CN113437640A - 一种环境稳定的超高品质因子光学微腔及其制备方法 - Google Patents
一种环境稳定的超高品质因子光学微腔及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113437640A CN113437640A CN202110703954.9A CN202110703954A CN113437640A CN 113437640 A CN113437640 A CN 113437640A CN 202110703954 A CN202110703954 A CN 202110703954A CN 113437640 A CN113437640 A CN 113437640A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- optical microcavity
- microcavity
- quality factor
- coupling agent
- whispering gallery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 67
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 15
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 7
- -1 polyoxypropylene group Polymers 0.000 claims description 7
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N trichloro(octyl)silane Chemical group CCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- PISDRBMXQBSCIP-UHFFFAOYSA-N trichloro(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CC[Si](Cl)(Cl)Cl PISDRBMXQBSCIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 2
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 claims 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims 1
- 238000010128 melt processing Methods 0.000 claims 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 abstract description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 abstract description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 15
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 4
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Chemical group 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 210000001520 comb Anatomy 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Chemical group 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1042—Optical microcavities, e.g. cavity dimensions comparable to the wavelength
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Developing Agents For Electrophotography (AREA)
Abstract
本发明公开了一种环境稳定的超高品质因子光学微腔及其制备方法。本发明的环境稳定的超高品质因子光学微腔是通过化学气相沉积法在回音壁模式光学微腔表面沉积硅烷偶联剂层后得到,所述回音壁模式光学微腔的表面经过化学修饰从而形成不受环境影响的稳定结构。其中,硅烷偶联剂为疏水性硅烷偶联剂,硅烷偶联剂中的水解基团与微腔表面的羟基发生水解反应,硅烷分子被修饰到微腔表面,光学微腔表面形成疏水性化学键。本发明的光学微腔经测试,在相对湿度为35%和75%的环境中,经过两周时间,品质因子Q值仍能保持108以上。因此,本发明的光学微腔的品质因子具有良好的环境稳定性,具有广泛的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种环境稳定的超高品质因子光学微腔及其制备方法,属于微纳光学器件技术领域。
