50)形状也为圆形，且金属屏蔽层120边界轮廓形状、开孔(即镂空结构50)形状与金属边框20边界轮廓为同心圆。在此情况下，显示模组10呈圆形，上述金属边框20以及金属屏蔽层120呈圆环状，该金属边框20、金属屏蔽层120以及显示模组10的圆心重叠。这样一来更容易对金属边框20、金属屏蔽层120以及显示模组10进行组装。或者，又例如，当电子设备01为如图7c所示的手机时，该手表的金属边框20边界轮廓为矩形，因此金属屏蔽层120边界轮廓形状、开孔(即镂空结构50)形状也为矩形。在此情况下，显示模组10呈矩形，上述金属边框20以及金属屏蔽层120呈矩形环状，该金属边框20、金属屏蔽层120以及显示模组10的几何中心重叠。该几何中心为上述矩形环两条对角线的交点。这样一来更容易对金属边框20、金属屏蔽层120以及显示模组10进行组装。

或者，有利于，在一些电子设备01中，金属边框20、金属屏蔽层120以及显示模组10中的一些可以为圆环，另一些可以为矩形环。在此情况下，金属边框20、金属屏蔽层120以及显示模组10的几何中心重叠。其中，几何中心是指圆环的圆心，或者矩形环两条对角线的交点。例如，金属边框20为矩形环，金属屏蔽层120以及显示模组10为圆环，此时金属边框20两条对角线的交点，可以与金属屏蔽层120以及显示模组10的圆心重叠。

当然，在本申请的另一些实施例中，金属屏蔽层120边界轮廓形状、开孔(即镂空结构50)形状可以与金属边框20边界轮廓形状不同。

上述金属屏蔽层120未开孔部分的宽度，即该金属屏蔽层120环形部分的宽度H(如图7b或7c所示)的范围可以为0mm＜H≤2mm。其中，当金属屏蔽层120环形部分的宽度H大于2mm时，该金属屏蔽层120屏蔽效果的收益逐渐趋于水平。因此，为了节约材料，上述金属屏蔽层120未开孔部分的宽度H可以为0.5mm、1.5mm或者2mm。

在此情况下，在制作上述屏蔽结构12时，可以在第一透明载板121上形成由银浆或铜箔等构成的金属薄膜层。然后，将该金属薄膜层中的部分材料去除，例如采用刻蚀方式去除，以形成上述镂空结构50。或者，在本申请的另一些实施例中，可以在上述第一透明载板121上，采用三维(three dimensional，3D)打印工艺形成环形的金属屏蔽层120。本申请对具有镂空结构50的金属屏蔽层120的制作方式不做限定，其他制作方式在此不再一一赘述。

在本申请的另一些实施例中，如图8所示，上述该金属屏蔽层120可以具有多个镂空结构50。在此情况下，金属屏蔽层120可以包括多条交叉的金属线122。每个镂空结构50可以为相邻的多条金属线122交叉界定而成的间隙。示例的，上述间隙的形状可以为矩形、三角形、多边形或者不规则形状等。

在此情况下，上述金属屏蔽层120可以由上述多条交叉的金属线122构成的为金属网格(metal mesh)结构。NFC103能够通过网状的金属屏蔽层120中相邻的多条金属线122交叉界定而成的间隙，即镂空结构50在显示模组一侧发送或接收近场通讯信号。在本申请的一些实施例中，可以采用metal mesh工艺可以制备线宽很细的金属线122，例如，金属线122的线宽为0.1μm～20μm之间。相邻两条金属线122的间距可以为0.1μm～500μm之间。此外，金属线122具有方阻R，0＜R≤10欧姆/□。

这样一来，由于金属线122的线宽很细，因此可以使得金属屏蔽层120的透过率达到85％。此外，metal mesh工艺(包括光刻工艺)可以控制金属线122的方阻在10欧姆/□以内，从而可以使得金属屏蔽层120具有良好的导电性能，有利于提高金属屏蔽层120对金属边框20辐射能量反射，以提升屏蔽效果。

在本申请的另一些实施例中，如图9a所示，上述该金属屏蔽层120可以具有多个镂空结构50。其中一个镂空结构50可以为开设于金属屏蔽层120上的开孔，使得该金属屏蔽层120为环形。以电子设备01为手表为例，上述开孔与金属边框20的轮廓形状相吻合，均为圆形。或者，如图9b所示，以电子设备01为手机为例，上述开孔与金属边框20的轮廓形状相吻合，均为矩形。

