CN113434050A - 显示装置以及制造显示装置的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置以及制造显示装置的方法。该显示装置包括显示模块以及在显示模块下方的用于检测从显示模块反射的光的感测器层，并且该感测器层包括基底层、在基底层上并且包括检测光的感测元件的感测层、以及在感测层和显示模块之间的光学图案层，并且该光学图案层包括限定多个开口的遮光部以及分别位于多个开口中的多个透射部，在平面图中观看时该多个开口间隔布置。

Description

显示装置以及制造显示装置的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年3月23日递交至韩国知识产权局的第10-2020-0035169号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的公开通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开涉及显示装置以及制造显示装置的方法。

背景技术

显示装置提供使用户能够与显示装置交互的各种功能。例如，显示装置可以显示图像以向用户提供信息，或者可以检测用户的输入。最近的显示装置具有用于检测用户的指纹的功能。用于识别指纹的方法包括基于电极之间的电容的变化的电容方法、其中光学感测器被用于检测入射光的光学方法或者其中压电材料被利用以检测振动的超声方法。对于最近的显示装置，用于指纹识别的光学感测器可以位于显示面板的后表面上。

发明内容

本公开的一些实施例提供一种包括具有提高的指纹识别灵敏度的光学感测器的显示装置。

根据本公开的一些实施例，显示装置可以包括显示模块以及在显示模块下方的用于检测从显示模块反射的光的感测器层，并且该感测器层包括基底层、在基底层上并且包括检测光的感测元件的感测层以及在感测层和显示模块之间的光学图案层，并且该光学图案层包括限定多个开口的遮光部以及分别位于多个开口中的多个透射部，在平面图中观看时该多个开口间隔布置。

在平面图中观看时，遮光部可以围绕透射部，并且遮光部不与透射部重叠。

多个透射部中的每个透射部可以包括允许光穿过的第一有机材料，其中遮光部包括吸收光的第二有机材料。

显示装置可以进一步包括在感测元件和光学图案层之间的蚀刻停止层。

感测元件可以包括在基底层上的第一感测电极、在第一感测电极和蚀刻停止层之间的第二感测电极以及在第一感测电极和第二感测电极之间的感测部分。

感测器层可以进一步包括在基底层和蚀刻停止层之间并且覆盖感测元件的绝缘层，其中蚀刻停止层直接位于绝缘层上。

蚀刻停止层的厚度小于绝缘层和光学图案层中的每个的厚度。

显示模块可以包括有源区域以及与有源区域邻近的外围区域，其中，感测器层包括与有源区域重叠的检测区域。

检测区域可以包括与感测元件重叠的感测区域以及围绕感测区域的非感测区域，其中多个透射部中的每个透射部与感测区域重叠。

遮光部可以与非感测区域重叠，其中光学图案层进一步包括与非感测区域重叠的辅助透射部。

在感测器层的厚度方向上观看时，多个透射部中的每个透射部的高度可以小于辅助透射部的高度。

感测器层可以进一步包括位于遮光部上的抗静电层，抗静电层与非感测区域重叠。

显示装置可以进一步包括在显示模块和感测器层之间的红外滤光器。

显示模块可以包括基底基板和显示元件层，该基底基板具有像素区域以及与像素区域邻近的遮光区域，该显示元件层在基底基板上并且包括与像素区域重叠的发射层，其中透射部与遮光区域重叠。

光学图案层可以进一步包括在透射部上的掩模图案，其中掩模图案不与遮光部重叠。

根据本公开的一些实施例，一种显示装置可以包括显示模块以及在显示模块下方的用于检测从显示模块反射的光的光学感测器，该光学感测器包括基底层；感测层，在基底层上并且包括检测光的感测元件；光学图案层，在感测层和显示模块之间，并且包括在平面图中观看时间隔布置有多个开口的遮光部以及分别位于多个开口中并在平面图中观看时被遮光部围绕的多个透射部；以及蚀刻停止层，在感测层和光学图案层之间。

遮光部的平面面积可以大于透射部的平面面积。

感测层和遮光部之间的距离可以等于或小于5微米。

根据本公开的一些实施例，一种制造显示装置的方法可以包括：形成光学感测器；并且通过粘合剂构件将光学感测器贴附至显示模块，其中，形成光学感测器包括：制备基底层；在基底层上形成用于检测从显示模块反射的光的感测元件；在基底层上形成包括无机材料并覆盖感测元件的绝缘层；在绝缘层上形成与感测元件重叠的蚀刻停止层；直接在蚀刻停止层上形成包括第一有机材料的透射部；并且直接在蚀刻停止层上形成包括第二有机材料并且不与透射部重叠的遮光部。

在平面图中观看时，遮光部可以围绕透射部，其中透射部的顶表面被遮光部暴露。

附图说明

图1图示了示出根据本公开的一些实施例的显示装置的透视图。

图2图示了示出根据本公开的一些实施例的显示装置的分解透视图。

图3图示了示出根据本公开的一些实施例的显示模块的剖视图。

图4图示了示出根据本公开的一些实施例的显示面板的平面图。

图5图示了部分示出根据本公开的一些实施例的显示面板的剖视图。

图6图示了示出根据本公开的一些实施例的显示模块的剖视图。

图7图示了示出根据本公开的一些实施例的显示装置的剖视图。

图8A图示了示出根据本公开的一些实施例的图7的感测层的电路图。

图8B图示了示出根据本公开的一些实施例的图7的光学感测器的剖视图。

图9图示了示出根据本公开的一些实施例的光学图案层的遮光部的平面图。

图10图示了示出根据本公开的一些实施例的图7的光学感测器的剖视图。

图11A至图11G图示了示出根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的剖视图。

具体实施方式

通过参考实施例和附图的详细描述，可以更容易地理解本发明构思的特征以及实现其的方法。在下文中，将参考附图更详细地描述实施例。然而，描述的实施例可以以各种不同的形式体现，并且不应被解释为仅限于本文中图示的实施例。相反，这些实施例被提供为示例，使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的方面和特征。因此，对于本领域的普通技术人员完全理解本公开的方面和特征不是必需的工艺、元件和技术可以不描述。

除非另有注解，否则在整个附图和书面描述中，相同的附图标记、字符或其组合指代相同的元件，并且因此，将不重复其描述。此外，与实施例的描述无关的部分可以不被示出以使描述清楚。在附图中，为了清楚起见，元件、层和区的相对尺寸可以被夸大。另外，在附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明邻近元件之间的边界。这样，除非指定，否则交叉影线或阴影的存在或缺失都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、图示的元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的偏好或要求。

在本文中参考作为实施例和/或中间结构的示意性图示的剖视图示来描述各种实施例。这样，可以预期作为例如制造技术和/或容差的结果的图示形状的变化。此外，本文中公开的特定结构或功能描述仅是例示性的，目的是为了描述根据本公开的构思的实施例。所以，本文中公开的实施例不应被解释为限于区的具体图示形状，而是包括由例如制造导致的形状的偏差。

例如，被图示为矩形的注入区将通常在其边缘处具有导圆的或曲线的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，由注入形成的掩埋区可以在掩埋区与注入发生所通过的表面之间的区中导致一些注入。因此，附图中图示的区本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在图示装置的区的实际形状，也不旨在限定。另外，如本领域技术人员将认识到的，所描述的实施例可以以各种不同的方式被修改，而全部不脱离本公开的精神或范围。

