CN113964489B - 基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线,包括馈电结构和辐射结构,辐射结构包括第一基板层和第二基板层,第一基板层上设置有多个介质谐振腔,第二基板层上设置有至少两个辐射单元,每个辐射单元均包括多个弯折朝向相同的弯折形缝隙,且相邻辐射单元的弯折形缝隙的弯折朝向相反,相邻辐射单元的相应的两个弯折形缝隙位于同一个由金属化过孔围成的空间内,其中,在每个弯折形缝隙内,其两侧的电场水平分量相互抵消;馈电结构包括第三基板层和第四基板层,第三基板层上设置有多个工字形缝隙,第四基板层上设置有微带线,所述微带线通过SMPM接头馈电。本发明可以展宽列阵元的扫描方向的波束宽度,从而提升相控阵的扫描范围。

Description

基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线
技术领域
本发明涉及电子通信技术的天线领域,尤其涉及基于波导缝隙天线的宽角扫描相控阵天线。
背景技术
毫米波技术近年来在军事、民用和工业领域日益显示出极大的应用价值,特别是对于新兴的第五代/第六代移动通信(5G/6G)和车载毫米波雷达技术,已成为无线技术发展的一个重要方向。天线是无线系统必不可少的器件,而扫描相控阵天线(简称相控阵)是一种重要的天线类型。相控阵可根据需要,改变高增益波束方向或形成特定波束形状,对毫米波通信(包括5G/6G)、雷达、成像和探测等系统都有重要价值。根据波束扫描的维度,相控阵分为一维和二维扫描。尽管仅能实现单方向扫描,但所需相位/幅度控制通道数少、成本更低,因此一维扫描相控阵更适合大多数毫米波无线应用,例如5G/6G毫米波终端和小基站,车载毫米波雷达。另外,未来毫米波天线/天线阵将主要采用封装工艺以封装天线(AiP)形式实现(如LTCC、HDI和FOWLP工艺),从而提高系统集成度、降低成本和减少互连损耗。
相控阵最重要指标是工作带宽内的宽角波束扫描能力,同时要求扫描范围内波束增益高且波动小、副瓣电平低、损耗低、匹配好,以保证毫米波无线系统的覆盖范围。一般而言,要达到以上要求,扫描相控阵须具有宽阵元波束、足够小阵元间距且高阵元间隔离度。另外,增加扫描方向阵元数也可有效增加扫描范围,但这导致更高成本和更大体积。一般天线(如贴片天线)作为相控阵阵元,如果不采用专门设计,其半功率波束宽度都比较窄,无法满足宽波束要求。另一方面,小阵元间距且宽波束阵元要求都会导致阵元间耦合严重。因此,大部分宽角扫描相控阵研究,都从展宽阵元波束和提高阵元间隔离度展开。
J.Xu等在《Bandwidth Enhancement for a 60GHz Substrate IntegratedWaveguide Fed Cavity Array Antenna on LTCC,in IEEE Transactions on Antennasand Propagation,vol.59,no.3,pp.826-832,March 2011,doi:10.1109/TAP.2010.2103018》,提出了一种基于LTCC工艺的并馈多层SIW缝隙天线,这种天线基于并馈馈电方案设计而成,具有良好的波束稳定性和较宽的带宽;但同时这种天线的层数过高、单元数过多,并且仅仅只是做了一个固定波束的阵列。
目前提高相控阵扫描能力的主要有三种方法:1.增大单元波束宽度:通过改善天线单元的波束宽度从而实现一个更广的波束覆盖能力;2.减小单元间距:通过减小列单元之间的间距,至少使其达到半波长来实现宽角度扫描;3.减小单元互耦:单元间的互耦会极大的影响到阵列的方向图,通过减小单元互耦来维持方向图的稳定性从而获得高扫描角;上述改善扫描相控阵扫描能力的方法主要应用于微波频段,而在毫米波频段应用困难,这是因为:(1)毫米波波长短,部分结构要求加工精度高,目前封装工艺无法保证;(2)封装工艺基本为平面电路工艺,加工自由度有限。
发明内容
为了解决现有技术中存在的不足,本发明提供了基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线,在有限的列阵元宽度(如0.4波长)下,展宽列阵元的扫描方向的波束宽度,从而提升相控阵的扫描范围,同时采用以较低层数实现并馈效果的馈电方式。
为了实现本发明目的,本发明提供的基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线,包括馈电结构和位于馈电结构顶部的辐射结构,
辐射结构包括第一基板层和第二基板层,第一基板层上设置有多个介质谐振腔,第二基板层上设置有至少两个辐射单元,每个辐射单元均包括多个弯折朝向相同的弯折形缝隙,且相邻辐射单元的弯折形缝隙的弯折朝向相反,相邻辐射单元的相应的两个弯折形缝隙位于同一个由金属化过孔围成的空间内,其中,在每个弯折形缝隙内,其两侧的电场水平分量相互抵消;
馈电结构包括第三基板层和位于第三基板层底部的第四基板层,第三基板层上设置有多个工字形缝隙,第四基板层上设置有用于实现并馈的微带线,所述微带线通过SMPM接头馈电。
进一步地,第一基板层包括9层层叠设置的基板。
进一步地,第二基板层包括6层层叠设置的基板。
进一步地,各基板层的材质均为FerroA6M。
进一步地,FerroA6M的介电常数为5.9,损耗正切为0.002。
进一步地,辐射单元有4个。
进一步地,介质谐振腔通过在第一基板层上开设金属化过孔形成。
进一步地,所述相控阵天线采用LTCC工艺制成。
进一步地,每个辐射单元中的弯折形缝隙呈阵列排布,每个辐射单元包括1*4个弯折形缝隙。
进一步地,第三基板层上的工字形缝隙呈陈列排布,相邻两个辐射单元与一列工字形缝隙相应设置。
与现有技术相比,本发明能够实现的有益效果至少如下:
1.本发明使用了微带并馈结构来给辐射结构馈电,大大减少了结构的层数,使该天线结构在一个相对较宽的频率内在边射方向保持了良好的波束稳定性,同时保证了对整个5G毫米波频段(24.25GHz-29.5GHz)的覆盖。
2.本发明使用工字形缝隙,有效缩减了缝隙在横向的长度。
3.本发明使用了一种新型的弯折形缝隙,该形式的缝隙提高了列单元波束宽度,从而使本结构实现了一个相对较好的扫描能力。
4、本发明通过在相控阵天线的辐射表面设置介质谐振腔来改变口径场分布,从而在保证增益的同时实现一个宽角度扫描。
附图说明
图1是本发明实施例提供的基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线的弯折形缝隙结构及内部电场示意图。
图2是本发明实施例提供的基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线的结构示意图。
图3是图1中RegionⅠ区域俯视图(Layer1)。
图4是图1中RegionⅡ区域俯视图(Layer10)。
图5是图1中RegionⅢ区域的俯视图(Layer16)。
图6是图1中RegionⅢ区域的仰视图(Layer17)。
图7是本发明实施例中各列单元的无源反射系数与频率之间的关系示意图。
图8是本发明实施例中阵列最大辐射方向增益示意图。
图9是本发明实施例中整个频带内扫描角示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都是本发明保护的范围。
本发明提供的基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线由两个基本部分组成,其大致结构如图2所示;第一个基本部分为馈电结构,包括第三基板层和位于第三基板层底部的第四基板层,对应图2的Layer16-Layer17部分:先通过背接SMPM接头馈电给微带线后通过微带并馈馈电网络将能量馈到辐射结构;第二个基本部分为位于馈电结构顶部的辐射结构,包括第一基板层和第二基板层,对应图1的Layer1-Layer15部分:通过SIW缝隙天线的形式辅以介质谐振腔和弯折形缝隙来构成一个宽波束宽度、高扫描角和低剖面的列单元结构。
