CN113471716A - 全息天线、控制方法、计算机设备和存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种全息天线、控制方法、计算机设备和存储介质。该全息天线包括第一介质板及其第一表面和第二表面分别附有的第一金属板和第二金属板;上述每个板上的对称的第一电磁带隙阵列和第二电磁带隙阵列,分别形成第一人工磁表面和第二人工磁表面;第一介质板上集成的第一功分器和第二功分器、第一人工磁表面以及第二人工磁表面在第一金属板与第二金属板之间形成腔体结构;第一金属板设置有位于腔体结构的其中一面的缝隙阵列。第一人工磁表面和第二人工磁表面用于在腔体结构内将第一功分器和第二功分器在第一金属板与第二金属板之间产生TE波转化为准TEM波。缝隙阵列用于控制腔体结构内的准TEM波的辐射。采用本全息天线能够降低天线结构的复杂度。
Description
技术领域
本申请涉及直流输电技术领域,特别是涉及一种全息天线、控制方法、计算机设备和存储介质。
背景技术
天线作为无线通信系统中的重要组成部分,其主要的功能在于对无线信号的发射和接收。随着现代无线通信技术的快速发展,对天线自身的性能要求越来越高,具体体现在对天线波束指向性要求越来愈高,如实现波束扫描能力。
现有技术中,最常见的阵列天线当属相控阵天线。相控阵天线虽然具备波束扫描控制能力,但由于相控阵天线是由许许多多的阵列构成,这些阵列通常包括振子、缝隙等,每个阵列通常是单独控制的,导致其内部的结构较为复杂,使得其制造工艺繁琐,且成本较高。
发明内容
基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种全息天线、控制方法、计算机设备和存储介质。能够具备波束扫描能力的同时,降低天线结构的复杂度。
一种全息天线,所述全息天线包括第一介质板,所述第一介质板的第一表面附有第一金属板,第二表面附有第二金属板;所述第一金属板、所述第一介质板以及所述第二金属板均设置有对称的第一电磁带隙阵列和第二电磁带隙阵列,所述第一电磁带隙阵列形成第一人工磁表面,所述第二电磁带隙阵列形成第二人工磁表面;所述第一介质板上集成有对称的第一功分器和第二功分器;所述第一功分器、所述第二功分器、所述第一人工磁表面以及所述第二人工磁表面在所述第一金属板与所述第二金属板之间形成腔体结构;所述第一金属板设置有缝隙阵列,所述缝隙阵列位于所述腔体结构的其中一面。
所述第一功分器和所述第二功分器,用于在所述第一金属板与第二金属板之间产生横电波(transverse electro,TE)波。
所述第一人工磁表面和所述第二人工磁表面,用于在所述腔体结构内将所述TE波转化为准横电磁波(transverse electromagnetic,TEM)波。
所述缝隙阵列,用于控制所述腔体结构内的所述准TEM波的辐射。
在其中一个实施例中,材料板中设置的所述第一电磁带隙阵列的边缘与所述第一金属板的第一边缘重合,所述第一金属板中设置的所述第二电磁带隙阵列的边缘与所述第一金属板的第二边缘重合;所述第一边缘与所述第二边缘对称;所述材料板为所述第一金属板、所述第一介质板以及所述第二金属板中的任一个。
在其中一个实施例中,所述第一功分器的输入端与所述第一介质板的第三边缘重合;所述第二功分器的输入端与所述第一介质板的第四边缘重合,所述第三边缘与所述第四边缘对称。
在其中一个实施例中,所述全息天线还包括多条控制电路;各控制电路中包括射频开关;所述射频开关与所述缝隙阵列中的缝隙一一对应;
所述控制电路,用于在所述射频开关的正负极施加不同的直流偏执电压,控制所述射频开关的通断状态;
所述射频开关,用于通过通断状态控制所述腔体结构内所述准TEM波通过所述缝隙辐射。
在其中一个实施例中,电磁带隙阵列为蘑菇型电磁场带隙(electromagneticband gap,EBG)结构;所述电磁带隙阵列包括所述第一电磁带隙阵列和所述第二电磁带隙阵列。
在其中一个实施例中,所述第一功分器和所述第二功分器均包括N个波导支路,所述第一人工磁表面和所述第二人工磁表面用于接收并转化所述波导支路辐射在所述腔体结构内的所述TE波转化为所述准TEM波,所述波导支路由所述第一介质板中的至少一个金属化过孔形成。
