CN113451381A - 发光单元及其制备方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种发光单元及其制备方法、显示面板、显示装置。该发光单元，包括依次设置的金属结构、第一平坦层、电介质结构、第二平坦层和有机发光器件层。本申请实施例中，电介质结构将设计波段的光透射至金属结构，金属结构吸收设计波段的光中的非中心波段的部分，达到滤波的作用，过滤后的设计波段的光具有更高的色纯度，从而可以提高光的颜色的精度或纯度，从而有利于提升具有本发明提供的发光单元的显示面板和显示装置的色域的质量，进而提高显示面板和显示装置的显示效果。

Description

发光单元及其制备方法、显示面板、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种发光单元及其制备方法、显示面板、显示装置。

背景技术

超表面是近些年来发展起来的一种新型二维光学材料，超表面可以将像素尺寸降低到100纳米左右，单位英寸的像素数能达到数千甚至上万，完全超过了当前阶段OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)的单位英寸的像素数。

但是，相对于当前阶段OLED显示技术，超表面会导致光的色纯度低。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种发光单元及其制备方法、显示面板、显示装置，用以解决现有技术存在的超表面导致光的色纯度低的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种发光单元，包括：金属结构，位于基材层的一侧；第一平坦层，位于所述基材层和所述金属结构的一侧；电介质结构，位于所述第一平坦层远离所述金属结构的一侧；第二平坦层，位于所述电介质结构远离所述第一平坦层的一侧；有机发光器件层，位于所述第二平坦层远离所述电介质结构的一侧；所述电介质结构用于将设计波段的光透射至所述金属结构，所述金属结构用于吸收所述设计波段的光中的非中心波段的部分，得到过滤后的所述设计波段的光并反射，所述电介质结构用于透射过滤后的所述设计波段的光。

可选地，所述电介质结构和所述金属结构均具有结构阵列，所述结构阵列为纳米圆柱阵列或纳米球阵列。

可选地，发光单元还包括设置在所述基材层和所述金属结构之间的薄膜晶体管层。

可选地，发光单元还包括设置在所述第二平坦层和所述有机发光器件层之间的薄膜晶体管层。

第二个方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括至少三种本申请实施例第一方面提供的所述的发光单元，用于过滤至少三种设计波段的光中的非中心波段的部分，并出射过滤后的至少三种所述设计波段的光。

可选地，至少三种所述发光单元包括第一颜色的发光单元，所述第一颜色的发光单元用于过滤第一设计波段的光中非中心波段的部分，并出射过滤后的所述第一设计波段的光；所述第一颜色的发光单元包括：电介质结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为90纳米至200纳米，任意相邻的两个所述电介质结构的纳米圆柱的间隔为90纳米至400纳米；金属结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至200纳米，任意相邻两个所述金属结构的纳米圆柱的间隔为120纳米至400纳米。

可选地，至少三种所述发光单元包括第二颜色的发光单元，所述第二颜色的发光单元用于过滤第二设计波段的光中非中心波段的部分，并出射过滤后的所述第二设计波段的光；所述第二颜色的发光单元包括：电介质结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至120纳米，任意相邻的两个所述电介质结构的纳米圆柱的间隔为90纳米至400纳米；金属结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至120纳米，任意相邻两个所述金属结构的纳米圆柱的间隔为120纳米至400纳米。

可选地，至少三种所述发光单元包括第三颜色的发光单元，所述第三颜色的发光单元用于过滤第三设计波段的光中非中心波段的部分，并出射过滤后的所述第三设计波段的光；所述第三颜色的发光单元包括：电介质结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至120纳米，意相邻的两个所述电介质结构的纳米圆柱的间隔为90纳米至400纳米；金属结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至120纳米，任意相邻两个所述金属结构的纳米圆柱的间隔为120纳米至400纳米。

第三个方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括本申请实施例第二方面提供的任一项所述的显示面板。

