CN113467703A - 存储介质的管理方法、装置及设备 - Google Patents

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CN113467703A CN202010245306.9A CN202010245306A CN113467703A CN 113467703 A CN113467703 A CN 113467703A CN 202010245306 A CN202010245306 A CN 202010245306A CN 113467703 A CN113467703 A CN 113467703A
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Abstract

本申请公开了一种存储介质的管理方法、装置及设备，属于数据存储技术领域。所述方法包括：根据待管理的存储介质当前的存储介质参数，确定存储介质的寿命状态，也就是确定当前存储介质的磨损程度。当确定存储介质的寿命状态处于寿命末期时，说明当前存储介质的磨损程度较高，可能会无法正常工作，并且存储于存储介质中的数据有丢失的风险，因此，可以对存储介质进行写入控制，使得写入存储介质的数据量减少或禁止用户写入，以避免存储介质的进一步磨损，从而保护存储介质中存储的数据。

Description

存储介质的管理方法、装置及设备
技术领域
本申请涉及数据存储技术领域，特别涉及一种存储介质的管理方法、装置及设备。
背景技术
随着数据存储技术的发展，存储介质得到了广泛应用，存储介质可以利用NANDFlash(Not And Flash，与非闪存)进行存储。随着用户写入/擦除数据的增多，NAND Flash的磨损程度逐渐变大，最终会导致存储介质无法正常工作，在这种情况下，存储在存储介质中的数据有丢失的风险。
目前，通常是会对存储介质的寿命值进行检测，当检测到存储介质的寿命值小于设定阈值时，说明当前存储介质中的数据可能存在丢失的风险，如此，可以向用户发出告警信息，以提醒用户对存储介质中存储的数据进行备份，防止丢失数据。
然而，当前的防止存储介质中数据丢失的方法主要依赖于用户的主动性，也就是，当用户及时对存储介质中的数据进行备份时，存储介质中的数据便不会丢失。但是，如果用户没有备份，而是继续写入数据，随着NAND Flash的进一步磨损，存储介质中的数据还会存在丢失的风险。
发明内容
本申请提供了一种存储介质的管理方法、装置及设备，可以解决相关技术的存储介质的管理问题。所述技术方案如下：
一方面，提供了一种存储介质的管理方法，所述方法包括：
根据待管理的存储介质当前的存储介质参数，确定所述存储介质的寿命状态；
在所述寿命状态处于寿命末期的情况下，对所述存储介质进行写入控制；
其中，所述寿命末期是指所述存储介质的磨损程度已达到存在丢失数据的风险所对应的时期，所述对所述存储介质进行写入控制的次数为至少两次。
在本申请一种可能的实现方式中，所述寿命末期包括第一阶段和第二阶段，所述在所述寿命状态处于寿命末期的情况下，对所述存储介质进行写入控制，包括：
在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度，在所述第一阶段内所述数据写入速度的控制次数为至少一次，且控制后的数据写入速度大于零；
在所述寿命状态处于所述第二阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于第一速度阈值，所述第一速度阈值大于零且小于正常写入速度，或者，控制所述存储介质进入写保护模式。
在本申请一种可能的实现方式中，所述在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度，包括：
在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于第二速度阈值且大于所述第一速度阈值。
在本申请一种可能的实现方式中，所述在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度，包括：
在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，根据寿命衡量值、第一寿命阶段阈值和第二寿命阶段阈值，确定限速比例，所述寿命衡量值为基于存储介质当前的存储介质参数确定的，所述寿命衡量值用于衡量所述存储介质的寿命状态；
将所述限速比例与所述正常写入速度相乘，得到限速后的数据写入速度；
控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于所述限速后的数据写入速度。
在本申请一种可能的实现方式中，所述根据寿命衡量值、第一寿命阶段阈值和第二寿命阶段阈值，确定限速比例，包括：
将所述寿命衡量值与所述第二寿命阶段阈值相减，得到第一数值，以及将所述第一寿命阶段阈值与所述第二寿命阶段阈值相减，得到第二数值；
将所述第一数值的平方与所述第二数值的平方相除，得到所述限速比例。
在本申请一种可能的实现方式中，所述根据待管理的存储介质当前的存储介质参数，确定所述存储介质的寿命状态，包括：
根据所述存储介质当前的坏块数目、预留空间OP、出错块数目、编程擦除PE次数中的至少一项，确定寿命衡量值，所述坏块数目是指无法使用的闪存块的个数，所述出错块数目是指操作失败的闪存块个数；
基于所述寿命衡量值，确定所述存储介质的寿命状态；
其中，所述寿命衡量值与所述存储介质的寿命值正相关，或者，所述寿命衡量值与所述存储介质的寿命值负相关。
在本申请一种可能的实现方式中，若所述寿命衡量值与所述存储介质的寿命值正相关，则所述基于所述寿命衡量值，确定所述存储介质的寿命状态，包括：
若所述寿命衡量值大于第一寿命阶段阈值，则确定所述存储介质的寿命状态处于正常状态；
若所述寿命衡量值大于第二寿命阶段阈值且小于或等于所述第一寿命阶段阈值，则确定所述存储介质的寿命状态处于寿命末期的第一阶段；
若所述寿命衡量值小于或者等于所述第二寿命阶段阈值，则确定所述存储介质的寿命状态处于所述第二阶段。
在本申请一种可能的实现方式中，所述方法还包括：
将所述存储介质的寿命状态存储至自我检测分析与报告技术SMART信息中，所述SMART信息为可供用户查询的信息。
在本申请一种可能的实现方式中，所述方法还包括：
在所述存储介质的寿命状态处于所述寿命末期的情况下，将所述存储介质的寿命状态与限速后的数据写入速度对应存储至所述存储介质的与非闪存NAND FLASH中；