此外，金属屏蔽层120上环形部分采用metal mesh工艺形成金属网格结构，相邻的多条金属线122交叉界定而成的间隙可以作为上述镂空结构50。这样一来，金属屏蔽层120中能够遮挡NFC103近场信号的部分进一步减小，从而可以提高NFC103接收和发送的近场信号的效率。

在此情况下，当电子设备01例如手表采用图9a所示的金属屏蔽层120的结构时，金属边框20辐射天线信号时的天线效率如图10a中的曲线①所示。未设置上述金属屏蔽层120的手表其天线效率如图10a中的曲线②所示。可以看出，曲线①相对于曲线②而言，其天线频率有提升。示例的，在2.4GHz蓝牙频段附近具有金属屏蔽层120的手表，其天线效率得到了明显的提升(大概提升0.64dB)左右。

此外，当电子设备01例如手表采用图9a所示的金属屏蔽层120的结构时，金属边框20辐射天线信号时的S11曲线为图10b中的曲线①。未设置上述金属屏蔽层120的手表其的S11曲线为图10b中的曲线②。可以看出，曲线①相对于曲线②而言，在2.4GHz蓝牙频段附近反射系数的幅值有少许上移。

综上所述，电子设备01例如手表中设置有金属屏蔽层120时，金属边框20作为天线，其天线效率有所提升。其中，天线的效率与反射系数和显示模组10内部有耗材料对金属边框20辐射能量的吸收相关。当反射系数沿负向越大或者显示模组10内部有耗材料对金属边框20辐射能量的吸收越小时，天线效率越高。反之天线效率越低。然而，由图10b可知，设置有金属屏蔽层120的手表其反射系数(曲线①)，相对于未设置金属屏蔽层120的手表的反射系数(曲线②)变化不大。因此，本申请实施例提供的电子设备01中天线效率的提升，主要是因为显示模组10内部有耗材料对金属边框20辐射能量的吸收降低了。

由上述可知，金属屏蔽层120在金属边框20与显示模组10之间可以产生反射，以削弱金属边框20辐射的能量在显示模组10中产生的场强值。例如，未设置上述金属屏蔽层120的手表电场分布如图11中的(a)所示，设置有金属屏蔽层120的手表电场分布如图11中的(b)所示。可以看出，图11中的(b)金属边框20内的场强(白色部分)相对于图11中的(a)而言，有明显的减弱。

此外，未设置金属屏蔽层120的手表电流分布如图12中的(a)所示，设置有金属屏蔽层120的手表电流分布如图12中的(b)所示。可以看出，图12中的(b)金属边框20内的电流(白色部分)相对于图12中的(a)而言，有明显的减弱。因此上述金属屏蔽层120可以达到屏蔽金属边框20辐射至显示模组10的能量，以降低显示模组10内部有耗材料对金属边框20辐射能量的吸收，达到提升天线效率的目的。

在此情况下，如图13(有耗材料吸收天线的能量与天线工作频率的曲线分布图)所示，在2～2.8GHz的频率范围内，未设置金属屏蔽层120的显示模组10中由金属材料(曲线①)对金属边框20辐射能量的吸收峰值可以达到0.15瓦(W)左右。然而，设置了金属屏蔽层120的显示模组10中由金属材料(曲线③)对金属边框20辐射能量的吸收峰值降低至0.13瓦(W)左右。

此外，未设置金属屏蔽层120的显示模组10中，由透明金属材料(曲线②)，例如ITO对金属边框20辐射能量的吸收损耗峰值可以达到0.04瓦(W)左右。然而，设置了金属屏蔽层120的显示模组10中由透明金属材料(曲线④)对金属边框20辐射能量的吸收峰值降低至0.02瓦(W)左右。

由上述可知，透明金属材料对金属边框20辐射能量的吸收，在整个金属材料对金属边框20辐射能量的吸收中的占比较大。然而，当电子设备01中设置有上述金属屏蔽层120时，可以大幅降低由透明金属材料对金属边框20辐射能量的吸收，从而有效提高天线效率。

示例二

本示例中，与示例一相同，屏蔽结构12设置于显示模组10下方(即靠近主板30的一侧)。此外，上述显示模组10还可以包括如图14所示的NFC103。该NFC103设置于显示模组10靠近主板30的一侧。