通过设置弯折形缝隙,可以控制辐射单元的横向口径场分布,降低了横向口径效率,从而展宽列阵元横向(扫描方向)的波束宽度。弯折形缝隙的结构示意图如图1所示,图中箭头代表缝隙内电场方向,通过弯折形结构强行改变单个缝隙两侧电场方向,通过两侧电场水平分量相互抵消,垂直分量相互叠加的方法降低横向口径效率,从而展宽列阵元波束宽度,并进一步的提高阵列的扫描能力。下面对基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线做详细介绍。
(1)位于顶部的辐射结构
辐射结构包括第一基板层和位于第一基板层下方的第二基板层,在本发明其中一个实施例中,第一基板层包括9层层叠设置的基板(对应图2的RegionⅠ),第二基板层包括6层层叠设置的基板(对应图2的RegionⅡ),基板采用FerroA6M,层数为15层,介电常数为5.9,损耗正切为0.002。
第一基板层上设置有多个介质谐振腔1,第二基板层上设置有至少两个辐射单元,每个辐射单元均包括多个弯折朝向相同的弯折形缝隙2,且相邻辐射单元的弯折形缝隙的弯折朝向相反,相邻辐射单元的相应的两个弯折形缝隙位于同一个由金属化过孔围成的空间内,其中,在每个弯折形缝隙内,其两侧的电场水平分量相互抵消,介质谐振腔1与辐射单元中的弯折形缝隙对应设置。即在本发明其中一个实施例中,上9层(RegionⅠ)设置有介质谐振腔,下6层(RegionⅡ)设置有天线的基本辐射单元,使用的辐射结构的形式为基片集成波导缝隙天线。底层的馈电网络馈上来的能量是反相的,通过将相邻两列的弯折形缝隙的弯折朝向相反,可以保证辐射的同向性;另外,通过将相邻两列的弯折形缝隙的弯折朝向相反还可以增强整个天线的波束稳定性。
在本发明其中一个实施例中,每个辐射单元中的弯折形缝隙呈阵列排布,每个辐射单元包括1*4个弯折形缝隙,即在一个位于RegionⅡ介质集成波导(SIW)上的1*4缝隙天线被选为辐射单元,俯视图如图4所示。本发明使用了一种新型的“倒钩型”缝隙,此种缝隙形式通过缝隙两端水平分量相互抵消降低了交叉极化,在降低交叉极化的同时相比普通形式的缝隙实现了更宽的波束宽度。由于层数的限制导致波导的主模工作频率较窄,从而带来匹配上的一系列问题,通过在RegionⅠ上加载介质谐振腔可以有效的改善该结构的匹配和增益,该结构由9层FerroA6M基板构成,该结构通过金属化过孔在辐射缝隙上方围成一块较大的谐振区域,借此辅助能量辐射,俯视图如图3所示。
(2)位于底部的馈电结构
馈电结构包括第三基板层和位于第三基板层底部的第四基板层,在本发明其中一个实施例中,馈电结构对应图1中的RegionⅢ(Layer16-17),RegionⅢ、RegionⅡ、RegionⅠ在纵向空间上呈层叠分布。
在本发明其中一个实施例中,请参阅图5和图6,第三基板层上设置有多个工字形缝隙5,第四基板层上设置有用于实现并馈的微带线3,所述微带线通过SMPM接头馈电。第三基板层上设置有馈电端口6。结构中的工字形形缝位于RegionⅢ的顶部,通过工字形缝隙可以一个更小的长度实现了和普通缝隙相同的匹配效果。在第四基板层先通过一个背接的SMPM接头给微带线馈电,之后再将微带线上的能量通过上述的工字形缝馈到RegionⅡ的辐射区域。
在本发明其中一个实施例中,辐射单元有4个,定义为1单元、2单元、3单元和4单元,每个辐射单元中的弯折形缝隙有4个,工字形缝隙有两列,每列有4个工字形缝隙,每列工字形缝隙与两个相邻的辐射单元对应设置。
在本发明其中一个实施例中第四基板层上设置有焊盘区域4。
第三基板层和位于第三基板层的基板材料是FerroA6M(介电常数为5.9,损耗正切为0.002)。由于材料选用的是FerroA6M,导致在拥有相同截止频率的前提下FerroA6M对应的SIW的宽度要更窄,进而导致了缝隙长度较为受限,从而使带宽也受到了限制。本发明改变了馈电方式,通过微带线在单层实现了一个并馈的效果,大大降低了结构的层数,实现了低剖面的目标;虽然并馈结构增加了层数和损耗,但此种结构保证了带内阻抗匹配和方向图稳定性,而这两者恰恰对相控阵而言是非常重要的因素。
同时考虑到手头的测量设备的标准单元间距为5mm,为了方便测量,在天线馈电处设置了一个由4.3mm单元间距到5mm单元间距的微带转接,在保证扫描角大体与不加转接的同时以降低0.2dBi增益为代价大大简化了测量难度。
图7给出了相控阵天线在5G频段各辐射单元的无源反射系数,可以看到本发明中的结构可以保证整个5G频带内无源反射系数<-10dB;图8给出了相控阵天线的最大辐射方向增益,在整个频带内增益大于11.8dBi;图9给出了整个频带内最低扫描角频点的扫描情况,本结构可以做到在整个5G频带内实现3dB滚降扫描角(指最大辐射方向上增益相比0°扫描角方向增益降低3dB)>61.8°的扫描能力。
综上,本发明通过弯折形缝隙阵元形缝辅以介质谐振腔,在降低交叉极化的同时大大提升了辐射单元的波束宽度,从而可以获得一个具有宽角扫描特性的相控阵天线。另外,本发明使用并馈结构分别给基片集成波导的每个弯折形缝隙馈电,使得馈给每个弯折形缝隙的电场的幅值和相位接近相同,从而保证匹配和方向图的稳定性。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其他实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (8)

1.基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线,其特征在于,包括馈电结构和位于馈电结构顶部的辐射结构,
辐射结构包括第一基板层和第二基板层,第一基板层上设置有多个介质谐振腔,第二基板层上设置有至少两个辐射单元,每个辐射单元均包括多个弯折朝向相同的弯折形缝隙,且相邻辐射单元的弯折形缝隙的弯折朝向相反,相邻辐射单元的相应的两个弯折形缝隙位于同一个由金属化过孔围成的空间内,其中,在每个弯折形缝隙内,其两侧的电场水平分量相互抵消;
馈电结构包括第三基板层和位于第三基板层底部的第四基板层,第三基板层上设置有多个工字形缝隙,第四基板层上设置有用于实现并馈的微带线,所述微带线通过SMPM接头馈电;
其中,介质谐振腔通过在第一基板层上开设金属化过孔形成;介质谐振腔与辐射单元中的弯折形缝隙对应设置;第三基板层上的工字形缝隙呈陈列排布,相邻两个辐射单元与一列工字形缝隙相应设置。
2.根据权利要求1所述的基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线,其特征在于,第一基板层包括9层层叠设置的基板。
3.根据权利要求1所述的基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线,其特征在于,第二基板层包括6层层叠设置的基板。
4.根据权利要求1所述的基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线,其特征在于,各基板层的材质均为FerroA6M。
5.根据权利要求4所述的基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线,其特征在于,FerroA6M的介电常数为5.9,损耗正切为0.002。
6.根据权利要求1所述的基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线,其特征在于,辐射单元有4个。
7.根据权利要求1所述的基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线,其特征在于,所述相控阵天线采用LTCC工艺制成。
8.根据权利要求1-7任一所述的基于弯折形缝隙的宽角扫描相控阵天线,其特征在于,每个辐射单元中的弯折形缝隙呈阵列排布,每个辐射单元包括1*4个弯折形缝隙。
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