CN113540124B - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，其中，至少相邻两个驱动过孔之间包括一所述触控过孔，且靠近触控过孔的一像素电极在基底上的正投影，与触控过孔在基底上的正投影无交叠。本发明提供的技术方案，像素电极在基底上的正投影，与触控过孔在基底上的正投影无交叠，避免出现像素电极制作在触控过孔背离基底一侧的对应区域的情况，保证像素电极的整体平整性高，进而保证了像素电极产生的像素电场的均一性和稳定性较强，最终提高了显示装置的出光效果。

Description

一种阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更为具体地说，涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
移动终端已成为人们的日常通话、上网等工具，移动终端的显示屏也向着清晰、轻薄的方向发展。显示屏可分为In-Cell、On-Cell、OGS(One Glass Solution)等不同种类，其中，In-Cell和On-Cell显示屏是将触控层和显示面板整合在了一起，相对于OGS显示屏，更为轻薄，而In-Cell是将触摸面板功能嵌入到液晶像素中，即在显示屏内部嵌入触摸传感器功能，这样能使屏幕变得更加轻薄，使用In-Cell显示屏的移动终端是机身最轻薄的。但是，现有的显示屏显示效果较差。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，有效解决了现有技术存在的技术问题，提高了显示装置的出光效果。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种阵列基板，包括：
基底；
位于所述基底一侧的晶体管阵列层，所述晶体管阵列层包括多个晶体管和多条触控引线；
位于所述晶体管阵列层背离所述基底一侧的触控电极层，所述触控电极层包括多个触控电极，所述触控引线与所述触控电极通过触控过孔相连；
位于所述触控功能层背离所述基底一侧的间隔绝缘层；
位于所述间隔绝缘层背离所述基底一侧的像素电极层，所述像素电极层包括呈多行*多列的阵列排布的多个像素电极，所述像素电极与所述晶体管通过驱动过孔相连；
其中，在第一方向上，至少相邻两个所述驱动过孔之间包括一所述触控过孔，且靠近所述触控过孔的一所述像素电极在所述基底上的正投影，与所述触控过孔在所述基底上的正投影无交叠，所述相邻两个所述驱动过孔均位于所述像素电极在所述第二方向上的同侧；
所述第一方向为所述多个像素电极的列排列方向，所述第二方向为所述多个像素电极的行排列方向。
相应的，本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板上述的阵列基板。
相应的，本发明还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。
相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：
本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，包括：基底；位于所述基底一侧的晶体管阵列层，所述晶体管阵列层包括多个晶体管和多条触控引线；位于所述晶体管阵列层背离所述基底一侧的触控电极层，所述触控电极层包括多个触控电极，所述触控引线与所述触控电极通过触控过孔相连；位于所述触控功能层背离所述基底一侧的间隔绝缘层；位于所述间隔绝缘层背离所述基底一侧的像素电极层，所述像素电极层包括呈多行*多列的阵列排布的多个像素电极，所述像素电极与所述晶体管通过驱动过孔相连；其中，在第一方向上，至少相邻两个所述驱动过孔之间包括一所述触控过孔，且靠近所述触控过孔的一所述像素电极在所述基底上的正投影，与所述触控过孔在所述基底上的正投影无交叠，所述相邻两个所述驱动过孔均位于所述像素电极在所述第二方向上的同侧；所述第一方向为所述多个像素电极的列排列方向，所述第二方向为所述多个像素电极的行排列方向。
由上述内容可知，本发明提供的技术方案，像素电极在基底上的正投影，与触控过孔在基底上的正投影无交叠，避免出现像素电极制作在触控过孔背离基底一侧的对应区域的情况，保证像素电极的整体平整性高，进而保证了像素电极产生的像素电场的均一性和稳定性较强，最终提高了显示装置的出光效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为图1中AA’方向的切面图；
图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
