CN113410405A - 一种有机电致发光器件和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机电致发光器件和显示装置，有机电致发光器件包括阳极功能层、第一电子阻挡层、第二电子阻挡层、发光层以及阴极功能层，阳极功能层的表面包括邻接的第一区域和第二区域，第一电子阻挡层设置于第一区域，第二电子阻挡层设置于第二区域和第一阻挡层远离阳极功能层的表面，发光层设置于第二阻挡层远离阳极功能层的表面；第一电子阻挡层包括并列设置的红光电子阻挡层和绿光电子阻挡层，第二电子阻挡层为蓝光电子阻挡层；红光电子阻挡层中的红光电子阻挡材料的HOMO能级和绿光电子阻挡层中的绿光电子阻挡材料的HOMO能级均浅于蓝光电子阻挡层中的蓝光电子阻挡材料的HOMO能级。本发明的有机电致发光器件具有较低的驱动电压。

Description

一种有机电致发光器件和显示装置
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件和显示装置，属于有机电致发光技术领域。
背景技术
有机电致发光器件是一种通过电流驱动而达到发光目的的器件。具体地，有机电致发光器件包括阴极、阳极以及位于阴极和阳极之间的发光层等功能层。当施加电压后，来自于阴极的电子和来自于阳极的空穴会分别向发光层迁移并结合产生激子，进而根据发光层的特性发出不同波长的光。
近年来，热活化延迟荧光(Thermally Activated Delayed Fluorescence，TADF)材料被广泛应用于有机电致发光器件的发光材料中。TADF材料可以同时利用生成概率25％的单重态激子和75％的三重态激子从而获得高的发光效率。具体地，由于TADF分子的单线态(S1)与三线态(T1)的能级差(ΔEST)较小，三线态激子可以通过反向系间窜越(ReverseIntersystem Crossing，RISC)回到单线态，形成单线态激子继而辐射发光，从而提高了激子的辐射发光效率。
但是在现阶段的热活化延迟荧光器件中，由于TADF材料的HOMO能级较深，往往造成有机电致发光器件的驱动电压较高的情况。
发明内容
本发明提供一种有机电致发光器件，通过对内部结构，尤其是电子阻挡层的结构进行改进，能够有效降低有机电致发光器件的驱动电压，使有机电致发光器件的使用寿命得到一定程度的延长，以降低有机电致发光器件的功耗。
本发明提供一种有机电致发光器件，括阳极功能层、第一电子阻挡层、第二电子阻挡层、发光层以及阴极功能层，所述阳极功能层的表面包括邻接的第一区域和第二区域，所述第一电子阻挡层设置于所述第一区域，所述第二电子阻挡层设置于所述第二区域和所述第一阻挡层远离所述阳极功能层的表面，所述发光层设置于所述第二阻挡层远离所述阳极功能层的表面，所述阴极功能层设置于所述发光层远离所述阳极功能层的表面；
所述阳极功能层至少包括阳极层，所述阴极功能层至少包括阴极层；
所述第一电子阻挡层包括并列设置的红光电子阻挡层和绿光电子阻挡层，所述第二电子阻挡层为蓝光电子阻挡层；
所述发光层包括并列设置的红光发光单元、绿光发光单元和蓝光发光单元，所述红光发光单元和/或所述绿光发光单元包括主体材料、TADF敏化剂和窄光谱含硼染料；
所述红光电子阻挡层与所述红光发光单元对应层叠设置，所述绿光电子阻挡层与所述绿光发光单元对应层叠设置；
所述红光电子阻挡层中的红光电子阻挡材料的HOMOR、所述绿光电子阻挡层中的绿光电子阻挡材料的HOMOG和所述蓝光电子阻挡层中的蓝光电子阻挡材料的HOMOB满足以下要求：
HOMOB＜HOMOR，HOMOB＜HOMOG，HOMOG≤HOMOR。
可选地，HOMOR、HOMOG与HOMOB满足以下要求：
0＜HOMOR-HOMOB≤0.4eV，和/或，0＜HOMOG-HOMOB≤0.4eV。
可选地，所述红光发光单元中主体材料的HOMORH、所述绿光发光单元中主体材料的HOMOGH与所述HOMOB满足以下要求：
HOMOB-HOMORH≤0.4eV，和/或，HOMOB-HOMOGH≤0.4eV。