第四个方面，本申请实施例第一方面提供的任一项所述发光单元的制备方法，包括：在基材层的一侧制备金属结构；在所述金属结构远离所述基材层、以及所述基材层未被所述金属结构覆盖的一侧，制备第一平坦层；在所述第一平坦层远离所述金属结构的一侧制备电介质结构；在所述电介质结构远离所述第一平坦层，以及所述第一平坦层未被所述电介质结构覆盖的一侧，制备第二平坦层；在所述第二平坦层远离所述电介质结构的一侧制备有机发光器件层。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：

电介质结构将设计波段的光透射至金属结构，金属结构将设计波段的光中非中心波长位置吸收掉，以达到滤波的作用，这样可以提高光的颜色的精度或纯度，从而有利于提升具有本发明提供的发光单元的显示面板和显示装置的色域的质量，进而提高显示面板和显示装置的显示效果。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的一种发光单元的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的薄膜晶体管层位于第二平坦层和有机发光器件层之间的发光单元的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的有机发光器件层的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的发光结构的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的一种发光单元制备方法中的流程示意图；

图6为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法的流程示意图；

图7为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在基材层的一侧制备薄膜晶体管层后的膜层结构示意图；

图8为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在薄膜晶体管层60远离基材层的一侧制备金属结构后的膜层结构示意图；

图9为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在金属结构远离薄膜晶体管层、以及薄膜晶体管层未被金属结构覆盖的一侧，制备第一平坦层后的膜层结构示意图；

图10为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在第一平坦层远离金属结构的一侧制备电介质结构后的膜层结构示意图；

图11为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在电介质结构远离第一平坦层，以及第一平坦层未被电介质结构覆盖的一侧，制备第二平坦层后的膜层结构示意图；

图12为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在第一平坦层和第二平坦层中未涉及金属结构和电介质结构的区域，开设通孔后的膜层结构示意图；

图13为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在第二平坦层远离电介质结构的一侧和所述通孔中暴露的薄膜晶体管层，制备阳极结构后的膜层结构示意图；

图14为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在阳极结构远离第二平坦层的一侧制备空穴注入层后的膜层结构示意图；

图15为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在空穴注入层远离阳极结构的一侧制备空穴传输层后的膜层结构示意图；

图16为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在空穴传输层远离空穴注入层的一侧制备发光层后的膜层结构示意图；

图17为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在发光层远离空穴传输层的一侧制备电子传输层后的膜层结构示意图；

图18为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在电子传输层远离发光层的一侧制备电子注入层后的膜层结构示意图；

图19为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在电子注入层远离电子传输层的一侧制备阴极结构后的膜层结构示意图；

图20为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在阴极结构远离电子注入层的一侧制备封装层后的膜层结构示意图；

图21为本申请实施例提供的另一种发光单元的具体制备方法的流程示意图；

图22为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在基材层的一侧制备金属结构后的膜层结构示意图；

图23为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在金属结构远离基材层、以及基材层未被金属结构覆盖的一侧，制备第一平坦层后的膜层结构示意图；

图24为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在第一平坦层远离金属结构的一侧制备电介质结构后的膜层结构示意图；

图25为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在电介质结构远离第一平坦层，以及第一平坦层未被电介质结构覆盖的一侧，制备第二平坦层后的膜层结构示意图；

图26为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在第二平坦层远离电介质结构的一侧制备薄膜晶体管层后的膜层结构示意图；

图27为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在薄膜晶体管层远离第二平坦层的一侧制备阳极结构后的膜层结构示意图；

图28为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在阳极结构远离薄膜晶体管层的一侧制备空穴注入层后的膜层结构示意图；

图29为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在空穴注入层远离阳极结构的一侧制备空穴传输层后的膜层结构示意图；

图30为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在空穴传输层远离空穴注入层的一侧制备发光层后的膜层结构示意图；

图31为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在发光层远离空穴传输层的一侧制备电子传输层后的膜层结构示意图；

图32为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在电子传输层远离发光层的一侧制备电子注入层后的膜层结构示意图；