与示例一不同之处在于，NFC103位于屏蔽结构12与显示模组10之间。由于该NFC103在显示模组一侧发送或接收近场通讯信号，而屏蔽结构12位于NFC103靠近主板30的一侧，因此屏蔽结构12不会对NFC103发送或接收的场通讯信号造成影响。

在本申请的一些实施例中，如图14所示，上述屏蔽结构12中的金属屏蔽层120可以为设置于第一透明载板121上的一整层薄膜层。该金属屏蔽层120位于第一透明载板121靠近NFC103的一侧表面。上述第一透明载板121可以通过粘贴压合的方式与NFC103的下表面(靠近主板30的表面)相连接。在此情况下，显示模组10在主板30上的垂直投影，位于金属屏蔽层120在主板30上垂直投影的范围内。

或者，在本申请的另一些实施例中，上述金属屏蔽层120如图15a所示可以为环状，例如矩形环、圆环。该金属屏蔽层120上开设有一个开孔，该开孔作为金属屏蔽层120的上述镂空结构50。在此情况下，金属屏蔽层120未开孔部分的宽度H同上所述其范围可以在0mm＜H≤2mm内。

又或者，在本申请的另一些实施例中，上述金属屏蔽层120如图15b所示，可以为金属网格。又或者，上述金属屏蔽层120如图15c所示，可以为中心具有开孔的矩形环状的金属网格。在此情况下，该金属屏蔽层120中金属线122的线宽，相邻两条金属线122的间距以及该金属线122的方阻R的设计同上所述此处不再赘述。

需要说明的是，上述示例一、示例二中，对显示模组10中的显示屏101的类型和结构不做限定。示例的，该显示屏101可以为LCD显示屏，或者为OLED显示屏。此外，上述显示模组10还有为on cell触控显示模组，或者in cell触控显示模组。

此外，上述示例一、示例二均是以屏蔽结构12设置于显示模组10下方(即靠近主板30的一侧)为例进行的说明。基于此，当显示屏101为LCD显示屏时，由上述可知，该LCD显示屏中靠近主板30一侧的阵列基板200内设置有采用透明金属材料，例如ITO制成的像素电极31，或者，像素电极31和公共电极32(如图4b所示)。在此情况下，当将屏蔽结构12设置于显示模组10下方时，该屏蔽结构12中的金属屏蔽层120能够更靠近显示屏101中的透明金属材料(即上述像素电极31、公共电极32)，从而更有利于降低由透明金属材料对金属边框20辐射的能量进行吸收，达到提升天线效率的目的。

在本申请的以下实施例中，在显示模组10包括显示屏101的情况下，上述屏蔽结构12可以设置于显示屏101的出光侧(即用于显示画面的一侧)。

示例三

本示例中，屏蔽结构12可以设置于显示屏101的出光侧。在此情况下，为了使得屏蔽结构12不会对显示屏101的显示画面造成影响，该屏蔽结构12的金属屏蔽层120可以为上述环形，该环形中间的开孔用于露出显示屏101的有效显示区域(active area，AA)，或者，金属屏蔽层120还可以为上述透过率可以达到85％的金属网格结构。

此外，上述显示模组10可以为on cell触控显示模组。在此情况下该显示模组10还包括如图16所示的设置于显示屏101出光侧的触控屏104。该触控屏104包括第二透明载板114以及多个绝缘且透明的触控电极124。其中，触控电极124位于第二透明载板114远离显示屏101的一侧表面。构成第一彩板114的材料可以为透明树脂材料或者玻璃。

基于此，屏蔽结构12中的金属屏蔽层120可以设置于触控屏104与显示屏101之间。第二透明载板114与显示屏101相连接。在此情况下，屏蔽结构12可以仅包括金属屏蔽层120。在制作过程中，可以将金属屏蔽层120制作于显示屏101出光侧的表面上。或者，可以将金属屏蔽层120制作于第二透明载板114靠近显示屏101的表面上。

需要说明的是，本申请实施例中，显示屏101出光侧的表面是指，当显示屏101为LCD显示屏时，该显示屏101出光侧的表面是指该显示屏101中对盒基板201(如图4a所示)中远离主板30的一侧表面。或者，当显示屏101为OLED显示屏时，该显示屏101出光侧的表面是指该显示屏101中封装盖板34(如图5所示)或者封装薄膜远离主板30的一侧表面。

在此基础上，由于触控电极124位于第二透明载板114远离显示屏101的一侧表面，为了对触控电极124进行保护，该显示模组10还可以包括覆盖触控电极124上方的盖板105。构成该盖板105的材料可以为玻璃或者蓝宝石。

