CN113488255A - 一种低传输阻抗电抗变频电缆材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于电缆材料技术领域,尤其是一种低传输阻抗电抗变频电缆材料及其制备方法,解决了现有技术中低阻电缆使用特性较为单一,面对抗电抗变频干扰中存在一定的短板,电缆使用范围受,且采用金属缠绕的方式为保证缠绕接口处的密封性,需要多绕至少一圈,导致用料增多产生资源浪费的问题,所述低传输阻抗电抗变频电缆材料,所述电缆从外到内,分别包括绝缘外层、缓冲屏蔽层、内绝缘层和中心导体。本发明制备方法简单,制备条件温和,所得电缆材料具有导电率高、耐电压冲击性好和屏蔽性能好等优点,其良好的屏蔽性能,能够很好的抑制电磁波对外发射,提高了系统运行的稳定性,延长电缆的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及电缆材料技术领域,尤其涉及一种低传输阻抗电抗变频电缆材料及其制备方法。
背景技术
电线电缆是输送电能、传送信息和制造各种电机、电器、仪表、汽车、机床等设备所不可缺少的基础器材,是电气化、信息化社会中必要的基础产品。2012年,我国超过美国成为全球第一大电线电缆生产国,行业产值在电工电器行业中仅次于汽车行业。作为重要的基础性产业,电线电缆行业被喻为国民经济的“血管”和“神经”,在我国国民经济中占有很重要的地位,肩负着为各行各业国民经济支柱行业配套的职能。
低阻电缆是利用低温条件下高纯度铝或铜的电阻大幅度降低、散热能力大大提高的特点而开发的大容量输电技术。随着射频通信的发展,在高功率射频领域内的许多应用中需要使用到低于普通阻抗值(50Ω和75Ω)的电缆。现有的低阻电缆在进行使用中已经日益成熟,但是自身的使用特性较为单一,面对抗电抗变频干扰中存在一定的短板,这就导致电缆的使用范围受到限制,且采用金属缠绕的方式虽可达到抗干扰目的,可为保证缠绕的接口处的密封性,需要多绕至少一圈,这就导致了用料增多产生的资源浪费。基于上述陈述,本发明提出了一种低传输阻抗电抗变频电缆材料及其制备方法。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中低阻电缆使用特性较为单一,面对抗电抗变频干扰中存在一定的短板,电缆使用范围受,且采用金属缠绕的方式为保证缠绕接口处的密封性,需要多绕至少一圈,导致用料增多产生资源浪费的问题,而提出的一种低传输阻抗电抗变频电缆材料及其制备方法。
一种低传输阻抗电抗变频电缆材料,所述电缆从外到内,分别包括绝缘外层、缓冲屏蔽层、内绝缘层和中心导体;
所述绝缘外层由交联聚乙烯、弹性体、改性填料、阻燃剂和稳定剂混合挤出制得;
所述缓冲屏蔽层由硅橡胶、丙烯酸钠、氯化石蜡、石墨烯和发泡剂混合发泡后挤出制得;
所述内绝缘层由聚四氟乙烯、碳纤维、氧化镁、高岭土和晶形蜡混合挤出制得;
所述中心导体由实心软铜柱外周同心包覆软铜网制得,包覆率为100%。
优选的,所述绝缘外层中各原料的重量份为交联聚乙烯40-60份、弹性体25-35份、改性填料12-18份、阻燃剂2-3份和稳定剂1-5份。
优选的,所述改性填料由以下方法制得:(1)纳米二氧化硅加入到其重量10-14倍的1mol/L的氢氧化钠水溶液中,超声振荡分散均匀得分散液;(2)加入蒙脱石、磷酸二辛酯和三聚硫酸钠,搅拌混合均匀,静置2-3h,过滤得沉淀物;(3)将沉淀物置于540-580℃的温度下,煅烧1-2h,冷却至室温后,研磨即得改性填料。
优选的,所述步骤(2)中蒙脱石、磷酸二辛酯、三聚硫酸钠和分散液的质量比为5-12:1-2:1-3:30-50。