在其中一个实施例中,所述第一功分器与所述第二功分器均为一分八功分器。
一种控制方法,应用于上述的全息天线,所述方法包括:
获取全息天线的波束指向信息、缝隙阵列中的缝隙方位信息。
根据所述波束指向信息以及所述缝隙阵列中的缝隙方位信息,确定所述缝隙上的射频开关的通断值。
根据所述通断值控制所述射频开关的通断状态。
一种计算机设备,包括存储器和处理器,所述存储器存储有计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤:
获取全息天线的波束指向信息、缝隙阵列中的缝隙方位信息。
根据所述波束指向信息以及所述缝隙阵列中的缝隙方位信息,确定所述缝隙上的射频开关的通断值。
根据所述通断值控制所述射频开关的通断状态。
一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤:
获取全息天线的波束指向信息、缝隙阵列中的缝隙方位信息。
根据所述波束指向信息以及所述缝隙阵列中的缝隙方位信息,确定所述缝隙上的射频开关的通断值。
根据所述通断值控制所述射频开关的通断状态。
上述全息天线、控制方法、计算机设备和存储介质,通过第一金属板、第一介质板以及第二金属板均设置的对称的第一电磁带隙阵列和第二电磁带隙阵列,形成对称的第一人工磁表面和第二人工磁表面;并利用对称的第一人工磁表面和第二人工磁表面对通过第一功分器和第二功分器传输至腔体结构中的TE波转化为准TEM波,从而产生横向的电磁场。通过缝隙阵列控制腔体结构内的准TEM波的辐射,实现任意指向的波束以及波束在俯仰角和方位角上的扫描。并且具有结构简单、易于加工、成本较低的特性。
附图说明
图1为一个实施例中全息天线的结构分解示意图;
图2为一个实施例中全息天线的俯视图;
图3为一个实施例中电磁带隙阵列的结构示意图;
图4为一个实施例中加载射频开关的缝隙单元的结构示意图;
图5为一个实施例中蘑菇型电磁场带隙EBG结构的结构示意图;
图6为一个实施例中功分器的结构示意图;
图7为一个实施例中电磁波的波形示意图;
图8为一个实施例中控制方法的流程示意图;
图9为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
元件标号说明:
第二功分器:7;第二金属板:3;第二人工磁表面:5;第一功分器:6;第一介质板:2;第一金属板:1;第一人工磁表面:4;缝隙阵列:8;缝隙上:9;腔体结构:10;射频开关:11;控制电路:12。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
可以理解,本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件,但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说,在不脱离本申请的范围的情况下,可以将第一金属板称为第二金属板,且类似地,可将第二金属板称为第一金属板。第一金属板和第二金属板两者都是金属板,但其不是同一金属板。
参照图1,本申请实施例提供一种全息天线,该全息天线包括第一介质板2,第一介质板2的第一表面附有第一金属板1,第二表面附有第二金属板3;第一金属板1、第一介质板2以及第二金属板3均设置有对称的第一电磁带隙阵列和第二电磁带隙阵列,第一电磁带隙阵列形成第一人工磁表面4,第二电磁带隙阵列形成第二人工磁表面5;第一介质板2上集成有对称的第一功分器6和第二功分器7;第一功分器6、第二功分器7、第一人工磁表面4以及第二人工磁表面5在第一金属板1与第二金属板3之间形成腔体结构10;第一金属板1设置有缝隙阵列8,缝隙阵列8位于腔体结构10的其中一面。
其中,第一功分器6和第二功分器7,用于在第一金属板1与第二金属板3之间产生横电波TE波。第一人工磁表面4和第二人工磁表面5,用于在腔体结构10内将TE波转化为横电磁波准TEM波。缝隙阵列8,用于控制腔体结构10内的准TEM波的辐射。
具体的,作为第一金属板1以及第二金属板3的材料,能够使用铜等金属。另外,作为第一介质板2的材料,能够使用石英玻璃等玻璃、PTFE等氟类树脂、液晶聚合物或者环烯烃聚合物等。第一介质板2、第一金属板1和第二金属板3为相同大小的矩形板。
