CN113471216A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种显示面板及其制备方法。所述显示面板中具有第一显示区以及包围所述第一显示区的第二显示区。所述显示面板包括基板、第一下电极、第二下电极、介电层、第一上电极以及第二上电极。在所述第一显示区，所述第一下电极、所述介电层和所述第一上电极依次叠层设与所述基板上。在所述第二显示区，所述第二下电极、所述介电层和所述第二上电极依次叠层设于所述基板上。所述第一上电极与所述第一下电极之间的介电层厚小于所述第二上电极与所述第二下电极之间的介电层厚度。
Description
技术领域
本发明涉及光学显示设备领域，特备是一种显示面板及其制备方法。
背景技术
OLED即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode)，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
AMOLED顶发射结构，是未来高分辨率电视产品的选择。AMOLED面板由自发光的OLED元件组成，且OLED为电流驱动的元件，面板的亮度由经过OLED元件的电流决定。高分辨率高刷新率的显示面板中，面板的亮度均一性受充电率以及IR Drop(压降)影响较大，通常亮度分布呈现四周亮、中间暗的趋势，亮度不均一，严重影响用户的使用感受。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示面板及其制备方法，以解决现有技术中显示面板亮度分布呈现四周亮、中间暗的亮度不均一问题。
为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，所述显示面板中具有第一显示区以及包围所述第一显示区的第二显示区。
所述显示面板包括基板、第一下电极、第二下电极、介电层、第一上电极以及第二上电极。
所述第一下电极设于所述基板上，并位于所述第一显示区内。所述第二下电极设于所述基板上，并位于所述第二显示区内。所述介电层设于所述基板上，并覆盖所述第一下电极和所述第二下电极。所述第一上电极设于所述介电层上，并与所述第一下电极相对设置。所述第二上电极设于所述介电层上，并与所述第二下电极相对设置。
其中，所述第一上电极与所述第一下电极之间的介电层厚小于所述第二上电极与所述第二下电极之间的介电层厚度。
进一步地，所述显示面板还具有第三显示区，所述第三显示区包围所述第二显示区。
所述显示面板还包括第三下电极和第三上电极。所述第三下电极设于所述基板上，并位于所述第三显示区内。所述第三上电极设于所述介电层上，并与所述第三下电极相对设置。所述第二上电极与所述第二下电极之间的介电层厚小于所述第三上电极与所述第三下电极之间的介电层厚度。
进一步地，在所述第一显示区内，所述介电层中具有第一凹槽，所述第一凹槽与所述第二下电极相对设置，其槽口朝向所述第一上电极。所述第一上电极设于所述第一凹槽中。
进一步地在所述第二显示区内，所述介电层中具有第二凹槽，所述第二凹槽与所述第二下电极相对设置，其槽口朝向所述第二上电极。所述第二上电极设于所述第二凹槽中。所述第二凹槽的深度小于所述第一凹槽的深度。
进一步地，所述第一下电极、所述第二下电极和所述第三下电极为金属或导体化的金属氧化物。
进一步地，当所述第一下电极、所述第二下电极和所述第三下电极为金属时，所述显示面板还包括绝缘层，所述绝缘层设于所述第一下电极、所述第二下电极以及所述第三下电极与所述基板之间。
本发明中还提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板的制备方法中包括以下步骤：
在第一显示区内的基板上制备第一下电极。在第二显示区内的基板上制备第二下电极。在所述基板上制备覆盖所述第一下电极和所述第二下电极的介电层。蚀刻所述介电层，使所述第一下电极上的介电层厚度小于所述第二下电极上的介电层厚度。在所述第一显示区内的介电层上制备第一上电极。在所述第二显示区内的介电层上制备第二上电极。
进一步地，所述显示面板的制备方法中还包括以下步骤：
在第三显示区内的基板上形成第三下电极。在所述第三显示区内的介电层上形成第三上电极。
进一步的，蚀刻所述介电层步骤中包括以下步骤：通过多色调掩膜工艺将所述介电层图案化，在所述第一显示区内的介电层上形成第一凹槽。