图33为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在电子注入层远离电子传输层的一侧制备阴极结构后的膜层结构示意图；

图34为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在阴极结构远离电子注入层的一侧制备封装层后的膜层结构示意图。

附图标记介绍如下：

10-金属结构；

20-第一平坦层；

30-电介质结构；

40-第二平坦层；

50-有机发光器件层；51-阳极结构；52-发光结构；521-电子注入层；522-电子传输层；523-发光层；524-空穴传输层；525-空穴注入层；53-阴极结构；54-封装层；

60-薄膜晶体管层；

70-基材层；

80-通孔。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

首先对本申请涉及的几个名词进行介绍和解释：

OLED：Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管。

薄膜晶体管：Thin Film Transistor，TFT。

RGB色彩模式：是工业界的一种颜色标准，R代表Red(红色)，G代表Green(绿色)，B代表Blue(蓝色)，通过对红、绿、蓝三个颜色通道的变化以及它们相互之间的叠加来得到各式各样的颜色。

本申请提供的发光单元及其制备方法、显示面板、显示装置，旨在解决现有技术存在的超表面导致的光的色纯度低的技术问题。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种发光单元，该发光单元的结构示意图如图1所示，主要包括金属结构10，第一平坦层20，电介质结构30，第二平坦层40和有机发光器件层50。金属结构10位于基材层70的一侧；第一平坦层20位于基材层70和金属结构10的一侧；电介质结构30位于第一平坦层20远离金属结构10的一侧；第二平坦层40位于电介质结构30远离第一平坦层20的一侧；有机发光器件层50位于第二平坦层40远离电介质结构30的一侧。电介质结构30用于将设计波段的光透射至金属结构10，金属结构10用于吸收设计波段的光中的非中心波段的部分，得到过滤后的设计波段的光并反射，电介质结构30用于透射过滤后的设计波段的光。

具体的，对于电介质结构30，结构色由光子晶体产生，而光子晶体是由不同折射率的电介质周期排列而成的微结构，光子晶体中存在光子禁带，当光射入光子禁带时，设计波段的光能够被光子晶体透射；对于金属结构10，当光的频率与金属结构10的纳米结构中传导电子的整体振动频率相匹配时，金属结构10具有的纳米结构会吸收光子能量，即发生局域表面等离子体共振现象。

光入射电介质结构30后，电介质结构30将设计波段的光透射至金属结构10，金属结构10将光的非中心波长位置吸收掉，以降低光的半波宽，起到滤波的作用，金属结构10再将过滤后的设计波段的光并反射，过滤后的设计波段的光透过电介质结构30后发出。将设计波段的光中非中心波长位置吸收掉，能够提高光的单色性，这样可以提高光的颜色的精度或纯度，从而有利于提升具有本发明提供的发光单元的显示面板和显示装置的色域的质量，进而提高显示面板和显示装置的显示效果。

在一些实施例中，有机发光器件层50为用于发出白光的有机发光器件层50。

可选的，有机发光器件层50发出波段为380纳米至800纳米的白光。本申请中实施例中的范围值均包含两个端点值。

在一些实施例中，电介质结构30的材料可以为二氧化硅、二氧化钛或碳化硅。

在一些实施例中，金属结构10的材料可以采用银、铝或钼。

在一些实施例中，第一平坦层20和第二平坦层40为透光材质。

在一些实施例中，电介质结构30和金属结构10均具有结构阵列，结构阵列为纳米圆柱阵列或纳米球阵列。

具体的，电介质结构30和金属结构10吸收光谱峰值处的吸收波长取决于材料的微观结构特性，例如折射率、形状、结构、尺寸等。使用纳米压印技术或紫外曝光技术对电介质层和金属层进行曝光刻蚀，以形成具有纳米圆柱阵列或纳米球阵列的电介质结构30和金属结构10。纳米球可以为球型、近似球形或椭球形纳米微球。通过纳米圆柱阵列或纳米球阵列可以使电介质结构30将设计波段的光透过，使金属结构10吸收设计波段的光中的非中心波段的部分。