背景技术
作为一种特殊的光学谐振腔,回音壁模式光学微腔将光场约束在环形边界上使其发生连续的全反射。当光束绕几何结构边界传播一圈的光程满足波长的整数倍时,会产生光学频率谐振现象。其中用来约束光场的环形微结构即被称为回音壁模式光学微腔。回音壁模式光学微腔具有极小的微腔尺寸、超高的品质因子(Q)、较小的模式体积和极高的内部能量密度等特点,在下一代集成光学器件应用中有巨大的潜力。可用作高灵敏度探测器、研究弱光非线性光学、制作低阈值的芯片上的微型激光器、制作光学通信网络的放大器、滤波器和调制器等等。
Q值大小是微腔的重要特征参数定量。它描述了微腔光学损耗的大小和耦合进入到腔中能量的存储能力,也表示了光子在微腔中的寿命长短和谐振峰的谱线宽度。Q值大小与微腔的很多应用息息相关。它决定了微腔的检测极限,并且决定了非线性效应在腔内的强度。二氧化硅微腔具有有高Q值(106~109),且制备方法与现成的COMS工艺兼容,受到了广泛关注。然而,由于二氧化硅微腔的表面羟基会吸附痕量的水和其他分子,使得器件的Q值在使用过程中不稳定,随时间的推移而逐渐降低约一个数量级。目前基于高Q二氧化硅微腔的先进光学技术的研究,例如孤子梳的产生和应用,通常是在N2气氛围保护和特殊封装下实现的。这不仅增加高Q微腔器件的制备难度,也极大的限制了器件的实际应用前景。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:现有的回音壁模式光学微腔的表面会吸附水分和其他小分子,使得器件的品质因子Q值在使用过程中不稳定等问题。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种环境稳定的超高品质因子光学微腔,通过化学气相沉积法在回音壁模式光学微腔表面沉积硅烷偶联剂层后得到,所述光学微腔的表面经过化学修饰从而形成不受环境影响的稳定结构,所述硅烷偶联剂为疏水性硅烷偶联剂。
优选地,所述的光学微腔的结构包括球型(spheres)、片上盘型(micro disks)、片上楔型腔(micro wedge)、片上环芯型(micro toroids)、微瓶型(micro bottles)或微泡型(micro bubbles)。
优选地,所述的回音壁模式光学微腔的材料为有机硅氧烷和/或无机硅氧化合物。
优选地,所述硅烷偶联剂的结构通式为RSiX3,其中,R为烃基、含有双键的烃基、聚氧丙烯基、长链全氟烷基、聚硅氧烷基或含有芳基、酯基、醚基和酰胺基中的至少一种基团的烃基,X为卤素、烷氧基或酰氧基。
优选地,所述的硅烷偶联剂为正辛基三氯硅烷和/或1H,1H,2H,2H-全氟辛基三氯硅烷;所述沉积的硅烷偶联剂层为单层。
本发明还提供了上述的环境稳定的超高品质因子光学微腔的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:制备回音壁模式光学微腔,清洁回音壁模式光学微腔表面并除去其表面的悬挂键;
步骤2:采用化学气相沉积法在步骤1处理所得的回音壁模式光学微腔表面沉积硅氧偶联剂。
优选地,所述步骤1中制备回音壁模式光学微腔的方法包括微纳加工或热熔加工。
更优选地,所述的制备回音壁模式光学微腔的方法包括采用二氧化碳激光器进行微纳加工。
优选地,所述步骤1中清洁回音壁模式光学微腔表面并除去其表面的悬挂键具体为:采用氧等离子体进行处理。
更优选地,所述氧等离子体处理的工艺条件为:氧气压力60~100mL/min,功率100~150W,时间1~5min。
本发明的技术原理:
硅烷偶联剂是一类具有特殊结构的低分子有机硅化合物,其通式为RSiX3,式中R代表氨基、巯基、乙烯基、环氧基、氰基及甲基丙乙烯酰氧基等基团,这些基团和不同的基体树脂均具有较强的反应能力。X代表能够水解的基团,如卤素、烷氧基、酰氧基等。本发明的实施例中选取含有三个卤素基团的硅烷分子,自身不会发生缩合反应,在气相沉积时不会形成多层膜结构,且不会形成表面细微缺陷结构。另外对R基进行进一步的筛选,选取疏水基团,包括但不限于:烃基、含有芳基、酯、醚、酰胺等基团的烃基;含有双键的烃基;聚氧丙烯基、长链全氟烷基、聚硅氧烷基等等。本发明的制备工艺中用氧等离子体处理微腔,既可以对表面进行清洁,又可以除去二氧化硅表面悬挂键,增加表面羟基密度,促进形成致密均匀的单分子层。
与现有技术相比,本发明的有益效果在于:
1.本发明通过化学气相沉积法在回音壁模式光学微腔表面沉积硅烷偶联剂层对光学微腔的表面进行化学修饰,其中,对于硅烷偶联剂的选择上,采用疏水性硅烷偶联剂,硅烷偶联剂中的水解基团与微腔表面的羟基发生水解反应,硅烷分子被修饰到微腔表面,从而在光学微腔表面形成疏水性含硅化学键,解决了现有的回音壁模式光学微腔的表面会吸附水分和其他小分子,使得器件的品质因子Q值在使用过程中不稳定等问题;
2.本发明的光学微腔经测试,在相对湿度为35%和75%的环境中,经过两周时间,品质因子Q值仍能保持108以上,因此,本发明的光学微腔的品质因子具有良好的环境稳定性,具有广泛的应用前景。