在断电后恢复上电的过程中，若从所述NAND FLASH中读取到所述存储介质的寿命状态处于所述寿命末期，则从所述NAND FLASH中获取对应存储的限速后的数据写入速度；
控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于所述限速后的数据写入速度。
另一方面，提供了一种存储介质的管理装置，所述装置包括：
确定模块，用于根据待管理的存储介质当前的存储介质参数，确定所述存储介质的寿命状态；
控制模块，用于在所述寿命状态处于寿命末期的情况下，对所述存储介质进行写入控制；
其中，所述寿命末期是指所述存储介质的磨损程度已达到存在丢失数据的风险所对应的时期，所述对所述存储介质进行写入控制的次数为至少两次。
在本申请一种可能的实现方式中，所述寿命末期包括第一阶段和第二阶段，所述控制模块用于：
在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度，在所述第一阶段内所述数据写入速度的控制次数为至少一次，且控制后的数据写入速度大于零；
在所述寿命状态处于所述第二阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于第一速度阈值，所述第一速度阈值大于零且小于正常写入速度，或者，控制所述存储介质进入写保护模式。
在本申请一种可能的实现方式中，所述控制模块用于：
在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于第二速度阈值且大于所述第一速度阈值。
在本申请一种可能的实现方式中，所述控制模块用于：
在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，根据寿命衡量值、第一寿命阶段阈值和第二寿命阶段阈值，确定限速比例，所述寿命衡量值为基于存储介质当前的存储介质参数确定的，所述寿命衡量值用于衡量所述存储介质的寿命状态；
将所述限速比例与所述正常写入速度相乘，得到限速后的数据写入速度；
控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于所述限速后的数据写入速度。
在本申请一种可能的实现方式中，所述控制模块用于：
将所述寿命衡量值与所述第二寿命阶段阈值相减，得到第一数值，以及将所述第一寿命阶段阈值与所述第二寿命阶段阈值相减，得到第二数值；
将所述第一数值的平方与所述第二数值的平方相除，得到所述限速比例。
在本申请一种可能的实现方式中，所述确定模块用于：
根据所述存储介质当前的坏块数目、预留空间OP、出错块数目、编程擦除PE次数中的至少一项，确定寿命衡量值，所述坏块数目是指无法使用的闪存块的个数，所述出错块数目是指操作失败的闪存块个数；
基于所述寿命衡量值，确定所述存储介质的寿命状态；
其中，所述寿命衡量值与所述存储介质的寿命值正相关，或者，所述寿命衡量值与所述存储介质的寿命值负相关。
在本申请一种可能的实现方式中，若所述寿命衡量值与所述存储介质的寿命值正相关，则所述确定模块用于：
若所述寿命衡量值大于第一寿命阶段阈值，则确定所述存储介质的寿命状态处于正常状态；
若所述寿命衡量值大于第二寿命阶段阈值且小于或等于所述第一寿命阶段阈值，则确定所述存储介质的寿命状态处于寿命末期的第一阶段；
若所述寿命衡量值小于或者等于所述第二寿命阶段阈值，则确定所述存储介质的寿命状态处于所述第二阶段。
在本申请一种可能的实现方式中，所述装置还包括：
第一存储模块，用于将所述存储介质的寿命状态存储至自我检测分析与报告技术SMART信息中，所述SMART信息为可供用户查询的信息。
在本申请一种可能的实现方式中，所述装置还包括：
第二存储模块，用于在所述存储介质的寿命状态处于所述寿命末期的情况下，将所述存储介质的寿命状态与限速后的数据写入速度对应存储至所述存储介质的与非闪存NAND FLASH中；
获取模块，用于在断电后恢复上电的过程中，若从所述NAND FLASH中读取到所述存储介质的寿命状态处于所述寿命末期，则从所述NAND FLASH中获取对应存储的限速后的数据写入速度；
所述控制模块，用于控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于所述限速后的数据写入速度。
另一方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括：
存储介质的控制器；
存储器，所述存储器存储有所述处理器可执行的指令；
其中，所述存储介质的控制器被配置为执行所述指令并实现上述一方面所述的任一项方法的步骤。
另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述所述存储介质的管理方法的步骤。
另一方面，提供了一种包含指令的计算机程序产品，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述所述的存储介质的管理方法的步骤。
本申请提供的技术方案至少可以带来以下有益效果：
根据待管理的存储介质当前的存储介质参数，确定存储介质的寿命状态，也就是确定当前存储介质的磨损程度。当确定存储介质的寿命状态处于寿命末期时，说明当前存储介质的磨损程度较高，可能会无法正常工作，并且存储于存储介质中的数据有丢失的风险，因此，可以对存储介质进行写入控制，使得写入存储介质的数据量减少或禁止用户写入，以避免存储介质的进一步磨损，从而保护存储介质中存储的数据。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种存储介质的管理方法的流程图；
图2是本申请实施例提供的一种存储介质的管理方法的示意图；
图3是本申请实施例提供的一种存储介质的寿命状态的示意图；
图4是本申请实施例提供的一种存储介质的管理方法的示意图；
图5是本申请实施例提供的一种限速比例的示意图；
图6是本申请实施例提供的一种存储介质的管理方法的示意图；
图7是本申请实施例提供的一种存储介质的管理装置的结构示意图；
图8是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
在对本申请实施例提供的存储介质的管理方法进行详细的解释说明之前，先对本申请实施例涉及的相关术语和执行主体进行介绍。
首先，对本申请实施例涉及的相关术语进行简单介绍。
