CN113451449A - 一种rgb外延结构及其制造方法与应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种RGB外延结构及其制造方法与应用，方法包括步骤：提供一衬底；在所述衬底上依次生长GaN缓冲层、第一未掺杂GaN层、第二未掺杂GaN层和n型GaN层；用钝化层作保护，经选择性刻蚀、生长，蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上生长p型GaN接触层。通过直接衬底上生长蓝光LED外延结构、绿光LED外延结构和红光LED外延结构，获得的RGB外延结构制成的R、G、B芯片无需分离、无需巨量转移，可直接将一大片数万颗芯片键合到相应驱动电路板上，形成的显示装置的像素单元小，独立控制每颗LED的电流，可实现高分辨率的图像输出。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种RGB外延结构及其制造方法与应用。
背景技术
发光二极管(light emitting diode，Micro LED)显示面板与传统的液晶显示面板相比，具有分辨率更高、对比度更好、响应时间更快及能耗更低等优点。LED芯片在制作完成之后，需要将LED芯片转移到驱动电路板上形成LED阵列，这一过程被称为“巨量转移”。现有显示屏主要是采用红光(R)、绿光(G)、蓝光(B)LED器件组装而成，对于户外显示屏而言，其器件尺寸大，贴片组装(即巨量转移)时无问题；但对于超小尺寸的微型发光二极管(Micro LED)，其芯片尺寸在微米级，一个小小的pad显示屏上的红光(R)、绿光(G)、蓝光(B)芯片就达数百万颗，如此小尺寸的R、G、B芯片的巨量转移是个难题。
因此，现有技术还有待改进。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种RGB外延结构及其制造方法与应用，旨在解决现有的基于Micro LED的显示屏的现有制造过程中的R、G、B芯片的巨量转移难的问题。
本发明的技术方案如下：
一种RGB外延结构的制造方法，其中，包括步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长GaN缓冲层、第一未掺杂GaN层、第二未掺杂GaN层和n型GaN层；
用钝化层作保护，经选择性刻蚀、生长，在所述n型GaN层上蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上生长p型GaN接触层，得到所述RGB外延结构。
可选地，所述的制造方法，其中，用钝化层作保护，经选择性刻蚀、生长，在所述n型GaN层上生长蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上生长p型GaN接触层，具体包括：
在所述n型GaN层上生长一钝化层；选择性刻蚀所述钝化层，在所述n型GaN层上形成呈阵列分布的待生长蓝光多量子阱层的区域，在所述待生长蓝光多量子阱层的区域生长蓝光多量子阱层，在所述蓝光多量子阱层上生长p型GaN接触层；
在所述n型GaN层上继续生长钝化层，使钝化层覆盖生长在所述蓝光多量子阱层上的p型GaN接触层，选择性刻蚀所述钝化层，在所述n型GaN层上形成呈阵列分布的待生长绿光多量子阱层的区域，在所述待生长绿光多量子阱层的区域生长绿光多量子阱层，在所述绿光多量子阱层上生长p型GaN接触层；
在所述n型GaN层上继续生长钝化层，使钝化层覆盖生长在所述绿光多量子阱层上的p型GaN接触层，选择性刻蚀所述钝化层，在所述n型GaN层上形成呈阵列分布的待生长红光多量子阱层的区域，在所述待生长红光多量子阱层的区域生长红光多量子阱层，在所述红光多量子阱层上生长p型GaN接触层；
去除所述钝化层。
可选地，所述的制造方法，其中，用钝化层作保护，经选择性刻蚀、生长，在所述n型GaN层上生长蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上生长p型GaN接触层，具体包括：
在所述n型GaN层上生长一钝化层；选择性刻蚀所述钝化层，在所述n型GaN层上形成呈阵列分布的待生长蓝光多量子阱层的区域，在所述待生长蓝光多量子阱层的区域生长蓝光多量子阱层；
在所述n型GaN层上继续生长钝化层，使钝化层覆盖所述蓝光多量子阱层，选择性刻蚀所述钝化层，在所述n型GaN层上形成呈阵列分布的待生长绿光多量子阱层的区域，在所述待生长绿光多量子阱层的区域生长绿光多量子阱层；
在所述n型GaN层上继续生长钝化层，使钝化层覆盖所述绿光多量子阱层，选择性刻蚀所述钝化层，在所述n型GaN层上形成呈阵列分布的待生长红光多量子阱层的区域，在所述待生长红光多量子阱层的区域生长红光多量子阱层；
