CN113463142A - 一种电镀填孔组合物及其电镀填孔方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电镀领域，更具体地，本发明涉及一种电镀填孔组合物及其电镀填孔方法，所述电镀填孔组合物，包括1‑1000ppm抑制剂、260000‑270000ppm酸性电解质、35000‑45000ppm铜盐、20‑60ppm整平剂，所述整平剂由(a)杂环化合物，(b)环氧化物，(c)缩水多元醇醚，(d)多元醇，(e)羧基烷烃化合物，(f)卤代烷烃盐中一种或多种聚合而成的聚合物。本申请电镀填孔组合物具有优异的填充率，填平效果好。

Description

一种电镀填孔组合物及其电镀填孔方法

技术领域

本发明涉及电镀领域，更具体地，本发明涉及一种电镀填孔组合物及其电镀填孔方法。

背景技术

目前，HDI板行业发展迅速，其在手机、笔记本电脑、IC封装中广泛应用。HDI板具有密度高，内含较多的微盲孔/埋盲孔等，与通孔板而言，HDI板的孔的密度更高，可以节约大量的空间。然而，传统的HDI板由于工艺能力的受限，盲孔内填平效果极差，凹陷度较大，叠孔时易出现线路故障。

微盲孔/埋盲孔等的填平除了控制必要的镀铜工艺之外，关键的部分是专门用于填孔电镀中的药水的组分的选择和优化。目前包括常规铜盐、无机酸、卤离子源、整平剂、光亮剂等的金属电镀组合物在电镀时其Dimple还存在着较高的情况，一般在10μm左右，已经无法适应目前HDI板行业的发展，因此，需要提供一种组合物以便进一步降低Dimple。

发明内容

针对现有技术中存在的一些问题，本发明第一个方面提供了一种电镀填孔组合物，包括1-1000ppm抑制剂、260000-270000ppm酸性电解质、35000-45000ppm铜盐、20-60ppm整平剂，所述整平剂由(a)杂环化合物，(b)环氧化物，(c)缩水多元醇醚，(d)多元醇，(e)羧基烷烃化合物，(f)卤代烷烃盐中一种或多种聚合而成的聚合物。

作为本发明的一种优选的技术方案，所述电镀填孔组合物还包括0.5-4ppm光亮剂。

作为本发明的一种优选的技术方案，所述光亮剂为磺酸盐化合物，优选为二硫取代的磺酸盐化合物。

作为本发明的一种优选的技术方案，所述抑制剂包括聚醚多元醇。

作为本发明的一种优选的技术方案，所述聚醚多元醇包括环氧乙烷和环氧丙烷共聚物。

作为本发明的一种优选的技术方案，所述(a)杂环化合物的结构如式(1)或式(2)所示，

其中，R_1-10分别独立选自氢、氧、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的苯基、羟基、羧基、氨基、巯基、硝基、酰胺基、炔基、烷氧基、氰基、磺酸基、偶氮基、甲羧基、丙烯酸基任一种；Y、Z、K、X、W选自N、S、O、C中任一种，优选R₇为氢或氧，R₈为甲羧基，R₉为丙烯酸基。

作为本发明的一种优选的技术方案，所述式(2)为咪唑、4-咪唑丙烯酸、(2-酮咪唑)-乙酸中任一种。

本发明第二个方面提供了一种电镀填孔方法，在25-60℃，将具有通孔的印制电路板浸润在电镀填孔组合物中20-200min，采用分段式的直流电源电流进行镀铜30-90min。

作为本发明的一种优选的技术方案，所述电镀填孔方法包括：在25-40℃，将具有通孔的印制电路板浸润在电镀填孔组合物中150min，采用分段式的直流电源电流进行镀铜60min。

作为本发明的一种优选的技术方案，所述分段式的直流电源电流进行镀铜时的电流密度为10-25ASF。

本发明与现有技术相比具有以下有益效果：

(1)本申请所述采用特定重均分子量的环氧乙烷和环氧丙烷共聚物，Dimple的值低于4μm；

(2)本申请采用聚二硫二丙烷磺酸钠和N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠的复合，且其浓度比为(2.8-3.5)：1时，对于孔径为100μm的板件镀铜，Dimple低于2μm；