进一步地，制备所述第一凹槽的同时，在所述第二显示区内的介电层上形成第二凹槽。所述第二凹槽的深度小于所述第一凹槽的深度。
本发明的优点是：本发明的一种显示面板及其制备方法，通过在设置凹槽改变不同区域中上电极与下电极之间介电层的厚度，达到改变上电极与下电极之间的距离的目的，从而使显示面板中间区域的存储电容大于显示面板外围区域的存储电容，通过高出的存储电容补偿由于压降(IR Drop)问题而减少的电流，进而使显示面板中间区域的亮度与其外围区域的亮度相同，保持显示面板亮度的均一性，提高显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1或2中显示面板的分区示意图；
图2为本发明实施例1中第一显示区内显示面板的层状结构示意图；
图3为本发明实施例1中第二显示区内显示面板的层状结构示意图；
图4为本发明实施例1中第三显示区内显示面板的层状结构示意图；
图5为本发明实施例1中显示面板制备方法的流程示意图；
图6为本发明实施例2中第一显示区内显示面板的层状结构示意图；
图7为本发明实施例2中第二显示区内显示面板的层状结构示意图；
图8为本发明实施例2中第三显示区内显示面板的层状结构示意图；
图9为本发明实施例2中显示面板制备方法的流程示意图。
图中部件表示如下：
显示面板1； 第一显示区101；
第二显示区102； 第三显示区103；
基板10； 衬底层11；
遮光层12； 缓冲层13；
第一下电极21； 第一上电极22；
第二下电极31； 第二上电极32；
第三下电极41； 第三上电极42；
介电层50； 第一凹槽51；
第二凹槽52； 绝缘层60。
具体实施方式
以下参考说明书附图介绍本发明的优选实施例，证明本发明可以实施，所述发明实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明，使其技术内容更加清楚和便于理解。本发明可以通过许多不同形式的发明实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
实施例1
本发明实施例中提供了一种显示面板1，如图1所示，所述显示面板1具有一第一显示区101、一第二显示区102以及一第三显示区103。所述第二显示区102包围所述第一显示区101，所述第三显示区103包围所述第二显示区102。
所述显示面板1还包括基板10、第一下电极21、第一上电极22、第二下电极31、第二上电极32、第三下电极41、第三上电极42以及介电层50。
如图2-图4所示，所述基板10中包括衬底层11、遮光层12以及缓冲层13。所述衬底层11覆盖所述第一显示区101、所述第二显示区102以及所述第三显示区103，其可以为刚性衬底，也可以为柔性衬底。当所述衬底层11为刚性衬底时，其可以采用玻璃、石英等材料。当所述衬底层11为柔性衬底时，其可以采用聚酰亚胺(PI)材料。所述遮光层12设于所述衬底层11的一表面上，其采用不透光的金属材料制备而成。所述缓冲层13设于所述衬底层11上，并覆盖所述遮光层12。所述缓冲层13一般采用绝缘材料制备而成，其用于将所述遮光层12绝缘保护以及为所述显示面板1提供缓冲保护。
所述基板10上设有若干薄膜晶体管，所述薄膜晶体管阵列排布在所述第一显示区101、所述第二显示区102以及所述第三显示区103内。所述薄膜晶体管中一般包括有源层、栅极、源漏极以及设于导电走线之间的绝缘材料层。所述薄膜晶体管用于驱动所述显示面板1中每一像素点的开启或关闭，从而实现画面的显示。
所述薄膜晶体管中的有源层的材料一般采用金属氧化物(Oxide)工艺或低温多晶硅(LTPS)工艺制备而成，在本发明实施例中，所述薄膜晶体管中的有源层采用金属氧化物工艺制备而成。
如图2-图4所示，所述第一下电极21、所述第二下电极31以及所述第三下电极41均设于所述缓冲层13远离所述遮光层12的一表面上，并分别与一遮光层12对应设置。其中，所述第一下电极21位于所述第一显示区101内，所述第二下电极31位于所述第二显示区102内，所述第三下电极41位于所述第三显示区103中。
在本发明实施例中，所述第一下电极21、所述第二下电极31以及所述第三下电极41可以与所述薄膜晶体管中的有源层在同一道制程中制备而成，因此所述第一下电极21、所述第二下电极31以及所述第三下电极41与所述薄膜晶体管中的有源层同层设置且材料也相同，均为金属氧化物材料，例如铟镓锌氧化物。但是，所述第一下电极21、所述第二下电极31以及所述第三下电极41所采用的金属氧化物材料均为经过导体化操作的金属氧化物材料。