NAND Flash：NAND Flash可以用于存储介质进行存储，通常，NAND Flash用三端器件作为存储单元，该三端器件包括源极、漏极和浮栅极。其中，浮栅极可以用来保存电子，浮栅极周围存在绝缘层，该绝缘层可以保护浮栅极中的电子不会泄漏。当对NAND Flash进行写入操作的时候，电子穿过绝缘层移入浮栅极。当对NAND Flash进行擦除操作时，电子从浮栅极中移出。如此，每一次的写入/擦除都会对浮栅极周围的绝缘层造成一定程度的磨损，随着写入/擦除次数的增多，绝缘层的磨损程度进一步加深，容易导致存储单元出现物理性损坏。
接下来，对本申请实施例涉及的执行主体进行简单介绍。
本申请实施例提供的存储介质的管理方法可以由电子设备来执行，该电子设备中包括存储介质，该电子设备可以与用户通过键盘、触摸板、触摸屏、遥控器、语音交互或手写设备等一种或多种方式进行人机交互，作为一种示例，该电子设备可以为PC(PersonalComputer，个人计算机)、手机、智能手机、PDA(Personal Digital Assistant，个人数字助手)、可穿戴设备、掌上电脑PPC(Pocket PC)、平板电脑、智能车机、智能电视、智能音箱等，本申请实施例对此不做限定。
在介绍完本申请实施例涉及的相关名词和执行主体后，接下来将结合附图对本申请实施例提供的存储介质的管理方法进行详细介绍。
图1是本申请实施例提供的一种存储介质的管理方法的流程图，该方法可以应用于上述电子设备中。请参考图1，该方法包括如下步骤：
步骤101：根据待管理的存储介质当前的存储介质参数，确定存储介质的寿命状态。
示例性的，该待管理的存储介质可以为待管理的SSD(Solid State Drives，固态硬盘)。
其中，存储介质参数指的是可以用于指示存储介质的寿命值的参数，随着存储介质使用次数的增加，存储介质参数会发生变化，存储介质的寿命值也会发生变化。
作为一种示例，该存储介质参数可以包括但不限于坏块数目、OP(Over-Provisioning，预留空间)、出错块数目、PE(Program Erase，编程擦除)次数中的至少一项。
其中，坏块数目指的是存储介质中的已经无法用于存储数据的闪存块的个数。需要说明的是，坏块数目中包括初始坏块数目和使用坏块数目，初始坏块是指在存储介质出厂时，已经不能用于存储数据的闪存块，使用坏块是指存储介质出厂后，在使用过程中由于磨损导致的不能用于存储数据的闪存块。通常情况下，电子设备可以通过坏块扫描程序对存储介质进行扫描，从而得到坏块数目。一般来说，坏块数目越多，说明存储介质的磨损程度越高，存储介质的寿命值越小。
其中，OP指的是存储介质中用户不可用的存储空间大小。通常情况下，可以通过公式
Figure BDA0002433828790000081
确定OP，其中，L指的是存储介质的总存储空间大小，L1指的是存储介质中用户可用的存储空间大小。一般来说，OP越大，说明存储介质的磨损程度越低，存储介质的寿命值越大。
其中，出错块数目指的是发生操作失败的闪存块的个数，操作失败包括读取失败、写入失败和擦除失败，也就是，出错块数目指的是发生读取失败、写入失败和擦除失败的闪存块的个数。一般来说，出错块数目越大，说明存储介质的磨损程度越大，存储介质的寿命值越小。
其中，PE次数指的是存储介质中的闪存块被编程或被擦除的次数。一般来说，PE次数越大，说明存储介质的磨损程度越大，存储介质的寿命值越小。
其中，存储介质的寿命状态可以用于指示存储介质中数据丢失的风险大小，通常情况下，当存储介质的寿命值发生变化时，存储介质的寿命状态也会相应变化。
在一种可能的实现方式中，电子设备可以包括监测单元，如图2所示，监测单元可以监测当前存储介质的存储介质参数，根据对该存储介质参数的监测结果，确定当前存储介质的寿命状态，即确定当前存储介质中数据丢失的风险大小。
需要说明的是，由于存储介质参数可以为一个，也可以为多个，所以，监测单元可以通过监测一个存储介质参数确定当前存储介质的寿命状态，也可以通过监测多个存储介质参数确定当前存储介质的寿命状态，本实施例对此不做限定。
其中，监测单元可以实时对存储介质的存储介质参数进行监测，也可以定时对存储介质的存储介质参数进行监测。譬如，监测单元可以持续对存储介质的存储介质参数进行监测，监测单元也可以每隔指定时长对存储介质的存储介质参数进行一次监测，本实施例对此不做限定。
需要说明的是，该指定时长可以根据实际情况进行设置，譬如，可以设置指定时长为1分钟，即监测单元可以每隔1分钟对存储介质的存储介质参数进行一次监测。
作为一种示例，根据待管理的存储介质当前的存储介质参数，确定存储介质的寿命状态的实现方式可以包括如下几个子步骤：
1、根据存储介质当前的坏块数目、OP、出错块数目、PE次数中的至少一项，确定寿命衡量值。坏块数目是指无法使用的闪存块的个数，出错块数目是指操作失败的闪存块个数。
也就是，监测单元可以监测一个存储介质参数，根据该存储介质参数确定寿命衡量值。示例性的，监测单元可以监测当前的OP，将当前的OP确定为寿命衡量值。
或者，监测单元也可以监测多个存储介质参数，根据该多个存储介质参数确定寿命衡量值。示例性的，监测单元可以为每个存储介质参数都设置对应的权重，进而根据多个存储介质参数以及该每个存储介质参数对应的权重确定寿命衡量值。
譬如，监测单元可以监测当前的出错块数目和坏块数目，设置出错块数目的权重为0.6，坏块数目的权重为0.4，用出错块数目乘以0.6得到第三数值，用坏块数目乘以0.4得到第四数值，将第三数值与第四数值的和确定为寿命衡量值。
2、基于寿命衡量值，确定存储介质的寿命状态。其中，寿命衡量值与存储介质的寿命值正相关，或者，寿命衡量值与存储介质的寿命值负相关。
可以理解的是，基于不同的存储介质参数可以确定出不同的寿命衡量值，而不同的寿命衡量值与存储介质的寿命值之间的关系可以是不同的，也就是，存储介质的寿命值可能随着寿命衡量值的增大而变大，存储介质的寿命值也可能随着寿命衡量值的增大而减小。
示例性的，根据坏块数目确定的寿命衡量值与存储介质的寿命值负相关，根据OP确定的寿命衡量值与存储介质的寿命值正相关，根据出错块数目确定的寿命衡量值与存储介质的寿命值负相关，根据PE次数确定的寿命衡量值与存储介质的寿命值负相关。
也就是，监测单元可以根据寿命衡量值，确定当前存储介质的寿命值，即确定当前存储介质的寿命状态，如此可以确定当前存储介质中数据丢失的风险大小。