可选地，所述蓝光电子阻挡层的厚度小于或等于20nm。
可选地，所述红光电子阻挡层的厚度大于或等于20nm，和/或，所述绿光电子阻挡层的厚度大于或等于20nm。
可选地，所述红光发光单元和/或所述绿光发光单元的厚度小于或等于50nm；和/或，
所述蓝光发光单元的厚度小于或等于30nm。
可选地，所述蓝光发光单元包括TTA主体材料和染料。
可选地，所述窄光谱含硼染料在甲苯溶液下的半峰宽小于80nm。
可选地，所述窄光谱含硼染料选自T1-T24之一的化合物及其衍生物。
本发明还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述任一项所述的有机电致发光器件。
本发明的有机电致发光器件，对阳极和发光层之间的电子阻挡层的结构进行了限定，对红光电子阻挡层、绿光电子阻挡层和蓝光电子阻挡层进行了分层设置，使蓝光电子阻挡层相较于红光电子阻挡层和绿光电子阻挡层更接近发光层，在空穴从阳极向发光层传输的路径上引入了能级台阶，从而能够保证更多的空穴被注入至发光层中，有效的降低了有机电致发光器件由于包括TADF材料导致的驱动电压过高的问题，减少有机电致发光器件能耗的同时，有利于有机电致发光器件寿命的延长。
附图说明
图1为本发明的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明第一方面提供一种有机电致发光器件。图1为本发明的有机电致发光器件的结构示意图，如图1所示，该有机电致发光器件包括在基板上依次沉积的阳极功能层0、第一电子阻挡层、第二电子阻挡层2和发光层以及阴极功能层4，其中，阳极功能层0至少包括阳极层01，阴极功能层4至少包括阴极层41。
具体地，基板、阳极层01以及阴极层41可以采用本领域常用的材料。例如，基板可以采用具有机械强度、热稳定性、防水性、透明度优异的玻璃或聚合物材料；阳极层01的材料可以采用铟锡氧(ITO)、铟锌氧(IZO)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(znO)等氧化物透明导电材料和它们的任意组合；阴极层41的材料可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等金属或合金以及它们之间的任意组合。
现阶段，大多数TADF材料作为敏化剂存在一定缺陷，例如，由于TADF材料的HOMO能级较深，会导致来自于阳极的空穴很难完成向发光层的注入，从而导致有机电致发光器件的驱动电压过高，进而缩短了有机电致发光器件的使用寿命。
有鉴于此，本发明通过对位于阳极功能层0和阴极功能层4之间的功能层进行限定以降低有机电致发光器件的驱动电压。
以下，对本发明的位于阳极功能层0和阴极功能层4之间的第一电子阻挡层、第二电子阻挡层2以及发光层进行详细介绍。
第一电子阻挡层包括并列设置的红光电子阻挡层11和绿光电子阻挡层12，第一电子阻挡层设置于阳极功能层0远离基板的表面，第一阻挡层远离阳极功能层0的表面包括邻接的第一区域和第二区域，其中，第一区域用于设置第一电子阻挡层，第二区域和第一电子阻挡层的远离阳极功能层0的表面用于设置第二电子阻挡层2，本发明的第二电子阻挡层2为蓝光电子阻挡层。依次地，发光层设置在第二电子阻挡层2远离阳极功能层0的表面，阴极功能层4设置在发光层远离阳极功能层0的表面。本发明对各个功能层的设置面积不做具体限定，作为一种优选的实施方式，第(N+1)层的功能层在阳极功能层0所在平面的正投影覆盖第N层的功能层在阳极功能层0所在平面的正投影，其中，第N层相对于第(N+1)层更加靠近阳极功能层0。例如，发光层在阳极功能层0所在平面的正投影覆盖第二阻挡层2在阳极功能层0所在平面的正投影。此处的覆盖是指，两个正投影的面积相等且二个正投影的边缘完全重合，或者第N层的正投影位于第(N+1)层的正投影内部。其中，红光电子阻挡层11中的红光电子阻挡材料的HOMOR大于蓝光电子阻挡层中的蓝光电子阻挡材料的HOMOB，绿光电子阻挡层12中的绿光电子阻挡材料的HOMOG大于蓝光电子阻挡层中的蓝光电子阻挡材料的HOMOB，红光电子阻挡层11中的红光电子阻挡材料的HOMOR大于或等于绿光电子阻挡层12中的绿光电子阻挡材料的HOMOG。即，HOMOB比HOMOR和HOMOG深，HOMOG与HOMOR相等，或者深于HOMOR。