3.本发明的制备工艺简单,人力和设备投资成本低,可实现规模化生产。
附图说明
图1为透射谱测量光路图;
图2为环境相对湿度35%时,实施例1和实施例2的修饰微腔以及对比例1的空白微腔随着天数的Q值变化和透射谱上谐振峰宽度第一天与第十三天的变化;其中(a)、(b)代表对比例1的空白微球腔(Bare silica)随着天数变化的Q值和谐振峰图;(c)、(d)代表采用正辛基三氯硅烷修饰的微球腔(C-silica),随着天数变化的Q值和谐振峰图;(e)、(f)代表采用1H,1H,2H,2H-全氟辛基三氯硅烷修饰的微球腔(F-silica)随着天数变化的Q值和谐振峰图。
图3为环境相对湿度75%时,实施例1和实施例2的修饰微腔以及对比例1的空白微腔随着天数的Q值变化和透射谱上谐振峰宽度第一天与第十三天的变化;其中(a)、(b)代表对比例1的空白微球腔随着天数变化的Q值和谐振峰图;(c)、(d)代表采用正辛基三氯硅烷修饰的微球腔(C-silica)随着天数变化的Q值和谐振峰图;(e)、(f)代表采用1H,1H,2H,2H-全氟辛基三氯硅烷修饰的微球腔(F-silica)随着天数变化的Q值和谐振峰图。
具体实施方式
为使本发明更明显易懂,兹以优选实施例,并配合附图作详细说明如下。
实施例1
一种环境稳定的超高品质因子光学微腔的制备方法,具体实验步骤包括:
(1)用二氧化碳激光器(激光光源波长为1550nm,也可以采用其他波段的激光器)烧制大约120μm直径的二氧化硅微球腔;
(2)使用氧等离子体处理:将载有至少一个步骤(1)所得微球的载玻片转移到氧等离子体腔中。将氧气压力设置为80mL/min,将功率设置为120W。将样品暴露在氧气等离子体中2分钟。从等离子室中取出载玻片。
(3)将载有至少一个步骤(2)所得微球的载玻片放入通风橱中的真空干燥器中。对真空干燥器进行抽空,然后通入高纯氮气,重复几次,去除干燥器中的水汽。同样在通风橱中,打开装有正辛基三氯硅烷的试剂瓶,然后将打开的试剂瓶放在干燥器中。盖上真空干燥器的盖子,然后将出口连接到真空双排管上。打开真空泵,一旦在盖子和底座之间形成真空密封,就开始计时反应。这将使硅烷偶联剂以薄膜形式沉积在表面上。8分钟后,关闭真空,然后慢慢打开端口,让氮气进入干燥器,经过8分钟的化学沉积足以在微球腔的表面上形成均匀的单层硅烷偶联剂,从而得到环境稳定的超高品质因子光学微腔。
实施例2
一种环境稳定的超高品质因子光学微腔的制备方法,具体实验步骤包括:
(1)用二氧化碳激光器(激光光源波长为1550nm,也可以采用其他波段的激光器)烧制大约120μm直径的二氧化硅微球腔;
(2)使用氧等离子体处理:将载有至少一个步骤(1)所得微球的载玻片转移到氧等离子体腔中。将氧气压力设置为80mL/min,将功率设置为120W。将样品暴露在氧气等离子体中2分钟。从等离子室中取出载玻片。
(3)将载有至少一个步骤(2)所得微球的载玻片放入通风橱中的真空干燥器中。对真空干燥器进行抽空,然后通入高纯氮气,重复几次,去除干燥器中的水汽。同样在通风橱中,打开装有1H,1H,2H,2H-全氟辛基三氯硅烷的试剂瓶,然后将打开的试剂瓶放在干燥器中。盖上真空干燥器的盖子,然后将出口连接到真空双排管上。打开真空泵,一旦在盖子和底座之间形成真空密封,就开始计时反应。这将使硅烷偶联剂以薄膜形式沉积在表面上。8分钟后,关闭真空,然后慢慢打开端口,让氮气进入干燥器,经过8分钟的化学沉积足以在微球腔的表面上形成均匀的单层硅烷偶联剂,从而得到环境稳定的超高品质因子光学微腔。
对比例1
一种未经修饰的空白微腔的制备:
用二氧化碳激光器(激光光源波长为1550nm,也可以采用其他波段的激光器)烧制大约120μm直径的二氧化硅空白微球腔;
测试试验:
通过半导体激光器对实施例1和实施例2的修饰微腔以及对比例1的空白微腔分别进行泵浦,通过光电探测器将光信号转化为电信号,在示波器上得到透射信号,透射谱测量光路图如图1所示。所得谐振峰信号通过洛伦兹拟合得到微腔的Q值。测量不同程度耦合下的谐振峰,可以通过线性拟合Q值和耦合程度,得到y截距来确定零耦合时微腔的固有品质因子,在两周内持续地测量。同时通过设定恒湿器参数,得到两种不同的环境湿度,将一组空白微腔和修饰微腔放入相对湿度为35%的环境中,另一组放入相对湿度为75%的环境中,测试结果分别如图2和图3所示。从图2和图3的透射谱结果可知,不论是环境相对湿度为35%还是75%,在两周内实施例1和实施例2的修饰微腔的品质因子也几乎不变(保持在108以上)。而对比例1的空白微腔在两周内由原有的108量级下降到107,谐振峰明显变宽。由此说明,实施例1和实施例2所制备的修饰微腔其品质因子具有良好的环境稳定性。
上述实施例仅为本发明的优选实施例,并非对本发明任何形式上和实质上的限制,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明的前提下,还将可以做出若干改进和补充,这些改进和补充也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种环境稳定的超高品质因子光学微腔,其特征在于,通过化学气相沉积法在回音壁模式光学微腔表面沉积硅烷偶联剂层后得到,所述光学微腔的表面经过化学修饰从而形成不受环境影响的稳定结构,所述硅烷偶联剂为疏水性硅烷偶联剂。