在详细描述中，为了解释的目的，阐述了许多特定细节，以提供对各种实施例的透彻理解。然而，显而易见的是，可以在没有这些特定细节或者在一个或多个等同布置的情况下实践各种实施例。在其他实例中，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要的模糊各种实施例。

将理解，虽然本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但这些元件、部件、区、层和/或部分不应限于这些术语。这些术语用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分区分开。因此，以下描述的第一元件、第一部件、第一区、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二部件、第二区、第二层或第二部分，而不脱离本公开的精神和范围。

为了易于解释，在本文中，可以使用空间上相对的术语，诸如“下面”、“下方”、“下”、“之下”、“上方”和“上”等，以描述如附图中图示的一个(多个)元件或特征相对于另一(其他)元件或特征的关系。将理解，除了附图中描绘的方位之外，空间上相对的术语旨在涵盖装置在使用中或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将随之被定向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“下方”和“之下”可以涵盖上方和下方两种方位。装置可以以其它方式定向(例如，旋转90度或以其它方位定向)，并且本文中使用的空间上相对的描述符应被相应地解释。类似地，当第一部分被描述为布置在第二部分“上”时，这表示第一部分被布置在第二部分的上侧或下侧，而不限于以重力方向为基础的第二部分的上侧。

此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”意指从顶部观看目标部分，并且短语“在截面上”意指从侧面观看通过垂直切割目标部分而形成的截面。

将理解，当元件、层、区或部件被认为“形成在”另一元件、层、区或部件“上”、“在”另一元件、层、区或部件“上”、“连接至”另一元件、层、区或部件或“耦接至”另一元件、层、区或部件时，该元件、层、区或部件可以直接形成在另一元件、层、区或部件上、直接在另一元件、层、区或部件上、直接连接至另一元件、层、区或部件或直接耦接至另一元件、层、区或部件，或者间接形成在另一元件、层、区或部件上、间接在另一元件、层、区或部件上、间接连接至另一元件、层、区或部件或者间接耦接至另一元件、层、区或部件，使得一个或多个中间元件、层、区或部件可以存在。然而，“直接连接/直接耦接至”是指一个部件直接连接或耦接至另一部件而没有中间部件。同时，描述诸如“在……之间”和“直接在……之间”或者“与……邻近”和“与……直接邻近”的部件之间的关系的其他表述可以被类似地解释。另外，将理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是两个元件或层之间的唯一的元件或层，或者也可以存在一个或多个中间元件或层。

为了本公开的目的，诸如“……中的至少一个”或“选自……中的至少一个”的表述当在元件列表之后时，修饰整个元件的列表并且不修饰列表中的单个元件。例如，“X、Y和Z中的至少一个”以及“选自X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如，例如XYZ、XYY、YZ和ZZ或其任意变形。类似地，诸如“A和B中的至少一个”的表述可以包括A、B或者A和B。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关联列出的项目中的一个或多个的任意和所有组合。例如，诸如“A和/或B”的表述可以包括A、B或者A和B。

在示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上被解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。这同样适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。

在本文中使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，并且不旨在限制本公开。如本文中使用的，单数形式的“一”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“具有”和“包含”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或附加。

如本文中使用的，术语“基本上”、“大约”、“近似”以及类似术语被用作近似术语而不是程度术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将公认的测量的或计算的值的固有偏差。在考虑讨论中的测量和与具体数量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)的情况下，在本文中使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值并且意指在由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以意指在一个或多个标准偏差之内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％之内。另外，在描述本公开的实施例时，“可以”的使用指的是“本公开的一个或多个实施例”。

当一个或多个实施例可以被不同地实现时，特定的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。

此外，本文中公开和/或列举的任何数值范围旨在包括纳入在列举范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，范围“1.0到10.0”旨在包括在所列举的最小值1.0和所列举的最大值10.0之间(并且包括所列举的最小值1.0和所列举的最大值10.0)的所有子范围，也就是说，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如，例如2.4至7.6。本文中列举的任何最大数值限制旨在包括纳入该最大数值限制的所有较低的数值限制，并且本说明书中列举的任何最小数值限制旨在包括纳入该最小数值限制的所有较高的数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确列举纳入在本文中明确列举的范围内的任何子范围。所有这些范围旨在在本说明书中固有地被描述，使得修改以明确地列举任何这样的子范围将符合要求。

根据本文中描述的本公开的实施例的电子或电气装置和/或任何其他相关装置或部件可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实现。例如，这些装置的各种部件可以被形成在一个集成电路(IC)芯片上或形成在单独的IC芯片上。此外，这些装置的各种部件可以被实现在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或被形成在一个基板上。

此外，这些装置的各种部件可以是在一个或多个计算装置中在一个或多个处理器上运行的进程或线程，该一个或多个处理器执行计算机程序指令并与其他系统部件交互以执行本文中描述的各种功能。计算机程序指令被存储在存储器中，该存储器可以使用诸如例如随机存取存储器(RAM)的标准存储器装置在计算装置中被实现。计算机程序指令还可以被存储在其他非暂时性计算机可读介质中，诸如例如CD-ROM或闪存驱动器等。而且，本领域技术人员应该认识到，各种计算装置的功能可以与单个计算装置组合或集成到单个计算装置中，或者具体计算装置的功能可以跨一个或多个其他计算装置分布而不脱离本公开的实施例的精神和范围。

除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如那些在常用词典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关领域和本说明书的语境中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的意义来解释，除非本文中明确这样限定。

图1图示了示出根据本公开的一些实施例的显示装置的透视图，并且图2图示了示出根据本公开的一些实施例的显示装置的分解透视图。

参考图1，显示装置DD可以是用电信号激活的设备。显示装置DD可以包括各种实施例。例如，显示装置DD可以被用于诸如电视机、监视器或户外广告牌的大尺寸电子设备，并且还可以被用于诸如个人计算机、膝上型计算机、个人数字终端、汽车导航单元、游戏机、便携式电子装置或照相机的小尺寸或中尺寸电子设备。这些产品仅作为示例呈现，并且除非脱离本公开的精神，否则显示装置DD可以适用于任何合适的电子设备。在一些实施例中，智能电话被图示为显示装置DD的示例。

显示装置DD可以在显示表面DD-IS上显示图像IM。根据本公开的一些实施例，显示装置DD被图示为具有平坦形状的平坦的显示表面DD-IS，但是本公开不必限于此。显示装置DD可以包括弯曲的显示表面或立方体显示表面。立方体显示表面可以包括在不同方向上定向的多个显示区域或者具有多边形的柱状显示表面。

显示表面DD-IS包括在其上显示图像IM的显示区域DD-DA以及与显示区域DD-DA邻近的非显示区域DD-NDA。非显示区域DD-NDA可以是不显示图像的区域。显示表面DD-IS可以与显示装置DD的前表面对应并且与将在以下讨论的窗口100的前表面对应。图1示出应用图标和作为图像IM的示例的时钟窗口。

显示区域DD-DA具有四角形形状，并且非显示区域DD-NDA被图示为围绕显示区域DD-DA。然而，本公开不限于此，并且显示区域DD-DA和非显示区域DD-NDA可以被设计为具有彼此相对一致的形状。例如，非显示区域DD-NDA可以位于显示区域DD-DA的一侧，或者非显示区域DD-NDA可以被省略。