此外，如图1所示，本发明的发光层包括并列设置的红光发光单元31、绿光发光单元32和蓝光发光单元33。其中，在层叠方向上，红光发光单元31与红光电子阻挡层11相对应，绿光发光单元32与绿光电子阻挡层12相对应。能够理解，此处的对应是指红光发光单元31(绿光发光单元32)在红光电子阻挡层11所在平面(绿光电子阻挡层12所在平面)的正投影覆盖红光电子阻挡层11(绿光电子阻挡层12)。
当然，本发明的红光发光单元31、绿光发光单元32和蓝光发光单元33的并列方式并不仅仅如图1所示，红光发光单元31、绿光发光单元32和蓝光发光单元33三者可以以任意的顺序并列设置。对应的，红光电子阻挡层11和绿光电子阻挡层12依照红光发光单元31和绿光发光单元32的顺序进行顺序调整。
具体地，红光发光单元31和绿光发光单元32中的至少一个包括主体材料、TADF敏化剂和窄光谱含硼染料。
根据本发明提供方案，具有上述结构的有机电致发光器件的驱动电压相较于现阶段含有TADF敏化剂的有机电致发光器件的驱动电压降低显著。具体原因在于：本发明的有机电致发光器件在层叠方向上(即阳极功能层0指向阴极功能层4的方向)，包括阳极功能层0、第一电子阻挡层、第二电子阻挡层2(蓝光电子阻挡层)、发光层和阴极功能层4，即在第一电子阻挡层至发光层的空穴传输途径中，具有用于传递空穴的能级台阶，该能级台阶保证了空穴能够从第一电子阻挡层顺利的进入发光层中，进而有效降低了有机电致发光器件的驱动电压。
具体地，对于红光发光单元31，当阳极功能层0输出空穴后，空穴会进入第一电子阻挡层中的红光电子阻挡层11，由于在红光电子阻挡层11和红光发光单元31中增设了蓝光电子阻挡层并且HOMOB小于HOMOR，因此红光电子阻挡层11中的空穴会被顺利传递至蓝光电子阻挡层。而相对于具有较浅HOMOR的红光电子阻挡层11，具有更深HOMO能级的蓝光电子阻挡层与红光发光单元31中的深HOMO能级TADF敏化剂的也更为匹配，所以空穴进一步会在蓝光电子阻挡层的助力下顺利进入红光发光单元31，进而完成与来自于阴极功能层4的电子的复合。
同样的，对于绿色发光单元32，当阳极功能层0输出空穴后，进入绿光电子阻挡层12中的空穴也会基于与上述相同的原因，依次经过绿光电子阻挡层12、蓝光电子阻挡层而进入绿光发光单元32中完成与电子的复合。
而对于蓝色发光单元33，当阳极功能层0输出空穴后，阳极功能层0输出的空穴会则会经蓝光电子阻挡层进入蓝光发光单元33中与电子复合。
本发明的有机电致发光器件，通过对电子阻挡层的分布进行限定，能够在不额外增加其他材料的基础上实现空穴向发光层的高效传输，不仅缩短了制程，更显著降低了含有TADF敏化剂的有机电致发光器件的驱动电压，从而有利于降低能耗，延长有机电致发光器件的使用寿命。此处需要强调的是，本发明所指的降低有机电致发光器件的驱动电压，是指分别降低有机电致发光器件中的红光发光单元31和绿光发光单元32的驱动电压。
值得一提的是，相对于现有技术通过在阳极功能层0和红光发光单元31(绿光发光单元32)之间设置多层红光电子阻挡层(绿光电子阻挡层)而言，本发明仅通过蒸镀一层蓝光电子阻挡层即可进行发光层的蒸镀，缩短了蒸镀第二电子阻挡层2和蒸镀发光层二者之间的等待周期，降低了外界环境对蒸镀过程的干扰，提高了有机电致发光器件的纯净度，因此该方案也有利于提升有机电致发光器件的寿命，尤其是蓝光发光单元33的寿命。
如前所述，本发明中的红光发光单元31和绿光发光单元32中至少一个的组成包括主体材料、TADF敏化剂以及窄光谱含硼染料，而对于蓝光发光单元33的组成，在本发明中，蓝光发光单元33的组成包括TTA材料和染料。