优选的,所述缓冲屏蔽层中各原料的重量份为硅橡胶30-50份、丙烯酸钠8-15份、氯化石蜡3-5份、石墨烯10-20份和发泡剂1-3份。
优选的,所述内绝缘层中各原料的重量份为聚四氟乙烯50-70份、碳纤维12-18份、氧化镁5-12份、高岭土5-10份和晶形蜡3-5份,
优选的,所述中心导体中软铜柱的直径为2±0.03mm,所述中心导体中软铜网由直径0.6mm的软铜丝编织而成,且编织密度为58-65%。
本发明还提出了一种低传输阻抗电抗变频电缆材料的制备方法,包括以下步骤:
S1、按重量份计,称取交联聚乙烯40-60份、弹性体25-35份、改性填料12-18份、阻燃剂2-3份和稳定剂1-5份,将上述原料依次加入到密炼机中,控制密炼温度为110-130℃,混合密炼5-10min后,挤出获得厚度为2-3mm的绝缘外层;
S2、按重量份计,称取硅橡胶30-50份、丙烯酸钠8-15份、氯化石蜡3-5份、石墨烯10-20份和发泡剂1-3份,将上述原料共同加入到混合机中,搅拌混合均匀后,于50-70℃的温度下,静置发泡2-3h后,挤出获得厚度为0.8-1.5mm的缓冲屏蔽层;
S3、按重量份计,称取聚四氟乙烯50-70份、碳纤维12-18份、氧化镁5-12份、高岭土5-10份和晶形蜡3-5份,将上述原料依次加入到密炼机中,控制密炼温度为88-98℃,混合密炼5-10min后,挤出获得厚度为0.8±0.05mm,且同心度为90%的内绝缘层;
S4、利用直径为0.6mm的软铜丝编织获得编制密度为58-65%软铜网,利用软铜网同心包覆直径为2±0.03mm的软铜柱,100%包覆获得中心导体;
S5、按照从内到外的顺序,将中心导体、内绝缘层、缓冲屏蔽层和绝缘外层依次套接设置,制得所需的低传输阻抗电抗变频电缆材料。
本发明提出的一种低传输阻抗电抗变频电缆材料,具有以下有益效果:
1、本发明按照从内到外的顺序,将中心导体、内绝缘层、缓冲屏蔽层和绝缘外层依次套接设置,制得所需的低传输阻抗电抗变频电缆材料;所得电缆材料的强度、硬度、伸长率和耐磨等性能优异,其抗蠕变性好,热膨胀系数低,使用安全性高;本发明通过各层之间的组合设置,能够赋予电缆材料良好的电绝缘、热绝缘、防火、抗老化性;在有效保证低传输阻抗的同时,具有抗电抗变频干扰效果好,耐电压冲击性强的特点。
2、本发明制备方法简单,制备条件温和,所得电缆材料具有导电率高、耐电压冲击性好和屏蔽性能好等优点,其良好的屏蔽性能,能够很好的抑制电磁波对外发射,提高了系统运行的稳定性,延长电缆的使用寿命。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步解说。
实施例一
本发明提出的一种低传输阻抗电抗变频电缆材料,所述电缆从外到内,分别包括绝缘外层、缓冲屏蔽层、内绝缘层和中心导体;其制备方法,包括以下步骤:
S1、按重量份计,称取交联聚乙烯40份、弹性体25份、改性填料12份、阻燃剂2份和稳定剂1份,将上述原料依次加入到密炼机中,控制密炼温度为110℃,混合密炼5min后,挤出获得厚度为2mm的绝缘外层;
其中,改性填料由以下方法制得:(1)纳米二氧化硅加入到其重量10倍的1mol/L的氢氧化钠水溶液中,超声振荡分散均匀得分散液;(2)加入蒙脱石、磷酸二辛酯和三聚硫酸钠,搅拌混合均匀,静置2h,过滤得沉淀物;(3)将沉淀物置于540℃的温度下,煅烧1h,冷却至室温后,研磨即得改性填料;步骤(2)中蒙脱石、磷酸二辛酯、三聚硫酸钠和分散液的质量比为5:1:1:30;
S2、按重量份计,称取硅橡胶30份、丙烯酸钠8份、氯化石蜡3份、石墨烯10份和发泡剂1份,将上述原料共同加入到混合机中,搅拌混合均匀后,于50℃的温度下,静置发泡2h后,挤出获得厚度为0.8mm的缓冲屏蔽层;