显示表面DD-IS可以与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行。第三方向DR3指示显示表面DD-IS的法线方向或者显示装置DD的厚度方向。在本公开中，“当在平面图中观看时”、“在平面上”或“平面区域”的描述意指当在第三方向DR3上观看时的情况。在本文中，第三方向DR3区别将在以下讨论的每个构件或单元的前表面和后表面(或顶表面和底表面)。然而，在一些实施例中所示的第一方向DR1至第三方向DR3仅是示例性的，并且由第一方向DR1至第三方向DR3指示的方向可以被改变为它们的相反方向。

根据本公开的一些实施例的显示装置DD可以检测外部施加的用户输入。在一些实施例中，显示装置DD根据其结构可以检测施加至显示装置DD的侧表面或后表面的用户输入，但是本公开不限于具体实施例。

显示装置DD可以检测外部施加的用户的指纹FP。能够检测用户的指纹FP的指纹识别区被提供在显示装置DD的显示表面DD-IS上。指纹识别区可以被提供在显示区域DD-DA的整体或一部分上。

参考图2，显示装置DD可以包括窗口100、抗反射面板200、显示模块300、光学感测器400以及壳体500。在一些实施例中，如图1中所示，窗口100和壳体500可以彼此耦接以形成显示装置DD的外观。

窗口100可以包括光学透明绝缘材料。例如，窗户100可以包括玻璃或塑料。窗口100可以具有多层结构或单层结构。例如，窗口100可以包括通过粘合剂耦接的多个塑料膜，或者可以包括通过粘合剂彼此耦接的玻璃基板和塑料膜。

窗口100的前表面限定显示装置DD的前表面。窗口100的前表面包括透射区域TA和非透射区域NTA。透射区域TA与图1中所示的显示装置DD的显示区域DD-DA对应，并且非透射区域NTA与图1中所示的显示装置DD的非显示区域DD-NDA对应。透射区域TA可以是光学透明区域。例如，透射区域TA可以是可见光透射率等于或大于约90％的区。

非透射区域NTA可以是光学透射率相对小于透射区域TA的光学透射率的区。非透射区域NTA限定透射区域TA的形状。非透射区域NTA可以具有特定颜色。在一些其他实施例中，可以省略非透射区域NTA。

抗反射面板200可以位于窗口100下方。抗反射面板200可以减小从窗口100外部入射的外部光的反射率。在本公开的一些实施例中，抗反射面板200可以被省略，或者可以是包括在显示模块300中的部件。

显示模块300可以显示图像IM并且可以检测外部输入。显示模块300可以包括有源区域AA和外围区域NAA。有源区域AA可以是用电信号激活的区。

在一些实施例中，有源区域AA可以是显示图像IM并且还检测外部输入的区。有源区域AA可以与透射区域TA重叠，并且外围区域NAA可以与非透射区域NTA重叠。例如，透射区域TA可以与有源区域AA的整体或至少一部分重叠。因此，用户可以通过透射区域TA识别图像IM，或者可以通过透射区域TA提供外部输入。在本公开的一些实施例中，有源区域AA可以被配置为使得显示图像IM的区与检测外部输入的区分开，但是本公开不限于具体实施例。

外围区域NAA可以是用非透射区域NTA覆盖的区。外围区域NAA与有源区域AA邻近。外围区域NAA可以围绕有源区域AA。外围区域NAA可以包括用于驱动有源区域AA的驱动器线或驱动器电路。

光学感测器400可以位于显示模块300下方。光学感测器400可以是检测用户的生物信息的感测器层。光学感测器400可以检测触摸目标的表面。表面可以包括表面均匀性或表面形态。例如，表面可以使得能够检测用户的指纹FP的信息。

光学感测器400可以包括检测区域400-A和非检测区域400-N。检测区域400-A可以是用电信号激活的区。例如，检测区域400-A可以是检测生物信息的区。非检测区域400-N可以包括用于驱动检测区域400-A的驱动器线或驱动器电路。

在本公开的一些实施例中，检测区域400-A可以与有源区域AA的整体重叠。在这种情况下，指纹识别可以在有源区域AA的整体上执行。例如，用户的指纹FP可以在除了受限的部分区之外的整个区上被识别。然而，本公开不必限于此。例如，在本公开的一些其他实施例中，光学感测器400可以与有源区域AA部分地重叠。

壳体500耦接至窗口100。壳体500和窗口100彼此耦接以提供内部空间。显示模块300和光学感测器400可以被容纳在内部空间中。壳体500可以稳定地保护显示装置DD的容纳在内部空间中的部件免受外部冲击。壳体500可以包括刚性相对高的材料。例如，壳体500可以包括玻璃、塑料或金属，或者可以包括由玻璃、塑料和金属的任意组合组成的多个框架或板。

在其他实施例中，光学感测器400和壳体500可以在它们之间被提供有电池模块，以提供显示装置DD的全部操作所需的电力。

图3图示了示出根据本公开的一些实施例的显示模块的剖视图。

参考图3，显示模块300包括显示面板DP和输入感测层ISU。显示面板DP包括基底基板SUB，并且还包括位于基底基板SUB上的电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和绝缘层TFE。

根据本公开的一些实施例，显示面板DP可以是发射显示面板，但是显示面板DP的类型不受具体限制。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发射层可以包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发射层可以包括量子点或量子棒。下面将讨论在其中有机发光显示面板被采用为显示面板DP的示例。

显示面板DP包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示面板DP的显示区域DA与图2中所示的有源区域AA对应，并且显示面板DP的非显示区域NDA与图2中所示的外围区域NAA对应。

基底基板SUB可以包括至少一个塑料膜。基底基板SUB可以包括塑料基板、玻璃基板、金属基板或有机/无机复合基板。基底基板SUB可以具有柔性。

电路元件层DP-CL包括至少一个中间绝缘层和电路元件。中间绝缘层包括至少一个中间无机层和至少一个中间有机层。电路元件包括信号线和像素驱动器电路。

显示元件层DP-OLED包括多个有机发光二极管。显示元件层DP-OLED可以进一步包括有机层，诸如像素限定层。根据一些其他实施例，当显示面板DP以液晶显示面板的类型被提供时，显示元件层DP-OLED可以以液晶层的类型被提供。

绝缘层TFE封装显示元件层DP-OLED。例如，绝缘层TFE可以是薄膜封装层。绝缘层TFE保护显示元件层DP-OLED免受诸如湿气、氧气和灰尘颗粒的异物的影响。然而，本公开不限于此，并且绝缘层TFE可以用封装基板代替。在这种情况下，封装基板可以与基底基板SUB相对地定位，并且电路元件层DP-CL和显示元件层DP-OLED可以位于封装基板和基底基板SUB之间。

输入感测层ISU可以位于窗口100和显示面板DP之间。输入感测层ISU检测外部施加的用户的输入。外部施加的用户的输入可以以各种类型被提供。例如，外部输入包括用户的身体部位、手写笔、光、热、压力或任何各种类型的外部输入。另外，外部输入不仅可以包括用户的触摸，而且还可以包括接近的空间触摸(例如，悬停触摸)。

输入感测层ISU可以直接位于显示面板DP上。在本公开中，短语“A直接位于B上”意指没有粘合剂层位于A和B之间。在一些实施例中，输入感测层ISU和显示面板DP可以以连续的工艺制造。然而，本公开的技术构思不限于此。输入感测层ISU可以以独立的面板的形式被提供，并且可以通过粘合剂层耦接至显示面板DP。对于另一示例，输入感测层ISU可以被省略。