(3)本申请采用4-咪唑丙烯酸/环氧乙烷共聚物、(2-酮咪唑)-乙酸/环氧乙烷共聚物，并通过控制一定的浓度比，镀铜的铜晶粒细腻，同时光亮度好；

(4)本申请电镀填孔组合物具有优异的填充率，填平效果好。

附图说明

图1为盲孔截面示意图；

图2-8分别为使用本申请实施例1-7电镀填孔组合物镀铜的盲孔切片截面图；

其中，H₁为孔内底部到上部铜厚，H₂为总介电层和铜层厚度，H₃为镀铜层厚度(不含底铜)。

具体实施方式

以下通过具体实施方式说明本发明，但不局限于以下给出的具体实施例。

本发明第一个方面提供了一种电镀填孔组合物，包括抑制剂、酸性电解质、铜盐、整平剂。

在一种实施方式中，所述电镀填孔组合物还包括光亮剂。

在一种实施方式中，所述抑制剂的浓度为1-1000ppm。

本申请中，所述抑制剂可以列举的有聚醚多元醇、烷基酚与环氧乙烷的缩合物、聚乙烯吡咯烷酮、脂肪醇聚氧乙烯醚、聚乙二醇、聚醚胺等。

优选的，所述抑制剂的浓度为500-1000ppm；更优选的，所述抑制剂的浓度为1000ppm。

在一种实施方式中，所述抑制剂为聚醚多元醇。

优选的，所述聚醚多元醇为环氧乙烷和环氧丙烷共聚物，重均分子量为1500。

为了解决目前HDI板的高密度和高集成，一般要求Dimple的值小于15μm，然而，为了继续降低Dimple的值，申请人进行了一系列相关的研究，在实验中意外的发现，加入特定含量的抑制剂，且抑制剂为环氧乙烷和环氧丙烷共聚物，尤其是重均分子量为1500时，此时Dimple的值低于4μm，申请人认为可能的原因是该特定重均分子量的环氧乙烷和环氧丙烷共聚物的柔性分子链段活动性较强，在电镀的过程中，接触到本申请中杂环聚合物分子后，具有较好的流动性，同时该特定重均分子量的环氧乙烷和环氧丙烷共聚物在满足本申请杂环聚合物分子的沉积后，吸附在板面一段时间后，又能够保持较好的吸附力，增大极化电阻而拉高沉积反应的能障，降低铜面的沉积厚度，从而有效阻止板面上铜的沉积。

在一种实施方式中，所述酸性电解质的浓度为260000-270000ppm。

优选的，所述酸性电解质的浓度为260060ppm。

本申请中所述酸性电解质不作特别限定，本领域技术人员可作常规选择。

在一种实施方式中，所述酸性电解质选自硫酸、硝酸、盐酸、甲酸、醋酸、磷酸、磺酸中一种或多种。

优选的，所述酸性电解质为硫酸和盐酸。

进一步优选的，所述硫酸和盐酸的浓度比为(4300-4360)：1；更优选的，所述硫酸和盐酸的浓度比为4333：1。

本申请所述铜盐不作特别限定，本领域技术人员可作常规选择。

在一种实施方式中，所述铜盐选自硫酸铜、磷铜、焦磷酸铜、氯化铜、氧化铜、硝酸铜中一种或多种。

优选的，所述铜盐为硫酸铜，更优选的，所述铜盐为五水硫酸铜。

在一种实施方式中，所述铜盐的浓度为35000-45000ppm。

优选的，所述铜盐的浓度为40000ppm。

本申请中所述光亮剂可以列举的有N，N-二甲基-二硫基氨基甲酸-(3-磺丙基)酯、3-巯基-丙基磺酸-(3-磺丙基)酯、3-巯基-丙基磺酸及其对应的盐、碳酸二硫基-O-乙酯-s-酯、3-巯基-1-丙烷磺酸盐、聚二硫二丙烷磺酸钠、3-(苯并噻唑基-S-硫基)丙基磺酸盐、吡啶鎓丙基磺基甜菜碱、1-钠-3-巯基丙烷-1-磺酸酯、N，N-二甲基-二硫基氨基甲酸-(3-磺乙基)酯、N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠、3-巯基-乙基丙基磺酸-(3-磺乙基)酯、3-巯基-乙基磺酸盐、碳酸-二硫基-O-乙酯-S-酯、3-巯基-1-乙烷磺酸盐、双磺乙基二硫化物及其对应的盐、3-(苯并噻唑基-S-硫基)乙基磺酸盐、吡啶鎓乙基磺基甜菜碱、1-钠-3-巯基乙烷-1-磺酸酯等。