作为一种示例，若寿命衡量值与存储介质的寿命值正相关，则基于寿命衡量值，确定存储介质的寿命状态的实现方式可以为：若寿命衡量值大于第一寿命阶段阈值，则确定存储介质的寿命状态处于正常状态。若寿命衡量值大于第二寿命阶段阈值且小于或等于第一寿命阶段阈值，则确定存储介质的寿命状态处于寿命末期的第一阶段，寿命末期包括第一阶段和第二阶段。若寿命衡量值小于或者等于第二寿命阶段阈值，则确定存储介质的寿命状态处于第二阶段。
其中，第一寿命阶段阈值和第二寿命阶段阈值都可以根据实际情况进行设置。在本实施例中，以寿命衡量值是根据OP确定的为例进行说明，可以设置第一寿命阶段阈值为OP1，可以设置第二寿命阶段阈值为OP2。
其中，存储介质的寿命状态可以根据实际情况进行划分，示例性的，如图3所示，本实施例中，将存储介质的寿命状态划分为三种，分别是正常状态，寿命末期的第一阶段和寿命末期的第二阶段。
当存储介质的寿命状态为正常状态时，存储介质的磨损程度为轻度磨损，在这个阶段，存储介质中的数据不存在丢失的风险，因此，允许用户继续向存储介质中写入数据。
随着用户写入数据的增多，存储介质的磨损程度逐渐加深，当存储介质的磨损程度为中度磨损时，存储介质的寿命状态进入寿命末期的第一阶段，在这个阶段，存储介质中的数据存在丢失的风险。
在存储介质的寿命状态处于寿命末期的第一阶段时，如果用户继续向存储介质写入数据，会导致存储介质进一步磨损，当存储介质的磨损程度为重度磨损时，存储介质的寿命状态进入寿命末期的第二阶段，在这个阶段，存储介质中的数据丢失的风险大大增加。
也就是，如图4所示，如果监测单元监测到当前的OP大于OP1，可以确定存储介质的寿命状态处于正常状态，即可以确定存储介质中的数据不存在丢失的风险。如果当前OP大于OP2且小于或等于OP1，可以确定当前存储介质的寿命状态为寿命末期的第一阶段，即可以确定存储介质中的数据存在丢失的风险。如果当前OP小于或等于OP2，可以确定当前存储介质的寿命状态为寿命末期的第二阶段，即可以确定存储介质中的数据丢失的风险较高。
譬如，可以设置OP1为11％，设置OP2为9％，如果当前OP为22％，可以确定存储介质的寿命状态处于正常状态，即可以确定存储介质中的数据不存在丢失的风险。如果当前OP为10％，可以确定当前存储介质的寿命状态为寿命末期的第一阶段，即可以确定存储介质中的数据存在丢失的风险。如果当前OP为6％，可以确定当前存储介质的寿命状态为寿命末期的第二阶段，即可以确定存储介质中的数据丢失的风险较高。
如此，监测单元便可以通过监测与存储介质的寿命值相关的寿命衡量值，确定当前存储介质的寿命状态，即确定当前存储介质中数据丢失的风险大小。
步骤102：在寿命状态处于寿命末期的情况下，对存储介质进行写入控制，其中，寿命末期是指存储介质的磨损程度已达到存在丢失数据的风险所对应的时期，对存储介质进行写入控制的次数为至少两次。
通常，随着对存储介质的使用，存储介质的磨损程度会逐渐增高，当存储介质的磨损程度高于某个磨损程度时，存储介质中存储的数据存在丢失的风险，在该种情况下，可以将存储介质的磨损程度高于某个磨损程度的时期确定为存储介质的寿命末期，即可以将存储介质中存储的数据存在丢失的风险的时期确定为存储介质的寿命末期。
也就是，当存储介质的寿命状态处于寿命末期时，如果用户继续按照正常写入速度向存储介质中写入数据，存储介质的磨损程度会进一步加深，如此，存储介质中的数据丢失的风险会大大增加，因此，可以对存储介质进行写入控制。
在一种可能的实现方式中，电子设备可以包括控制单元，当存储介质中的数据丢失风险过高时，控制单元可以控制存储介质的数据写入速度，以对存储介质进行写入控制。
作为一种示例，寿命末期包括第一阶段和第二阶段，在寿命状态处于寿命末期的第一阶段的情况下，对存储介质进行写入控制的实现方式可以为：控制存储介质的数据写入速度，在第一阶段内数据写入速度的控制次数为至少一次，且控制后的数据写入速度大于零。
也就是，当存储介质的寿命状态处于第一阶段时，如果用户继续以正常写入速度向存储介质中写入数据，存储介质的磨损程度会进一步加深，如此，存储介质中的数据丢失的风险会大大增加。
在该种情况下，控制单元可以对存储介质的数据写入速度进行一次控制，以减少写入存储介质的数据量，也可以对存储介质的数据写入速度进行多次控制，以减少写入存储介质的数据量，本实施例对此不做限定。
需要说明的是，正常写入速度指的是未限速的写入速度，对于一个存储介质而言，正常写入速度是固定的。通常，不同厂家生产的存储介质的正常写入速度可以是不同的。
在一种可能的实现方式中，在寿命状态处于第一阶段的情况下，若数据写入速度的控制次数为一次，则控制存储介质的数据写入速度的实现方式可以为：在寿命状态处于第一阶段的情况下，控制存储介质的数据写入速度小于或等于第二速度阈值。
其中，第二速度阈值可以根据实际情况进行设置，本实施例对此不做限定。需要说明的是，该第二速度阈值小于正常写入速度。
在本实施例中，电子设备可以包括计算单元，当监测单元确定存储介质的寿命状态处于第一阶段时，监测单元可以向计算单元发送计算请求，当计算单元接收到计算请求时，计算单元可以确定数据写入速度为第二速度阈值。进而，计算单元可以将限速后的数据写入速度发送至控制单元，控制单元可以控制存储介质的数据写入速度小于或等于第二速度阈值。譬如，控制单元可以控制存储介质的数据写入速度为第二速度阈值。
在该种情况下，由于该第二速度阈值小于正常写入速度，所以可以减少写入存储介质的数据量，以避免存储介质的进一步磨损，从而保护存储介质中存储的数据。
在一种可能的实现方式中，在寿命状态处于第一阶段的情况下，若数据写入速度的控制次数为多次，则控制存储介质的数据写入速度的实现方式可以为：在寿命状态处于第一阶段的情况下，根据寿命衡量值、第一寿命阶段阈值和第二寿命阶段阈值，确定限速比例。将限速比例与正常写入速度相乘，得到限速后的数据写入速度。控制存储介质的数据写入速度小于或等于限速后的数据写入速度。
其中，限速比例指的是限速后的数据写入速度与正常写入速度的比值。可以理解的是，限速比例越大，限速后的数据写入速度越大，限速比例越小，限速后的数据写入速度越小。
示例性的，当监测单元确定存储介质的寿命状态处于第一阶段时，监测单元可以向计算单元发送计算请求，当计算单元接收到计算请求时，计算单元可以根据寿命衡量值、第一寿命阶段阈值和第二寿命阶段阈值，计算限速比例，进而根据限速比例和正常写入速度，计算限速后的数据写入速度。进而，计算单元可以将计算得到的限速后的数据写入速度发送至控制单元，控制单元可以控制存储介质的数据写入速度小于或等于限速后的数据写入速度。譬如，控制单元可以控制存储介质的数据写入速度为限速后的数据写入速度。
在该种情况下，控制单元可以通过控制数据写入速度降低，减少写入的数据量，从而减缓存储介质的磨损，保护存储介质中的数据。
作为一种示例，根据寿命衡量值、第一寿命阶段阈值和第二寿命阶段阈值，确定限速比例的实现方式可以为：将寿命衡量值与第二寿命阶段阈值相减，得到第一数值，以及将第一寿命阶段阈值与第二寿命阶段阈值相减，得到第二数值。将第一数值的平方与第二数值的平方相除，得到限速比例。
当寿命衡量值是根据OP确定的时，寿命衡量值与寿命值之间正相关，通常情况下，寿命值越大，限速比例越高，允许的数据写入速度越大，寿命值越小，限速比例越低，允许的数据写入速度越小，也就是寿命值与限速比例之间正相关，如此，可以确定限速比例与寿命衡量值之间正相关。
示例性的，如图5所示，限速比例是随着寿命衡量值的增大而变大的，当寿命衡量值处于第一寿命阶段阈值与第二寿命阶段阈值之间的前半段时，随着寿命衡量值的减小，限速比例快速下降，以通过控制写入的数据量迅速减少，保护存储介质中的数据。当寿命衡量值处于第一寿命阶段阈值和第二寿命阶段阈值之间的后半段时，随着寿命衡量值的减小，限速比例缓慢下降接近于0。
也就是，计算单元可以通过下述公式(1)计算限速比例，
Figure BDA0002433828790000141
其中，VLimitRate指的是限速比例，OP指的是寿命衡量值，OP1指的是第一寿命阶段阈值，OP2指的是第二寿命阶段阈值。
譬如，当正常写入速度为500MB/S，OP为10％，OP1为11％，OP2为9％时，根据
Figure BDA0002433828790000142
计算得到限速比例为25％，进而，用500MB/S乘以25％，得到限速后的数据写入速度为125MB/S。
作为一种示例，寿命末期包括第一阶段和第二阶段，在寿命状态处于寿命末期的第二阶段的情况下，对存储介质进行写入控制的实现方式可以为：控制存储介质的数据写入速度小于或等于第一速度阈值，第一速度阈值大于零且小于正常写入速度，或者，控制存储介质进入写保护模式。
其中，第一速度阈值可以根据实际情况进行设置，本实施例对此不做限定。需要说明的是，该第一速度阈值小于第二速度阈值，或者，第一速度阈值小于第一阶段限速后的数据写入速度。
其中，当存储介质进入写保护模式时，该存储介质的数据写入速度为0，即在该模式下，不允许用户向存储介质中写入数据。
示例性的，当监测单元确定存储介质的寿命状态处于第二阶段时，监测单元可以向计算单元发送计算请求，当计算单元接收到计算请求时，计算单元可以确定数据写入速度第一速度阈值。进而，计算单元可以将限速后的数据写入速度发送至控制单元，控制单元可以控制存储介质的数据写入速度小于或等于第一速度阈值。譬如，控制单元可以控制存储介质的数据写入速度为第一速度阈值。
在该种情况下，由于该第一速度阈值小于第一阶段时的数据写入速度，而且第一阶段时的数据写入速度小于正常速度阈值，从而可以确定该第一速度阈值为极低的数据写入速度，也就是，只允许用户向存储介质中写入极少的数据，从而避免对存储介质的磨损，保护存储介质中的数据。
示例性的，当监测单元确定存储介质的寿命状态处于第二阶段时，监测单元可以向计算单元发送计算请求，当计算单元接收到计算请求时，计算单元可以确定限速比例为0，也就是确定数据写入速度为0。进而，计算单元可以将限速后的数据写入速度发送至控制单元，控制单元将存储介质的数据写入速度控制为0，也就是，控制存储介质进入写保护模式，即不允许用户向存储介质中写入数据。
在该种情况下，控制单元可以通过控制数据写入速度为0，使得写入的数据量降为0，从而避免对存储介质的磨损，保护存储介质中的数据。
作为一种示例，存储介质的寿命状态可以存储至SMART(Self-MonitoringAnalysis And Reporting Technology，自我检测分析与报告技术)信息中，SMART信息为可供用户查询的信息。
其中，SMART指的是一种存储介质中普遍采用的数据安全技术，存储介质可以通过监测指令和监测软件对磁头、盘片、马达、电路的运行情况、历史记录及预设的安全值进行分析、比较，生成相应的SMART信息。通常情况下，用户可以在电子设备中安装监测软件，并通过指定命令，对SMART信息进行读取。
也就是，如图2所示，监测单元可以将监测到的存储介质的寿命状态存储至SMART信息中。
譬如，当监测单元监测到存储介质的寿命状态为寿命末期的第一阶段时，可以将寿命状态为寿命末期的第一阶段存储至SMART信息中。
如此，用户可以通过查询SMART信息，确定当前存储介质的寿命状态，即确定当前存储介质是否存在数据丢失的风险，进而可以确定是否对存储介质中的数据进行备份。
示例性的，如图6所示，当用户感受到写入速度变慢时，可以查询SMART信息，以确定存储介质的寿命状态，若查询到存储介质的寿命状态为寿命末期的第一阶段，说明当前存储介质存在数据丢失的风险，由于在该阶段用户可以少量的写入数据，因此，用户可以对存储介质中的数据进行在线备份。当然，用户也可以选择对存储介质中的数据进行离线备份。
示例性的，如图6所示，当用户感受到写入速度变慢时，可能会继续写入数据，直至存储介质无法再写入数据，在这种情况下，用户通常会去查询SMART信息，若查询到存储介质的寿命状态为寿命末期的第二阶段，说明当前存储介质数据丢失的风险很高，由于在该阶段用户已经无法向存储介质中写入数据，因此，用户仅可以对存储介质中的数据进行离线备份。
需要说明的是，当监测单元监测到存储介质的寿命状态变化时，会相应的更新SMART信息中存储的存储介质的寿命状态。
进一步地，在存储介质的寿命状态处于寿命末期的情况下，将存储介质的寿命状态与限速后的数据写入速度对应存储至存储介质的与非闪存NAND FLASH中。
在一种可能的实现方式中，电子设备可以包括后端存储单元，如果当前存储介质的寿命状态处于寿命末期，除了将监测单元确定的存储介质的寿命状态存储至SMART信息中之外，还可以将监测单元确定的存储介质的寿命状态以及计算单元计算得到的限速后的数据写入速度存储至后端存储单元，也就是存储至NAND FLASH中。
譬如，当监测单元监测到存储介质的寿命状态为寿命末期的第一阶段，计算单元计算得到当前的数据写入速度为125MB/S时，可以将寿命状态为寿命末期的第一阶段以及数据写入速度为125MB/S对应存储至存储至NAND FLASH中。
需要说明的是，当监测单元监测到存储介质的寿命状态变化时，会相应的更新NAND FLASH中存储的存储介质的寿命状态。当计算单元计算得到的限速后的数据写入速度发生变化时，会相应的更新NAND FLASH中存储的数据写入速度。
进一步地，在断电后恢复上电的过程中，若从NAND FLASH中读取到存储介质的寿命状态处于寿命末期，则从NAND FLASH中获取对应存储的限速后的数据写入速度。控制存储介质的数据写入速度小于或等于限速后的数据写入速度。
其中，断电和上电的过程对于存储介质的寿命状态没有影响，即上电后的存储介质的寿命状态和断电前的存储介质的寿命状态是相同的。
也就是，当存储介质发生断电，在恢复上电的过程中，可以对NAND FLASH中存储的信息进行读取，如果读取到存储介质的寿命状态处于寿命末期，则可以在NAND FLASH中存储的信息中直接获取与该寿命状态对应的限速后的数据写入速度，进而控制单元可以控制存储介质的数据写入速度小于或等于该读取的数据写入速度，譬如，控制单元可以控制存储介质的数据写入速度为读取的数据写入速度。如此，可以避免断电再上电后监测单元对存储介质的寿命状态重新判定，以及避免计算单元对存储介质的数据写入速度重新计算。
譬如，在断电后恢复上电的过程中，当读取到NAND FLASH中存储的信息为存储介质的寿命状态处于寿命末期的第一阶段时，读取该寿命状态对应的数据写入速度为125MB/S，控制单元可以控制数据写入速度为125MB/S。
在本申请实施例中，根据待管理的存储介质当前的存储介质参数，确定存储介质的寿命状态，也就是确定当前存储介质的磨损程度。当确定存储介质的寿命状态处于寿命末期时，说明当前存储介质的磨损程度较高，可能会无法正常工作，并且存储于存储介质中的数据有丢失的风险，因此，可以对存储介质进行写入控制，使得写入存储介质的数据量减少或禁止用户写入，以避免存储介质的进一步磨损，从而保护存储介质中存储的数据。
图7是根据一示例性实施例示出的一种存储介质的管理装置的结构示意图，该存储介质的管理装置可以由软件、硬件或者两者的结合实现。该存储介质的管理装置可以包括：
确定模块710，用于根据待管理的存储介质当前的存储介质参数，确定所述存储介质的寿命状态；
控制模块720，用于在所述寿命状态处于寿命末期的情况下，对所述存储介质进行写入控制；
其中，所述寿命末期是指所述存储介质的磨损程度已达到存在丢失数据的风险所对应的时期，所述对所述存储介质进行写入控制的次数为至少两次。
在本申请一种可能的实现方式中，所述寿命末期包括第一阶段和第二阶段，所述控制模块720用于：
在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度，在所述第一阶段内所述数据写入速度的控制次数为至少一次，且控制后的数据写入速度大于零；
在所述寿命状态处于所述第二阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于第一速度阈值，所述第一速度阈值大于零且小于正常写入速度，或者，控制所述存储介质进入写保护模式。
在本申请一种可能的实现方式中，所述控制模块720用于：
在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于第二速度阈值且大于所述第一速度阈值。
在本申请一种可能的实现方式中，所述控制模块720用于：
在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，根据寿命衡量值、第一寿命阶段阈值和第二寿命阶段阈值，确定限速比例，所述寿命衡量值为基于存储介质当前的存储介质参数确定的，所述寿命衡量值用于衡量所述存储介质的寿命状态；
将所述限速比例与所述正常写入速度相乘，得到限速后的数据写入速度；
控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于所述限速后的数据写入速度。
在本申请一种可能的实现方式中，所述控制模块720用于：
将所述寿命衡量值与所述第二寿命阶段阈值相减，得到第一数值，以及将所述第一寿命阶段阈值与所述第二寿命阶段阈值相减，得到第二数值；
将所述第一数值的平方与所述第二数值的平方相除，得到所述限速比例。
在本申请一种可能的实现方式中，所述确定模块710用于：
根据所述存储介质当前的坏块数目、预留空间OP、出错块数目、编程擦除PE次数中的至少一项，确定寿命衡量值，所述坏块数目是指无法使用的闪存块的个数，所述出错块数目是指操作失败的闪存块个数；
基于所述寿命衡量值，确定所述存储介质的寿命状态；
其中，所述寿命衡量值与所述存储介质的寿命值正相关，或者，所述寿命衡量值与所述存储介质的寿命值负相关。
在本申请一种可能的实现方式中，若所述寿命衡量值与所述存储介质的寿命值正相关，则所述确定模块710用于：
若所述寿命衡量值大于第一寿命阶段阈值，则确定所述存储介质的寿命状态处于正常状态；
若所述寿命衡量值大于第二寿命阶段阈值且小于或等于所述第一寿命阶段阈值，则确定所述存储介质的寿命状态处于寿命末期的第一阶段；
若所述寿命衡量值小于或者等于所述第二寿命阶段阈值，则确定所述存储介质的寿命状态处于所述第二阶段。
在本申请一种可能的实现方式中，所述装置还包括：
第一存储模块730，用于将所述存储介质的寿命状态存储至自我检测分析与报告技术SMART信息中，所述SMART信息为可供用户查询的信息。
在本申请一种可能的实现方式中，所述装置还包括：
第二存储模块740，用于在所述存储介质的寿命状态处于所述寿命末期的情况下，将所述存储介质的寿命状态与限速后的数据写入速度对应存储至所述存储介质的与非闪存NAND FLASH中；
获取模块750，用于在断电后恢复上电的过程中，若从所述NAND FLASH中读取到所述存储介质的寿命状态处于所述寿命末期，则从所述NAND FLASH中获取对应存储的限速后的数据写入速度；
所述控制模块720，用于控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于所述限速后的数据写入速度。
在本申请实施例中，根据待管理的存储介质当前的存储介质参数，确定存储介质的寿命状态，也就是确定当前存储介质的磨损程度。当确定存储介质的寿命状态处于寿命末期时，说明当前存储介质的磨损程度较高，可能会无法正常工作，并且存储于存储介质中的数据有丢失的风险，因此，可以对存储介质进行写入控制，使得写入存储介质的数据量减少或禁止用户写入，以避免存储介质的进一步磨损，从而保护存储介质中存储的数据。