图4图示了示出根据本公开的一些实施例的显示面板的平面图，并且图5图示了部分示出根据本公开的一些实施例的显示面板的剖视图。

参考图4，显示面板DP包括驱动器电路GDC，多条信号线SL-Vint、SL-VDD、EL、GL、DL和SL-D、电源电极以及多个像素PX。显示区域DA可以被限定为多个像素PX位于其中的区。

驱动器电路GDC可以产生多个扫描信号，并且多个扫描信号可以被依次输出至多条扫描线GL，这将在以下讨论。另外，驱动器电路GDC可以产生多个发射控制信号，并且多个发射控制信号可以输出至多条发射控制线EL，这将在以下讨论。

图4示出多个扫描信号和多个发射控制信号从单个驱动器电路GDC输出，但是本公开不必限于此。在本公开的一些实施例中，驱动器电路GDC可以被配置为使得多个扫描信号被分割，并且然后输出，并且多个发射控制信号被分割，并且然后输出。另外，产生并输出多个扫描信号的驱动器电路可以与产生并输出多个发射控制信号的驱动器电路分立地区分。

驱动器电路GDC可以被包括在电路元件层(例如，参见图3的电路元件层DP-CL)中。驱动器电路GDC可以包括以形成像素PX的驱动器电路的工艺相同的工艺形成的多个薄膜晶体管。

在其他实施例中，显示面板DP可以进一步包括以膜上芯片(COF)方式耦接至焊盘PD的数据驱动器电路。在本公开的一些实施例中，数据驱动器电路也可以被集成在电路元件层DP-CL中。

多条信号线GL、DL、EL、SL-VDD、SL-Vint和SL-D可以包括扫描线GL、发射控制线EL、数据线DL、电源线SL-VDD、初始化电压线SL-Vint和控制信号线SL-D。多条信号线GL、DL、EL、SL-VDD、SL-Vint和SL-D可以被包括在电路元件层DP-CL中，并且在各种实施例中一些信号线可以被省略。焊盘PD可以连接至多条信号线GL、DL、EL、SL-VDD、SL-Vint和SL-D的端部。

扫描线GL中的每条扫描线GL连接至多个像素PX中的对应的一个像素PX，并且数据线DL中的每条数据线DL连接至多个像素PX中的对应的一个像素PX。发射控制线EL可以平行于对应的扫描线GL。

电源线SL-VDD可以连接至多个像素PX，并且可以为多个像素PX提供第一电源电压。电源线SL-VDD可以包括在第一方向DR1上延伸的多条线以及在第二方向DR2上延伸的多条线。

初始化电压线SL-Vint可以为多个像素PX提供初始化电压。初始化电压线SL-Vint可以包括在第一方向DR1上延伸的多条线以及在第二方向DR2上延伸的多条线。

控制信号线SL-D可以为驱动器电路GDC提供控制信号。控制信号线SL-D可以为电源电极提供第二电源电压。第二电源电压可以具有与第一电源电压的电平不同的电平。

参考图5，显示面板DP可以包括多个绝缘层、半导体图案、导电图案以及信号线。涂覆或沉积工艺可以形成绝缘层、半导体层和导电层。之后，光刻工艺可以选择性地图案化绝缘层、半导体层和导电层。以上提到的工艺可以形成被包括在电路元件层DP-CL和显示元件层DP-OLED中的半导体图案、导电图案和信号线。

基底基板SUB可以包括合成树脂膜。合成树脂膜可以包括热固性树脂。基底基板SUB可以具有多层结构。例如，基底基板SUB可以具有包括合成树脂层、粘合剂层和合成树脂层的三层结构。例如，合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，但是合成树脂层的材料没有具体限制。合成树脂层可以包括选自丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和二萘嵌苯类树脂中的至少一个。基底基板SUB可以包括玻璃基板、金属基板和/或有机/无机复合基板。

至少一个无机层可以被形成在基底基板SUB的顶表面上。无机层可以包括选自氧化铝、氧化钛、氧化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一个。无机层可以被形成为多层。多层无机层可以构成阻挡层和/或缓冲层。在一些实施例中，显示面板DP被图示为包括缓冲层BFL。

缓冲层BFL增加基底基板SUB与半导体图案之间的结合力。缓冲层BFL可以包括氧化硅层和氮化硅层。氧化硅层和氮化硅层可以被交替地堆叠。

半导体图案位于缓冲层BFL上。半导体图案可以包括多晶硅。然而，本公开不限于此，并且半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物。

图5示出半导体图案的一部分，并且当在平面图中观看时，半导体图案可以进一步位于像素PX的另一部分上。半导体图案可以被具体地布置在像素PX之上。半导体图案可以具有基于半导体图案是否被掺杂而确定的电特性。半导体图案可以包括掺杂区和未掺杂区。掺杂区可以被注入有n型杂质或p型杂质。p型晶体管包括注入有p型杂质的掺杂区。

掺杂区的电导率大于未掺杂区的电导率，并且基本上用作电极或信号线。未掺杂区基本上与晶体管的有源区(或沟道)对应。例如，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区，半导体图案的另一部分可以是晶体管的源区或漏区，并且半导体图案的再一部分可以是连接电极或连接信号线。

如图中5所示，第一晶体管T1包括由一个半导体图案形成的第一源区S1、第一有源区A1和第一漏区D1，并且第二晶体管T2包括由其他半导体图案形成的第二源区S2、第二有源区A2和第二漏区D2。当在剖视图中观看时，第一源区S1和第一漏区D1在相反的方向上从第一有源区A1延伸，并且同样，第二源区S2和第二漏区D2在相反的方向上从第二有源区A2延伸。图5部分示出由半导体图案形成的连接信号线CSL。在其他实施例中，当在平面图中观看时，连接信号线CSL可以连接至第二晶体管T2的第二漏区D2。

第一中间绝缘层10位于缓冲层BFL上。第一中间绝缘层10通常与多个像素PX重叠并覆盖半导体图案。第一中间绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。第一中间绝缘层10可以包括选自氧化铝、氧化钛、氧化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一个。在一些实施例中，第一中间绝缘层10可以是单层的氧化硅层。类似于第一中间绝缘层10，如以下讨论的，电路元件层DP-CL的多个中间绝缘层可以是无机层和/或有机层，并且电路元件层DP-CL的有机层可以具有单层或多层结构。无机层可以包括选自以上提到的材料中的至少一个。

第一栅G1和第二栅G2位于第一中间绝缘层10上。第一栅G1和第二栅G2可以是导电图案的一部分。第一栅G1和第二栅G2分别与第一有源区A1和第二有源区A2重叠。在半导体图案被掺杂的工艺中，第一栅G1和第二栅G2可以用作掩模。

覆盖第一栅G1和第二栅G2的第二中间绝缘层20可以位于第一中间绝缘层10上。第二中间绝缘层20通常与像素PX重叠。第二中间绝缘层20可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。在一些实施例中，第二中间绝缘层20可以是单层的氧化硅层。

上电极UE可以位于第二中间绝缘层20上。上电极UE可以与第二晶体管T2的第二栅G2重叠。上电极UE可以是导电图案的一部分。第二栅G2的一部分以及叠加在第二栅G2上的上电极UE可以限定电容器。