S3、按重量份计,称取聚四氟乙烯50份、碳纤维12份、氧化镁5份、高岭土5份和晶形蜡3份,将上述原料依次加入到密炼机中,控制密炼温度为88℃,混合密炼5min后,挤出获得厚度为0.805mm,且同心度为90%的内绝缘层;
S4、利用直径为0.6mm的软铜丝编织获得编制密度为58%软铜网,利用软铜网同心包覆直径为2.03mm的软铜柱,100%包覆获得中心导体;
S5、按照从内到外的顺序,将中心导体、内绝缘层、缓冲屏蔽层和绝缘外层依次套接设置,制得所需的低传输阻抗电抗变频电缆材料。
实施例二
本发明提出的一种低传输阻抗电抗变频电缆材料,所述电缆从外到内,分别包括绝缘外层、缓冲屏蔽层、内绝缘层和中心导体;其制备方法,包括以下步骤:
S1、按重量份计,称取交联聚乙烯50份、弹性体30份、改性填料15份、阻燃剂2.5份和稳定剂3份,将上述原料依次加入到密炼机中,控制密炼温度为120℃,混合密炼8min后,挤出获得厚度为2.5mm的绝缘外层;
其中,改性填料由以下方法制得:(1)纳米二氧化硅加入到其重量12倍的1mol/L的氢氧化钠水溶液中,超声振荡分散均匀得分散液;(2)加入蒙脱石、磷酸二辛酯和三聚硫酸钠,搅拌混合均匀,静置2.5h,过滤得沉淀物;(3)将沉淀物置于560℃的温度下,煅烧1.5h,冷却至室温后,研磨即得改性填料;步骤(2)中蒙脱石、磷酸二辛酯、三聚硫酸钠和分散液的质量比为8:1.5:2:40;
S2、按重量份计,称取硅橡胶40份、丙烯酸钠12份、氯化石蜡4份、石墨烯15份和发泡剂2份,将上述原料共同加入到混合机中,搅拌混合均匀后,于60℃的温度下,静置发泡2.5h后,挤出获得厚度为1.2mm的缓冲屏蔽层;
S3、按重量份计,称取聚四氟乙烯60份、碳纤维15份、氧化镁8份、高岭土8份和晶形蜡4份,将上述原料依次加入到密炼机中,控制密炼温度为93℃,混合密炼8min后,挤出获得厚度为0.8mm,且同心度为90%的内绝缘层;
S4、利用直径为0.6mm的软铜丝编织获得编制密度为62%软铜网,利用软铜网同心包覆直径为2mm的软铜柱,100%包覆获得中心导体;
S5、按照从内到外的顺序,将中心导体、内绝缘层、缓冲屏蔽层和绝缘外层依次套接设置,制得所需的低传输阻抗电抗变频电缆材料。
实施例三
本发明提出的一种低传输阻抗电抗变频电缆材料,所述电缆从外到内,分别包括绝缘外层、缓冲屏蔽层、内绝缘层和中心导体;其制备方法,包括以下步骤:
S1、按重量份计,称取交联聚乙烯60份、弹性体35份、改性填料18份、阻燃剂3份和稳定剂5份,将上述原料依次加入到密炼机中,控制密炼温度为130℃,混合密炼10min后,挤出获得厚度为3mm的绝缘外层;
其中,改性填料由以下方法制得:(1)纳米二氧化硅加入到其重量14倍的1mol/L的氢氧化钠水溶液中,超声振荡分散均匀得分散液;(2)加入蒙脱石、磷酸二辛酯和三聚硫酸钠,搅拌混合均匀,静置3h,过滤得沉淀物;(3)将沉淀物置于580℃的温度下,煅烧2h,冷却至室温后,研磨即得改性填料;步骤(2)中蒙脱石、磷酸二辛酯、三聚硫酸钠和分散液的质量比为12:2:3:50;
S2、按重量份计,称取硅橡胶50份、丙烯酸钠15份、氯化石蜡5份、石墨烯20份和发泡剂3份,将上述原料共同加入到混合机中,搅拌混合均匀后,于70℃的温度下,静置发泡3h后,挤出获得厚度为1.5mm的缓冲屏蔽层;
S3、按重量份计,称取聚四氟乙烯70份、碳纤维18份、氧化镁12份、高岭土10份和晶形蜡5份,将上述原料依次加入到密炼机中,控制密炼温度为98℃,混合密炼10min后,挤出获得厚度为0.795mm,且同心度为90%的内绝缘层;