所述介电层50设于所述缓冲层13上，并覆盖所述第一下电极21、所述第二下电极31以及所述第三下电极41。同时，所述介电层50也会覆盖所述薄膜晶体管中的有源层。所述介电层50采用绝缘材料制备而成，所述绝缘材料可以为硅氮化物或者硅氧化物。所述介电层50用于绝缘保护所述第一下电极21、所述第二下电极31、所述第三下电极41以及所述薄膜晶体管中的有源层，防止发生短路。
如图2所示，所述第一上电极22位于所述第一显示区101内，并设于所述介电层50远离所述第一下电极21的一表面上。所述第一上电极22与所述第一下电极21相对设置，并组合形成第一存储电容走线。
如图3所示，所述第二上电极32位于所述第二显示区102内，并设于所述介电层50远离所述第二下电极31的一表面上。所述第二上电极32与所述第一下电极21相对设置，并组合形成第二存储电容走线。
如图4所示，所述第三上电极42位于所述第三显示区103内，并设于所述介电层50远离所述第三下电极41的一表面上。所述第三上电极42与所述第三下电极41相对设置，并组合形成第三存储电容走线。
在本发明实施例中，所述第一上电极22、所述第二上电极32以及所述第三上电极42可以与所述薄膜晶体管中的源漏极在同一制程中制备而成，因此所述第一上电极22、所述第二上电极32以及所述第三上电极42与所述薄膜晶体管中的源漏极同层设置且材料也相同，均为导电金属或合金。所述第一上电极22、所述第二上电极32和所述第三上电极42的厚度相同，并且所述第一上电极22与所述第一下电极21在所述基板10上正投影的重叠面积、所述第二上电极32与所述第二下电极31在所述基板10上正投影的重叠面积以及所述第三上电极42与所述第三下电极41在所述基板10上正投影的重叠面积均相等。
所述第一存储电容走线、所述第二存储电容走线以及所述第三存储电容走线用于存储电荷以形成存储电容，所述存储电容决定了驱动TFT的驱动电流，从而影响着所述显示面板1亮度的均一性。存储电容的稳定且充足能够降保证显示面板1刷新率，提高所述显示面板1显示画面时的图像质感。
其中，所述第一存储电容走线中所形成的存储电容具有一第一存储电容值Cst1，所述第二存储电容走线中所形成的存储电容具有一第二存储电容值Cst2，所述第三储存电容走线中所形成的存储电容具有一第三存储电容值Cst3。
如图2所示，所述第一显示区101内的介电层50上具有第一凹槽51。所述第一凹槽51设于所述介电层50远离所述第一下电极21的一表面上，其槽口朝向所述第一上电极22。所述第一上电极22设于所述第一凹槽51中，并填充所述第一凹槽51。所述第一凹槽51的深度大于或等于所述第一上电极22的厚度。
如图3所示，所述第二显示区102内的介电层50上具有第二凹槽52。所述第二凹槽52设于所述介电层50远离所述第二下电极31的一表面上，其槽口朝向所述第二上电极32。所述第二上电极32设于所述第二凹槽52中，并填充所述第二凹槽52。所述第二凹槽52的深度也小于所述第二上电极32的厚度，因此所述第二上电极32凸出与所述第二凹槽52的槽口，所述第二上电极32的顶面高于所述介电层50的顶面。同时，所述第二凹槽52的深度小于所述第一凹槽51的深度。
参照图2-图3，由于所述第二凹槽52的深度小于所述第一凹槽51的深度，所以所述第一下电极21与所述第一上电极22之间的介电层50厚度小于所述第二下电极31与所述第二上电极32之间的介电层50厚度，即所述第一下电极21与所述第一上电极22之间距离小于所述第二下电极31与所述第二上电极32之间距离。
参照图3-图4，由于所述第三显示区103中的介电层50并未设置凹槽，而所述第二显示区102内的第二上电极32设于所述第二凹槽52中，所以所述第二下电极31与所述第二上电极32之间的介电层50厚度小于所述第一下电极21与所述第一上电极22之间的厚度，即所述第二下电极31与所述第二上电极32之间的距离小于所述第三下电极41与所述第三上电极42之间的距离。
已知电容值的计算公式为C＝εrS/4πkd，其中：
所述计算公式中的εr为介电常数,每一种材料都有自己的介电常数。在本发明实施例中，所述第一下电极21、所述第二下电极31和所述第三下电极41均采用同一材料制备而成，所述第一上电极22、所述第二上电极32和所述第三上电极42也均采用同一材料制备而成。因此，所述第一存储电容值Cst1的计算公式中、所述第二存储电容值Cst2的计算公式中和所述第三存储电容值Cst3的计算公式值中的εr均相同。