选择性刻蚀所述钝化层，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上形成待生长p型GaN接触层的区域，在所述待生长p型GaN接触层的区域生长p型GaN接触层；
去除所述钝化层。
可选地，所述的制造方法，其中，所述钝化层的材料包括SiO2和SiN中的至少一种。
可选地，所述的制造方法，其中，所述衬底为蓝宝石衬底。
一种RGB外延结构，其中，包括：依次层叠设置的GaN缓冲层、第一未掺杂GaN层、第二未掺杂GaN层和n型GaN层；
间隔设于所述n型GaN层上的蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列；以及
设置在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上的p型GaN接触层。
可选地，所述的RGB外延结构，其中，所述蓝光多量子阱层的材料、所述绿光多量子阱层的材料和所述红光多量子阱层的材料均为GaInN/GaN，所述蓝光多量子阱层的GaInN/GaN中的In含量小于所述绿光多量子阱层的GaInN/GaN中的In含量，所述绿光多量子阱层的GaInN/GaN中的In含量小于所述红光多量子阱层的GaInN/GaN中的In含量。
可选地，所述的RGB外延结构，其中，所述n型GaN层的材料为掺杂Si或Te的GaN；所述p型GaN接触层的材料为掺杂Mg的的GaN。
可选地，所述的RGB外延结构，其中，所述GaN缓冲层的厚度为20～30nm；所述第一未掺杂GaN层的厚度为500～1000nm；所述第二未掺杂GaN层的厚度为1000～2000nm；所述n型GaN层的厚度为2000～2500nm。
一种显示装置，包括：显示背板，所述显示背板上安装至少一个具有如上任意所述的RGB外延结构的LED芯片。
有益效果：本发明所提供的RGB外延结构的制造方法通过直接衬底上生长蓝光LED外延结构、绿光LED外延结构和红光LED外延结构，获得的RGB外延结构制成芯片后，各R、G、B芯片无需分离、无需巨量转移，可直接将一大片数万颗芯片键合到相应驱动电路板上，形成的显示装置的像素单元小，独立控制每颗LED的电流，可实现高分辨率的图像输出。
附图说明
图1为本发明的一种RGB外延结构的制造方法较佳实施例的流程图；
图2为图1中步骤S2后得到的衬底的截面示意图。
图3为图1中步骤S3中，生长钝化层后的衬底的截面示意图。
图4为图1中步骤S3中，刻蚀出待生长蓝光多量子阱层的区域后的衬底的截面示意图。
图5为图1中步骤S3中，在蓝光多量子阱层上生长p型GaN接触层后的衬底的截面示意图。
图6为按照图1中的制造方法的流程制得的RGB外延结构的截面示意图。
图7为按照图1中的制造方法的流程制得的RGB外延结构的俯视图。
图8基于图7的RGB外延结构制造获得的LED芯片的截面示意图。
图9基于图7的RGB外延结构制造获得的LED芯片的俯视图。
具体实施方式
一种RGB外延结构及其制造方法与应用，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施方式对本发明作进一步说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本发明所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
请参阅图1，本发明提供一种RGB外延结构的制造方法，包括步骤：
S1、提供一衬底；
S2、在所述衬底上依次生长GaN缓冲层、第一未掺杂GaN层、第二未掺杂GaN层和n型GaN层；
S3、用钝化层作保护，经选择性刻蚀、生长，在所述n型GaN层上蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上生长p型GaN接触层。
在显示装置(如显示屏)的制造过程中，现有micro LED芯片存在巨量转移难度大的问题。
为了解决上述问题，本实施方式中，通过直接衬底上生长蓝光LED外延结构、绿光LED外延结构和红光LED外延结构，获得的蓝光LED外延结构、绿光LED外延结构和红光LED外延结构共n-GaN层的RGB外延结构制成芯片后，各R、G、B芯片无需分离、无需巨量转移，可直接将一大片数万颗芯片键合到相应驱动电路板上，形成的显示装置的像素单元小，独立控制每颗LED的电流，可实现高分辨率的图像输出。
具体地，请参阅图2，步骤S2中，可采用金属有机化合物化学气相沉淀(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)技术或原子层沉积(Atomic layerdeposition，ALD)技术在衬底1依次生长有GaN缓冲层2、第一未掺杂GaN层3、第二未掺杂GaN层4和n型GaN层5。
在一种或多种实施方式中，步骤S2具体包括：
S21、将衬底1放入MOCVD或ALD系统中，通入Ga源(如三甲基镓、三乙基镓)、N源(如氨气)，生长GaN，形成20-30nm(如25nm)的GaN缓冲层2；
S22、改变GaN的生长温度，在GaN缓冲层2上继续生长GaN，形成500-1000nm的第一未掺杂GaN层3；
S23、改变GaN的生长温度，在第一未掺杂GaN层3上继续生长GaN，形成1000～2000nm的第二未掺杂GaN层3；
S24、通入n型掺杂前体(如SiH4、二乙基碲，优选SiH4)，在第二未掺杂GaN层3继续生长，形成2000-2500nm的n型GaN层5。
本实施方式中，通过控制GaN的不同生长温度，使得外延结构的底层逐渐从三维岛状生长趋向于二维生长；控制不同的厚度，使结晶质量更好；从而获得高质量的GaN底层结构。
具体地，请参阅图3至图7，步骤S3中：可通过先在n型GaN层5上选择性生长蓝光多量子阱(multiquantum well，MQW)层711、p型GaN接触层712；然后在n型GaN层5上选择性生长绿光MQW层721、p型GaN接触层712；最后在n型GaN层5上红光MQW层731、p型接触层712。也可通过在其n型GaN层5上设计图形，选择性生长蓝光MQW层711、选择性生长绿光MQW层721、选择性生长红光MQW层731；再生长p型接触层712。需要说明的是，步骤S3中，对蓝光MQW层、绿光MQW层和红光MQW层的制造顺序并不进行限定。
在一种或多种实施方式中，步骤S3中，用钝化层作保护，经选择性刻蚀、生长，在所述n型GaN层上生长蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上生长p型GaN接触层具体包括：
S31、在所述n型GaN层5上生长(如通过蒸镀生长)一钝化层6(此时得到的衬底的截面结构如图3所示)；选择性刻蚀所述钝化层6，在所述n型GaN层5上形成呈阵列分布的待生长蓝光多量子阱层711的区域(此时得到的衬底的截面结构如图4所示)，在所述待生长蓝光多量子阱层711的区域生长蓝光多量子阱层711(因晶格失配，在钝化层不生长多量子阱层、p型GaN接触层等外延层)，在所述蓝光多量子阱层711上生长p型GaN接触层712(此时得到的衬底的截面结构如图5所示)；
S32、在所述n型GaN层5上继续生长钝化层6，使钝化层6覆盖生长在所述蓝光多量子阱层711上的p型GaN接触层712，选择性刻蚀所述钝化层6，在所述n型GaN层5上形成呈阵列分布的待生长绿光多量子阱层721的区域，在所述待生长绿光多量子阱层721的区域生长绿光多量子阱层721，在所述绿光多量子阱层上生长p型GaN接触层712(p型GaN的掺杂元素可为Mg，采用二茂镁作为p掺杂前体)；
S33、在所述n型GaN层5上继续生长钝化层6，使钝化层6覆盖生长在所述绿光多量子阱层721上的p型GaN接触层712，选择性刻蚀所述钝化层6，在所述n型GaN层5上形成呈阵列分布的待生长红光多量子阱层731的区域，在所述待生长红光多量子阱层731的区域生长红光多量子阱层，在所述红光多量子阱层731上生长p型GaN接触层712；
S35、去除所述钝化层6(得到的RGB外延结构的截面结构如图6所示，得到的RGB外延结构的俯视图如7所示)。
在一种或多种实施方式中，步骤S3中，用钝化层作保护，经选择性刻蚀、生长，在所述n型GaN层上生长蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上生长p型GaN接触层，具体包括：
S31'、在所述n型GaN层5上生长一钝化层6(此时得到的衬底的截面结构如图3)；选择性刻蚀所述钝化层6，在所述n型GaN层5上形成呈阵列分布的待生长蓝光多量子阱层711的区域(此时得到的衬底的截面结构如图4)，在所述待生长蓝光多量子阱层711的区域生长蓝光多量子阱层711；
S32'、在所述n型GaN层5上继续生长钝化层6，使钝化层6覆盖所述蓝光多量子阱层711，选择性刻蚀所述钝化层6，在所述n型GaN层上形成呈阵列分布的待生长绿光多量子阱层721的区域，在所述待生长绿光多量子阱层721的区域生长绿光多量子阱层721；
S33'、在所述n型GaN层5上继续生长钝化层6，使钝化层6覆盖所述绿光多量子阱层721，选择性刻蚀所述钝化层6，在所述n型GaN层6上形成呈阵列分布的待生长红光多量子阱层731的区域，在所述待生长红光多量子阱层731的区域生长红光多量子阱层731；