正如背景技术所述，显示屏可分为In-Cell、On-Cell、OGS(One Glass Solution)等不同种类，其中，In-Cell和On-Cell显示屏是将触控层和显示面板整合在了一起，相对于OGS显示屏，更为轻薄，而In-Cell是将触摸面板功能嵌入到液晶像素中，即在显示屏内部嵌入触摸传感器功能，这样能使屏幕变得更加轻薄，使用In-Cell显示屏的移动终端是机身最轻薄的。但是，现有的显示屏显示效果较差。
具体的，在显示屏的出光方向上，现有显示屏包括有多条触控引线、位于触控引线一侧的触控电极层，触控电极层包括多个触控电极，触控电极与触控引线通过触控过孔相连、及位于触控电极层背离触控引线一侧的像素电极层，像素电极层包括多个像素电极。其中，在显示屏的出光方向上，至少部分像素电极会与触控过孔有交叠的区域，由于触控过孔朝向像素电极侧的绝缘层结构较薄，使得像素电极与触控过孔交叠的区域处的绝缘层结构出现塌陷的情况，而导致像素电极在该塌陷区域处与其余区域具有高低差异，像素电极的整体平整性较差，而影响了像素电极产生的像素电场，最终影响的像素电场所控制的液晶偏转，使得现有显示屏的显示效果较差。
基于此，本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，有效解决了现有技术存在的技术问题，提高了显示装置的出光效果。
为实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图11对本发明实施例提供的技术方案进行详细的描述。
如图1和图2所示，图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图2图1中AA’方向的切面图。其中，阵列基板包括：
基底100。
位于基底100一侧的晶体管阵列层200，晶体管阵列层200包括多个晶体管201和多条触控引线202。
位于晶体管阵列层200背离基底100一侧的触控电极层，触控电极层包括多个触控电极310，触控引线202与触控电极310通过触控过孔320相连。
位于触控电极层300背离基底100一侧的间隔绝缘层400。
位于间隔绝缘层400背离基底100一侧的像素电极层，像素电极层包括呈多行*多列的阵列排布的多个像素电极500，像素电极500与晶体管201通过驱动过孔510相连。
其中，在第一方向X上，至少相邻两个驱动过孔510之间包括一触控过孔320，且靠近触控过孔320的一像素电极500在基底100上的正投影，与触控过孔320在基底100上的正投影无交叠，相邻两个驱动过孔510均位于像素电极500在第二方向Y上的同侧。
第一方向为多个像素电极500的列排列方向，第二方向为多个像素电极500的行排列方向。
进一步结合图2所示，阵列基板包括多条数据线10和多条栅极线20，多条数据线10沿第一方向X排列，而多条栅极线20沿第二方向Y排列；数据线10和栅极线20交叉限定多个像素单元。像素单元包括像素电极500和与像素电极500通过驱动过孔510相连的晶体管201。
以及，至少相邻两个驱动过孔510之间包括一触控过孔320，触控过孔320为电连接触控引线202和触控电极(未画出)的过孔结构，且该相邻两个驱动过孔510位于像素电极500在第二方向Y上的同一侧。其中，像素电极500在基底上的正投影与触控过孔320在基底上的正投影之间无交叠，即像素电极500和触控过孔320在阵列基板的出光方向上无交叠。
可以理解的，本发明实施例提供的技术方案，将触控过孔设置于相邻两个驱动过孔之间的区域，而并非设置于相邻两个驱动过孔之间区域在第二方向的两侧区域处，能够使得触控过孔与栅极线具有一定间距，避免对栅线的信号传输造成影响；同时使得触控过孔远离相邻像素电极之间中央区域处，进而能够避触控过孔影响显示面板在像素电极处的开口率，提高显示面板的出光效果。
以及，本发明实施例提供的像素电极在基底上的正投影，与触控过孔在基底上的正投影无交叠，避免出现像素电极制作在触控过孔背离基底一侧的对应区域(即像素电极在基底上的正投影，与触控过孔在基底上的正投影交叠)的情况，使得像素电极整体未处于间隔绝缘层对应触控过孔的塌陷区域处，保证像素电极的整体平整性高，进而保证了像素电极产生的像素电场的均一性和稳定性较强，最终提高了显示装置的出光效果。
在本发明一实施例中，本发明实施例提供的触控引线可以复用晶体管阵列层中的原有金属层；即本发明实施例提供的晶体管阵列层包括位于基底一侧的第一金属层，第一金属层包括多个栅极；位于第一金属层背离基底一侧且绝缘隔离的第二金属层，第二金属层包括多个源极和多个漏极，其中，触控引线与第二金属层同层。