覆盖上电极UE的第三中间绝缘层30可以位于第二中间绝缘层20上。在一些实施例中，第三中间绝缘层30可以是单层的氧化硅层。第一连接电极CNE1可以位于第三中间绝缘层30上。第一连接电极CNE1可以通过穿过第一中间绝缘层10、第二中间绝缘层20和第三中间绝缘层30的接触孔CNT-1而耦接至连接信号线CSL。

覆盖第一连接电极CNE1的第四中间绝缘层40可以位于第三中间绝缘层30上。第四中间绝缘层40可以是单层的氧化硅层。第五中间绝缘层50可以位于第四中间绝缘层40上。第五中间绝缘层50可以是有机层。第二连接电极CNE2可以位于第五中间绝缘层50上。第二连接电极CNE2可以通过穿过第四中间绝缘层40和第五中间绝缘层50的接触孔CNT-2而耦接至第一连接电极CNE1。

覆盖第二连接电极CNE2的第六中间绝缘层60可以位于第五中间绝缘层50上。第六中间绝缘层60可以是有机层。第一电极AE位于第六中间绝缘层60上。第一电极AE通过穿过第六中间绝缘层60的接触孔CNT-3连接至第二连接电极CNE2。第一开口OP被限定在像素限定层PDL中。像素限定层PDL的第一开口OP暴露第一电极AE的至少一部分。

如图5中所示，显示区域DA可以包括像素区域PXA和与像素区域PXA邻近的遮光区域NPXA。遮光区域NPXA可以围绕像素区域PXA。在一些实施例中，像素区域PXA被限定为与第一电极AE的暴露于第一开口OP的一部分对应。

空穴控制层HCL可以共同位于像素区域PXA和遮光区域NPXA上。空穴控制层HCL可以包括空穴传输层，并且可以进一步包括空穴注入层。发射层EML位于空穴控制层HCL上。发射层EML可以位于与第一开口OP对应的区上。例如，发射层EML可以被形成在像素(参见图4的像素PX)中的每个像素上。

电子控制层ECL可以位于发射层EML上。电子控制层ECL可以包括电子传输层，并且可以进一步包括电子注入层。开放式掩模可以被使用，使得空穴控制层HCL和电子控制层ECL被共同地形成在多个像素PX上。第二电极CE位于电子控制层ECL上。第二电极CE具有单体形状，并且位于多个像素PX上。

绝缘层TFE位于第二电极CE上。根据本公开的一些实施例，绝缘层TFE可以包括多个薄层。

图6图示了示出根据本公开的一些实施例的显示模块的剖视图。

参考图6，输入感测层ISU可以直接位于显示面板DP上。例如，输入感测层ISU可以被形成在显示面板DP上，而在输入感测层ISU和显示面板DP之间没有粘合剂层。

例如，输入感测层ISU可以包括第一感测绝缘层IS-IL1、第一导电层IS-CL1、第二感测绝缘层IS-IL2、第二导电层IS-CL2以及第三感测绝缘层IS-IL3。第一感测绝缘层IS-IL1可以直接位于绝缘层TFE上。然而，本公开的技术构思不限于此。第一感测绝缘层IS-IL1可以被省略，并且在这种情况下，第一导电层IS-CL1可以直接位于绝缘层TFE上。

第一导电层IS-CL1和第二导电层IS-CL2中的每个可以具有单层结构或者多个层沿第三方向DR3堆叠在其中的多层结构。多层导电层可以包括选自透明导电层和金属层中的两个或更多个。多层导电层可以包括包含不同金属的金属层。透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、PEDOT、金属纳米线或石墨烯。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或其任何合金。例如，第一导电层IS-CL1和第二导电层IS-CL2中的每个可以具有三层金属结构，诸如钛/铝/钛的堆叠。三层金属结构可以被配置为使得外层包括具有高耐久性和低反射率的金属，并且内层包括具有高导电性的金属。

根据本公开的一些实施例，第一导电层IS-CL1和第二导电层IS-CL2中的每个可以包括多个导电图案。下面将讨论在其中第一导电层IS-CL1包括第一导电图案并且第二导电层IS-CL2包括第二导电图案的示例。第一导电图案可以包括感测电极以及连接至感测电极的信号线，并且这个描述也可以适用于第二导电图案。

第一感测绝缘层IS-IL1至第三感测绝缘层IS-IL3中的每个可以包括无机层或有机层。在一些实施例中，第一感测绝缘层IS-IL1和第二感测绝缘层IS-IL2中的每个可以包括无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一个。第三感测绝缘层IS-IL3可以包括有机层。有机层可以包括选自丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和二萘嵌苯类树脂中的至少一个。

图7图示了示出根据本公开的一些实施例的显示装置的剖视图。

参考图7，显示装置DD可以包括显示模块300和光学感测器400，并且可以进一步包括红外滤光器600以及粘合剂层AM1和AM2。

粘合剂层AM1和AM2包括位于显示模块300和红外滤光器600之间的第一粘合剂层AM1，并且还可以包括位于红外滤光器600和光学感测器400之间的第二粘合剂层AM2。根据本公开的一些实施例，第一粘合剂层AM1和第二粘合剂层AM2可以各自是光学透明的粘合剂构件，并且可以各自包括普通粘合剂或胶。

光学感测器400可以包括基底层410、感测层420、蚀刻停止层430以及光学图案层440。光学感测器400可以检测参考图1讨论的用户的指纹FP。光学感测器400可以检测从用户的指纹FP反射的光，并且可以获得用户的生物信息。照射在用户的指纹FP上的光可以通过图5中所示的显示面板DP的发射层EML发射。通过发射层EML发射的光可以从用户的指纹FP反射，并且然后可以传输至光学感测器400。

例如，基底层410可以包括合成树脂层。合成树脂层可以包括热固性树脂。例如，合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，但是合成树脂层的材料没有具体限制。在一些实施例中，基底层410可以包括两个聚酰亚胺类树脂层以及在聚酰亚胺类树脂层之间的阻挡层。阻挡层可以包括非晶硅和氧化硅。

感测层420可以位于基底层410上。感测层420可以包括多个感测元件和多个绝缘层。感测元件中的每个感测元件可以包括至少一个晶体管和至少一个光电二极管。

蚀刻停止层430可以位于感测层420上并且可以完全覆盖感测元件。根据本公开的一些实施例，蚀刻停止层430可以是保护感测层420的保护层。例如，蚀刻停止层430可以防止感测层420由于在形成光学图案层440的蚀刻工艺中出现的蚀刻气体而损坏。蚀刻停止层430可以包括无机材料，诸如选自氧化硅和氧氮化硅中的至少一个。

光学图案层440可以直接位于蚀刻停止层430上，并且可以过滤入射在感测层420上的光。例如，光学图案层440可以控制能够穿过光学图案层440的光的入射角。入射角可以被限制在等于或小于特定角度的范围。入射角的限制可以提高指纹识别的准确性。光学图案层440、感测层420和蚀刻停止层430可以在连续的工艺中彼此一起形成。

在本公开的一些其他实施例中，当图7的蚀刻停止层430被省略时，光学图案层440可以直接位于感测层420上。在这种情况下，感测层420和光学图案层440可以以连续的工艺形成。

红外滤光器600可以是阻止红外光透射并允许可见光透射的滤光器。从用户的指纹FP反射的光可以是可见光。根据本公开的一些实施例，红外滤光器600可以透射从用户的指纹FP反射的具有第一波长范围的光，但是可以遮挡波长范围不同于第一波长范围的光。结果，感测层420可以提高指纹识别的准确性。红外滤光器600可以通过第一粘合剂层AM1连接至显示模块300，并且可以通过第二粘合剂层AM2连接至光学感测器400。