发明人发现，当0＜HOMOR-HOMOB≤0.4eV，和/或，0＜HOMOG-HOMOB≤0.4eV时，有助于实现空穴向红光发光单元和/或绿光发光单元更有效的注入。
进一步地，当空穴经红光电子阻挡层11进入蓝光电子阻挡层后，为了更为有效的发挥蓝光电子阻挡层的能级台阶的作用，通过匹配蓝光电子阻挡层的蓝光电子阻挡材料和红光发光单元31中的主体材料，可以进一步提升空穴经蓝光电子阻挡层进入红光发光单元31的注入效率。具体地，HOMOB-HOMORH≤0.4eV，其中，HOMORH为红光发光单元31中的主体材料的HOMO能级。
同样地，HOMOGH-HOMOB≤0.4eV，也有助于进一步提升空穴经蓝光电子阻挡层进入绿光发光单元32的注入效率。其中，HOMOGH为绿光发光单元32中的主体材料的HOMO能级。
在一种实施方式中，为了避免蓝光电子阻挡层的厚度过大而导致红光发光单元31和绿光发光单元32驱动电压升高，需要控制蓝光电子阻挡层的厚度小于或等于20nm。
进一步地，为了实现红光和/或绿光光程的调节，所红光电子阻挡层11的厚度大于或等于20nm，和/或，绿光电子阻挡层12的厚度大于或等于20nm。
本发明的有机电致发光器件中，组成发光层的红光发光单元31、绿光发光单元32以及蓝光发光单元33的厚度并不完全一致。其中，由于蓝光器件电子和空穴复合区域靠近第二电子阻挡层2和发光层的界面处，因此蓝光发光单元33的厚度小于或等于30nm；由于红光和/或绿光器件内电子和空穴复合区域较宽，因此红光发光单元31和/或所述绿光发光单元32的厚度小于或等于50nm。
本发明对于红光电子阻挡层11中的红光电子阻挡材料、绿光电子阻挡层12中的绿光电子阻挡材料以及蓝光电子阻挡层中的蓝光电子阻挡层材料并无特殊限制，只要各个材料之间满足上述能级要求即可，例如可以选自、但不限于酞菁衍生物如CuPc、导电聚合物或含导电掺杂剂的聚合物如聚苯撑乙烯、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3，4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(Pani/PSS)、芳香胺衍生物。
其中，芳香胺衍生物选自如下面HT-1至HT-37所示的化合物。
Figure BDA0003141029010000041
Figure BDA0003141029010000051
此外，红光发光单元31和/或绿光发光单元32中的主体材料可以选用传统主体材料，并且通过控制搭配使主体材料的第一激发单重态能级不低于TADF敏化剂第一激发单重态能级，主体材料的第一激发三重态能级不低于TADF敏化剂的第一激发三重态能级即可。
例如，主体材料包括但不限于选自具有以下结构之一的化合物及其衍生物：
Figure BDA0003141029010000052
Figure BDA0003141029010000061
Figure BDA0003141029010000071
Figure BDA0003141029010000081
Figure BDA0003141029010000091
红光发光单元31和/或绿光发光单元32中的TADF敏化剂为ΔEst≤≤0.30eV的材料，包括但不限于如下TADF材料。
例如，TADF敏化剂包括但不限于的选自具有以下结构之一的化合物及其衍生物：
Figure BDA0003141029010000092
Figure BDA0003141029010000101
Figure BDA0003141029010000111
Figure BDA0003141029010000121
Figure BDA0003141029010000131
在红光发光单元31和/或绿光发光单元32中，除了包括主体材料和TADF敏化剂外，还包括窄光谱含硼染料。当选用窄光谱含硼染料时，对器件光谱的窄化和色纯度的提升具有更为积极的影响。本发明所指的窄光谱含硼材料是指含有硼原子且在甲苯溶液下半峰宽小于80nm的染料。包括但不限于选自具有以下结构之一的化合物及其衍生物：