S4、利用直径为0.6mm的软铜丝编织获得编制密度为65%软铜网,利用软铜网同心包覆直径为1.97mm的软铜柱,100%包覆获得中心导体;
S5、按照从内到外的顺序,将中心导体、内绝缘层、缓冲屏蔽层和绝缘外层依次套接设置,制得所需的低传输阻抗电抗变频电缆材料。
对比例一
本发明提出的一种低传输阻抗电抗变频电缆材料,所述电缆从外到内,分别包括绝缘外层、缓冲屏蔽层、内绝缘层和中心导体;其制备方法,包括以下步骤:
S1、按重量份计,称取交联聚乙烯40份、弹性体25份、纳米二氧化硅12份、阻燃剂2份和稳定剂1份,将上述原料依次加入到密炼机中,控制密炼温度为110℃,混合密炼5min后,挤出获得厚度为2mm的绝缘外层;
S2、按重量份计,称取硅橡胶30份、丙烯酸钠8份、氯化石蜡3份、石墨烯10份和发泡剂1份,将上述原料共同加入到混合机中,搅拌混合均匀后,于50℃的温度下,静置发泡2h后,挤出获得厚度为0.8mm的缓冲屏蔽层;
S3、按重量份计,称取聚四氟乙烯50份、碳纤维12份、氧化镁5份、高岭土5份和晶形蜡3份,将上述原料依次加入到密炼机中,控制密炼温度为88℃,混合密炼5min后,挤出获得厚度为0.805mm,且同心度为90%的内绝缘层;
S4、利用直径为0.6mm的软铜丝编织获得编制密度为58%软铜网,利用软铜网同心包覆直径为2.03mm的软铜柱,100%包覆获得中心导体;
S5、按照从内到外的顺序,将中心导体、内绝缘层、缓冲屏蔽层和绝缘外层依次套接设置,制得所需的低传输阻抗电抗变频电缆材料。
对比例二
本发明提出的一种低传输阻抗电抗变频电缆材料,所述电缆从外到内,分别包括绝缘外层、缓冲屏蔽层、内绝缘层和中心导体;其制备方法,包括以下步骤:
S1、按重量份计,称取交联聚乙烯40份、弹性体25份、改性填料12份、阻燃剂2份和稳定剂1份,将上述原料依次加入到密炼机中,控制密炼温度为110℃,混合密炼5min后,挤出获得厚度为2mm的绝缘外层;
其中,改性填料由以下方法制得:(1)纳米二氧化硅加入到其重量10倍的1mol/L的氢氧化钠水溶液中,超声振荡分散均匀得分散液;(2)加入蒙脱石、磷酸二辛酯和三聚硫酸钠,搅拌混合均匀,静置2h,过滤得沉淀物;(3)将沉淀物置于540℃的温度下,煅烧1h,冷却至室温后,研磨即得改性填料;步骤(2)中蒙脱石、磷酸二辛酯、三聚硫酸钠和分散液的质量比为5:1:1:30;
S2、按重量份计,称取硅橡胶30份、丙烯酸钠8份、氯化石蜡3份、石墨烯10份和发泡剂1份,将上述原料共同加入到混合机中,搅拌混合均匀后,于50℃的温度下,静置发泡2h后,挤出获得厚度为0.8mm的缓冲屏蔽层;
S3、按重量份计,称取聚四氟乙烯50份、碳纤维12份、氧化镁5份、高岭土5份和晶形蜡3份,将上述原料依次加入到密炼机中,控制密炼温度为88℃,混合密炼5min后,挤出获得厚度为0.805mm,且同心度为90%的内绝缘层;
S4、利用直径为0.6mm的软铜丝缠绕直径为2.03mm的软铜柱,100%包覆获得中心导体;
S5、按照从内到外的顺序,将中心导体、内绝缘层、缓冲屏蔽层和绝缘外层依次套接设置,制得所需的低传输阻抗电抗变频电缆材料。
分别检测本发明实施例一-三以及对比例一-二制备得到的低传输阻抗电抗变频电缆材料的性能,得出如下结果:
性能 | 实施例一 | 实施例二 | 实施例三 | 对比例一 | 对比例二 |
导电率%IACS | 59 | 62 | 58 | 53 | 51 |
断裂伸长率% | 55 | 58 | 54 | 35 | 42 |
屏蔽抑制系数R | 0.01 | 0 | 0.01 | 0.03 | 0.07 |