具体如图3所示，为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，其中，本发明实施例提供的晶体管阵列层200至少包括：位于基底100朝向触控功能层一侧的第一金属层，第一金属层包括有多个栅极210。位于第一金属层背离基底100一侧的栅极绝缘层220。位于栅极绝缘层220背离基底100一侧的半导体层，半导体层包括有源区230。位于半导体层背离基底100一侧的层间绝缘层240。位于层间绝缘层240背离基底100一侧的第二金属层，第二金属层包括有第一电极251和第二电极252(一般的，与像素电极500通过驱动过孔510电连接的第二电极252为漏极，第一电极251为源极)，栅极210、有源区230、第一电极251、第二电极252及相关绝缘层组成晶体管201。其中，本发明实施例提供的触控引线202与第二金属层同层。如此设计，使得触控引线202与第二金属层可以采用同一张掩膜版，采用同一道工艺制备，从而节省工艺成本。
需要说明的是，本发明实施例图3所示晶体管为底栅结构的晶体管。在本发明其他实施例中，晶体管还可以为顶栅结构的晶体管，即有源区可以位于基底上，位于有源区背离基底一侧设置栅极绝缘层，位于栅极绝缘层背离基底一侧设置栅极，位于栅极背离基底一侧设置层间绝缘层，且位于层间绝缘层背离基底一侧设置第一电极和第二电极，其中，有源区、栅极、第一电极、第二电极和相关绝缘层组成顶栅型晶体管。
在本发明一实施例中，本发明提供的触控引线还可以为晶体管阵列层中单独设置的金属层制备而成；即本发明实施例提供的晶体管阵列层包括位于基底一侧的第一金属层，第一金属层包括多个栅极；位于第一金属层背离基底一侧且绝缘隔离的第二金属层，第二金属层包括多个源极和多个漏极；位于第二金属层背离基底一侧且绝缘隔离的第三金属层，其中，触控引线与第三金属层同层。
具体如图4所示，为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，其中，本发明实施例提供的晶体管阵列层至少包括：位于基底100朝向触控功能层一侧的第一金属层，第一金属层包括有多个栅极210。位于第一金属层背离基底100一侧的栅极绝缘层220。位于栅极绝缘层220背离基底100一侧的半导体层，半导体层包括有源区230。位于半导体层背离基底100一侧的层间绝缘层240。位于层间绝缘层240背离基底100一侧的第二金属层，第二金属层包括有第一电极251和第二电极252(一般的，与像素电极500通过驱动过孔510电连接的第二电极252为漏极，第一电极251为源极)，栅极210、有源区230、第一电极251、第二电极252及相关绝缘层组成晶体管201。位于第二金属层背离基底100一侧的隔离绝缘层260。及位于隔离绝缘层260背离基底100一侧的第三金属层。其中，本发明实施例提供的触控引线202与第三金属层同层。由此，通过单独设置第三金属层制备触控引线，能够减少触控引线与其他金属线路之间的信号串扰的情况，进而提高触控引线及其他金属线路传输信号的精准度。
如图5所示，为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，其中，像素电极500包括在第一方向X上排列的多个支电极501，相邻两个支电极501之间形成狭缝502，且多个支电极501之间相连。其中，多个支电极501可以通过设置于像素电极500在第二方向Y上至少一端侧相连。
其中，本发明实施例提供的像素电极500在基底上的正投影，与触控过孔320在基底上的正投影无交叠，亦即，至少像素电极500的支电极501在基底上的正投影，与触控过孔320在基底上的正投影无交叠。进而，避免出现像素电极制作在触控过孔背离基底一侧的对应区域(即像素电极在基底上的正投影，与触控过孔在基底上的正投影交叠)的情况，使得像素电极整体未处于间隔绝缘层对应触控过孔的塌陷区域处，保证像素电极的整体平整性高，进而保证了像素电极产生的像素电场的均一性和稳定性较强，最终提高了显示装置的出光效果。
需要说明的是，本发明实施例对于像素电极的具体形状不做限制，其可以为包括有狭缝和支电极的像素电极，还可以为整面状的像素电极，对此需要根据实际应用中显示面板的类型等因素进行具体设计。
为了保证像素电极和触控过孔在阵列基板的出光方向上不交叠，阵列基板可以设计一位于像素电极处的避让区，通过设置于像素电极处的避让区，使得像素电极绕开触控过孔所在区域。如图6所示，为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，其中，在触控过孔320及其相应的像素电极500处，阵列基板包括避让区520，避让区520位于像素电极500靠近触控过孔320侧；其中，避让区520在基底上的正投影，与像素电极500在基底上的正投影，在第一方向X和第二方向Y上均有交叠；避让区520在基底上的正投影，与触控过孔320在基底上的正投影有交叠。