S34'、选择性刻蚀所述钝化层6，在所述蓝光多量子阱层711、绿光多量子阱层721和红光多量子阱层731上形成待生长p型GaN接触层712的区域，在所述待生长p型GaN接触层712的区域生长p型GaN接触层712；
S35、去除所述钝化层6(得到的RGB外延结构的截面结构如图6所示，得到的RGB外延结构的俯视图如7所示)。
在一种或多种实施方式中，所述钝化层的材料可包括但不限于SiO2和SiN中的至少一种；如SiO2。
在一种或多种实施方式中，所述衬底1可为但不限于蓝宝石衬底。
在一种或多种实施方式中，所述p型GaN接触层的生长温度为850～930℃；如900℃。
如图7所示，基于相同的发明构思，本发明还提供一种RGB外延结构，包括：依次层叠设置的衬底1、GaN缓冲层2、第一未掺杂GaN层3、第二未掺杂GaN层4和n型GaN层5；
间隔设于所述n型GaN层5上的蓝光多量子阱层711、绿光多量子阱层721和红光多量子阱层731阵列；以及
设置在所述蓝光多量子阱层711、绿光多量子阱层721和红光多量子阱层731上的p型GaN接触层712。
在一种或多种实施方式中，所述蓝光多量子阱层711的材料、所述绿光多量子阱层721的材料和所述红光多量子阱层731的材料均为GaInN/GaN，所述蓝光多量子阱层711的GaInN/GaN中的In含量小于所述绿光多量子阱层721的GaInN/GaN中的In含量，所述绿光多量子阱层的GaInN/GaN中的In含量小于所述红光多量子阱层731的GaInN/GaN中的In含量。
在一种或多种实施方式中，所述n型GaN层的材料为掺杂Si或Te的GaN；所述p型GaN接触层的材料为掺杂Mg的GaN。
具体地，RGB外延结构的各外延层均主要采用GaN类半导体材料，利于简化RGB外延结构的制造工艺；蓝光多量子阱层、绿光量子层、红光多量子阱层及p型GaN接触层(采用二茂镁作为p掺杂前体)也可通过MOCVD或ALD技术进行生长。
在一种或多种实施方式中，所述GaN缓冲层2的厚度为20～30nm；所述第一未掺杂GaN层3的厚度为500～1000nm；所述第二未掺杂GaN层4的厚度为1000～2000nm；所述n型GaN层5的厚度为2000～2500nm。
本发明还提供一种显示装置，包括：显示背板，所述显示背板上安装至少一个具有如上任意所述的RGB外延结构的LED芯片。
请参阅图6至图9，在一种或多种实施方式中，显示装置的制造方法，包括步骤：
选择性刻蚀生长在一衬底1上的如上任意所述的RGB外延结构的GaN缓冲层2、第一未掺杂GaN层3、第二未掺杂GaN层4和n型GaN层5，在所述衬底1上依次形成间隔设置的GaN缓冲层2'阵列、第一未掺杂GaN层3'阵列、第二未掺杂GaN层4'阵列和n型GaN层5'阵列；
在所述p型GaN接触层712上制备p电极8，在所述n型GaN层5'上制备n电极9，在所述衬底1上形成蓝光LED芯片100、绿光LED芯片200和红光LED芯片300阵列；
将所述衬底1上的所述蓝光LED芯片100、绿光LED芯片200和红光LED芯片300键合至显示背板(如驱动电路板)上，剥离掉所述衬底1，得到所述显示装置。
具体地，通过选择性刻蚀多量子阱层之间的GaN缓冲层2、第一未掺杂GaN层3、第二未掺杂GaN层4和n型GaN层5，并在与每个LED外延结构对应的所述p型GaN层712均设置p电极8，在与每个LED外延结构对应的n型GaN层5'上均设置n电极9，得到R、G、B LED芯片。可知，利用生长在衬底上的RGB外延结构制造得到的R、G、B LED芯片，可实现将一大片含有数万颗芯片直接键合到相应驱动电路板上，衬底底部朝上，再利用激光剥离技术，将衬底与芯片剥离，即形成独立芯片在驱动电路板上，从而制造得到一显示装置(如显示屏)，其像素单元小，独立控制每颗LED的电流，可实现高分辨率的图像输出。
综上所述，本发明所提供的一种RGB外延结构及其制造方法与应用，通过直接衬底上生长蓝光LED外延结构、绿光LED外延结构和红光LED外延结构，获得的RGB外延结构制成芯片后，各R、G、B芯片无需分离、无需巨量转移，可直接将一大片数万颗芯片键合到相应驱动电路板上，形成的显示装置的像素单元小，独立控制每颗LED的电流，可实现高分辨率的图像输出。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种RGB外延结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长GaN缓冲层、第一未掺杂GaN层、第二未掺杂GaN层和n型GaN层；