需要说明的是,第一金属板1、第一介质板2以及第二金属板3的第一表面和第二表面可以为相同大小的矩形板。根据实际应用需求,第一金属板1、第一介质板2以及第二金属板3具有相同或不同的厚度,第一金属板1、第一介质板2以及第二金属板3分别有第一表面和第二表面,第一金属板1、第一介质板2以及第二金属板3的第一表面的朝向相同,第一金属板1、第一介质板2以及第二金属板3的第二表面的朝向相同。
可以理解的,第一金属板1的第二表面与第一介质板2的第一表面贴合,第一介质板2的第二表面与第二金属板3的第一表面贴合。
可以理解的,结合图1所示,第一功分器6、第二功分器7、第一介质板2、第一金属板1和第二金属板3形成了衬底集成波导(waveguide integrated substrate,SIW)。具体的,SIW结构是由上下两金属面和两侧周期排列的金属柱组合而成,两排金属柱相当于SIW的两个侧壁,电磁波在两排金属柱和上下两金属面组成的空间中传播。该空间即为上述的腔体结构10。第一金属板1与第二金属板3的厚度小于二分之一导波波长。
结合图1,参照图2,在第一金属板1中的缝隙阵列8包含多个缝隙。缝隙是形成在第一金属板1的长方形的开口,在俯视全息天线时缝隙阵列8被配置为矩阵状。这里,所谓俯视是指从图1所示的坐标系上的z轴正方向观察对象物。
具体的,缝隙中心之间的横向间隔略大于0.42倍波长,纵向间隔略大于0.2倍波长。缝隙的长度约为0.35倍波长,宽度约为0.043倍波长。
需要说明的是,为了更好的展示全息天线的内部结构,图1展示了分层结构,主要按照第一金属板1、第一介质板2以及第二金属板3的结构进行分层。在实际应用中,第一金属板1、第一介质板2以及第二金属板3按照上述的组合方式进行贴合,形成全息天线。
如图2所示,当俯视全息天线时,若将缝隙阵列8可以等效为一个长方形,如图2中所示的第一功分器6与第二功分器7分别位于长方形的a、b边的两侧。第一金属板1上的第一电磁带隙阵列和第二电磁带隙阵列位于该长方形的c、d边的两侧。
上述全息天线通过第一金属板1、第一介质板2以及第二金属板3均设置的对称的第一电磁带隙阵列和第二电磁带隙阵列,形成对称的第一人工磁表面4和第二人工磁表面5;并利用对称的第一人工磁表面4和第二人工磁表面5对通过第一功分器6和第二功分器7传输至腔体结构10中的TE波转化为准TEM波,从而产生横向的电磁场。通过缝隙阵列8控制腔体结构10内的准TEM波的辐射,实现任意指向的波束以及波束在俯仰角和方位角上的扫描。并且具有结构简单、易于加工、成本较低的特性。
在一个实施例中,参照图2,第一功分器6与第二功分器7均为一分八功分器。
可选的,一分八功分器可以由7个一分二功分器构成,每个一分二功分器均包括1个输入端和2个输出端。具体的,由一个一分二功分器的2个输出端分别连接一个一分二功分器的输入端,形成一个一分四功分器。该一分四功分器包括1个输入端以及4个输出端。再由一分四功分器的4个输出端分别连接一个一分二功分器的输入端,最终形成一个一分八功分器。一分八功分包括1个输入端和8个输出端。
进一步的,第一功分器6和第二功分器7可根据实际情况选择,如一分二功分器、一分四功分器或一分十六功分器。
本实施例中,第一功分器6和第二功分器7均具体为一分八功分器,以便能够实现电磁波的传播。
在一个实施例中,参照图1所示,材料板中设置的第一电磁带隙阵列的边缘与第一金属板1的第一边缘重合,第一金属板1中设置的第二电磁带隙阵列的边缘与第一金属板1的第二边缘重合;第一边缘与第二边缘对称;材料板为第一金属板1、第一介质板2以及第二金属板3中的任一个。
具体的,第一金属板1、第一介质板2或者第二金属板3中的第一电磁带隙阵列或第二电磁带隙阵列可参照图3所示的方式进行排列。具体的,第一电磁带隙阵列或第二电磁带隙阵列均被配置为矩阵状,按照矩阵的展示形式进行排列,得到一个w行u列的电磁带隙阵列。
在一种实现方式中,电磁带隙阵列中相邻两个贴片的表面间距小于半个工作波长。