Figure BDA0003141029010000132
Figure BDA0003141029010000141
Figure BDA0003141029010000151
在一种实施方式中，红光发光单元和/或绿光发光单元按照质量百分含量包括：主体材料50-90％，TADF敏化剂9-49％，余量为染料。
进一步地，本发明的有机电致发光器件的阳极功能层0还包括空穴传输区02。空穴传输区02位于阳极层01和发光层之间，具体地，位于阳极层01和第一电子阻挡层之间。空穴传输区02可以为单层结构的空穴传输层(HTL)，包括只含有一种化合物的单层空穴传输层和含有多种化合物的单层空穴传输层。空穴传输区5也可以为包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)的两层结构。
空穴传输区02的材料(包括HIL、HTL)可以在前述红光电子阻挡材料、绿光电子阻挡材料以及蓝光电子阻挡层材料所示的化合物中进行选择。
空穴注入层位于阳极层01和空穴传输层之间。空穴注入层可以是单一化合物材料，也可以是多种化合物的组合。例如，空穴注入层可以采用上述HT-1至HT-34的一种或多种化合物，或者采用下述HI1-HI3中的一种或多种化合物；也可以采用HT-1至HT-34的一种或多种化合物掺杂下述H11-HI3中的一种或多种化合物。空穴注入层的厚度一般为5-30nm，空穴传输层的厚度一般为5-50nm。
Figure BDA0003141029010000152
本发明的有机电致发光器件的阴极功能层4还包括电子传输区42。电子传输区42可以为单层结构的电子传输层(ETL)，包括只含有一种化合物的单层电子传输层和含有多种化合物的单层电子传输层。电子传输区42也可以为包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)中的至少两层的多层结构。具体地，电子传输区42位于发光层和阴极层4之间。
电子传输层材料可以选自、但不限于以下所罗列的ET-1至ET-57以及PH-1至PH-46中的一种或多种的组合。电子传输层的厚度一般为5-50nm。
Figure BDA0003141029010000153
Figure BDA0003141029010000161
Figure BDA0003141029010000171
Figure BDA0003141029010000181
Figure BDA0003141029010000191
发光器件的结构中还可以包括位于电子传输层与阴极层4之间的电子注入层，电子注入层材料包括但不限于以下罗列的一种或多种的组合。电子注入层的厚度一般为0.5-5nm。
LiQ，LiF，NaCl，CsF，Li2O，Cs2CO3，BaO，Na，Li，Ca。
进一步地，本发明在阴极功能层4远离阳极功能层0的表面上还设置有光取出层，从而有利于实现顶发光的发光模式。光取出层的材料与本领域现有的光取出层的材料相同，本发明不做特殊限定。
本发明还提供该有机电致发光器件的制备方法，包括在基板上依次沉积阳极功能层、第一电子阻挡层、第二电子阻挡层、发光层、阴极功能层，然后封装。其中，各个功能层的沉积方式与本领域现有的方式相同。
本发明实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上述提供的有机电致发光器件。该显示装置具体可以为OLED显示器等显示器件，以及包括该显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。该显示装置与上述有机电致发光器件相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。
以下，通过具体实施例对本发明的有机电致发光器件进行详细的介绍。
实施例1-17
实施例1-17分别提供一种有机电致发光器件，其器件结构如图1所示，包括ITO阳极、空穴注入层(HI-3，5nm)、空穴传输层(HT-2，30nm)、第一电子阻挡层、第二电子阻挡层、发光层、电子传输层(ET-34∶ET-57，1∶1，30nm)、电子注入层(LiF，1nm)和阴极(A1，1500nm)。