在一种实施方式中，所述光亮剂为磺酸盐化合物。

优选的，所述磺酸盐化合物为二硫取代的磺酸盐化合物。

优选的，所述磺酸盐化合物为聚二硫二丙烷磺酸钠和N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠。

优选的，所述聚二硫二丙烷磺酸钠和N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠的浓度比为(2.8-3.5)：1，更优选为3.1：1。

在一种实施方式中，所述光亮剂的浓度为0.5-4ppm。

优选的，所述光亮剂的浓度为1-3.3ppm；更优选的，所述光亮剂的浓度为3.3ppm。

申请人发现，在本申请中使用常规单一的聚二硫二丙烷磺酸钠、苯基二硫丙烷磺酸钠、聚二甲基酰胺基磺酸钠，在对孔径为100μm的板件镀铜时，得到的Dimple较高，而申请人意外的发现，当光亮剂为聚二硫二丙烷磺酸钠和N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠，尤其是浓度比为(2.8-3.5)：1时，此时，得到的Dimple低于2μm，与目前Dimple在10μm水平相比，本申请具有明显的优势，使用本申请中特定的光亮剂达到整平的效果具有显著的进步，申请人猜测可能是本申请中孔径较小，常规的光亮剂对孔底和孔中的作用效果较差，光亮剂一旦吸附在板面上，则会影响抑制剂在电解过程中的流动性，既阻碍了板面上铜的抑制沉积，又降低了孔底和孔中的铜晶粒的增长，而本申请中特定复合的聚二硫二丙烷磺酸钠和N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠，其之间存在合适的相对分子量差值，在电解时，先后浸润到孔径为100μm的孔径底部，并且与孔材料分子之间具有一定的吸附力，加之其存在的合适链段长度造成空间位阻，阻碍脱离的产生，提供了活性生长部位，并改变成核过程，促进孔金属化。

在一种实施方式中，所述整平剂由(a)杂环化合物，(b)环氧化物，(c)缩水多元醇醚，(d)多元醇，(e)羧基烷烃化合物，(f)卤代烷烃盐中一种或多种聚合而成的聚合物。

优选的，所述(b)环氧化物为环氧乙烷和/或环氧丙烷。

优选的，所述(c)缩水多元醇醚为缩水甘油醚。

优选的，所述(d)多元醇选自丙二醇、丁二醇、乙二醇中一种或多种。

优选的，所述(a)杂环化合物的结构如式(1)或式(2)所示，

其中，R_1-10分别独立选自氢、氧、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的苯基、羟基、羧基、氨基、巯基、硝基、酰胺基、炔基、烷氧基、氰基、磺酸基、偶氮基甲羧基、丙烯酸基任一种；Y、Z、K、X、W选自N、S、O、C中任一种。

在一种实施方式中，当Y、Z、K、X、W分别为C时，其连接的取代基R_1-7分别选自氢、C₁～C₃烷基、烷氧基、氰基、羟基、氨基、羧基、巯基、磺酸基、硝基、酰胺基、烯基、炔基、偶氮基中任一种。

本申请中C₁～C₃烷基可以列举的有甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基等。

在一种实施方式中，当Y、Z、K、X、W分别为N、O、S中任一种时，其连接的取代基R_1-7分别选自氢、取代或未取代的C₁～C₇烷基、取代或未取代的芳基、氰基、羟基、氨基、羧基、巯基、磺酸基、硝基、酰胺基、烯基、炔基、偶氮基中任一种。

优选的，所述取代的芳基为C₁～C₇烷基和/或羟基取代的芳基。

优选的，所述取代或未取代的芳基可以列举的有苯基、甲苯基、二甲苯基、羟基甲苯基、酚基、萘基、呋喃基、苯硫基等，更优选为苯基、二甲苯基或萘基。

本申请中取代或未取代的C₁～C₇烷基可以列举的有甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2-(2-甲基)丁基、2-(2，3-二甲基)丁基、2-(2-甲基)戊基、新戊基、羟甲基、羟乙基、羟丙基、环戊基、羟基环戊基、环戊基甲基、环戊基乙基、环己基、环己基甲基、羟基环己基等。