用钝化层作保护，经选择性刻蚀、生长，在所述n型GaN层上生长蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上生长p型GaN接触层，得到所述RGB外延结构。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，用钝化层作保护，经选择性刻蚀、生长，在所述n型GaN层上生长蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上生长p型GaN接触层，具体包括：
在所述n型GaN层上生长一钝化层；选择性刻蚀所述钝化层，在所述n型GaN层上形成呈阵列分布的待生长蓝光多量子阱层的区域，在所述待生长蓝光多量子阱层的区域生长蓝光多量子阱层，在所述蓝光多量子阱层上生长p型GaN接触层；
在所述n型GaN层上继续生长钝化层，使钝化层覆盖生长在所述蓝光多量子阱层上的p型GaN接触层，选择性刻蚀所述钝化层，在所述n型GaN层上形成呈阵列分布的待生长绿光多量子阱层的区域，在所述待生长绿光多量子阱层的区域生长绿光多量子阱层，在所述绿光多量子阱层上生长p型GaN接触层；
在所述n型GaN层上继续生长钝化层，使钝化层覆盖生长在所述绿光多量子阱层上的p型GaN接触层，选择性刻蚀所述钝化层，在所述n型GaN层上形成呈阵列分布的待生长红光多量子阱层的区域，在所述待生长红光多量子阱层的区域生长红光多量子阱层，在所述红光多量子阱层上生长p型GaN接触层；
去除所述钝化层。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，用钝化层作保护，经选择性刻蚀、生长，在所述n型GaN层上生长蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上生长p型GaN接触层，具体包括：
在所述n型GaN层上生长一钝化层；选择性刻蚀所述钝化层，在所述n型GaN层上形成呈阵列分布的待生长蓝光多量子阱层的区域，在所述待生长蓝光多量子阱层的区域生长蓝光多量子阱层；
在所述n型GaN层上继续生长钝化层，使钝化层覆盖所述蓝光多量子阱层，选择性刻蚀所述钝化层，在所述n型GaN层上形成呈阵列分布的待生长绿光多量子阱层的区域，在所述待生长绿光多量子阱层的区域生长绿光多量子阱层；
在所述n型GaN层上继续生长钝化层，使钝化层覆盖所述绿光多量子阱层，选择性刻蚀所述钝化层，在所述n型GaN层上形成呈阵列分布的待生长红光多量子阱层的区域，在所述待生长红光多量子阱层的区域生长红光多量子阱层；
选择性刻蚀所述钝化层，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上形成待生长p型GaN接触层的区域，在所述待生长p型GaN接触层的区域生长p型GaN接触层；
去除所述钝化层。
4.如权利要求1～3任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述钝化层的材料包括SiO2和SiN中的至少一种。
5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。
6.一种RGB外延结构，其特征在于，包括：依次层叠设置的GaN缓冲层、第一未掺杂GaN层、第二未掺杂GaN层和n型GaN层；
间隔设于所述n型GaN层上的蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列；以及
设置在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上的p型GaN接触层。
7.如权利要求6所述的RGB外延结构，其特征在于，所述蓝光多量子阱层的材料、所述绿光多量子阱层的材料和所述红光多量子阱层的材料均为GaInN/GaN，所述蓝光多量子阱层的GaInN/GaN中的In含量小于所述绿光多量子阱层的GaInN/GaN中的In含量，所述绿光多量子阱层的GaInN/GaN中的In含量小于所述红光多量子阱层的GaInN/GaN中的In含量。
8.如权利要求6所述的RGB外延结构，其特征在于，所述n型GaN层的材料为掺杂Si或Te的GaN；所述p型GaN接触层的材料为掺杂Mg的GaN。
9.如权利要求6所述的RGB外延结构，其特征在于，所述GaN缓冲层的厚度为20～30nm；所述第一未掺杂GaN层的厚度为500～1000nm；所述第二未掺杂GaN层的厚度为1000～2000nm；所述n型GaN层的厚度为2000～2500nm。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：显示背板，所述显示背板上安装至少一个具有如权利要求6～9任意一项所述的RGB外延结构的LED芯片。
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