图8A图示了示出根据本公开的一些实施例的图7的感测层的电路图，图8B图示了示出根据本公开的一些实施例的图7的光学感测器的剖视图，并且图9图示了示出根据本公开的一些实施例的光学图案层的遮光部的平面图。参考图8A和图8B，以下详细描述的是包括在图7中所示的光学感测器400中的感测层420和光学图案层440的结构。

图8A和图8B中图示的光学感测器400包括以上参考图2讨论的检测区域400-A和非检测区域400-N。例如，当在平面图中观看时，检测区域400-A包括多个感测区域AR和围绕多个感测区域AR的非感测区域NAR。感测像素420-PX可以位于感测区域AR中的每个感测区域AR上。为了便于描述，参考图8A和图8B，下面将专注于位于包括在检测区域400-A中的多个感测区域AR中的一个感测区域AR上的感测像素420-PX。

参考图8A，感测像素420-PX包括第三晶体管420-T、感测元件420-PD、感测电容器C_ST、第一感测线SCL、第二感测线DCL、第三感测线VCL以及第四感测线VSL。感测电路SC可以连接至感测像素420-PX的第二感测线DCL，并且响应于从感测像素420-PX输出的感测信号，感测电路SC可以获得用户的生物信息。

第三晶体管420-T包括连接至第一感测线SCL的控制电极、连接至第二感测线DCL的第一开关电极以及连接至感测元件420-PD的第二开关电极。第三晶体管420-T可以响应于从第一感测线SCL输出的扫描信号而操作。

感测电容器C_ST可以被形成在第三感测线VCL和公共节点NA之间。感测电容器C_ST可以具有基于从第三感测线VCL施加的公共电压并且基于公共节点NA的节点电压确定的电容。公共节点NA可以是将感测元件420-PD、第三晶体管420-T和感测电容器C_ST彼此分隔的节点。

当没有光照射发生时，感测元件420-PD充当绝缘体，但是当执行光照射时，感测元件420-PD充当导体，使得感测元件420-PD的电特性被改变以在其相对的两端具有电连接。例如，感测元件420-PD可以是光子感测器。感测元件420-PD的一端连接至第四感测线VSL，并且感测元件420-PD的另一端连接至公共节点NA。感测元件420-PD的一端可以通过第四感测线VSL接收偏置信号，并且感测元件420-PD的另一端可以接收施加至公共节点NA的信号。

当用外部光照射感测元件420-PD时，感测元件420-PD可以响应于外部光而输出光电流。因此，输出至公共节点NA的光电流可以改变感测电容器C_ST的电容。当低信号被施加至第三晶体管420-T的控制电极时，第三晶体管420-T的第一开关电极和第二开关电极可以彼此电连接。结果，感测电路SC可以感测从感测电容器C_ST输出的通过第三晶体管420-T的电流，并且因此可以获得用户的生物信息。

参考图8B，阻挡层421可以位于基底层410上。感测器缓冲层422可以位于阻挡层421上。

阻挡层421减少或防止从外部引入异物的可能性。阻挡层421可以包括选自氧化硅层和氮化硅层中的至少一个。氧化硅层和氮化硅层中的每个可以被提供有多个，并且氧化硅层和氮化硅层可以被彼此交替地堆叠。

感测器缓冲层422增加基底层410与选自半导体图案和导电图案中的至少一个之间的结合力。感测器缓冲层422可以包括选自氧化硅层和氮化硅层中的至少一个。氧化硅层和氮化硅层可以被交替地堆叠。

第三晶体管420-T可以位于感测器缓冲层422上。第三晶体管420-T可以包括第三有源区420-A、第三源区420-S、第三漏区420-D以及第三栅420-G。第三有源区420-A、第三源区420-S和第三漏区420-D可以位于感测器缓冲层422上。

第一绝缘层423位于感测器缓冲层422上，并且覆盖第三有源区420-A、第三源区420-S和第三漏区420-D。第一绝缘层423可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。在一些实施例中，第一绝缘层423可以是单层的氧化硅层。

第三栅420-G和布线层420-L可以位于第一绝缘层423上。布线层420-L可以接收特定电压，例如，偏置电压。布线层420-L可以电连接至感测元件420-PD，并且可以与图8A中所示的第四感测线VSL对应。

第二绝缘层424位于第一绝缘层423上，并且覆盖第三栅420-G和布线层420-L。第二绝缘层424可以是无机层并且可以具有单层或多层结构。在一些实施例中，第二绝缘层424可以是单层的氧化硅层。

感测元件420-PD可以位于第二绝缘层424上。感测元件420-PD可以电连接至第三晶体管420-T和布线层420-L。例如，感测元件420-PD可以由从第三晶体管420-T提供的信号可操作地控制，并且可以从布线层420-L接收特定电压。

感测元件420-PD可以包括第一感测电极420-E1、感测部分420-SA以及第二感测电极420-E2。

第一感测电极420-E1可以穿过第一绝缘层423和第二绝缘层424，并且可以具有与第三晶体管420-T的第三漏区420-D的电连接。第一感测电极420-E1可以包括不透明的导电材料。例如，第一感测电极420-E1可以包括钼(Mo)。

感测部分420-SA可以位于第一感测电极420-E1上。感测部分420-SA可以包括非晶硅。

第二感测电极420-E2可以位于感测部分420-SA上。第二感测电极420-E2可以包括透明导电材料。例如，第二感测电极420-E2可以包括氧化铟锡(ITO)。

第三绝缘层425可以位于第二感测电极420-E2上。第三绝缘层425可以是无机层并且可以具有单层或多层结构。例如，第三绝缘层425可以包括氧化硅层和氮化硅层。

连接电极420-C可以位于第三绝缘层425上。连接电极420-C可以穿过第三绝缘层425，并且可以具有与第二感测电极420-E2的电连接。另外，连接电极420-C可以穿过第二绝缘层424和第三绝缘层425，并且可以具有与布线层420-L的电连接。

蚀刻停止层430可以位于第三绝缘层425上并且可以被提供为无机层。例如，蚀刻停止层430可以与第三绝缘层425完全重叠。结果，蚀刻停止层430可以防止感测层420由于在形成光学图案层440的蚀刻工艺中出现的蚀刻气体而损坏。

虽然讨论了蚀刻停止层430与第三绝缘层425完全重叠，但是本公开不必限于此。例如，蚀刻停止层430可以被形成为与感测区域AR完全重叠，这将在以下讨论，并且与非感测区域NAR部分地重叠，这将在以下讨论。

此外，如图8B中所示，蚀刻停止层430可以被形成为具有小于作为无机层提供的第三绝缘层425在第三方向DR3上的厚度的在第三方向DR3上的厚度。而且，蚀刻停止层430可以被形成为具有小于作为有机层提供的光学图案层440在第三方向DR3上的厚度的在第三方向DR3上的厚度。

光学图案层440可以直接位于蚀刻停止层430上。根据本公开的一些实施例，光学图案层440、感测层420和蚀刻停止层430可以在连续的工艺中彼此一起形成。如以上讨论的，由于光学图案层440被直接形成在蚀刻停止层430上而其间没有单独的粘合剂层，所以显示装置DD的整体厚度可以降低。