在本发明一实施例中，本发明实施例提供的像素电极可以在避让区处呈断口设置。具体如图6所示，在第二方向Y上，多个支电极501远离触控过孔320一侧的端部相连，且至少一个支电极501靠近避让区520处为断口。其中，支电极501靠近避让区520处呈断口状，使得该支电极501侧的狭缝502在基底上的正投影，与避让区520在基底上的正投影之间相互连通。可选的，本发明实施例提供的具有断口的支电极501在第二方向Y上的长度，小于其余支电极501在第二方向Y上的长度。
或者在本发明一实施例中，本发明提供的像素电极的支电极可以在避让区处相连。具体如图7所示，为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，其中，在第二方向Y上，多个支电极501分别在两侧的端部相连；即在第二方向Y上，多个支电极501在像素电极500靠近避让区520侧的端部相连，且多个支电极501还在像素电极500远离避让区520侧的端部相连。可选的，本发明实施例提供的在第二方向Y上与避让区520有交叠的支电极501的长度，小于其余支电极501的长度，该长度为支电极501在第二方向Y上的长度。
需要说明的是，本发明实施例对于像素电极靠近避让区处，支电极呈断口状，或多个支电极相连等方式不做具体限制，需要根据实际应用中像素电极具体参数等因素进行具体设计。
如图8所示，图8为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构视图，其中，阵列基板包括显示区域，显示区域包括多个透光区101和位于相邻透光区101之间的遮光区102，其中，避让区520位于遮光区102的范围内。
可以理解的，本发明实施例提供的显示面板为液晶显示面板时，液晶显示面板包括与阵列基板相对设置的彩膜基板，其中彩膜基板包括有用于遮光的黑矩阵，其中阵列基板的遮光区与彩膜基板的黑矩阵相对应。由此，本发明实施例通过的遮光区处黑矩阵来遮挡避让区处的出光，进而达到遮挡由于像素电极产生的像素电场在避让区处出现异常而产生的异常出光的目的，提高显示面板的显示效果。
如图9所示，为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构视图，在基底的正投影上，像素电极500与触控过孔320之间最小间距a大于或等于1微米。通过限定像素电极500和触控过孔320之间最小间距，在保证像素电极的整体平整性的基础上，优化阵列基板上的线路布局；进而避免像素电极与触控过孔距离过近，而影响像素电极平整性的问题出现。。
相应的，本发明实施例还提供了一种显示面板，显示面板上述任意一实施例提供的阵列基板。
如图10所示，为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，其中，显示面板包括：
相对设置的阵列基板710和彩膜基板720，其中，阵列基板710为上述任意一实施例提供的阵列基板，
及位于阵列基板710与彩膜基板720之间的液晶层730。
相应的，本发明实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括上述任意一实施例提供的显示面板。
如图11所示，为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，其中，本发明实施例提供的显示装置1000包括上述任意一实施例提供的显示面板，其中，显示装置1000可以为移动终端设备。
在本发明其他实施例中，本发明提供的显示装置还可以为电脑、车载终端等电子显示设备，对此本发明不做具体限制。
本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，包括：基底；位于基底一侧的晶体管阵列层，晶体管阵列层包括多个晶体管和多条触控引线；位于晶体管阵列层背离基底一侧的触控电极层，触控电极层包括多个触控电极，触控引线与触控电极通过触控过孔相连；位于触控功能层背离基底一侧的间隔绝缘层；位于间隔绝缘层背离基底一侧的像素电极层，像素电极层包括呈多行*多列的阵列排布的多个像素电极，像素电极与晶体管通过驱动过孔相连；其中，在第一方向上，至少相邻两个驱动过孔之间包括一触控过孔，且靠近触控过孔的一像素电极在基底上的正投影，与触控过孔在基底上的正投影无交叠，相邻两个驱动过孔均位于像素电极在第二方向上的同侧；第一方向为多个像素电极的列排列方向，第二方向为多个像素电极的行排列方向。
由上述内容可知，本发明实施例提供的技术方案，像素电极在基底上的正投影，与触控过孔在基底上的正投影无交叠，避免出现像素电极制作在触控过孔背离基底一侧的对应区域的情况，保证像素电极的整体平整性高，进而保证了像素电极产生的像素电场的均一性和稳定性较强，最终提高了显示装置的出光效果。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (11)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底；