此外，为了使得位于显示屏101出光侧的金属屏蔽层120不会对显示效果造成影响。在本申请的一些实施例中，如图17a所示，该金属屏蔽层120可以为环状，例如矩形环或圆环。该金属屏蔽层120中心位置的开设有较大的开孔。该开孔能够露出显示屏101的AA区，该金属屏蔽层120的环形部分周边的区域只对显示屏101周边的驱动电路部分进行遮挡。

或者，在本申请的另一些实施例中，金属屏蔽层120如图17b所示，可以为金属网格。又或者，上述金属屏蔽层120如图17c所示，可以为中心具有开孔的矩形环状的金属网格。由上述可知，采用metal mesh工艺可以制备上述金属网格时，该金属网格中的金属线122的线宽为0.1μm～20μm之间。相邻两条金属线122的间距可以为0.1μm～500μm之间。在此情况下，人眼无法识别到上述金属线122，从而可以使得网格状的金属屏蔽层120在人眼的视觉上处于透明的状态。此时，上述金属屏蔽层120的透光率可以达到85％，从而对显示屏101的显示效果不会造成很大的影响。

示例四

本示例与示例三相同，屏蔽结构12设置于显示屏101的出光侧，且该屏蔽结构12的金属屏蔽层120可以为上述环形，该环形中间的开孔用于露出显示屏101的AA区，或者，金属屏蔽层120还可以为上述透过率可以达到85％的金属网格结构。此外，上述显示模组10为oncell触控显示模组。

与示例三的不同之处在于，上述显示模组10还包括如图18所示的多个绝缘且透明的触控电极124。该触控电极124设置于显示屏101远离主板30的一侧表面。

在此情况下，屏蔽结构12可以包括金属屏蔽层120和第一透明载板121。金属屏蔽层120设置于第一透明载板121远离显示屏101的一侧表面。第一透明载板121可以通过粘贴压合的方式与显示屏101的出光侧的表面相连接。此外，为了对金属屏蔽层120进行保护，该显示模组10还可以包括覆盖触控电极124上方的盖板105。金属屏蔽层120、盖板105的设置方式与示例三相同，此处不再赘述。

综上所述，示例三和示例四均是以显示模组10为on cell触控显示模组为例进行的说明。金属屏蔽层120靠近触控电极124设置。由上述可知，构成触控电极124的材料可以为透明金属材料，例如ITO。因此，当将金属屏蔽层120靠近触控电极124设置时，金属屏蔽层120能够更有利于降低由透明金属材料对金属边框20辐射的能量进行吸收导致，达到提升天线效率的。

此外，示例三和示例四中，对显示模组10中的显示屏101的类型和结构不做限定。示例的，该显示屏101可以为LCD显示屏，或者为OLED显示屏。基于此，当显示屏101为OLED显示屏时，由上述可知，如图5所示，多个OLED器件中，采用透明金属材料构成的第一电极331位于上方(即靠近显示屏的出光侧)。所以当将屏蔽结构12设置于显示屏101的出光侧，例如位于上述触控电极124与显示屏101之间(示例三)，或者位于触控电极124上方(示例四)，均可以使得屏蔽结构12中的金属屏蔽层120更靠近显示模组10中的透明金属材料(即上述触控电极124、第一电极331)。从而更有利于降低由透明金属材料对金属边框20辐射的能量进行吸收，达到提升天线效率的。

在本申请的以下实施例中，显示模组10为in cell触控显示模组。

示例五

本示例中，屏蔽结构12可以设置于显示屏101的出光侧，且该屏蔽结构12的金属屏蔽层120可以为上述环形，该环形中间的开孔用于露出显示屏101的AA区，或者，金属屏蔽层120还可以为上述透过率可以达到85％的金属网格结构。此外，上述显示模组10可以为incell触控显示模组。

在此情况下，显示屏101可以包括如图19所示的多个绝缘且透明的触控电极124。屏蔽结构12可以包括金属屏蔽层120和第一透明载板121。金属屏蔽层120设置于第一透明载板121靠近显示屏101的一侧表面。该第一透明载板121可以通过粘接压合的方式与显示屏101相连接。金属屏蔽层120的设置方式与示例三相同，此处不再赘述。在此情况下，第一透明载板121可以作为电子设备01的盖板用于与用户的手指接触。