所述计算公式中的S为存储电容中两极板的正对面积。参照图2-图4及上文可知，在本发明实施例中，所述第一存储电容走线、所述第二存储电容走线和所述第三存储电容走线中的上电极均与下电极相对设置，并且上电极和下电极在所述基板10上正投影的重叠面积相等。因此，所述第一存储电容值Cst1的计算公式中、所述第二存储电容值Cst2的计算公式中和所述第三存储电容值Cst3的计算公式值中的S均相同。
所述计算公式中的π为圆周率，所述计算公式中的k则是静电力常量，在所述第一存储电容值Cst1的计算公式中、所述第二存储电容值Cst2的计算公式中和所述第三存储电容值Cst3的计算公式值中的均为相同的固定数值。
所述计算公式中d为存储电容中两极板之间的距离。参照图2-图4及上文可知，在本发明实施例中，所述第一下电极21与所述第一上电极22之间距离d1小于所述第二下电极31与所述第二上电极32之间距离d2，所述第二下电极31与所述第二上电极32之间的距离d2小于所述第三下电极41与所述第三上电极42之间的距离d3，即d1<d2<d3。
分别将d1、d2和d3带入各自所属的存储电容计算公式中计算各自的存储电容值时,由于介电常数εr、两极板之间的正对面积S和静电力常量k均相等，而两极板之间的距离d1<d2<d3，因此，通过电容计算公式分别计算得到的第一存储电容值Cst1、第二存储电容值Cst2和所述第三存储电容值Cst3之间的关系为Cst1>Cst2>Cst3，从而促使所述显示面板1中第一显示区101、第二显示区102以及第三显示区103的亮度相同。
在本发明实施例中，通过在设置凹槽改变不同区域中上电极与下电极之间介电层50的厚度，进而改变上电极与下电极之间的距离，从而使不同区域之间存储电容的大小不同，存储电容越大的区域，经过该区域的发光元件的电流越大，其亮度也就越大，从而提高所述第一显示区101和所述第二显示区102的亮度，使所述第一显示区101和所述第二显示区102的亮度相同。
本发明实施例中还提供一种显示面板1的制备方法，用于制备如上所述的显示面板1，其制备流程如图5所示，所述制备方法中包括以下具体实施步骤S10-S40。
步骤S10)制备如图2-图4所示的基板10。提供一衬底层11，所述衬底层11覆盖第一显示区101、第二显示区102以及第三显示区103。在所述衬底层11上形成一层金属材料层，并将该层金属材料层图案化，形成遮光层12。在所述衬底层11上沉积一层覆盖所述遮光层12的无机材料，形成缓冲层13。所述衬底层11、所述遮光层12以及所述缓冲层13组合形成所述基板10。
步骤S20)制备如图2-图4所示的第一下电极21、第二下电极31以及第三下电极41。在所述缓冲层13远离所述遮光层12的一表面上形成一层金属氧化物材料，并将该层金属氧化物材料图案化，形成对应于所述遮光层12的金属氧化物走线；将所述金属氧化物走线导体化，形成所述第一下电极21、所述第二下电极31以及所述第三下电极41。其中，所述第一下电极21位于所述第一显示区101中，所述第二下电极31位于所述第二显示区102中，所述第三下电极41位于所述第三显示区103中。
步骤S30)制备如图2-图4所示的介电层50。在所述缓冲层13上沉积一层覆盖所述第一下电极21、所述第二下电极31和所述第三下电极41的无机材料，形成所述介电层50。在所述介电层50上涂覆一层光阻材料，根据所述第一显示区101、所述第二显示区102以及所述第三显示区103开孔的需求采用多色调掩膜(muti-tone)工艺，将掩模板中对应所述第一显示区101、所述第二显示区102和所述第三显示区103的透光率依次减少或增加，达到不同曝光量，从而使后续蚀刻的膜厚不同，进而在所述介电层50中蚀刻出厚度不同的第一凹槽51和第二凹槽52。其中，所述第一凹槽51对应于所述第一下电极21，所述第二凹槽52对应于所述第二下电极31。通过所述第一凹槽51和所述第二凹槽52使所述第一下电极21上的介电层50厚度、所述第二下电极31上的介电层50厚度以及所述第三下电极41上的介电层50厚度依次递增。
步骤S40)制备如图2-图4所示的第一上电极22、第二上电极32以及第三上电极42。在所述介电层50远离所述缓冲层13的一表面上形成一层导电材料，所述导电材料填充所述第一凹槽51和所述第二凹槽52；将该层导电材料图案化，在所述第一凹槽51中形成所述第一上电极22、在所述第二凹槽52中形成所述第二上电极32以及在所述介电层50上形成对应于所述第三下电极41的所述第三上电极42。