优选的，所述式(1)为2-羟基吡啶和/或2-吡啶甲酰肼。

优选的，所述R₇为氢或氧。

优选的，所述R₈为甲羧基。

优选的，所述R₉为丙烯酸基。

进一步优选的，所述式(2)为咪唑、4-咪唑丙烯酸、(2-酮咪唑)-乙酸中任一种。

在一种实施方式中，所述整平剂为咪唑/环氧乙烷共聚物、4-咪唑丙烯酸/环氧乙烷共聚物、(2-酮咪唑)-乙酸/环氧乙烷共聚物中一种或多种。

优选的，所述整平剂为4-咪唑丙烯酸/环氧乙烷共聚物、(2-酮咪唑)-乙酸/环氧乙烷共聚物。

本申请中4-咪唑丙烯酸/环氧乙烷共聚物、(2-酮咪唑)-乙酸/环氧乙烷共聚物可以购买得到，也可以根据本领域技术人员所熟知的制备方法得到。

进一步优选的，所4-咪唑丙烯酸/环氧乙烷共聚物、(2-酮咪唑)-乙酸/环氧乙烷共聚物的浓度比为(0.8-1.2)：1；更优选为1：1。

申请人意外的发现，当整平剂为4-咪唑丙烯酸/环氧乙烷共聚物、(2-酮咪唑)-乙酸/环氧乙烷共聚物，且其浓度比为(0.8-1.2)：1时，镀铜的铜晶粒细腻，同时光亮度好，申请人认为可能的原因是，4-咪唑丙烯酸/环氧乙烷共聚物、(2-酮咪唑)-乙酸/环氧乙烷共聚物的加入，在电镀的过程中，扩散较慢，使得光亮剂分子在电势的推动力作用下，扩散到孔底和孔中，同时4-咪唑丙烯酸/环氧乙烷共聚物、(2-酮咪唑)-乙酸/环氧乙烷共聚物吸附在板面凸点位置，抑制该区域的铜沉积，使得铜沉积速率减慢，达到晶粒细化的结果。

本申请中杂环化合物的结构中，本领域技术人员根据取代基的具体种类，决定杂环中是否含有双键。

在一种实施方式中，所述(a)杂环化合物发生聚合的位置为R₅、R₄、R₆中任一个或多个中的H发生缩合或者是聚合反应。

在一种实施方式中，当整平剂为(b)环氧化物的聚合物时，其重均分子量为100-100000。

在一种实施方式中，所述整平剂的浓度为20-60ppm。

优选的，所述整平剂的浓度为60ppm。

本申请电镀填孔组合物中溶剂为水。

申请人意外发现，采用本申请制备得到的电镀填孔组合物进行电镀填孔后，后期高温焊接时，不开裂，可能是因为由于Dimple较低，避免因为应力的影响而出现开裂。

一种电镀填孔方法，包括：在25-60℃，将具有通孔的印制电路板浸润在电镀填孔组合物中20-200min，采用分段式的直流电源电流进行镀铜30-90min。

优选的，所述电镀填孔方法，包括：在25-40℃，将具有通孔的印制电路板浸润在电镀填孔组合物中150min，采用分段式的直流电源电流进行镀铜60min。

在一种实施方式中，所述分段式的直流电源电流进行镀铜时的电流密度为10-25ASF。

优选的，电镀时以15ASF电镀10min，接着以17ASF电镀20min，接着以19ASF电镀20min，最后以21ASF电镀10min。

本申请中未公开的电镀填孔方法，本领域技术人员可作常规选择。

本申请中所述印制电路板不作特别限定，本领域技术人员可作常规选择。

在一种实施方式中，所述印制电路板的孔径为100μm。

实施例

在下文中，通过实施例对本发明进行更详细地描述，但应理解，这些实施例仅仅是示例的而非限制性的。如果没有其它说明，下面实施例所用原料都是市售的。

实施例1

本发明的实施例1提供了一种电镀填孔组合物，具体为40000ppm的五水硫酸铜、260000ppm的硫酸、60ppm盐酸、500ppm环氧乙烷-环氧丙烷共聚物、30ppm4-咪唑丙烯酸/环氧乙烷共聚物、30ppm(2-酮咪唑)-乙酸/环氧乙烷共聚物、2.5ppm聚二硫二丙烷磺酸钠、0.8ppm N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠，溶剂为水。

所述环氧乙烷-环氧丙烷共聚物购自南通润丰石油化工有限公司，重均分子量为1500，牌号为GP-330。

所述聚二硫二丙烷磺酸钠购自上海瑞正化工有限公司，CAS为：27206-35-5。

所述4-咪唑丙烯酸/环氧乙烷共聚物的制备方法为：在25℃将1，4-丁二醇二缩水甘油醚和4-咪唑丙烯酸混合，然后加入去离子水，加热至98℃反应2h，加入浓硫酸，继续加热3h后降温，于25℃搅拌8h，使用0.5wt％的硫酸溶液清洗所得的产物。

所述1，4-丁二醇二缩水甘油醚和4-咪唑丙烯酸的摩尔比为4：1。

所述去离子水的加入量为每100mmol 1，4-丁二醇二缩水甘油醚加入30mL的蒸馏水。所述浓硫酸和去离子水的体积比为1：15。

所述(2-酮咪唑)-乙酸/环氧乙烷共聚物的制备方法其具体实施方式同4-咪唑丙烯酸/环氧乙烷共聚物的制备方法，不同之处在于，将4-咪唑丙烯酸替换为(2-酮咪唑)-乙酸。

所述电镀填孔方法为：将具有通孔的印制电路板浸润在电镀填孔组合物中150min，进行电镀铜，其中电镀铜的步骤如下：

(1)首先加入2/3体积的水，然后开启循环、过滤以及温控系统，保持混合液温度不超过50℃的条件下缓慢加入硫酸，然后加入五水硫酸铜，挂入已套好钛篮袋、装好铜球的钛篮，加入剩余的水，过滤此时的混合液，去除有机污染物，在5ASF电流密度下拖缸2小时，然后使用Hull cell片对槽液污染物确认，Hull cell片以2A电流电解5min，需要去片无光亮。

(2)磷铜球处理过程为：首先，将磷铜球置于体积分数为4％的分析级硫酸和体积分数为2.5％的双氧水溶液中浸泡1.5h，然后使用去离子水洗净。

(3)加入电镀填孔组合物，5ASF拖缸，持续拖缸到12AH/L；

(4)进行电镀，其中，电镀的参数为：电镀温度为25℃，15ASF电镀10min，17ASF电镀20min，19ASF电镀20min，21ASF电镀10min。阳极为含铜99.9wt％，含磷为0.03-0.06wt％的磷铜球，阴阳极面积比为1:2，电镀过程中持续空气搅拌(必须采用低压无油吹风机并通过油水分离装置和过滤装置)和阴极移动搅拌，使用5～10μm棉芯连续过滤。在电镀的过程中补加去离子水以维持初始镀液的浓度。

其中，印制电路板的参数如下：材料为HDI板盲孔，板件厚度为1.5mm，孔径为100μm，厚径比为(0.6-0.8)：1。

实施例2

本发明的实施例2提供了一种电镀填孔组合物，具体为40000ppm五水硫酸铜、260000ppm硫酸、60ppm盐酸、1000ppm环氧乙烷-环氧丙烷共聚物、20ppm咪唑-环氧乙烷共聚物、1ppm聚二硫二丙烷磺酸钠，溶剂是水。

所述环氧乙烷-环氧丙烷共聚物购自Polymer Source，重均分子量为1500，牌号为P10571-EOPOEOdiepoxy。

所述咪唑-环氧乙烷共聚物购自武汉吉和昌新材料股份有限公司，产品名称为咪唑丙氧基缩合物。

所述聚二硫二丙烷磺酸钠购自江苏梦得新材料科技有限公司。

所述电镀填孔方法其具体实施方式同实施例1。

实施例3

本发明的实施例3提供了一种电镀填孔组合物，其具体实施方式同实施例2，不同之处在于，所述购自Polymer Source，牌号为P10571-EOPOEOdiepoxy的环氧乙烷-环氧丙烷共聚物替换为购自陶氏，重均分子量为200的环氧乙烷-环氧丙烷共聚物。

所述电镀填孔方法其具体实施方式同实施例1。

实施例4

本发明的实施例4提供了一种电镀填孔组合物，其具体实施方式同实施例2，不同之处在于，所述购自Polymer Source，牌号为P10571-EOPOEOdiepoxy的环氧乙烷-环氧丙烷共聚物替换为购自湖北云镁科技有限公司，重均分子量为10000的P123聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物。

所述电镀填孔方法其具体实施方式同实施例1。

实施例5

本发明的实施例5提供了一种电镀填孔组合物，其具体实施方式同实施例2，不同之处在于，所述聚二硫二丙烷磺酸钠替换为N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠，选自湖北弘景化工有限公司。

所述电镀填孔方法其具体实施方式同实施例1。

实施例6

本发明的实施例6提供了一种电镀填孔组合物，其具体实施方式同实施例2，不同之处在于，所述咪唑-环氧乙烷共聚物替换为2-巯基苯并咪唑羧酸，麦克林生化科技有限公司，货号为M864289。

所述电镀填孔方法其具体实施方式同实施例1。

实施例7

本发明的实施例7提供了一种电镀填孔组合物，其具体实施方式同实施例2，不同之处在于，所述咪唑-环氧乙烷共聚物替换为1-(2-羟基乙基)-1H-四唑-5-基硫醇，选自湖北鸿鑫瑞宇精细化工有限公司。

所述电镀填孔方法其具体实施方式同实施例1。

性能评估

Dimple测试：Dimple指的是填孔后的凹陷值，计算方法为Dimple＝H₂-H₁，其中H₂、H₁见图1盲孔截面示意图标记，H₁为孔内底部到上部铜厚，H₂为总介电层和铜层厚度，H₃为镀铜层厚度(不含底铜)。

表1

前述的实例仅是说明性的，用于解释本发明所述方法的一些特征。所附的权利要求旨在要求可以设想的尽可能广的范围，且本文所呈现的实施例仅是根据所有可能的实施例的组合的选择的实施方式的说明。因此，申请人的用意是所附的权利要求不被说明本发明的特征的示例的选择限制。在权利要求中所用的一些数值范围也包括了在其之内的子范围，这些范围中的变化也应在可能的情况下解释为被所附的权利要求覆盖。

Claims (10)

1.一种电镀填孔组合物，其特征在于，包括1-1000ppm抑制剂、260000-270000ppm酸性电解质、35000-45000ppm铜盐、20-60ppm整平剂，所述整平剂由(a)杂环化合物，(b)环氧化物，(c)缩水多元醇醚，(d)多元醇，(e)羧基烷烃化合物，(f)卤代烷烃盐中一种或多种聚合而成的聚合物。

2.根据权利要求1所述电镀填孔组合物，其特征在于，所述电镀填孔组合物还包括0.5-4ppm光亮剂。

3.根据权利要求2所述电镀填孔组合物，其特征在于，所述光亮剂为磺酸盐化合物，优选为二硫取代的磺酸盐化合物。

4.根据权利要求1-3任一项所述电镀填孔组合物，其特征在于，所述抑制剂包括聚醚多元醇。

5.根据权利要求4所述电镀填孔组合物，其特征在于，所述聚醚多元醇包括环氧乙烷和环氧丙烷共聚物。

6.根据权利要求1-3任一项所述电镀填孔组合物，其特征在于，所述(a)杂环化合物的结构如式(1)或式(2)所示，

其中，R_1-10分别独立选自氢、氧、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的苯基、羟基、羧基、氨基、巯基、硝基、酰胺基、炔基、烷氧基、氰基、磺酸基、偶氮基、甲羧基、丙烯酸基任一种；Y、Z、K、X、W选自N、S、O、C中任一种，优选R₇为氢或氧，R₈为甲羧基，R₉为丙烯酸基。

7.根据权利要求6所述电镀填孔组合物，其特征在于，所述式(2)为咪唑、4-咪唑丙烯酸、(2-酮咪唑)-乙酸中任一种。

8.一种电镀填孔方法，其特征在于，包括：在25-60℃，将具有通孔的印制电路板浸润在电镀填孔组合物中20-200min，采用分段式的直流电源电流进行镀铜30-90min；所述电镀填孔组合物为权利要求1-7任一项所述的电镀填孔组合物。

9.根据权利要求8所述电镀填孔方法，其特征在于，包括：在25-40℃，将具有通孔的印制电路板浸润在电镀填孔组合物中150min，采用分段式的直流电源电流进行镀铜60min。

10.根据权利要求9所述电镀填孔方法，其特征在于，所述分段式的直流电源电流进行镀铜时的电流密度为10-25ASF。

Images