CN113410349B - 具有双层布拉格反射镜的发光二极管芯片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了具有双层布拉格反射镜的发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在衬底与n‑AlInP限制层之间设置第一布拉格反射镜，在p‑AlInP限制层与p‑GaP欧姆接触层之间设置第二布拉格反射镜。发光层发出的大部分光线在第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜之间出现散射与漫反射的情况，且在遇到第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜均被反射，最后从第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜之间的外延层的侧壁出射，会被衬底吸收的光线较少，二极管的出光率会比较高。光线的出射更为均匀，提高最终得到的发光二极管的出光效率与出光均匀度。
Description
技术领域
本公开涉及发光二极管技术领域，特别涉及一种具有双层布拉格反射镜的发光二极管芯片及其制备方法。
背景技术
红光发光二极管是一种重要的光源器件，广泛应用于室外照明及汽车尾灯等方面，红光发光二极管芯片则是用于制备红光发光二极管的基础结构。红光发光二极管芯片通常包括外延片、p电极与n电极。
外延片包括衬底及依次层叠在衬底上的布拉格反射镜、n-AlInP限制层、发光层、p-AlInP限制层、p型GaP欧姆接触层。p电极与n电极分别连通p型GaP欧姆接触层与n-AlInP限制层。
布拉格反射镜可以将发光层发出的光部分反射到出光侧，但布拉格反射镜只对较小范围入射角度的光有很好的反射作用，仍有大部分光线没有被布拉格反射镜反射至红光发光二极管芯片的出光侧而是被衬底吸收，导致红光发光二极管芯片的出光效率较低。
发明内容
本公开实施例提供了具有双层布拉格反射镜的发光二极管芯片及其制备方法，能够提高红光发光二极管的出光效率。所述技术方案如下：
本公开实施例提供了一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括外延片、p电极与n电极，
所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的第一布拉格反射镜、n-AlInP限制层、发光层、p-AlInP限制层、第二布拉格反射镜及p-GaP欧姆接触层，所述第一布拉格反射镜的反射波长与所述第二布拉格反射镜的反射波长相等，所述第一布拉格反射镜与所述发光层之间的最小距离，等于所述发光层与所述第二布拉格反射镜之间的最小距离，
所述p电极覆盖所述p-GaP欧姆接触层远离所述衬底的表面，所述n电极覆盖所述衬底远离所述p-GaP欧姆接触层的一面。
可选地，所述发光层与所述第一布拉格反射镜之间的最小距离为2um～5um。
可选地，所述第一布拉格反射镜的厚度为1um～3um，所述第二布拉格反射镜的厚度为1um～3um。
可选地，所述第一布拉格反射镜中掺有n型杂质。
可选地，所述第一布拉格反射镜中掺杂的n型杂质的浓度为3～5E18cm-3。
可选地，所述第二布拉格反射镜在所述衬底的表面的正投影面积，小于所述p-AlInP限制层在所述衬底的表面的正投影面积，
所述p-GaP欧姆接触层在所述衬底的表面的正投影，与所述第二布拉格反射镜在所述衬底的表面的正投影重合。
可选地，所述外延片还包括位于所述第一布拉格反射镜与n-AlInP限制层之间的AlGaAs窗口层，所述n-AlInP限制层的厚度与所述AlGaAs窗口层的厚度之比为1/20～1/10。
可选地，所述外延片还包括位于p-AlInP限制层与所述第二布拉格反射镜之间的GaP窗口层，所述p-AlInP限制层的厚度与所述GaP窗口层的厚度之比为1/50～1/25。
本公开实施例提供了一种双层布拉格反射镜的发光二极管芯片的制备方法，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长第一布拉格反射镜、n-AlInP限制层、发光层、p-AlInP限制层、第二布拉格反射镜及p-GaP欧姆接触层，
所述第一布拉格反射镜的反射波长与所述第二布拉格反射镜的反射波长相等，所述第一布拉格反射镜与所述发光层之间的最小距离，等于所述发光层与所述第二布拉格反射镜之间的最小距离；
在所述p-GaP欧姆接触层远离所述衬底的表面形成p电极，在所述衬底远离所述p-GaP欧姆接触层的一侧的表面上形成n电极。
可选地，在生长所述n-AlInP限制层之前，所述制备方法还包括：
在所述第一布拉格反射镜上生长AlGaAs窗口层；
对所述AlGaAs窗口层的侧壁进行粗化处理。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：