本发明实施例所提供的显示面板及显示装置中，根据现有技术中压降(IR Drop)的问题设置了三个显示区，并将三个显示区中上电极与下电极之间的距离由外往内逐渐减小，将位于中间的第一显示区中的第一上电极和第二下电极之间介电层的厚度设置为三个显示区中最小的，将位于最外围的第三显示区中的第三上电极和第三下电极之间的介电层厚度设置为三个显示区中最大的，从而使第一显示区中的存储电容和第二显示区中的存储电容都大于第三显示区中的存储电容，通过增加存储电容的方式补偿第一显示区和第二显示区中由于压降(IR Drop)问题而减少的电流，进而提高所述第一显示区和所述第二显示区的亮度，使所述第一显示区和所述第二显示区的亮度与所述第三显示区的亮度相同，解决现有显示面板中四周亮、中间暗的亮度不均一问题，提高显示面板的显示面板的显示效果。
实施例2
本发明实施例中提供了一种显示面板1，如图1所示，所述显示面板1具有一第一显示区101、一第二显示区102以及一第三显示区103。所述第二显示区102包围所述第一显示区101，所述第三显示区103包围所述第二显示区102。
所述显示面板1还包括基板10、第一下电极21、第一上电极22、第二下电极31、第二上电极32、第三下电极41、第三上电极42以及介电层50。
如图6-图8所示，所述基板10中包括衬底层11、遮光层12以及缓冲层13。所述衬底层11覆盖所述第一显示区101、所述第二显示区102以及所述第三显示区103，其可以为刚性衬底，也可以为柔性衬底。当所述衬底层11为刚性衬底时，其可以采用玻璃、石英等材料。当所述衬底层11为柔性衬底时，其可以采用聚酰亚胺(PI)材料。所述遮光层12设于所述衬底层11的一表面上，其采用不透光的金属材料制备而成。所述缓冲层13设于所述衬底层11上，并覆盖所述遮光层12。所述缓冲层13一般采用绝缘材料制备而成，其用于将所述遮光层12绝缘保护以及为所述显示面板1提供缓冲保护。
所述基板10上设有若干薄膜晶体管，所述薄膜晶体管阵列排布在所述第一显示区101、所述第二显示区102以及所述第三显示区103内。所述薄膜晶体管中一般包括有源层、栅极、源漏极以及设于导电走线之间的绝缘材料层。所述薄膜晶体管用于驱动所述显示面板1中每一像素点的开启或关闭，从而实现画面的显示。
所述薄膜晶体管中的有源层的材料一般采用金属氧化物(Oxide)工艺或低温多晶硅(LTPS)工艺制备而成，在本发明实施例中，所述薄膜晶体管中的有源层采用低温多晶硅工艺制备而成。
如图6-图8所示，所述第一下电极21、所述第二下电极31以及所述第三下电极41均设于所述缓冲层13远离所述遮光层12的一表面上，并分别与一遮光层12对应设置。其中，所述第一下电极21位于所述第一显示区101内，所述第二下电极31位于所述第二显示区102内，所述第三下电极41位于所述第三显示区103中。
在本发明实施例中，所述第一下电极21、所述第二下电极31以及所述第三下电极41可以与所述薄膜晶体管中的栅极在同一道制程中制备而成，因此所述第一下电极21、所述第二下电极31以及所述第三下电极41与所述薄膜晶体管中的栅极同层设置且材料也相同，均为导电金属。
在所述第一下电极21、所述第二下电极31以及所述第三下电极41与所述缓冲层13之间均具有一层绝缘层60，所述绝缘层60与所述薄膜晶体管中的栅极绝缘层采用同一道制成制备而成，因此所述绝缘层60与所述薄膜晶体管中的栅极绝缘层同层设置且材料也相同，均为无机绝缘材料。
所述介电层50设于所述缓冲层13上，并覆盖所述第一下电极21、所述第二下电极31、所述第三下电极41以及所述绝缘层60的裸露面。同时，所述介电层50也会覆盖所述薄膜晶体管中的栅极和栅极绝缘层的裸露面。所述介电层50采用绝缘材料制备而成，所述绝缘材料可以为硅氮化物或者硅氧化物。所述介电层50用于绝缘保护所述第一下电极21、所述第二下电极31、所述第三下电极41以及所述薄膜晶体管中的栅极，防止发生短路。
如图6所示，所述第一上电极22位于所述第一显示区101内，并设于所述介电层50远离所述第一下电极21的一表面上。所述第一上电极22与所述第一下电极21相对设置，并组合形成第一存储电容走线。
如图7所示，所述第二上电极32位于所述第二显示区102内，并设于所述介电层50远离所述第二下电极31的一表面上。所述第二上电极32与所述第一下电极21相对设置，并组合形成第二存储电容走线。