在一些实施例中，电介质结构30在基材层70上的正投影，与金属结构10在基材层70上的正投影重合。

在一些实施例中，如图1所示，发光单元还包括设置在基材层70和金属结构10之间的薄膜晶体管层60。

薄膜晶体管层60形成在基材层70和金属结构10之间，发光单元发出的光没有通过薄膜晶体管层60，具有更高的光透射率。

在一些实施例中，如图2所示，发光单元还包括设置在第二平坦层40和有机发光器件层50之间的薄膜晶体管层60。

薄膜晶体管层60形成在第二平坦层40和有机发光器件层50之间，够能避免在制备发光单元的过程中对薄膜晶体管层60的性能影响。

在一些实施例中，有机发光器件层50的结构如图3所示，有机发光器件层50包括阳极结构51，发光结构52，阴极结构53和封装层54。阳极结构51位于第二平坦层40远离电介质结构30的一侧；发光结构52位于阳极结构51远离第二平坦层40的一侧；阴极结构53位于发光结构52远离阳极结构51的一侧；封装层54位于阴极结构53远离发光结构52的一侧。

具体的，当薄膜晶体管层60设置在基材层70和金属结构10之间时，阳极结构51包括阳极层和与薄膜晶体管层60连接的连接结构，阳极层位于第二平坦层40远离电介质结构30的一侧。

在第一平坦层20和第二平坦层30中未涉及金属结构10和电介质结构30的区域，开设有通孔80，连接结构位于通孔80内，连接结构的一端与薄膜晶体管层60连接，一端与阳极层连接，使阳极结构51与薄膜晶体管层60电连接。阳极层和连接结构一体设置。当薄膜晶体管层60设置在第二平坦层40和有机发光器件层50之间时，阳极结构51直接与薄膜晶体管层60电连接。

在一些实施例中，阳极结构51的材料为氧化铟锡。

在一些实施例中，阴极结构53的材料为氧化铟锡或叠层设置的锰和银。

在一些实施例中，发光结构52的结构如图4所示，发光结构52包括依次设置的电子注入层521、电子传输层522、发光层523、空穴传输层524和空穴注入层525。可选地，发光层523可以为有机发光层。

具体的，空穴注入层525位于阳极结构51远离第二平坦层40的一侧，空穴传输层524位于空穴注入层525远离阳极结构51的一侧，发光层523位于空穴传输层524远离空穴注入层525的一侧，电子传输层522位于发光层523远离空穴传输层524的一侧，电子注入层521位于电子传输层522远离发光层523的一侧，阴极结构53位于电子注入层521远离电子传输层522的一侧。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种显示面板，包括至少三种本申请实施例第一方面提供的发光单元，用于过滤至少三种设计波段的光中的非中心波段的部分，并出射过滤后的至少三种设计波段的光。

本实施例的显示面板可以采用RGB色彩模式，即显示面板至少包括有发射红光的发光单元、发射绿光的发光单元和发射蓝光的发光单元。发光单元发出的白光射向电介质结构30，电介质结构30根据纳米柱结构底面或纳米球结构的直径不同而透射不同波段的光，以实现透射红光波段的光、绿光波段的光和蓝光波段的光，透射的光射向金属结构10，金属结构10阵列根据纳米柱底面或纳米球的直径的不同而吸收不同波段的光，将透射后的光中非中心波长位置吸收掉，以降低光的半波宽，起到滤波作用，以提高了光的单色性，这样可以提高光的颜色的精度或纯度，从而有利于提升具有本发明提供的发光单元的显示面板和显示装置的色域的质量。金属结构10将过滤后的设计波段的光反射回电介质结构30，并透射过滤后的设计波段的光，以形成顶发射结构。

在一些实施例中，电介质结构30包括的纳米圆柱底面或纳米球的直径与透过的设计波段的光的波长关系为2R1≈λ/n，其中，R1电介质结构30的纳米圆柱底面或纳米球的半径，λ为波长，n为电介质折射率。

在一些实施例中，金属结构10包括的纳米圆柱底面或纳米球的直径与吸收的设计波段的光的波长关系为2R2≈λ，其中，R2金属结构10的纳米圆柱底面或纳米球的半径，λ为波长。

在一些实施例中，至少三种发光单元包括第一颜色的发光单元，第一颜色的发光单元用于过滤第一设计波段的光中非中心波段的部分，并出射过滤后的第一设计波段的光；第一颜色的发光单元包括：电介质结构30的纳米柱的高度为60纳米至100纳米，底面直径为90纳米至200纳米，任意相邻的两个电介质结构30的纳米柱的间隔为90纳米至400纳米；金属结构10的纳米柱的高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至200纳米，任意相邻的两个金属结构10的纳米柱的间隔为120纳米至400纳米。

具体的，第一颜色的发光单元为发射红光的发光单元，电介质结构30和金属结构10包括有纳米圆柱阵列，纳米圆柱阵列中纳米圆柱的高度、底面直径和相邻的间隔会影响红光，以过滤掉红光中的非中心波长的部分，这样能够提高红光的精度或纯度，从而有利于提升具有第一颜色的发光单元的显示面板的色域的质量。

在一些实施例中，至少三种发光单元包括第二颜色的发光单元，第二颜色的发光单元用于过滤第二设计波段的光中非中心波段的部分，并出射过滤后的第二设计波段的光；第二颜色的发光单元包括：电介质结构30的纳米圆柱的高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至120纳米，任意相邻的两个电介质结构30的纳米圆柱的间隔为90纳米至400纳米；金属结构10的纳米柱的高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至120纳米，任意相邻的两个金属结构10的纳米柱的间隔为120纳米至400纳米。

具体的，第二颜色的发光单元为发射绿光的发光单元，电介质结构30和金属结构10包括有纳米圆柱阵列，纳米圆柱阵列中纳米圆柱的高度、底面直径和相邻的间隔会影响绿光，以过滤掉绿光中的非中心波长的部分，这样能够提高绿光的精度或纯度，从而有利于提升具有第二颜色的发光单元的显示面板的色域的质量。

在一些实施例中，至少三种发光单元包括第三颜色的发光单元，第三颜色的发光单元用于过滤第三设计波段的光中非中心波段的部分，并出射过滤后的第三设计波段的光；第三颜色的发光单元包括：电介质结构30的纳米圆柱的高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至120纳米，任意相邻的两个电介质结构30的纳米圆柱的间隔为90纳米至400纳米；金属结构10的纳米圆柱的高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至120纳米，任意相邻的两个金属结构10的纳米圆柱的间隔为120纳米至400纳米。

具体的，第三颜色的发光单元为发射蓝光的发光单元，电介质结构30和金属结构10包括有纳米圆柱阵列，纳米圆柱阵列中纳米圆柱的高度、底面直径和相邻的间隔会影响蓝光，以过滤掉蓝光中的非中心波长的部分，这样能够提高蓝光的精度或纯度，从而有利于提升具有第三颜色的发光单元的显示面板的色域的质量。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种显示装置，包括本申请实施例第二方面提供的任一项的显示面板。

在一些实施例中，显示装置包括手机、平板电脑、游戏机、可穿戴设备、笔记本电脑、台式电脑、电视和仪表显示器。

基于同一发明构思，本申请实施例第一方面提供的任一项发光单元的制备方法，该方法的流程示意图如图5所示，包括步骤S101-S105：

S101：在基材层70的一侧制备金属结构10。

S102：在金属结构10远离基材层70、以及基材层70未被金属结构10覆盖的一侧，制备第一平坦层20。

S103：在第一平坦层20远离金属结构10的一侧制备电介质结构30。

S104：在电介质结构30远离第一平坦层20、以及第一平坦层20未被电介质结构30覆盖的一侧，制备第二平坦层40。

S105：在第二平坦层40远离电介质结构30的一侧制备有机发光器件层50。

本申请实施例提供的发光单元的制备方法，使得设计波段的光透过电介质结构30并射入金属结构10，金属结构10再将设计波段的光中的非中心波长的部分吸收掉，起到滤波的作用，过滤后的设计波段的光反射并透过电介质结构30后发出发光单元，这样可以提高光的颜色的精度或纯度，从而有利于提升具有本发明提供的发光单元的显示面板和显示装置的色域的质量，进而提高显示面板和显示装置的显示效果。

可选地，使用纳米压印技术或紫外曝光技术对金属层进行曝光刻蚀，以形成具有纳米圆柱阵列或纳米球阵列的电介质结构30和金属结构10。纳米球可以为球型、近似球形或椭球形纳米微球。纳米压印技术和紫外曝光技术的具体方法与现有技术类似，这里不再赘述。

可选地，电介质结构30的材料可以为二氧化硅、二氧化钛或碳化硅。

可选地，金属结构10的材料可以采用银、铝或钼。

可选地，第一平坦层20和第二平坦层40为透光材质。

在一些实施例中，在进行上述步骤S101之前，还包括：在基材层70的一侧制备薄膜晶体管层60。

以及，上述步骤S101中，在基材层70的一侧制备金属结构10，具体包括：在薄膜晶体管层60远离基材层70的一侧制备金属结构10。

以及，上述步骤S102中，在金属结构10远离基材层70、以及基材层70未被金属结构10覆盖的一侧，制备第一平坦层20，具体包括：在金属结构10远离薄膜晶体管层60、以及薄膜晶体管层60未被金属结构10覆盖的一侧，制备第一平坦层20。

以及，在上述步骤S105中，在第二平坦层40远离电介质结构30的一侧制备有机发光器件层50，还包括：在第一平坦层20和第二平坦层30中未涉及金属结构10和电介质结构30的区域，开设通孔80。

在第二平坦层40远离电介质结构30的一侧和所述通孔80中暴露的薄膜晶体管层60，制备阳极结构51。

在阳极结构51远离第二平坦层40的一侧制备发光结构52。

在发光结构52远离阳极结构51的一侧制备阴极结构53。

在阴极结构53远离发光结构52的一侧制备封装层54。

具体的，阳极结构51包括阳极层和与薄膜晶体管层60连接的连接结构，阳极层形成在第二平坦层40远离电介质结构30的一侧。连接结构形成在所述通孔80内，使得连接结构的一端与薄膜晶体管层60连接，一端与阳极层连接。

可选地，阳极结构51的材料为氧化铟锡。

可选地，阴极结构53的材料为氧化铟锡或叠层设置的锰和银。

在一些实施例中，上述步骤在阳极结构51远离第二平坦层40的一侧制备发光结构52，具体包括：

在阳极结构51远离第二平坦层40的一侧制备空穴注入层525。

在空穴注入层525远离阳极结构51的一侧制备空穴传输层524。

在空穴传输层524远离空穴注入层525的一侧制备发光层523。

在发光层523远离空穴传输层524的一侧制备电子传输层522。

在电子传输层522远离发光层523的一侧制备电子注入层521。

可选地，本申请中的发光单元包括如图1所示的一种发光单元和如图2所示的另一种发光单元。两种发光单元的主要差别在于薄膜晶体管层60的位置不同。

下面对应于图1所示的一种发光单元，本申请实施例提供了一种发光单元的具体制备方法，该具体制备方法的流程示意图如图6所示，包括如下步骤S201-S214：

S201：在基材层70的一侧制备薄膜晶体管层60。

经过步骤S201得到的膜层结构如图7所示。

S202：在薄膜晶体管层60远离基材层70的一侧制备金属结构10。

经过步骤S202得到的膜层结构如图8所示。

S203：在金属结构10远离薄膜晶体管层60、以及薄膜晶体管层60未被金属结构10覆盖的一侧，制备第一平坦层20。

经过步骤S203得到的膜层结构如图9所示。

S204：在第一平坦层20远离金属结构10的一侧制备电介质结构30。

经过步骤S204得到的膜层结构如图10所示。

S205：在电介质结构30远离第一平坦层20，以及第一平坦层20未被电介质结构30覆盖的一侧，制备第二平坦层40。

经过步骤S205得到的膜层结构如图11所示。

S206：在第一平坦层20和第二平坦层30中未涉及金属结构10和电介质结构30的区域，开设通孔80。

经过步骤S206得到的膜层结构如图12所示。

S207：在第二平坦层40远离电介质结构30的一侧和所述通孔80中暴露的薄膜晶体管层60，制备阳极结构51。

经过步骤S207得到的膜层结构如图13所示。

S208：在阳极结构51远离第二平坦层40的一侧制备空穴注入层525。

经过步骤S208得到的膜层结构如图14所示。

S209：在空穴注入层525远离阳极结构51的一侧制备空穴传输层524。

经过步骤S209得到的膜层结构如图15所示。

S210：在空穴传输层524远离空穴注入层525的一侧制备发光层523。

经过步骤S210得到的膜层结构如图16所示。

S211：在发光层523远离空穴传输层524的一侧制备电子传输层522。

经过步骤S211得到的膜层结构如图17所示。

S212：在电子传输层522远离发光层523的一侧制备电子注入层521。

经过步骤S212得到的膜层结构如图18所示。

S213：在电子注入层521远离电子传输层522的一侧制备阴极结构53。

经过步骤S213得到的膜层结构如图19所示。

S214：在阴极结构53远离电子注入层521的一侧制备封装层54。

经过步骤S214得到的膜层结构如图20所示。

在另一些实施例中，基于上述步骤S10至S50，在进行上述步骤S50之前，还包括：

在第二平坦层40远离电介质结构30的一侧制备薄膜晶体管层60。

具体的，制备的薄膜晶体管层60位于第二平坦层40和后续制备的有机发光器件层50之间，使得薄膜晶体管层60与阳极结构51连接。

下面对应于图2所示的另一种发光单元，本申请实施例提供了另一种发光单元的具体制备方法，该具体制备方法的流程示意图如图21所示，包括如下步骤S301-S313：

S301：在基材层70的一侧制备金属结构10。

经过步骤S301得到的膜层结构如图22所示。

S302：在金属结构10远离基材层70、以及基材层70未被金属结构10覆盖的一侧，制备第一平坦层20。

经过步骤S302得到的膜层结构如图23所示。

S303：在第一平坦层20远离金属结构10的一侧制备电介质结构30。

经过步骤S303得到的膜层结构如图24所示。

S304：在电介质结构30远离第一平坦层20，以及第一平坦层20未被电介质结构30覆盖的一侧，制备第二平坦层40。

经过步骤S304得到的膜层结构如图25所示。

S305：在第二平坦层40远离电介质结构30的一侧制备薄膜晶体管层60。

经过步骤S305得到的膜层结构如图26所示。

S306：在薄膜晶体管层60远离第二平坦层40的一侧制备阳极结构51。

经过步骤S306得到的膜层结构如图27所示。

S307：在阳极结构51远离薄膜晶体管层60的一侧制备空穴注入层525。

经过步骤S307得到的膜层结构如图28所示。

S308：在空穴注入层525远离阳极结构51的一侧制备空穴传输层524。

经过步骤S308得到的膜层结构如图29所示。

S309：在空穴传输层524远离空穴注入层525的一侧制备发光层523。

经过步骤S309得到的膜层结构如图30所示。

S310：在发光层523远离空穴传输层524的一侧制备电子传输层522。

经过步骤S310得到的膜层结构如图31所示。

S311：在电子传输层522远离发光层523的一侧制备电子注入层521。

经过步骤S311得到的膜层结构如图32所示。

S312：在电子注入层521远离电子传输层522的一侧制备阴极结构53。

经过步骤S312得到的膜层结构如图33所示。

S313：在阴极结构53远离电子注入层521的一侧制备封装层54。

经过步骤S313得到的膜层结构如图33所示。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

电介质结构30将设计波段的光透射至金属结构10，金属结构10将设计波段的光中非中心波长位置吸收掉，达到滤波的作用，这样可以提高光的颜色的精度或纯度，从而有利于提升具有本发明提供的发光单元的显示面板和显示装置的色域的质量。

本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

以上仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种发光单元，其特征在于，包括：

金属结构，位于基材层的一侧；

第一平坦层，位于所述基材层和所述金属结构的一侧；

电介质结构，位于所述第一平坦层远离所述金属结构的一侧；

第二平坦层，位于所述电介质结构远离所述第一平坦层的一侧；

有机发光器件层，位于所述第二平坦层远离所述电介质结构的一侧；

所述电介质结构用于将设计波段的光透射至所述金属结构，所述金属结构用于吸收所述设计波段的光中的非中心波段的部分，得到过滤后的所述设计波段的光并反射，所述电介质结构用于透射过滤后的所述设计波段的光。

2.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，

所述电介质结构和所述金属结构均具有结构阵列，所述结构阵列为纳米圆柱阵列或纳米球阵列。

3.根据权利要求1或2所述的发光单元，其特征在于，还包括：设置在所述基材层和所述金属结构之间的薄膜晶体管层。

4.根据权利要求1或2所述的发光单元，其特征在于，还包括：设置在所述第二平坦层和所述有机发光器件层之间的薄膜晶体管层。

5.一种显示面板，其特征在于，包括至少三种如上述权利要求1-4中任一项所述的发光单元，用于过滤至少三种设计波段的光中的非中心波段的部分，并出射过滤后的至少三种所述设计波段的光。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，至少三种所述发光单元包括第一颜色的发光单元，所述第一颜色的发光单元用于过滤第一设计波段的光中非中心波段的部分，并出射过滤后的所述第一设计波段的光；

所述第一颜色的发光单元包括：电介质结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为90纳米至200纳米，任意相邻的两个所述电介质结构的纳米圆柱的间隔为90纳米至400纳米；

金属结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至200纳米，任意相邻两个所述金属结构的纳米圆柱的间隔为120纳米至400纳米。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，至少三种所述发光单元包括第二颜色的发光单元，所述第二颜色的发光单元用于过滤第二设计波段的光中非中心波段的部分，并出射过滤后的所述第二设计波段的光；

所述第二颜色的发光单元包括：电介质结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至120纳米，任意相邻的两个所述电介质结构的纳米圆柱的间隔为90纳米至400纳米；

金属结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至120纳米，任意相邻两个所述金属结构的纳米圆柱的间隔为120纳米至400纳米。

8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，至少三种所述发光单元包括第三颜色的发光单元，所述第三颜色的发光单元用于过滤第三设计波段的光中非中心波段的部分，并出射过滤后的所述第三设计波段的光；

所述第三颜色的发光单元包括：电介质结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至120纳米，意相邻的两个所述电介质结构的纳米圆柱的间隔为90纳米至400纳米；

金属结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至120纳米，任意相邻两个所述金属结构的纳米圆柱的间隔为120纳米至400纳米。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如上述权利要求5-8中任一项所述的显示面板。

10.一种权利要求1-4中任一项所述发光单元的制备方法，其特征在于，

在基材层的一侧制备金属结构；

在所述金属结构远离所述基材层、以及所述基材层未被所述金属结构覆盖的一侧，制备第一平坦层；

在所述第一平坦层远离所述金属结构的一侧制备电介质结构；

在所述电介质结构远离所述第一平坦层、以及所述第一平坦层未被所述电介质结构覆盖的一侧，制备第二平坦层；

在所述第二平坦层远离所述电介质结构的一侧制备有机发光器件层。

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