位于所述基底一侧的晶体管阵列层，所述晶体管阵列层包括多个晶体管和多条触控引线；
位于所述晶体管阵列层背离所述基底一侧的触控电极层，所述触控电极层包括多个触控电极，所述触控引线与所述触控电极通过触控过孔直接相连，所述触控过孔位于所述触控引线和所述触控电极之间；
位于所述触控电极层背离所述基底一侧的间隔绝缘层；
位于所述间隔绝缘层背离所述基底一侧的像素电极层，所述像素电极层包括呈多行*多列的阵列排布的多个像素电极，所述像素电极与所述晶体管通过驱动过孔相连；
其中，在第一方向上，至少相邻两个所述驱动过孔之间包括一所述触控过孔，且靠近所述触控过孔的一所述像素电极在所述基底上的正投影，与所述触控过孔在所述基底上的正投影无交叠，所述相邻两个所述驱动过孔均位于所述像素电极在第二方向上的同侧；
所述第一方向为所述多个像素电极的列排列方向，所述第二方向为所述多个像素电极的行排列方向。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括在所述第一方向上排列的多个支电极，相邻两个所述支电极之间形成狭缝，且所述多个支电极之间相连，所述支电极在所述基底上的正投影，与所述触控过孔在所述基底上的正投影无交叠。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括避让区，所述避让区位于所述像素电极靠近所述触控过孔侧；其中，所述避让区在所述基底上的正投影，与所述像素电极在所述基底上的正投影，在所述第一方向和所述第二方向上均有交叠；
所述避让区在所述基底上的正投影，与所述触控过孔在所述基底上的正投影有交叠。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述第二方向上，所述多个支电极远离所述触控过孔一侧的端部相连，且至少一个所述支电极靠近所述避让区处为断口。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述第二方向上，所述多个支电极分别在两侧的端部相连。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区域，所述显示区域包括多个透光区和位于相邻所述透光区之间的遮光区，其中，所述避让区位于所述遮光区的范围内。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的阵列基板，其特征在于，在所述基底的正投影上，所述像素电极与所述触控过孔之间最小间距大于或等于1微米。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述晶体管阵列层包括位于基底一侧的第一金属层，所述第一金属层包括多个栅极；
位于所述第一金属层背离所述基底一侧且绝缘隔离的第二金属层，所述第二金属层包括多个源极和多个漏极，其中，所述触控引线与所述第二金属层同层。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述晶体管阵列层包括位于基底一侧的第一金属层，所述第一金属层包括多个栅极；
位于所述第一金属层背离所述基底一侧且绝缘隔离的第二金属层，所述第二金属层包括多个源极和多个漏极；
位于所述第二金属层背离所述基底一侧且绝缘隔离的第三金属层，其中，所述触控引线与所述第三金属层同层。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1-9任意一项所述的阵列基板。
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求10所述的显示面板。
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CN101825788B (zh) * 2009-03-04 2012-11-21 北京京东方光电科技有限公司 触摸显示器、tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN104699356B (zh) * 2015-04-01 2017-12-01 上海天马微电子有限公司 阵列基板、触控显示面板和触控显示装置
CN104793421B (zh) * 2015-05-08 2018-07-03 上海中航光电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN109164939B (zh) * 2018-09-19 2021-07-09 上海中航光电子有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
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