其中，每个有机电致发光器件的第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和发光层组成不同，具体组成和厚度见表1。
对比例1-2
对比例1-2提供一种有机电致发光器件，其器件结构包括依次层叠的ITO阳极、空穴注入层(HI-3，5nm)、空穴传输层(HT-2，30nm)、第一电子阻挡层、发光层、电子传输层(ET-34∶ET-57，1∶1，30nm)、电子注入层(LiF，1nm)和阴极(A1，1500nm)。与实施例1-17的区别在于，对比例只包括第一电子阻挡层，且第一电子阻挡层包括并列设置的红光电子阻挡层、绿光电子阻挡层以及蓝光电子阻挡层。具体材料的选择如表2所示。
Figure BDA0003141029010000201
表1和表2中，EBL-R表示红光电子阻挡层、EBL-G表示绿光电子阻挡层、EBL-B表示蓝光电子阻挡层。
本发明所有材料的HOMO能级，采用美国Princeton Applied Research公司的Potentiostat/Galvanostat Model 283型电化学工作站在室温下测定材料在溶液中的循环伏安(cyclicvoltammetry，CV)曲线得到。溶液浓度为10-5mol L-1。采用铂圆盘作为工作电极，银丝作为参比电极，铂丝为对电极。
测定材料的HOMO能级(EHOMO)时采用超干二氯甲烷作为溶剂，四正丁基六氟磷酸铵作为电解质。测试时速率为100mV s-1。测试前，采用高纯氮气除氧10分钟以上。测试完样品氧化还原电位后，加入内标物二茂铁，并测定其氧化还原电位。根据材料与二茂铁之间电位的相对值，由下式计算出材料的HOMO能级：
EHOMO＝-(4.8+Eox)eV
其中，Eox代表材料以Fc+/Fc(二茂铁盐/二茂铁)作为参比时的氧化还原电位。
表1和表2中的部分材料的HOMO能级如下所示：
HT-2：-5.4ev
HT-11：-5.5ev
HT-35：-5.7ev
HT-36：-5.7ev
HT-37(w-1)：-6.0ev
对实施例和对比例的电流密度-电压-亮度进行检测，结果见表3。具体为采用日本滨松C9920-12绝对电致发光量子效率测试系统搭载Keitx1ley2400测试得到。
Figure BDA0003141029010000211
表3
Figure BDA0003141029010000221
根据表3可知：
1、相较于对比例1-2，本发明实施例1-17采用第一电子阻挡层和第二电子阻挡层层叠结构的有机电致发光器件，有利于克服由于红光发光单元或绿光发光单元含有TADF敏化剂导致的驱动电压过高的缺陷；
2、通过实施例1和实施例2的对比(以及实施例1和实施例3的对比)可知，即使只有红光发光单元或绿光发光单元中一个含有TADF敏化剂，本发明的第一电子阻挡层和第二电子阻挡层层叠结构的设置方式也不会对器件的驱动电压产生消极影响。
3、通过实施例1-7以及8-9的对比可知，可以通过选用HOMO能级更加匹配的第一电子阻挡层、第二电子阻挡层的材料和发光单元的主体材料，从而进一步降低有机电致发光器件的驱动电压。
4、通过实施例1、10和11的对比可知，当第二电子阻挡层厚度大于20nm时，随着厚度增加，有机电致发光器件的驱动电压会呈现明显上升趋势，因此，实际应用过程中优选第二电子阻挡层的厚度不超过20nm；
5、通过实施例1、12和13的对比可知，即使红光电子阻挡层和绿光电子阻挡层的厚度增加，但得益于红光电子阻挡层和绿光电子阻挡层较优的空穴传输能力，厚度的增加对有机电致发光器件的驱电压的影响不大，因此在具体应用过程中可以根据光程的需求调整红光电子阻挡层和绿光电子阻挡层的厚度；
6、通过实施例1、14的对比可知，当红光发光单元、绿光发光单元和蓝光发光单元的厚度增加时，有机电致发光器件的驱动电压的改善效果明显下降，因此，实际应用过程中优选红光发光单元和绿光发光单元的厚度不超过50nm，蓝光发光单元的厚度不超过30nm；