需要说明的是：上述实施例提供的存储介质的管理装置在存储介质的管理时，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将装置的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。另外，上述实施例提供的存储介质的管理装置与存储介质的管理方法实施例属于同一构思，其具体实现过程详见方法实施例，这里不再赘述。
图8是本申请实施例提供的一种电子设备800的结构框图。该电子设备800可以是便携式移动终端，比如：智能手机、平板电脑、MP3播放器(Moving Picture Experts GroupAudio Layer III，动态影像专家压缩标准音频层面3)、MP4(Moving Picture ExpertsGroup Audio Layer IV，动态影像专家压缩标准音频层面4)播放器、笔记本电脑或台式电脑。电子设备800还可能被称为用户设备、便携式终端、膝上型终端、台式终端等其他名称。
通常，电子设备800包括有：存储介质的控制器801和存储器802。
存储介质的控制器801可以包括一个或多个处理核心，比如4核心处理器、8核心处理器等。存储介质的控制器801可以采用DSP(Digital Signal Processing，数字信号处理)、FPGA(Field－Programmable Gate Array，现场可编程门阵列)、PLA(ProgrammableLogic Array，可编程逻辑阵列)中的至少一种硬件形式来实现。存储介质的控制器801也可以包括主处理器和协处理器，主处理器是用于对在唤醒状态下的数据进行处理的处理器，也称CPU(Central Processing Unit，中央处理器)；协处理器是用于对在待机状态下的数据进行处理的低功耗处理器。在一些实施例中，存储介质的控制器801可以在集成有GPU(Graphics Processing Unit，图像处理器)，GPU用于负责显示屏所需要显示的内容的渲染和绘制。一些实施例中，存储介质的控制器801还可以包括AI(Artificial Intelligence，人工智能)处理器，该AI处理器用于处理有关机器学习的计算操作。
存储器802可以包括一个或多个计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质可以是非暂态的。存储器802还可包括高速随机存取存储器，以及非易失性存储器，比如一个或多个磁盘存储设备、闪存存储设备。在一些实施例中，存储器802中的非暂态的计算机可读存储介质用于存储至少一个指令，该至少一个指令用于被存储介质的控制器801所执行以实现本申请中方法实施例提供的存储介质的管理方法。
本领域技术人员可以理解，图8中示出的结构并不构成对电子设备800的限定，可以包括比图示更多或更少的组件，或者组合某些组件，或者采用不同的组件布置。
在一些实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，该存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述实施例中存储介质的管理方法的步骤。例如，所述计算机可读存储介质可以是ROM、RAM、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。
值得注意的是，本申请提到的计算机可读存储介质可以为非易失性存储介质，换句话说，可以是非瞬时性存储介质。
应当理解的是，实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过软件、硬件、固件或者其任意结合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。所述计算机指令可以存储在上述计算机可读存储介质中。
也即是，在一些实施例中，还提供了一种包含指令的计算机程序产品，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述所述的存储介质的管理方法的步骤。
以上所述为本申请提供的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种存储介质的管理方法，其特征在于，所述方法包括：
根据待管理的存储介质当前的存储介质参数，确定所述存储介质的寿命状态；
在所述寿命状态处于寿命末期的情况下，对所述存储介质进行写入控制；
其中，所述寿命末期是指所述存储介质的磨损程度已达到存在丢失数据的风险所对应的时期，所述对所述存储介质进行写入控制的次数为至少两次。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述寿命末期包括第一阶段和第二阶段，所述在所述寿命状态处于寿命末期的情况下，对所述存储介质进行写入控制，包括：
在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度，在所述第一阶段内所述数据写入速度的控制次数为至少一次，且控制后的数据写入速度大于零；
在所述寿命状态处于所述第二阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于第一速度阈值，所述第一速度阈值大于零且小于正常写入速度，或者，控制所述存储介质进入写保护模式。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度，包括：
在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于第二速度阈值且大于所述第一速度阈值。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度，包括：
在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，根据寿命衡量值、第一寿命阶段阈值和第二寿命阶段阈值，确定限速比例，所述寿命衡量值为基于存储介质当前的存储介质参数确定的，所述寿命衡量值用于衡量所述存储介质的寿命状态；
将所述限速比例与所述正常写入速度相乘，得到限速后的数据写入速度；
控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于所述限速后的数据写入速度。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据寿命衡量值、第一寿命阶段阈值和第二寿命阶段阈值，确定限速比例，包括：