需要说明的是，显示屏101可以包括多个绝缘且透明的触控电极124是指，将触控电极124集成于该显示屏101内。示例的，当显示屏101为LCD显示屏，且该显示屏101中的公共电极32(如图4b所示)制作与对盒基板201(如图4a)中时，可以将上述多个公共电极32制作成多个块状的，且间隔设置的块状电极。在此情况下，当触控时，每个块状电极作为上述触控电极124。当显示时，多个块状电极接收相同的电压复用为上述公共电极32。或者，又示例的，当显示屏101为OLED显示屏时，可以将OLED器件的第一电极331在触控时，复用为触控电极。

上述是以显示模组10包括触控电极124为例，对屏蔽结构12的设置方式进行的举例说明。此外，当显示模组10不具备触控功能时，屏蔽结构12中的金属屏蔽层120可以直接设置于显示屏101的出光侧表面。

此外，上述均是以金属屏蔽层120悬浮于与金属边框20内为例进行的说明。在本申请的另一些实施例中，还可以将金属屏蔽层120与主板30上的接地端相耦接，也可以达到屏蔽的效果。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何在本申请揭露的技术范围内的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种电子设备，其特征在于，包括：

显示模组，用于显示图像；

主板，包括射频电路；

环绕所述显示模组的金属边框，与所述射频电路相耦接，用于接收或发送射频信号；

屏蔽结构，位于所述显示模组靠近所述主板的一侧，且与所述显示模组相连接；所述屏蔽结构包括金属屏蔽层；所述金属屏蔽层与所述金属边框和所述射频电路绝缘；所述金属屏蔽层为环形；

所述电子设备包括近场通讯电路；所述近场通讯电路、所述屏蔽结构均设置于所述显示模组靠近所述主板的一侧；

所述屏蔽结构位于所述近场通讯电路与所述显示模组之间；所述近场通讯电路用于穿过所述金属屏蔽层开孔部分，在所述显示模组一侧发送或接收近场通讯信号。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述金属屏蔽层包括由多条交叉的金属线构成的网格结构。

3.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，

所述金属线的线宽为0.1μm～20μm之间；相邻两条所述金属线的间距为0.1μm～500μm之间；所述金属线具有方阻R；0＜R≤10欧姆/□。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述金属屏蔽层环形部分的宽度H的范围为0mm＜H≤2mm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的电子设备，其特征在于，

所述显示模组为圆形，所述金属边框以及所述金属屏蔽层均为圆环形；所述金属边框、所述金属屏蔽层以及所述显示模组的圆心重叠；

或者，

所述显示模组为矩形，所述金属边框以及所述金属屏蔽层均为矩形环；所述金属边框、所述金属屏蔽层以及所述显示模组的几何中心重叠；所述几何中心为所述矩形环两条对角线的交点。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述屏蔽结构还包括第一透明载板；所述金属屏蔽层设置于所述第一透明载板靠近所述显示模组的一侧表面；

所述第一透明载板与所述显示模组相连接；所述第一透明载板的厚度为23μm～150μm之间。

7.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，构成所述金属屏蔽层的材料包括银、铜中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述金属屏蔽层与主板上的接地端相耦接。

9.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述屏蔽结构用于屏蔽所述金属边框辐射至所述显示模组的能量。

10.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述屏蔽结构设置于所述金属边框内，且被所述金属边框环绕。

11.一种电子设备，其特征在于，包括：

显示模组，用于显示图像；

主板，包括射频电路；

环绕所述显示模组的金属边框，与所述射频电路相耦接，用于接收或发送射频信号；

屏蔽结构，位于所述显示模组靠近所述主板的一侧，且与所述显示模组相连接；所述屏蔽结构包括金属屏蔽层；所述金属屏蔽层与所述金属边框和所述射频电路绝缘；所述金属屏蔽层包括由多条交叉的金属线构成的网格结构；

所述电子设备包括近场通讯电路；所述近场通讯电路、所述屏蔽结构均设置于所述显示模组靠近所述主板的一侧；

所述屏蔽结构位于所述近场通讯电路与所述显示模组之间；所述近场通讯电路用于穿过所述网格结构开孔部分，在所述显示模组一侧发送或接收近场通讯信号。

12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，

所述金属线的线宽为0.1μm～20μm之间；相邻两条所述金属线的间距为0.1μm～500μm之间；所述金属线具有方阻R；0＜R≤10欧姆/□。

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