本实现方式中,通过第一金属板1、第一介质板2或者第二金属板3中设置的第一电磁带隙阵列的边缘与各自对应的第一金属板1、第一介质板2或者第二金属板3的第一边缘重合,第一金属板1、第一介质板2或者第二金属板3中设置的第二电磁带隙阵列的边缘与各自对应的第一金属板1、第一介质板2或者第二金属板3的第二边缘重合的设置方式;能够最大限度的减小第一金属板1、第一介质板2以及第二金属板3的面积,以便减小全息天线的体积。
在一个实施例中,参照图1,第一功分器6的输入端与第一介质板2的第三边缘重合;第二功分器7的输入端与第一介质板2的第四边缘重合,第三边缘与第四边缘对称。
具体的,图1中示出的第一介质板2、第一金属板1和第二金属板3为相同大小的矩形板。可以将矩形板的等效为一个长方形,该长方形包括两条长边e、f和两条短边g、h。因此,第一功分器6的输入端与第一介质板2的第三边缘重合;第二功分器7的输入端与第一介质板2的第四边缘重合,可以理解为第一功分器6的输入端与第一介质板2的g边重合,第二功分器7的输入端与第一介质板2的h边重合。
本实施例中,通过第一功分器6的输入端与第一介质板2的第三边缘重合;第二功分器7的输入端与第一介质板2的第四边缘重合的设置方式,能够最大限度的减小第一金属板1、第一介质板2以及第二金属板3的面积,进一步减小全息天线的体积。
在一个实施例中,参照图1,全息天线还包括多条控制电路12;各控制电路12中包括射频开关11;射频开关11与缝隙阵列8中的缝隙一一对应。
其中,控制电路12,用于在射频开关11的正负极施加不同的直流偏执电压,控制射频开关11的通断状态。射频开关11,用于通过通断状态控制腔体结构10内准TEM波通过缝隙辐射。
在一种实现方式中,全息天线还包括第二介质板,多条控制电路12加载于第二介质板上;第二介质板附在第一金属板1的第一表面,射频开关11与缝隙阵列8中的缝隙一一对应。
示例一,参照图4,在第二介质板中开设与缝隙相同大小的开口,该开口位于缝隙的正上方,将控制电路12的射频开关11设置于开口处。
示例二,第二介质板包括第一表面和第二表面,控制电路12可以加载在第二介质板的第二表面。
需要说明的是,第二介质板可以是与第一金属板1相同大小的矩形板,也可以是与缝隙阵列8的面积相同的矩形板。第一金属板1的第一表面与第二介质板的第二表面贴合。
可选的,射频开关11可以为PIN二极管或者变容管。可以理解的,缝隙阵列8每个缝隙的控制电路12上加载了一个PIN二极管,在PIN二极管的正负极施加反向偏置电压时,PIN二极管处于截止状态,耦合通路断开,缝隙可以辐射出准TEM波;在PIN二极管的正负极施加正向偏置电压时,PIN二极管处于导通状态,耦合通路耦合缝隙辐射能量并谐振,不产生有效辐射,缝隙无法辐射出准TEM波。
本实施例中,通过控制电路12控制射频开关11的通断状态,进而控制腔体结构10内准TEM波通过缝隙辐射,达到控制全息天线的波束方向的目的,从而实现任意指向的波束以及波束在俯仰角和方位角上的扫描。
在一个实施例中,参照图1,电磁带隙阵列为蘑菇型电磁场带隙EBG结构;电磁带隙阵列包括第一电磁带隙阵列和第二电磁带隙阵列。
示例性的,参照图5,蘑菇型电磁场带隙EBG结构具体为对基底打孔性,即是在基底上打出周期性排列的孔,并可以在孔中填充其他介质,形成金属化过孔。孔的形状可以是圆形和方形。这里的基地具体指第一金属板1、第一介质板2以及第二金属板3。
本实施例中,电磁带隙阵列采用蘑菇型电磁场带隙EBG结构,进而构成等效的人工磁表面,以便实现将TE波转化为准TEM波。
在一个实施例中,第一功分器6和第二功分器7均包括N个波导支路,第一人工磁表面4和第二人工磁表面5用于接收并转化波导支路辐射在腔体结构10内的TE波转化为准TEM波,波导支路由第一介质板2中的至少一个金属化过孔形成。
可以理解的,参照图6所示,第一功分器6和第二功分器7在为一分八功分器的情况下,包含8条波导支路,在功分器中传导的是TE波,当TE波进入到腔体结构10中,转化为准TEM波。
本实施例中,通过第一功分器6和第二功分器7均包括的N个波导支路传输TE波,至腔体结构10内,使得第一人工磁表面4和第二人工磁表面5能够将TE波转化为准TEM波,从而产生横向的电磁场。其中TE波和TEM波具体的参照图7所示的示意图。图6中示出的虚线表示的通道可以理解为波导支路,箭头表示电磁波的传输方向。
如图8所示,本申请实施例还提供一种控制方法,应用于本申请实施例的全息天线,该控制方法包括以下步骤:
S11、获取全息天线的波束指向信息、缝隙阵列中的缝隙方位信息。
具体的,全息天线的波束指向信息包括:预设方位角和预设仰角。缝隙方位信息包括缝隙在极坐标下的相对于x轴的方位角。
S12、根据波束指向信息以及缝隙阵列中的缝隙方位信息,确定缝隙上的射频开关的通断值。
具体的,根据以下方式计算射频开关的通断值:
其中,A表示射频开关状态值,、为天线预设的波束指向,为在极坐标系中,
辐射单元在平行板波导上表面上相对于x轴的方位角,为自由空间中的波数。在实际操作
中,为了简化开关状态数以及兼顾口径效率,对射频开关状态值根据以下公式进行近似计
算,获得射频开关的通断值:
其中,I表示射频开关的通断值。0表示断开射频开关,1表示导通射频开关11。例如,当A=0.3时,I=0。
上述公式中,可以借助于Matlab确定了缝隙阵列的维度和以全息天线的几何中心
为原点为的极坐标系下,各缝隙相对于原点的极径和极角值,只需要在代码内改变输入的
预设的波束指向信息、,就可以得到预设的波束指向下,缝隙阵列上各射频开关的通
断值,最终可以形成个由0和1组成的偏置分布矩阵,将偏置分布矩阵对应到控制电路中通
过直流偏置电路输出到射频开关上的偏置电压,控制其通断状态。
S13、根据通断值控制所述射频开关的通断状态。
上述的控制方法,通过全息天线的波束指向信息、缝隙阵列中的缝隙方位信息,确定缝隙阵列中各缝隙上射频开关的通断状态,以便获得所需要的波束指向,能够准确地实现任意指向的波束以及波束在俯仰角和方位角上的扫描。
应该理解的是,虽然图7的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示,但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明,这些步骤的执行并没有严格的顺序限制,这些步骤可以以其它的顺序执行。而且,图7中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段,这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成,而是可以在不同的时刻执行,这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行,而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
在一个实施例中,提供了一种计算机设备,该计算机设备可以是服务器,其内部结构图可以如图9所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器和网络接口。其中,该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储获取的直流母线电压、直流中性母线电压以及交流母线三相电压。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种控制方法。
本领域技术人员可以理解,图9中示出的结构,仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图,并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定,具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中,提供了一种计算机设备,包括存储器和处理器,存储器中存储有计算机程序,该处理器执行计算机程序时实现以下步骤:
获取全息天线的波束指向信息、缝隙阵列中的缝隙方位信息。
根据所述波束指向信息以及所述缝隙阵列中的缝隙方位信息,确定所述缝隙上的射频开关的通断值。
根据所述通断值控制所述射频开关的通断状态。
在一个实施例中,提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现以下步骤:
获取全息天线的波束指向信息、缝隙阵列中的缝隙方位信息。
根据所述波束指向信息以及所述缝隙阵列中的缝隙方位信息,确定所述缝隙上的射频开关的通断值。
根据所述通断值控制所述射频开关的通断状态。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中,该计算机程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用,均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-Only Memory,ROM)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限,RAM可以是多种形式,比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)等。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种全息天线,其特征在于,所述全息天线包括第一介质板,所述第一介质板的第一表面附有第一金属板,第二表面附有第二金属板;所述第一金属板、所述第一介质板以及所述第二金属板均设置有对称的第一电磁带隙阵列和第二电磁带隙阵列,所述第一电磁带隙阵列形成第一人工磁表面,所述第二电磁带隙阵列形成第二人工磁表面;所述第一介质板上集成有对称的第一功分器和第二功分器;所述第一功分器、所述第二功分器、所述第一人工磁表面以及所述第二人工磁表面在所述第一金属板与所述第二金属板之间形成腔体结构;所述第一金属板设置有缝隙阵列,所述缝隙阵列位于所述腔体结构的其中一面;
所述第一功分器和所述第二功分器,用于在所述第一金属板与第二金属板之间产生横电波TE波;
所述第一人工磁表面和所述第二人工磁表面,用于在所述腔体结构内将所述TE波转化为准横电磁波TEM波;
所述缝隙阵列,用于控制所述腔体结构内的所述准TEM波的辐射。
2.根据权利要求1所述的全息天线,其特征在于,材料板中设置的所述第一电磁带隙阵列的边缘与所述第一金属板的第一边缘重合,所述第一金属板中设置的所述第二电磁带隙阵列的边缘与所述第一金属板的第二边缘重合;所述第一边缘与所述第二边缘对称;所述材料板为所述第一金属板、所述第一介质板以及所述第二金属板中的任一个。
3.根据权利要求1或2所述的全息天线,其特征在于,所述第一功分器的输入端与所述第一介质板的第三边缘重合;所述第二功分器的输入端与所述第一介质板的第四边缘重合,所述第三边缘与所述第四边缘对称。
4.根据权利要求1所述的全息天线,其特征在于,所述全息天线还包括多条控制电路;各控制电路中包括射频开关;所述射频开关与所述缝隙阵列中的缝隙一一对应;
所述控制电路,用于在所述射频开关的正负极施加不同的直流偏执电压,控制所述射频开关的通断状态;
所述射频开关,用于通过通断状态控制所述腔体结构内所述准TEM波通过所述缝隙辐射。
5.根据权利要求1所述的全息天线,其特征在于,电磁带隙阵列为蘑菇型电磁场带隙EBG结构;所述电磁带隙阵列包括所述第一电磁带隙阵列和所述第二电磁带隙阵列。
6.根据权利要求1所述的全息天线,其特征在于,所述第一功分器和所述第二功分器均包括N个波导支路,所述第一人工磁表面和所述第二人工磁表面用于接收并转化所述波导支路辐射在所述腔体结构内的所述TE波转化为所述准TEM波,所述波导支路由所述第一介质板中的至少一个金属化过孔形成。
7.根据权利要求1所述的全息天线,其特征在于,所述第一功分器与所述第二功分器均为一分八功分器。
8.一种控制方法,其特征在于,应用于权利要求1-7任一项所述的全息天线,所述方法包括:
获取全息天线的波束指向信息、缝隙阵列中的缝隙方位信息;
根据所述波束指向信息以及所述缝隙阵列中的缝隙方位信息,确定所述缝隙上的射频开关的通断值;
根据所述通断值控制所述射频开关的通断状态。
9.一种计算机设备,包括存储器和处理器,所述存储器存储有计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求8所述的方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求8所述的方法的步骤。
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