2.如权利要求1所述的环境稳定的超高品质因子光学微腔,其特征在于,所述的回音壁模式光学微腔的结构包括球型spheres、片上盘型micro disks、片上楔型腔micro wedge、片上环芯型micro toroids、微瓶型micro bottles或微泡型micro bubbles。
3.如权利要求1所述的环境稳定的超高品质因子光学微腔,其特征在于,所述的回音壁模式光学微腔的材料为有机硅氧烷和/或无机硅氧化合物。
4.如权利要求1所述的环境稳定的超高品质因子光学微腔,其特征在于,所述硅烷偶联剂的结构通式为RSiX3,其中,R为烃基、含有双键的烃基、聚氧丙烯基、长链全氟烷基、聚硅氧烷基或含有芳基、酯基、醚基和酰胺基中的至少一种基团的烃基,X为卤素、烷氧基或酰氧基。
5.如权利要求4所述的环境稳定的超高品质因子光学微腔,其特征在于,所述的硅烷偶联剂为正辛基三氯硅烷和/或1H,1H,2H,2H-全氟辛基三氯硅烷;所述沉积的硅烷偶联剂层为单层。
6.权利要求1~5中任意一项所述的环境稳定的超高品质因子光学微腔的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:制备回音壁模式光学微腔,清洁回音壁模式光学微腔表面并除去其表面的悬挂键;
步骤2:采用化学气相沉积法在步骤1处理所得的回音壁模式光学微腔表面沉积硅氧偶联剂。
7.如权利要求6所述的环境稳定的超高品质因子光学微腔的制备方法,其特征在于,所述步骤1中制备回音壁模式光学微腔的方法包括微纳加工或热熔加工。
8.如权利要求7所述的环境稳定的超高品质因子光学微腔的制备方法,其特征在于,所述的制备回音壁模式光学微腔的方法包括采用二氧化碳激光器进行微纳加工。
9.如权利要求6所述的环境稳定的超高品质因子光学微腔的制备方法,其特征在于,所述步骤1中清洁回音壁模式光学微腔表面并除去其表面的悬挂键具体为:采用氧等离子体进行处理。
10.如权利要求9所述的环境稳定的超高品质因子光学微腔的制备方法,其特征在于,所述氧等离子体处理的工艺条件为:氧气压力60~100mL/min,功率100~150W,时间1~5min。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110703954.9A CN113437640A (zh) | 2021-06-24 | 2021-06-24 | 一种环境稳定的超高品质因子光学微腔及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110703954.9A CN113437640A (zh) | 2021-06-24 | 2021-06-24 | 一种环境稳定的超高品质因子光学微腔及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113437640A true CN113437640A (zh) | 2021-09-24 |
Family
ID=77755344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110703954.9A Pending CN113437640A (zh) | 2021-06-24 | 2021-06-24 | 一种环境稳定的超高品质因子光学微腔及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113437640A (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1867824A (zh) * | 2003-10-14 | 2006-11-22 | 3M创新有限公司 | 作为传感器的多孔微球共振器 |
CN111289493A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-06-16 | 电子科技大学 | 一种表面增强拉曼基底及其制备方法 |
-
2021
- 2021-06-24 CN CN202110703954.9A patent/CN113437640A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1867824A (zh) * | 2003-10-14 | 2006-11-22 | 3M创新有限公司 | 作为传感器的多孔微球共振器 |
CN111289493A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-06-16 | 电子科技大学 | 一种表面增强拉曼基底及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