将所述寿命衡量值与所述第二寿命阶段阈值相减，得到第一数值，以及将所述第一寿命阶段阈值与所述第二寿命阶段阈值相减，得到第二数值；
将所述第一数值的平方与所述第二数值的平方相除，得到所述限速比例。
6.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述根据待管理的存储介质当前的存储介质参数，确定所述存储介质的寿命状态，包括：
根据所述存储介质当前的坏块数目、预留空间OP、出错块数目、编程擦除PE次数中的至少一项，确定寿命衡量值，所述坏块数目是指无法使用的闪存块的个数，所述出错块数目是指操作失败的闪存块个数；
基于所述寿命衡量值，确定所述存储介质的寿命状态；
其中，所述寿命衡量值与所述存储介质的寿命值正相关，或者，所述寿命衡量值与所述存储介质的寿命值负相关。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，若所述寿命衡量值与所述存储介质的寿命值正相关，则所述基于所述寿命衡量值，确定所述存储介质的寿命状态，包括：
若所述寿命衡量值大于第一寿命阶段阈值，则确定所述存储介质的寿命状态处于正常状态；
若所述寿命衡量值大于第二寿命阶段阈值且小于或等于所述第一寿命阶段阈值，则确定所述存储介质的寿命状态处于寿命末期的第一阶段；
若所述寿命衡量值小于或者等于所述第二寿命阶段阈值，则确定所述存储介质的寿命状态处于所述第二阶段。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
将所述存储介质的寿命状态存储至自我检测分析与报告技术SMART信息中，所述SMART信息为可供用户查询的信息。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述存储介质的寿命状态处于所述寿命末期的情况下，将所述存储介质的寿命状态与限速后的数据写入速度对应存储至所述存储介质的与非闪存NAND FLASH中；
在断电后恢复上电的过程中，若从所述NAND FLASH中读取到所述存储介质的寿命状态处于所述寿命末期，则从所述NAND FLASH中获取对应存储的限速后的数据写入速度；
控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于所述限速后的数据写入速度。
10.一种存储介质的管理装置，其特征在于，所述装置包括：
确定模块，用于根据待管理的存储介质当前的存储介质参数，确定所述存储介质的寿命状态；
控制模块，用于在所述寿命状态处于寿命末期的情况下，对所述存储介质进行写入控制；
其中，所述寿命末期是指所述存储介质的磨损程度已达到存在丢失数据的风险所对应的时期，所述对所述存储介质进行写入控制的次数为至少两次。
11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述寿命末期包括第一阶段和第二阶段，所述控制模块用于：
在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度，在所述第一阶段内所述数据写入速度的控制次数为至少一次，且控制后的数据写入速度大于零；
在所述寿命状态处于所述第二阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于第一速度阈值，所述第一速度阈值大于零且小于正常写入速度，或者，控制所述存储介质进入写保护模式。
所述控制模块用于：
在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于第二速度阈值且大于所述第一速度阈值。
所述控制模块用于：
在所述寿命状态处于所述第一阶段的情况下，根据寿命衡量值、第一寿命阶段阈值和第二寿命阶段阈值，确定限速比例，所述寿命衡量值为基于存储介质当前的存储介质参数确定的，所述寿命衡量值用于衡量所述存储介质的寿命状态；
将所述限速比例与所述正常写入速度相乘，得到限速后的数据写入速度；
控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于所述限速后的数据写入速度。
所述控制模块用于：
将所述寿命衡量值与所述第二寿命阶段阈值相减，得到第一数值，以及将所述第一寿命阶段阈值与所述第二寿命阶段阈值相减，得到第二数值；
将所述第一数值的平方与所述第二数值的平方相除，得到所述限速比例。
所述确定模块用于：
根据所述存储介质当前的坏块数目、预留空间OP、出错块数目、编程擦除PE次数中的至少一项，确定寿命衡量值，所述坏块数目是指无法使用的闪存块的个数，所述出错块数目是指操作失败的闪存块个数；
基于所述寿命衡量值，确定所述存储介质的寿命状态；
其中，所述寿命衡量值与所述存储介质的寿命值正相关，或者，所述寿命衡量值与所述存储介质的寿命值负相关。
若所述寿命衡量值与所述存储介质的寿命值正相关，则所述确定模块用于：
若所述寿命衡量值大于第一寿命阶段阈值，则确定所述存储介质的寿命状态处于正常状态；
若所述寿命衡量值大于第二寿命阶段阈值且小于或等于所述第一寿命阶段阈值，则确定所述存储介质的寿命状态处于寿命末期的第一阶段；
若所述寿命衡量值小于或者等于所述第二寿命阶段阈值，则确定所述存储介质的寿命状态处于所述第二阶段。
所述装置还包括：
第一存储模块，用于将所述存储介质的寿命状态存储至自我检测分析与报告技术SMART信息中，所述SMART信息为可供用户查询的信息。
所述装置还包括：
第二存储模块，用于在所述存储介质的寿命状态处于所述寿命末期的情况下，将所述存储介质的寿命状态与限速后的数据写入速度对应存储至所述存储介质的与非闪存NANDFLASH中；
获取模块，用于在断电后恢复上电的过程中，若从所述NAND FLASH中读取到所述存储介质的寿命状态处于所述寿命末期，则从所述NAND FLASH中获取对应存储的限速后的数据写入速度；
所述控制模块，用于控制所述存储介质的数据写入速度小于或等于所述限速后的数据写入速度。
12.一种电子设备，其特征在于，包括：
存储介质的控制器；
存储器，所述存储器存储有所述处理器可执行的指令；
其中，所述存储介质的控制器被配置为执行所述指令并实现权利要求1-9所述的任一项方法的步骤。
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