根据本公开的一些实施例，光学图案层440可以是有机层，并且可以包括多个透射部TNP和遮光部BMP。透射部TNP可以具有光学透明度，并且可以包括第一有机材料，该第一有机材料允许从图1的用户的指纹FP反射的光LGT的透射。从用户的指纹FP反射的光LGT可以穿过透射部TNP，并且然后可以入射在感测元件420-PD上。

进一步，在一些实施例中，与感测区域AR重叠的透射部TNP可以与图5中所示的遮光区域NPXA重叠。例如，已经穿过遮光区域NPXA的光可以入射在透射部TNP上。

遮光部BMP可以具有吸收光的特性，并且可以包括第二有机材料，以吸收从用户的指纹FP反射的光LGT。遮光部BMP可以与非感测区域NAR完全重叠，并且可以与感测区域AR部分重叠。

根据图9中所示的，遮光部BMP可以具有在遮光部BMP中限定的多个第二开口MOP，并且透射部TNP可以位于对应的第二开口MOP中。例如，根据本公开的遮光部BMP可以不与透射部TNP重叠。第二开口MOP可以以规则的间隔在第一方向DR1上布置，并且可以以规则的间隔在第二方向DR2上布置。例如，第二开口MOP可以各自被成形为像穿过光学图案层440的顶表面和底表面的通孔一样的形状。因此，位于第二开口MOP中的透射部TNP可以具有它们的向外部暴露的顶表面和底表面。

另外，当在如图9中所示的平面图中观看时，根据本公开的遮光部BMP可以围绕透射部TNP，并且可以具有大于透射部TNP的平面面积的平面面积。

返回参考图8B，透射部TNP可以与感测区域AR完全重叠。透射部TNP可以各自在第三方向DR3上都具有第一高度H1，并且可以以规则的间隔布置在蚀刻停止层430上。例如，透射部TNP可以位于图9中所示的第二开口MOP中。与感测区域AR重叠的遮光部BMP可以具有与透射部TNP中的每个透射部TNP的第一高度H1对应的高度。

通常，当从用户的指纹FP反射的光LGT具有大于特定角度的入射角IA时，感测元件420-PD不仅可以接收从指纹FP的与感测元件420-PD对应的谷部反射的光，而且还可以接收从与该谷部邻近的另一谷部反射的光。这可能降低指纹识别的准确性。

根据本公开的一些实施例，光学图案层440可以对能够通过光学图案层440的光LGT的入射角IA施加限制。例如，光LGT可以通过光学图案层440的透射部TNP入射在感测元件420-PD上，但是光LGT可以替代地被遮光部BMP吸收。因此，光学图案层440可以迫使感测元件420-PD接收以等于或小于入射角IA的角度入射的光。因此，指纹识别可以在准确性或灵敏度上被提高。

最大入射角IA可以考虑指纹FP的半节距以及光学图案层440和显示装置(例如，参见图1的显示装置DD)的最外表面之间的间隔距离来确定。例如，指纹FP的节距可以被限定为彼此邻近的两个谷部之间的距离，或者彼此邻近的两个脊部之间的距离。用户的指纹FP的节距通常可以在大约400微米至大约600微米的范围内。间隔距离可以是光学图案层440的顶表面与窗口(例如，参见图2的窗口100)的顶表面之间的间隙。这样，角度可以考虑指纹FP的节距和间隔距离按照设计条件来确定。例如，入射角IA可以通过透射部TNP中的每个的宽度WT和与感测区域AR重叠的遮光部BMP的第一高度H1之间的比率来控制。

在本公开的一些实施例中，遮光部BMP与感测元件420-PD之间的距离(例如，最小距离)DT1可以在大约1微米和大约5微米之间的范围内。最小距离DT1可以是在与感测区域AR重叠的遮光部BMP的最下表面与位于感测元件420-PD的顶部处的部件的最上表面之间的间隙。例如，最小距离DT1可以指示遮光部BMP与感测元件420-PD的第二感测电极420-E2之间的距离。最小距离DT1的下限不限于以上提到的示例。

当最小距离DT1大于大约5微米时，在已经穿过光学图案层440的光之间可能发生干涉，这可能导致指纹识别的灵敏度减小。例如，最小距离DT1可以被确定为具有在大约2.5微米与大约2.8微米之间的范围。然而，最小距离DT1并不限于以上描述的值。

根据以上描述，包括透射部TNP和遮光部BMP的光学图案层440不仅可以用作光学感测器400顶部处的有机层，而且还可以控制从指纹FP反射的光LGT的路径。也就是说，由于光学图案层440直接位于作为无机层提供的蚀刻停止层430上，所以光学图案层440与第二感测电极420-E2之间的距离可以减小。总之，可以防止或减少已经穿过光学图案层440的光之间的干涉，并且因此可以提高指纹识别的准确性。

图10图示了示出根据本公开的一些实施例的图7的光学感测器的剖视图。

图10中所示的光学图案层440可以具有与图8B中所示的光学图案层440基本上相同的结构，除了包括与感测区域AR重叠的透射部TNPa和与非感测区域NAR重叠的透射部TNPb之外(例如，透射部TNPb可以被包括在辅助透射部中，或者被称为辅助透射部)。

参考图10，透射部TNPa和TNPb包括与感测区域AR重叠的第一透射部TNPa以及与非感测区域NAR重叠的第二透射部TNPb。像图8B中所示的遮光部BMP一样，当在平面图中观看时，遮光部BMPa可以围绕第一透射部TNPa和第二透射部TNPb。

第二透射部TNPb可以被暴露于光学图案层440的顶表面和底表面中的每个。

根据本公开的一些实施例，与非感测区域NAR重叠的第二透射部TNPb中的每个可以具有第二高度H2，该第二高度H2大于与感测区域AR重叠的第一透射部TNPa的第一高度H1。例如，由于第二绝缘层424和第三绝缘层425中的每个被提供为无机层，因此第一透射部TNPa中的每个可以被形成为具有与第二透射部TNPb的高度不同的高度。

图11A至图11G图示了示出根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的剖视图。图11A示出形成光学感测器400的蚀刻停止层430的方法，图11B示出形成光学感测器400的连接电极420-C的方法，并且图11C至图11G示出形成光学感测器400的光学图案层440的方法。

参考图11A，可以提供基底层410以及形成在基底层410上的感测层420。例如，可以不直接形成光学图案层440，而是可以在感测层420的顶部处的第三绝缘层425上形成蚀刻停止层430。根据本公开的蚀刻停止层430可以包括无机材料，并且可以减小或防止由于在形成光学图案层440的蚀刻工艺中出现的蚀刻气体对感测层420造成损坏的可能性。

参考图11B，连接电极420-C可以被形成在蚀刻停止层430上。例如，连接电极420-C可以通过穿过蚀刻停止层430、第三绝缘层425和第二绝缘层424的第一通孔CHa连接至布线层420-L。另外，连接电极420-C可以通过穿过蚀刻停止层430和第三绝缘层425的第二通孔CHb连接至第二感测电极420-E2。

参考图11C，透射有机层TNP-M可以被形成在蚀刻停止层430上。透射有机层TNP-M可以包括允许透射从用户的指纹(参见图1的指纹FP)反射的光的有机材料。之后，与感测元件420-PD重叠的掩模图案MK可以被形成在透射有机层TNP-M上。例如，掩模图案MK可以以规则的间隔布置在透射有机层TNP-M上。掩模图案MK可以被形成为具有与图9中所示的多个第二开口MOP的形状对应的形状。