SHEN XQ ET AL.: "Raman laser from an optical resonator with a grafted single-molecule monolayer", 《NATURE PHOTONICS》 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1266045B1 (en) | Diamond-like glass thin films | |
EP0600022B1 (fr) | Materiau presentant des proprietes antireflet, hydrophobes et de resistance a l'abrasion et procede de depot d'une couche antireflet, hydrophobe et resistance a l'abrasion sur un substrat | |
US7528403B1 (en) | Hybrid silicon-on-insulator waveguide devices | |
JP4741246B2 (ja) | 基材上にダイヤモンドライクガラスコーティングを堆積する装置 | |
EP0580487A1 (fr) | Polycondensat organo-minéral et procédé d'obtention | |
CN110596988B (zh) | 一种片上高品质因子硫系微环谐振腔的制备方法 | |
US11703636B2 (en) | Boron nitride nanotube coated optical waveguide and uses thereof | |
KR20140010939A (ko) | 크랙 프리 에어로겔을 포함하는 광학 소자 | |
CN108039637B (zh) | 一种有机回音壁式(wgm)谐振腔的制备方法 | |
CN113437640A (zh) | 一种环境稳定的超高品质因子光学微腔及其制备方法 | |
EP1225458A1 (fr) | Procédé de fabrication d'un composant guide d'ondes à plusieurs couches empilées sur un substrat et composant guide d'ondes obtenu selon ce procédé | |
US5268211A (en) | Optical recording medium | |
CN113270786B (zh) | 固态染料激光增益介质及其制备方法 | |
Borselli et al. | Surface encapsulation for low-loss silicon photonics | |
EP1038193A1 (fr) | Procede de traitement antireflet et materiau presentant des proprietes antireflet | |
FR2936321A1 (fr) | Revetements anti-reflet comprenant des objets disperses presentant deux domaines separes ayant des indices de refraction distincts. | |
CN111123616A (zh) | 一种基于硫化物-氮化硅混合波导及其制备方法 | |
Kim et al. | Influence of hydrogen on SiO2 thick film deposited by PECVD and FHD for silica optical waveguide | |
Hermouet et al. | Ultra sensitive optomechanical microdisk resonators with very large scale integration process | |
US20080279500A1 (en) | Method for Producing J Aggregates | |
Fuchs et al. | Making waveguides containing nanocrystalline quantum dots | |
KR100639528B1 (ko) | 광발광성 나노복합 재료를 제조하기 위한 졸-겔 방법 및이에 의해 생성된 재료 | |
JPS6116285B2 (zh) | ||
Amiri et al. | Rapid thermal annealing and reduction process monitoring of graphene oxide thin film on chip | |
CN117595069B (zh) | 一种用于光编码通信的激光天线及其应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20210924 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |