CN113471260A - 阵列基板、显示面板和用于制造阵列基板的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种阵列基板、显示面板和用于制造阵列基板的方法。所述阵列基板包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的像素定义层，其中，所述像素定义层具有限定子像素的开口和位于所述开口之间的凸起；设置在所述像素定义层上的发光器件层，其中，所述发光器件层具有设置在所述开口中的第一部分和位于所述凸起上的的第二部分，其中，所述第二部分在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性低于所述第一部分在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种阵列基板、显示面板和用于制造阵列基板的方法。
背景技术
相比于其它类型的显示器件(例如，液晶显示单元)，有机发光显示器件(OLED显示器件)因其轻薄、低功耗、高对比度、高色域等优点，作为下一代显示器被广泛研究并得到初步应用。相比于液晶显示器件，OLED显示器件的另一个优势是，其不需要背光照明。
发明内容
本发明的实施例提供了一种阵列基板。根据本发明的实施例的阵列基板包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的像素定义层，其中，所述像素定义层具有限定子像素的开口和位于所述开口之间的凸起；设置在所述像素定义层上的发光器件层，其中，所述发光器件层具有设置在所述开口中的第一部分和位于所述凸起上的的第二部分，其中，所述第二部分在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性低于所述第一部分在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性。
在一些实施例中，所述发光器件层包括：位于所述开口中的第一电极；位于所述第一电极的远离所述衬底基板的表面上的空穴传输层；位于所述空穴传输层的远离所述衬底基板的表面上的发光层；位于所述发光层的远离所述衬底基板上的电子传输层；位于所述电子传输层的远离所述衬底基板的表面上的第二电极，
其中，所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层中的至少一者的在所述凸起上的部分在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性低于其在所述开口中的部分的在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性。
在一些实施例中，所述空穴传输层具有位于所述凸起上的间隔，并且其中，所述空穴传输层的间隔在所述衬底基板上的投影与所述凸起的远离所述衬底的表面在所述衬底基板上的投影至少部分重叠。
在一些实施例中，所述空穴传输层还用作空穴注入层。
在一些实施例中，所述发光器件层还包括位于所述空穴传输层和所述第一电极之间的空穴注入层，其中，所述空穴注入层至少暴露所述凸起的远离所述衬底基板的表面的一部分。
在一些实施例中，所述发光器件层还包括位于所述空穴传输层和所述发光层之间的辅助发光层，其中所述辅助发光层的在所述凸起上的部分在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性低于其在所述开口中的部分的在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性。
在一些实施例中，所述电子传输层还用作电子注入层。
在一些实施例中，所述发光器件层还包括设置在所述电子传输层与所述第二电极之间的电子注入层。
在一些实施例中，所述电子传输层和/或所述电子注入层有位于所述凸起上的间隔，并且其中，所述所述电子传输层和/或所述电子注入层的间隔在所述衬底基板上的投影与所述凸起的远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的投影至少部分重叠。
本发明的实施例还提供了一种显示面板。所述显示面板可以包括如上所述的阵列基板。
本发明的实施例还提供了一种用于制造阵列基板的方法。所述用于制造阵列基板的方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成像素定义层，其中，所述像素定义层具有限定子像素的开口和位于开口之间的凸起；在所述像素定义层上形成发光器件层，其中，所述发光器件层具有设置在所述开口中的第一部分和位于所述凸起上的的第二部分，其中，所述第二部分在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性低于所述第一部分在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性。