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种低传输阻抗电抗变频电缆材料,其特征在于,所述电缆从外到内,分别包括绝缘外层、缓冲屏蔽层、内绝缘层和中心导体;
所述绝缘外层由交联聚乙烯、弹性体、改性填料、阻燃剂和稳定剂混合挤出制得;
所述缓冲屏蔽层由硅橡胶、丙烯酸钠、氯化石蜡、石墨烯和发泡剂混合发泡后挤出制得;
所述内绝缘层由聚四氟乙烯、碳纤维、氧化镁、高岭土和晶形蜡混合挤出制得;
所述中心导体由实心软铜柱外周同心包覆软铜网制得,包覆率为100%。
2.根据权利要求1所述的一种低传输阻抗电抗变频电缆材料,其特征在于,所述绝缘外层中各原料的重量份为交联聚乙烯40-60份、弹性体25-35份、改性填料12-18份、阻燃剂2-3份和稳定剂1-5份。
3.根据权利要求2所述的一种低传输阻抗电抗变频电缆材料,其特征在于,所述改性填料由以下方法制得:(1)纳米二氧化硅加入到其重量10-14倍的1mol/L的氢氧化钠水溶液中,超声振荡分散均匀得分散液;(2)加入蒙脱石、磷酸二辛酯和三聚硫酸钠,搅拌混合均匀,静置2-3h,过滤得沉淀物;(3)将沉淀物置于540-580℃的温度下,煅烧1-2h,冷却至室温后,研磨即得改性填料。
4.根据权利要求3所述的一种低传输阻抗电抗变频电缆材料,其特征在于,所述步骤(2)中蒙脱石、磷酸二辛酯、三聚硫酸钠和分散液的质量比为5-12:1-2:1-3:30-50。
5.根据权利要求1所述的一种低传输阻抗电抗变频电缆材料,其特征在于,所述缓冲屏蔽层中各原料的重量份为硅橡胶30-50份、丙烯酸钠8-15份、氯化石蜡3-5份、石墨烯10-20份和发泡剂1-3份。
6.根据权利要求1所述的一种低传输阻抗电抗变频电缆材料,其特征在于,所述内绝缘层中各原料的重量份为聚四氟乙烯50-70份、碳纤维12-18份、氧化镁5-12份、高岭土5-10份和晶形蜡3-5份。
7.根据权利要求1所述的一种低传输阻抗电抗变频电缆材料,其特征在于,所述中心导体中软铜柱的直径为2±0.03mm,所述中心导体中软铜网由直径0.6mm的软铜丝编织而成,且编织密度为58-65%。
8.一种根据权利要求1-7任一项所述的低传输阻抗电抗变频电缆材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、按重量份计,称取交联聚乙烯40-60份、弹性体25-35份、改性填料12-18份、阻燃剂2-3份和稳定剂1-5份,将上述原料依次加入到密炼机中,控制密炼温度为110-130℃,混合密炼5-10min后,挤出获得厚度为2-3mm的绝缘外层;
S2、按重量份计,称取硅橡胶30-50份、丙烯酸钠8-15份、氯化石蜡3-5份、石墨烯10-20份和发泡剂1-3份,将上述原料共同加入到混合机中,搅拌混合均匀后,于50-70℃的温度下,静置发泡2-3h后,挤出获得厚度为0.8-1.5mm的缓冲屏蔽层;
S3、按重量份计,称取聚四氟乙烯50-70份、碳纤维12-18份、氧化镁5-12份、高岭土5-10份和晶形蜡3-5份,将上述原料依次加入到密炼机中,控制密炼温度为88-98℃,混合密炼5-10min后,挤出获得厚度为0.8±0.05mm,且同心度为90%的内绝缘层;
S4、利用直径为0.6mm的软铜丝编织获得编制密度为58-65%软铜网,利用软铜网同心包覆直径为2±0.03mm的软铜柱,100%包覆获得中心导体;
S5、按照从内到外的顺序,将中心导体、内绝缘层、缓冲屏蔽层和绝缘外层依次套接设置,制得所需的低传输阻抗电抗变频电缆材料。
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