7、通过实施例1、15、16和17可知，可以通过调整发光层中的染料实现对有机电致发光器件的半峰宽的调节，尤其当选用窄光谱含硼染料时，有机电致发光器件的半峰宽更窄，更有利于色纯度的提升。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括阳极功能层、第一电子阻挡层、第二电子阻挡层、发光层以及阴极功能层，所述阳极功能层的表面包括邻接的第一区域和第二区域，所述第一电子阻挡层设置于所述第一区域，所述第二电子阻挡层设置于所述第二区域和所述第一阻挡层远离所述阳极功能层的表面，所述发光层设置于所述第二阻挡层远离所述阳极功能层的表面，所述阴极功能层设置于所述发光层远离所述阳极功能层的表面；
所述阳极功能层至少包括阳极层，所述阴极功能层至少包括阴极层；
所述第一电子阻挡层包括并列设置的红光电子阻挡层和绿光电子阻挡层，所述第二电子阻挡层为蓝光电子阻挡层；
所述发光层包括并列设置的红光发光单元、绿光发光单元和蓝光发光单元，所述红光发光单元和/或所述绿光发光单元包括主体材料、TADF敏化剂和窄光谱含硼染料；
所述红光电子阻挡层与所述红光发光单元对应层叠设置，所述绿光电子阻挡层与所述绿光发光单元对应层叠设置；
所述红光电子阻挡层中的红光电子阻挡材料的HOMOR、所述绿光电子阻挡层中的绿光电子阻挡材料的HOMOG和所述蓝光电子阻挡层中的蓝光电子阻挡材料的HOMOB满足以下要求：
HOMOB＜HOMOR，HOMOB＜HOMOG，HOMOG≤HOMOR。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，HOMOR、HOMOG与HOMOB满足以下要求：
0＜HOMOR-HOMOB≤0.4eV，和/或，0＜HOMOG-HOMOB≤0.4eV。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述红光发光单元中主体材料的HOMORH、所述绿光发光单元中主体材料的HOMOGH与所述HOMOB满足以下要求：
HOMOB-HOMORH≤0.4eV，和/或，HOMOB-HOMOGH≤0.4eV。
4.根据权利要求1-3任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述蓝光电子阻挡层的厚度小于或等于20nm。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述红光电子阻挡层的厚度大于或等于20nm，和/或，所述绿光电子阻挡层的厚度大于或等于20nm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述红光发光单元和/或所述绿光发光单元的厚度小于或等于50nm；和/或，
所述蓝光发光单元的厚度小于或等于30nm。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述蓝光发光单元包括TTA主体材料和染料。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述窄光谱含硼染料含有硼原子，且所述窄光谱含硼染料在甲苯溶液下的半峰宽小于80nm。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述窄光谱含硼染料选自具有如下结构之一的化合物及其衍生物：
Figure FDA0003141022000000011
Figure FDA0003141022000000021
Figure FDA0003141022000000031
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-9任一项所述的有机电致发光器件。
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