在一些实施例中，在所述像素定义层上形成所述发光器件层包括：在所述像素定义层的所述开口中形成第一电极；在所述第一电极上形成空穴传输层；在所述空穴传输层上形成发光层；在所述发光层上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成第二电极，其中，所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层中的至少一者的在所述凸起上的部分在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性低于其在所述开口中的部分的在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性。
在一些实施例中，形成空穴传输层包括将所述空穴传输层形成为具有位于所述凸起上的间隔，并且其中，所述空穴传输层的间隔在所述衬底基板上的投影与所述凸起的远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的投影至少部分重叠。
在一些实施例中，形成空穴传输层包括：采用具有镂空部的第一掩膜版，通过将所述镂空部与所述开口对准，来形成所述空穴传输层。
在一些实施例中，所述第一掩膜版包括精细金属掩膜版。
在一些实施例中，所述空穴传输层还用作空穴注入层。
在一些实施例中，形成发光器件层还包括：形成位于所述空穴传输层和所述第一电极之间的空穴注入层，其中，所述空穴注入层至少暴露所述凸起的远离所述衬底基板的表面的一部分。
在一些实施例中，形成发光器件层还包括：形成位于所述空穴传输层和所述发光层之间的辅助发光层。
在一些实施例中，所述方法还包括在所述第二电极上形成覆盖所述发光器件层的覆盖层。
在一些实施例中，所述方法还包括在形成所述覆盖层之后，
采用具有遮光部和透光部的第二掩膜版，将所述第二掩膜版的透光部与所述凸起对准并将所述第二掩膜版的遮光部与所述开口对准，用光从所述第二掩膜版的远离所述发光器件层的一侧来照射所述发光器件层，来改变所述发光器件层的位于所述凸起上的部分的导电性，以形成所述第二部分。
在一些实施例中，所述光包括紫外光。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的实施例的技术方案，下面将对实施例的附图进行简要说明，应当知道，以下描述的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制，其中：
图1为根据本发明的实施例的阵列基板的示意图；
图2为根据本发明的实施例的阵列基板的示意图；
图3为根据本发明的实施例的阵列基板的示意图；
图4为根据本发明的实施例的阵列基板的示意图；
图5为根据本发明的实施例的显示装置的示意图；
图6为根据本发明的实施例的用于制造阵列基板的方法的流程示意图；
图7为根据本发明的实施例的在像素定义层上形成发光器件层的方法的示意图；
图8为根据本发明的实施例的用于制造阵列基板的方法的示意图；
图9(a)为一种常规的阵列基板的荧光图；
图9(b)为本发明的实施例的阵列基板的荧光图。
具体实施方式
为了使本发明的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将接合附图，对本发明的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，也都属于本发明保护的范围。
当介绍本发明的元素及其实施例时，冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”旨在表示存在一个或者多个要素。用语“包含”、“包括”、“含有”和“具有”旨在包括性的并且表示可以存在除所列要素之外的另外的要素。
出于下文表面描述的目的，如其在附图中被标定方向那样，术语“上”、“下”、“左”、“右”“垂直”、“水平”、“顶”、“底”及其派生词应涉及发明。术语“上覆”、“在……顶上”、“定位在……上”或者“定位在……顶上”意味着诸如第一结构的第一要素存在于诸如第二结构的第二要素上，其中，在第一要素和第二要素之间可存在诸如界面结构的中间要素。术语“接触”意味着连接诸如第一结构的第一要素和诸如第二结构的第二要素，而在两个要素的界面处可以有或者没有其它要素。
图1为根据本发明的实施例的阵列基板的示意图。如图1所示，根据本发明的实施例的阵列基板可以包括：衬底基板1；设置在衬底基板上的像素定义层2，其中，像素定义层2具有限定子像素PIX的开口21和位于开口21之间的凸起22；设置在像素定义层2上的发光器件层3，其中，发光器件层3具有设置在开口21中的第一部分P31和设置在凸起22上的第二部分P2，其中，第二部分P2在沿平行于衬底基板1的方向上的导电性低于第一部分P1在沿平行于衬底基板1的方向上的导电性。通过这样的设置，能够减少阵列基板的不同子像素之间的侧向漏电流，提高阵列基板的质量。
图2为根据本发明的实施例的阵列基板的示意图。如图2所示，根据本发明的实施例的阵列基板的发光器件层3可以包括：位于开口21中的第一电极31；位于第一电极31的远离衬底基板1的表面上的空穴传输层32；位于空穴传输层32的远离衬底基板1的表面上的发光层33；位于发光层33的远离衬底基板1上的电子传输层34；位于电子传输层34的远离衬底基板1的表面上的第二电极35。其中，所述空穴传输层32、发光层33、电子传输层34中的至少一者的在凸起22上的部分在沿平行于衬底基板1的方向上的导电性低于其在开口21中的部分的在沿平行于衬底基板1的方向上的导电性。
如图2所示，空穴传输层32可以具有位于凸起22上的间隔G1。空穴传输层的间隔G1在衬底基板1上的投影与凸起22在衬底基板1上的投影至少部分重叠。这样，空穴传输层至少能够暴露凸起22的远离衬底基板1的表面的一部分，从而，能够阻断在空穴传输层中的侧向漏电通道。
通常来讲，空穴传输层材料的空穴迁移率要比电子传输层材料的电子迁移率要高一个数量级。因此，空穴传输层中的侧向漏电流对阵列基板的影响比电子传输层中的侧向漏电流对阵列基板的影响更大。像本发明的实施例这样来改进空穴传输层，可以取得良好的减少阵列基板的侧向漏电流的效果。
在一些实施例中，空穴传输层还可以用作空穴注入层。在在另一些实施例中，发光器件层还可以包括位于空穴传输层32和第一电极31之间的空穴注入层。
图3为根据本发明的实施例的阵列基板的示意图。如图3所示，发光器件层还可以包括位于空穴传输层32和第一电极31之间的空穴注入层36，其中，空穴注入层36至少暴露凸起22的远离衬底基板1的表面的一部分。这样，也可以将空穴注入层中的侧向漏电阻断。
图4为根据本发明的实施例的阵列基板的示意图。如图4所示，发光器件层还可以包括位于空穴传输层32和发光层33之间的辅助发光层37。该辅助发光层在凸起22上的部分在沿平行于衬底基板1的方向上的导电性低于其在开口中的部分在沿平行于衬底基板1的方向上的导电性。这样，能够阻挡辅助发光层中的侧向漏电流。在一些实施例中，可以采用诸如紫外光照射的方式，使得辅助发光层的位于凸起上的部分至少部分失效，即，其导电性被降低。还能够在不影响阵列基板的光学特性和阵列基板的寿命的情况下，有效降低混色的发生率。
辅助发光层也可以被称为Prime层，其可以用于加长空穴的传输路径。辅助发光层的材料可以与空穴传输层的材料相同，也可以与空穴传输层的材料不同。
如图4所示，阵列基板还可以包括设置在第二电极的远离衬底基板1的表面上的覆盖层38。覆盖层可以防止水和氧气等进入到发光器件层中。
在一些实施例中，电子传输层34还可以用作电子注入层。在另一些实施例中，发光器件层还包括设置在电子传输层34与第二电极35之间的电子注入层39。电子传输层34还可以用作空穴阻挡层。
电子传输层34和/或电子注入层39有位于凸起22上的间隔，并且其中，所述电子传输层34和/或电子注入层39的间隔在衬底基板1上的投影与凸起22的远离衬底基板1的表面在衬底基板1上的投影至少部分重叠。这样，也可以阻挡电子传输层和/或电子注入层中的侧向漏电流。
图5为根据本发明的实施例的显示装置的示意图。如图5所示，根据本发明的实施例的显示装置100可以包括阵列基板200。阵列基板200可以是图1-图4中示出的任意的阵列基板。
本发明的实施例还提供了一种用于制造阵列基板的方法。图6为根据本发明的实施例的用于制造阵列基板的方法的流程示意图。如图6所示，根据本发明的实施例的用于制造阵列基板的方法包括：
S1、提供衬底基板；
S3、在衬底基板上形成像素定义层，其中，像素定义层具有限定子像素的开口和位于开口之间的凸起；
S5、在像素定义层上形成发光器件层，其中，发光器件层具有设置在开口中的第一部分位于凸起上的第二部分。第二部分在沿平行于衬底基板的方向上的导电性低于第一部分在沿平行于衬底基板的方向上的导电性。
图7为根据本发明的实施例的在像素定义层上形成发光器件层的方法的示意图。如图7所示，在一些实施例中，在像素定义层上形成发光器件层包括：S31、在像素定义层的开口中形成第一电极；
S33、在第一电极上形成空穴传输层；
S35、在空穴传输层上形成发光层；
S37、在发光层上形成电子传输层；
S39、在电子传输层上形成第二电极，
其中，空穴传输层、发光层、电子传输层中的至少一者的在凸起上的部分在沿平行于衬底基板的方向上的导电性低于其在开口中的部分的在沿平行于衬底基板的方向上的导电性。这样，能够降低阵列基板的侧向漏电流，提高阵列基板的质量。
参考图2，在一些实施例中，形成空穴传输层包括将空穴传输层32形成为具有位于凸起22上的间隔G1。空穴传输层的间隔G1在衬底基板1上的投影与凸起22的远离衬底基板的表面在衬底基板1上的投影至少部分重叠。具体地，可以采用具有镂空部的第一掩膜版，通过将镂空部与开口对准，(例如，通过蒸镀)来形成空穴传输层。第一掩膜版可以包括精细金属掩膜版FMM(fine metal mask)。
在一些实施例中，空穴传输层还用作空穴注入层。在另一些实施例中，另外设置单独的空穴注入层。参考图3，形成发光器件层还可以包括：形成位于空穴传输层32和第一电极31之间的空穴注入层36，其中，空穴注入层36至少暴露凸起22的远离衬底基板的表面的一部分。
在一些实施例中，参考图4，形成发光器件层还包括形成位于空穴传输层32和发光层33之间的辅助发光层37。在一些实施例中，用于制造阵列基板的方法还包括在第二电极35上形成覆盖发光器件层的覆盖层38。
图8为根据本发明的实施例的用于制造阵列基板的方法的示意图。如图8所示，根据本发明的实施例的用于制造阵列基板的方法还包括在形成覆盖层38之后，采用具有遮光部M1和透光部M2的第二掩膜版，将所述第二掩膜版的透光部M2与凸起对准并将遮光部M1与开口对准，用光从第二掩膜版的远离发光器件层的一侧来照射发光器件层，来改变所述发光器件层的位于所述凸起上的部分的导电性，以形成第二部分。例如，可以采用紫外光来照射。
采用诸如紫外光照射的方式，能够使得辅助发光层的位于凸起上的部分至少部分失效，即，其导电性被降低。还能够在不影响阵列基板的光学特性和阵列基板的寿命的情况下，有效降低混色的发生率。
第一电极可以为阳极。例如，可以采用磁控溅射法来形成阳极。阳极的材料可以为诸如ITO的透明导电材料。第二掩膜版可以和形成阳极的时候采用的掩膜版为同一个掩膜版。
图9(a)为一种常规的阵列基板的荧光图。图9(b)为本发明的实施例的阵列基板的荧光图。对比图9(a)和图9(b)可以看出，根据本发明的实施例的阵列基板的亮度值得到显著提高。这进一步验证了根据本发明的实施例的阵列基板可以减少侧向漏电流，并提高阵列基板的质量。
发明人还对常规的阵列基板(也被称为对比例)和根据本发明的实施例的阵列基板进行了RGC(Red Gray Crush)测试。在低亮度模式(例如，4nit)下测量阵列基板中心位置上不同单色光的亮度数值，得到如下表1：
表1改善前后像素定义层(PDL)的凸起的上方的电阻Rs测试及RGC数值
| 项目 | PDL的凸起的上方Rs | RGC数值 |
| 对比例 | 1.2E9Ω | 0.41 |
| 本发明的实施例 | 7.38E10Ω | 0.61 |
从表1可以看出，与作为对比例的常规的阵列基板相比，本发明的实施例的阵列基板的像素定义层的凸起上方的电阻值增大，从而其漏电流变小，显示亮度得到提高。
已经描述了某特定实施例，这些实施例仅通过举例的方式展现，而且不旨在限制本发明的范围。事实上，本文所描述的新颖实施例可以以各种其它形式来实施；此外，可在不脱离本发明的精神下，做出以本文所描述的实施例的形式的各种省略、替代和改变。所附权利要求以及它们的等价物旨在覆盖落在本发明范围和精神内的此类形式或者修改。
Claims (21)
1.一种阵列基板，包括：衬底基板；
设置在所述衬底基板上的像素定义层，其中，所述像素定义层具有限定子像素的开口和位于所述开口之间的凸起；以及
设置在所述像素定义层上的发光器件层，其中，所述发光器件层具有设置在所述开口中的第一部分和位于所述凸起上的的第二部分，其中，所述第二部分在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性低于所述第一部分在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述发光器件层包括：位于所述开口中的第一电极；
位于所述第一电极的远离所述衬底基板的表面上的空穴传输层；
位于所述空穴传输层的远离所述衬底基板的表面上的发光层；
位于所述发光层的远离所述衬底基板上的电子传输层；
位于所述电子传输层的远离所述衬底基板的表面上的第二电极，
其中，所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层中的至少一者的在所述凸起上的部分在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性低于其在所述开口中的部分的在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述空穴传输层具有位于所述凸起上的间隔，并且其中，所述空穴传输层的间隔在所述衬底基板上的投影与所述凸起的远离所述衬底的表面在所述衬底基板上的投影至少部分重叠。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述空穴传输层还用作空穴注入层。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述发光器件层还包括位于所述空穴传输层和所述第一电极之间的空穴注入层，其中，所述空穴注入层至少暴露所述凸起的远离所述衬底基板的表面的一部分。
6.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述发光器件层还包括位于所述空穴传输层和所述发光层之间的辅助发光层，其中所述辅助发光层的在所述凸起上的部分在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性低于其在所述开口中的部分的在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性。
7.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述电子传输层还用作电子注入层。
8.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述发光器件层还包括设置在所述电子传输层与所述第二电极之间的电子注入层。
9.根据权利要求7或8所述的阵列基板，其中，所述电子传输层和/或所述电子注入层有位于所述凸起上的间隔，并且其中，所述所述电子传输层和/或所述电子注入层的间隔在所述衬底基板上的投影与所述凸起的远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的投影至少部分重叠。
10.一种显示面板，包括根据权利要求1-9中任一项所述的阵列基板。
11.一种用于制造阵列基板的方法，包括：提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成像素定义层，其中，所述像素定义层具有限定子像素的开口和位于开口之间的凸起；
在所述像素定义层上形成发光器件层，其中，所述发光器件层具有设置在所述开口中的第一部分和位于所述凸起上的的第二部分，其中，所述第二部分在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性低于所述第一部分在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述像素定义层上形成所述发光器件层包括：在所述像素定义层的所述开口中形成第一电极；
在所述第一电极上形成空穴传输层；
在所述空穴传输层上形成发光层；
在所述发光层上形成电子传输层；
在所述电子传输层上形成第二电极，
其中，所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层中的至少一者的在所述凸起上的部分在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性低于其在所述开口中的部分的在沿平行于所述衬底基板的方向上的导电性。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成空穴传输层包括将所述空穴传输层形成为具有位于所述凸起上的间隔，并且其中，所述空穴传输层的间隔在所述衬底基板上的投影与所述凸起的远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的投影至少部分重叠。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成空穴传输层包括：采用具有镂空部的第一掩膜版，通过将所述镂空部与所述开口对准，来形成所述空穴传输层。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一掩膜版包括精细金属掩膜版。
16.根据权利要求12所述的方法，其中，所述空穴传输层还用作空穴注入层。
17.根据权利要求12所述的方法，其中，形成发光器件层还包括：形成位于所述空穴传输层和所述第一电极之间的空穴注入层，其中，所述空穴注入层至少暴露所述凸起的远离所述衬底基板的表面的一部分。
18.根据权利要求12-17中任一项所述的方法，其中，形成发光器件层还包括：形成位于所述空穴传输层和所述发光层之间的辅助发光层。
19.根据权利要求18所述的方法，还包括：在所述第二电极上形成覆盖所述发光器件层的覆盖层。
20.根据权利要求19所述的方法，还包括：在形成所述覆盖层之后，
采用具有遮光部和透光部的第二掩膜版，将所述第二掩膜版的透光部与所述凸起对准并将所述第二掩膜版的遮光部与所述开口对准，用光从所述第二掩膜版的远离所述发光器件层的一侧来照射所述发光器件层，来改变所述发光器件层的位于所述凸起上的部分的导电性，以形成所述第二部分。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述光包括紫外光。
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- 2021-06-28 CN CN202110720936.1A patent/CN113471260A/zh active Pending
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