此后，蚀刻气体可以被用于干法蚀刻透射有机层TNP-M。在这种情况下，蚀刻气体可以蚀刻透射有机层TNP-M的不与掩模图案MK重叠的区，并且因此多个透射部TNP可以被形成，如图11D中所示的。

根据本公开的一些实施例，在透射有机层TNP-M用蚀刻气体蚀刻时，蚀刻停止层430可以保护感测层420的感测元件420-PD和第三晶体管420-T的元件免受蚀刻气体的影响。

图11D的透射部TNP被图示为被设置为限制在与感测元件420-PD重叠的区上，但是本公开不必限于此。例如，根据一些其他实施例，一个或多个透射部可以被形成在蚀刻停止层430的不与感测元件420-PD重叠的部分上。

参考图11E，遮光有机层BMP-M可以被形成在蚀刻停止层430上，同时完全覆盖透射部TNP。在这种情况下，遮光有机层BMP-M防止透射部TNP从外部可见。

之后，遮光有机层BMP-M的顶表面可以被图案化以向外部暴露透射部TNP。例如，化学机械抛光工艺可以被执行，直到透射部TNP在遮光有机层BMP-M的顶表面处被暴露。又例如，化学机械抛光工艺可以被执行，直到掩模图案MK通过遮光有机层BMP-M的顶表面暴露出来。

因此，如图11F中所示，遮光部BMP可以向外部暴露掩模图案MK。当化学机械抛光工艺去除或抛光掩模图案MK时，透射部TNP的顶表面可以被向外部暴露。

根据以上描述，光学图案层440可以被形成为包括透射部TNP以及当在平面图中观看时围绕透射部TNP的遮光部BMP。从用户的指纹(例如，参见图1的指纹FP)反射的光可以通过透射部TNP透射至感测元件420-PD。

参考图11G，抗静电层SHD可以被形成在遮光部BMP上以与非感测区域NAR重叠。抗静电层SHD可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的一个。在其他实施例中，抗静电层SHD可以具有与接地端子的电连接，从而接收接地电压。

参考图2，光学感测器400和显示模块300可以通过粘合剂层彼此贴附。遮光部BMP上的抗静电层SHD可以减小或防止感测层420接收从显示模块300发生的静电的可能性。例如，当脱模层从显示模块300分离时，静电可能从显示模块300发生。

例如，当在平面图中观看时，抗静电层SHD可以围绕图2的检测区域400-A，并且可以与图2的非检测区域400-N重叠。对于另一示例，抗静电层SHD可以与非检测区域400-N重叠，并且还可以与检测区域400-A的一部分重叠。在这种情况下，抗静电层SHD可以与检测区域400-A的非感测区域NAR重叠。

根据本公开的一些实施例，光学图案层可以包括透射部和围绕透射部的遮光部，并且光学图案层不仅可以用作光学感测器的顶部处的有机层，而且还可以控制从指纹反射的光的路径。

例如，由于光学图案层直接位于蚀刻停止层上，因此可以在光学图案层与感测元件的第二感测电极之间提供减小的距离。因此，可以防止或减少已经穿过光学图案层的光的干涉，并且因此可以提高指纹识别的准确性。

在说明书和附图中已经描述了一些实施例。虽然在本文中使用了特定的术语，但是它们仅用于描述本公开的目的，而不是限制权利要求中公开的本公开的技术含义或范围。因此，本领域普通技术人员将理解，可以根据本公开做出各种修改和等同实施例。总之，要保护的本公开的真实技术范围应由所附权利要求的技术构思来确定，而所附权利要求的技术构思的功能等同物应被包括在其中。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：

显示模块；以及

感测器层，在所述显示模块下方，用于检测从所述显示模块反射的光，并且包括：

基底层；

感测层，在所述基底层上，并且包括检测所述光的感测元件；以及

光学图案层，在所述感测层和所述显示模块之间，并且包括限定多个开口的遮光部以及分别位于所述多个开口中的多个透射部，所述多个开口在平面图中间隔布置。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中在所述平面图中，所述遮光部围绕所述透射部，并且不与所述透射部重叠。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述多个透射部中的每个透射部包括允许所述光穿过的第一有机材料，并且

其中，所述遮光部包括吸收所述光的第二有机材料。

4.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：

蚀刻停止层，在所述感测元件和所述光学图案层之间。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述感测元件包括：

第一感测电极，在所述基底层上；

第二感测电极，在所述第一感测电极和所述蚀刻停止层之间；以及

感测部分，在所述第一感测电极和所述第二感测电极之间。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述感测器层进一步包括：

绝缘层，在所述基底层和所述蚀刻停止层之间，并且覆盖所述感测元件，并且

其中所述蚀刻停止层直接位于所述绝缘层上。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述蚀刻停止层的厚度小于所述绝缘层和所述光学图案层中的每个的厚度。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述显示模块包括有源区域以及与所述有源区域邻近的外围区域，并且

其中，所述感测器层包括与所述有源区域重叠的检测区域。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述检测区域包括与所述感测元件重叠的感测区域以及围绕所述感测区域的非感测区域，并且

其中所述多个透射部中的每个透射部与所述感测区域重叠。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述遮光部与所述非感测区域重叠；并且

其中所述光学图案层进一步包括与所述非感测区域重叠的辅助透射部。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中在所述感测器层的厚度方向上，所述多个透射部中的每个透射部的高度小于所述辅助透射部的高度。

12.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述感测器层进一步包括位于所述遮光部上的抗静电层，所述抗静电层与所述非感测区域重叠。

13.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：

红外滤光器，在所述显示模块和所述感测器层之间。

14.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述显示模块包括：

基底基板，具有像素区域以及与所述像素区域邻近的遮光区域；以及

显示元件层，在所述基底基板上，并且包括与所述像素区域重叠的发射层，并且

其中，所述透射部与所述遮光区域重叠。

15.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述光学图案层进一步包括在所述透射部上的掩模图案，并且

其中，所述掩模图案不与所述遮光部重叠。

16.一种显示装置，包括：

显示模块；以及

光学感测器，在所述显示模块下方，用于检测从所述显示模块反射的光，并且包括：

基底层；

感测层，在所述基底层上，并且包括检测所述光的感测元件；

光学图案层，在所述感测层和所述显示模块之间，并且包括在平面图中间隔布置有多个开口的遮光部以及分别位于所述多个开口中并在所述平面图中被所述遮光部围绕的多个透射部；以及

蚀刻停止层，在所述感测层和所述光学图案层之间。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中所述遮光部的平面面积大于所述透射部的平面面积。

18.根据权利要求16所述的显示装置，其中所述感测层和所述遮光部之间的距离等于或小于5微米。

19.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

形成光学感测器；并且

通过粘合剂构件将所述光学感测器贴附至显示模块，其中形成所述光学感测器包括：

制备基底层；

在所述基底层上形成检测从所述显示模块反射的光的感测元件；

在所述基底层上形成包括无机材料并覆盖所述感测元件的绝缘层；

在所述绝缘层上形成与所述感测元件重叠的蚀刻停止层；

直接在所述蚀刻停止层上形成包括第一有机材料的透射部；并且

直接在所述蚀刻停止层上形成包括第二有机材料并且不与所述透射部重叠的遮光部。

20.根据权利要求19所述的方法，其中在平面图中，所述遮光部围绕所述透射部；并且

其中所述透射部的顶表面被所述遮光部暴露。

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