如图8所示，所述第三上电极42位于所述第三显示区103内，并设于所述介电层50远离所述第三下电极41的一表面上。所述第三上电极42与所述第三下电极41相对设置，并组合形成第三存储电容走线。
在本发明实施例中，所述第一上电极22、所述第二上电极32以及所述第三上电极42可以与所述薄膜晶体管中的源漏极在同一制程中制备而成，因此所述第一上电极22、所述第二上电极32以及所述第三上电极42与所述薄膜晶体管中的源漏极同层设置且材料也相同，均为导电金属或合金。所述第一上电极22、所述第二上电极32和所述第三上电极42的厚度相同，并且所述第一上电极22与所述第一下电极21在所述基板10上正投影的重叠面积、所述第二上电极32与所述第二下电极31在所述基板10上正投影的重叠面积以及所述第三上电极42与所述第三下电极41在所述基板10上正投影的重叠面积均相等。
所述第一存储电容走线、所述第二存储电容走线以及所述第三存储电容走线用于存储电荷以形成存储电容，所述存储电容决定了驱动TFT的驱动电流，从而影响着所述显示面板1亮度的均一性。存储电容的稳定且充足能够降保证显示面板1刷新率，提高所述显示面板1显示画面时的图像质感。
其中，所述第一存储电容走线中所形成的存储电容具有一第一存储电容值Cst1，所述第二存储电容走线中所形成的存储电容具有一第二存储电容值Cst2，所述第三储存电容走线中所形成的存储电容具有一第三存储电容值Cst3。
如图6所示，所述第一显示区101内的介电层50上具有第一凹槽51。所述第一凹槽51设于所述介电层50远离所述第一下电极21的一表面上，其槽口朝向所述第一上电极22。所述第一上电极22设于所述第一凹槽51中，并填充所述第一凹槽51。所述第一凹槽51的深度大于或等于所述第一上电极22的厚度。
如图7所示，所述第二显示区102内的介电层50上具有第二凹槽52。所述第二凹槽52设于所述介电层50远离所述第二下电极31的一表面上，其槽口朝向所述第二上电极32。所述第二上电极32设于所述第二凹槽52中，并填充所述第二凹槽52。所述第二凹槽52的深度也小于所述第二上电极32的厚度，因此所述第二上电极32凸出与所述第二凹槽52的槽口，所述第二上电极32的顶面高于所述介电层50的顶面。同时，所述第二凹槽52的深度小于所述第一凹槽51的深度。
参照图6-图7，由于所述第二凹槽52的深度小于所述第一凹槽51的深度，所以所述第一下电极21与所述第一上电极22之间的介电层50厚度小于所述第二下电极31与所述第二上电极32之间的介电层50厚度，即所述第一下电极21与所述第一上电极22之间距离小于所述第二下电极31与所述第二上电极32之间距离。
参照图7-图8，由于所述第三显示区103中的介电层50并未设置凹槽，而所述第二显示区102内的第二上电极32设于所述第二凹槽52中，所以所述第二下电极31与所述第二上电极32之间的介电层50厚度小于所述第一下电极21与所述第一上电极22之间的厚度，即所述第二下电极31与所述第二上电极32之间的距离小于所述第三下电极41与所述第三上电极42之间的距离。
已知电容值的计算公式为C＝εrS/4πkd，其中：
所述计算公式中的εr为介电常数,每一种材料都有自己的介电常数。在本发明实施例中，所述第一下电极21、所述第二下电极31和所述第三下电极41均采用同一材料制备而成，所述第一上电极22、所述第二上电极32和所述第三上电极42也均采用同一材料制备而成。因此，所述第一存储电容值Cst1的计算公式中、所述第二存储电容值Cst2的计算公式中和所述第三存储电容值Cst3的计算公式值中的εr均相同。
所述计算公式中的S为存储电容中两极板的正对面积。参照图6-图8及上文可知，在本发明实施例中，所述第一存储电容走线、所述第二存储电容走线和所述第三存储电容走线中的上电极均与下电极相对设置，并且上电极和下电极在所述基板10上正投影的重叠面积相等。因此，所述第一存储电容值Cst1的计算公式中、所述第二存储电容值Cst2的计算公式中和所述第三存储电容值Cst3的计算公式值中的S均相同。
所述计算公式中的π为圆周率，所述计算公式中的k则是静电力常量，在所述第一存储电容值Cst1的计算公式中、所述第二存储电容值Cst2的计算公式中和所述第三存储电容值Cst3的计算公式值中的均为相同的固定数值。
所述计算公式中d为存储电容中两极板之间的距离。参照图6-图8及上文可知，在本发明实施例中，所述第一下电极21与所述第一上电极22之间距离d1小于所述第二下电极31与所述第二上电极32之间距离d2，所述第二下电极31与所述第二上电极32之间的距离d2小于所述第三下电极41与所述第三上电极42之间的距离d3，即d1<d2<d3。
分别将d1、d2和d3带入各自所属的存储电容计算公式中计算各自的存储电容值时,由于介电常数εr、两极板之间的正对面积S和静电力常量k均相等，而两极板之间的距离d1<d2<d3，因此，通过电容计算公式分别计算得到的第一存储电容值Cst1、第二存储电容值Cst2和第三存储电容值Cst3之间的关系为Cst1>Cst2>Cst3，从而促使所述显示面板1中第一显示区101、第二显示区102以及第三显示区103的亮度相同。
在本发明实施例中，通过在设置凹槽改变不同区域中上电极与下电极之间介电层50的厚度，进而改变上电极与下电极之间的距离，从而使不同区域之间存储电容的大小不同，存储电容越大的区域，经过该区域的发光元件的电流越大，其亮度也就越大，从而提高所述第一显示区101和所述第二显示区102的亮度，使所述第一显示区101和所述第二显示区102的亮度相同。
本发明实施例中还提供一种显示面板1的制备方法，用于制备如上所述的显示面板1，其制备流程如图9所示，所述制备方法中包括以下具体实施步骤S10-S50。
步骤S10)制备如图6-图8中所示的基板10。提供一衬底层11，所述衬底层11覆盖第一显示区101、第二显示区102以及第三显示区103。在所述衬底层11上形成一层金属材料层，并将该层金属材料层图案化，形成遮光层12。在所述衬底层11上沉积一层覆盖所述遮光层12的无机材料，形成缓冲层13。所述衬底层11、所述遮光层12以及所述缓冲层13组合形成所述基板10。
步骤S20)制备如图6-图8中所示的绝缘层60。在所述缓冲层13远离所述遮光层12的一表面上沉积一层无机材料，并将该层无机材料图案化，形成与所述遮光层12相对应的绝缘层60。
步骤S30)制备如图6-图8中所示的第一下电极21、第二下电极31以及第三下电极41。在所述绝缘层60远离所述缓冲层13的一表面上形成一层导电金属，并将该层导电金属图案化，形成所述第一下电极21、所述第二下电极31以及所述第三下电极41。其中，所述第一下电极21位于所述第一显示区101中，所述第二下电极31位于所述第二显示区102中，所述第三下电极41位于所述第三显示区103中。
步骤S40)制备如图6-图8中所示的介电层50。在所述缓冲层13上沉积一层覆盖所述第一下电极21、所述第二下电极31所述第三下电极41和所述绝缘层60裸露面的无机材料，形成所述介电层50。在所述介电层50上涂覆一层光阻材料，根据所述第一显示区101、所述第二显示区102以及所述第三显示区103开孔的需求采用多色调掩膜(muti-tone)工艺，将掩模板中对应所述第一显示区101、所述第二显示区102和所述第三显示区103的透光率依次减少或增加，达到不同曝光量，从而实现蚀刻膜厚的不同，进而实现第一显示区101中第一凹槽51和第二显示区102中第二凹槽52的制备。其中，所述第一凹槽51对应于所述第一下电极21，所述第二凹槽52对应于所述第二下电极31。
步骤S50)制备如图6-图8中所示的第一上电极22、第二上电极32以及第三上电极42。参照图6-图8，在所述介电层50远离所述缓冲层13的一表面上形成一层导电材料，所述导电材料填充所述第一凹槽51和所述第二凹槽52；将该层导电材料图案化，在所述第一凹槽51中形成所述第一上电极22、在所述第二凹槽52中形成所述第二上电极32以及在所述介电层50上形成对应于所述第三下电极41的所述第三上电极42。
本发明实施例所提供的显示面板及显示装置中，根据现有技术中压降(IR Drop)的问题设置了三个显示区，并将三个显示区中上电极与下电极之间的距离由外往内逐渐减小，将位于中间的第一显示区中的第一上电极和第二下电极之间介电层的厚度设置为三个显示区中最小的，将位于最外围的第三显示区中的第三上电极和第三下电极之间的介电层厚度设置为三个显示区中最大的，从而使第一显示区中的存储电容和第二显示区中的存储电容都大于第三显示区中的存储电容，通过增加存储电容的方式补偿第一显示区和第二显示区中由于压降(IR Drop)问题而减少的电流，进而提高所述第一显示区和所述第二显示区的亮度，使所述第一显示区和所述第二显示区的亮度与所述第三显示区的亮度相同，解决现有显示面板中四周亮、中间暗的亮度不均一问题，提高显示面板的显示效果。
虽然在本文中参照了特定的实施方式来描述本发明，但是应该理解的是，这些实施例仅仅是本发明的原理和应用的示例。因此应该理解的是，可以对示例性的实施例进行许多修改，并且可以设计出其他的布置，只要不偏离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。应该理解的是，可以通过不同于原始权利要求所描述的方式来结合不同的从属权利要求和本文中所述的特征。还可以理解的是，结合单独实施例所描述的特征可以使用在其他所述实施例中。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，具有第一显示区以及包围所述第一显示区的第二显示区；
所述显示面板包括：
基板；
第一下电极，设于所述基板上，并位于所述第一显示区内；
第二下电极，设于所述基板上，并位于所述第二显示区内；
介电层，设于所述基板上，并覆盖所述第一下电极和所述第二下电极；
第一上电极，设于所述介电层上，并与所述第一下电极相对设置；以及
第二上电极，设于所述介电层上，并与所述第二下电极相对设置；
其中，所述第一上电极与所述第一下电极之间的介电层厚小于所述第二上电极与所述第二下电极之间的介电层厚度。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还具有第三显示区，所述第三显示区包围所述第二显示区；
所述显示面板还包括：
第三下电极，设于所述基板上，并位于所述第三显示区内；以及
第三上电极，设于所述介电层上，并与所述第三下电极相对设置；
所述第二上电极与所述第二下电极之间的介电层厚小于所述第三上电极与所述第三下电极之间的介电层厚度。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
在所述第一显示区内，所述介电层中具有第一凹槽，所述第一凹槽与所述第二下电极相对设置，其槽口朝向所述第一上电极；所述第一上电极设于所述第一凹槽中。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
在所述第二显示区内，所述介电层中具有第二凹槽，所述第二凹槽与所述第二下电极相对设置，其槽口朝向所述第二上电极；所述第二上电极设于所述第二凹槽中；
所述第二凹槽的深度小于所述第一凹槽的深度。
5.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一下电极、所述第二下电极和所述第三下电极为金属或导体化的金属氧化物。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，当所述第一下电极、所述第二下电极和所述第三下电极为金属时，所述显示面板还包括：
绝缘层，设于所述第一下电极、所述第二下电极以及所述第三下电极与所述基板之间。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在第一显示区内的基板上制备第一下电极；
在第二显示区内的基板上制备第二下电极；
在所述基板上制备覆盖所述第一下电极和所述第二下电极的介电层；
蚀刻所述介电层，使所述第一下电极上的介电层厚度小于所述第二下电极上的介电层厚度；
在所述第一显示区内的介电层上制备第一上电极；以及
在所述第二显示区内的介电层上制备第二上电极。
8.如权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在第三显示区内的基板上形成第三下电极；以及
在所述第三显示区内的介电层上形成第三上电极。
9.如权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，蚀刻所述介电层步骤中包括以下步骤：
通过多色调掩膜工艺将所述介电层图案化，在所述第一显示区内的介电层上形成第一凹槽。
10.如权利要求9所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
在制备所述第一凹槽的同时，在所述第二显示区内的介电层上形成第二凹槽；
所述第二凹槽的深度小于所述第一凹槽的深度。
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| PB01 | Publication | ||
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