在衬底与n-AlInP限制层之间设置第一布拉格反射镜，在p-AlInP限制层与p-GaP欧姆接触层之间设置第二布拉格反射镜。发光层位于第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜之间，且第一布拉格反射镜的反射波长与第二布拉格反射镜的反射波长相等。发光层发出的大部分光线在第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜之间出现散射与漫反射的情况，且在遇到第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜均被反射，最后从第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜之间的外延层的侧壁出射，会被衬底吸收的光线较少，二极管的出光率会比较高。并且第一布拉格反射镜与发光层之间的最小距离，等于发光层与第二布拉格反射镜之间的最小距离，可以使得光线的出射更为均匀，提高最终得到的发光二极管的出光效率与出光均匀度。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种双层布拉格反射镜的发光二极管芯片的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的双层布拉格反射镜的发光二极管芯片的另一视图；
图3是本公开实施例提供的发光二极管芯片的部分光线路径示意图；
图4是本公开实施例提供的一种双层布拉格反射镜的发光二极管芯片的制备方法流程图；
图5是本公开实施例提供的另一种双层布拉格反射镜的发光二极管芯片的制备方法流程图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
图1是本公开实施例提供的一种红外半导体外延片11的结构示意图，参考图1可知，本公开实施例提供了一种发光二极管芯片，发光二极管芯片包括外延片1、p电极2与n电极3。
外延片1包括衬底11及依次层叠在衬底11上的第一布拉格反射镜12、n-AlInP限制层13、发光层14、p-AlInP限制层15、第二布拉格反射镜16及p-GaP欧姆接触层17，第一布拉格反射镜12的反射波长与第二布拉格反射镜16的反射波长相等，第一布拉格反射镜12与发光层14之间的最小距离，等于发光层14与第二布拉格反射镜之间的最小距离。
p电极2覆盖p-GaP欧姆接触层17远离衬底11的表面，n电极3覆盖衬底11远离p-GaP欧姆接触层17的一面。
在衬底11与n-AlInP限制层13之间设置第一布拉格反射镜12，在p-AlInP限制层15与p-GaP欧姆接触层17之间设置第二布拉格反射镜16。发光层14位于第一布拉格反射镜12与第二布拉格反射镜16之间，且第一布拉格反射镜12的反射波长与第二布拉格反射镜16的反射波长相等。发光层14发出的大部分光线在第一布拉格反射镜12与第二布拉格反射镜16之间出现散射与漫反射的情况，且在遇到第一布拉格反射镜12与第二布拉格反射镜16均被反射，最后从第一布拉格反射镜12与第二布拉格反射镜16之间的外延层的侧壁出射，会被衬底11吸收的光线较少，二极管的出光率会比较高。并且第一布拉格反射镜12与发光层14之间的最小距离，等于发光层14与第二布拉格反射镜之间的最小距离，可以使得光线的出射更为均匀，提高最终得到的发光二极管的出光效率与出光均匀度。
可选地，发光层14与第一布拉格反射镜12之间的最小距离为2um～5um。
发光层14与第一布拉格反射镜12之间的最小距离以及发光层14与第二布拉格反射镜16之间的最小距离均在以上范围内，能够保证光线具有充分的出光空间，可以从外延片1的侧壁及正常出光面出射，提高最终得到的发光二极管的出光效率。
示例性地，第一布拉格反射镜12的厚度为1um～3um，第二布拉格反射镜16的厚度为1um～3um。
第一布拉格反射镜12的厚度与第二布拉格反射镜16的厚度分别在以上范围内时，第一布拉格反射镜12与第二布拉格反射镜16的质量较好，且发光二极管芯片本身所需的制备成本也较为合理。
可选地，第一布拉格反射镜12中掺有n型杂质。
第一布拉格反射镜12中掺有n型杂质，可以降低第一布拉格反射镜12的内部电阻，降低发光二极管芯片所需的工作电压，提高发光二极管芯片的使用寿命。
示例性地，第一布拉格反射镜12中掺杂的n型杂质的浓度为3～5E18cm-3。
第一布拉格反射镜12中掺杂的n型杂质的浓度在以上范围内时，可以得到质量较好的第一布拉格反射镜12，且第一布拉格反射镜12的整体电阻较低，发光二极管芯片的工作电压不会过高。
可选地，第二布拉格反射镜16中掺有p型杂质。
第二布拉格反射镜16中掺有p型杂质，可以降低第二布拉格反射镜16的内部电阻，降低发光二极管芯片所需的工作电压，提高发光二极管芯片的使用寿命。
示例性地，第二布拉格反射镜16中掺杂的p型杂质的浓度为1～5E18 cm-3。
第二布拉格反射镜16中掺杂的p型杂质的浓度在以上范围内时，可以得到质量较好的第二布拉格反射镜16，且第二布拉格反射镜16的整体电阻较低，发光二极管芯片的工作电压不会过高。
可选地，第一布拉格反射镜12与第二布拉格反射镜16的反射层的材料可相同。便于发光二极管芯片的制备且可以控制成本。
示例性地，第一布拉格反射镜12与第二布拉格反射镜16，均可包括AlAs/AlGaAs超晶格结构。
可选地，第一布拉格反射镜12中AlAs/AlGaAs超晶格结构的周期数可为25～30，第二布拉格反射镜16中AlAs/AlGaAs超晶格结构的周期数可为15～20。
第一布拉格反射镜12与第二布拉格反射镜16中，周期数分别在以上范围内，可以保证最终得到的第一布拉格反射镜12与第二布拉格反射镜16的质量较好，且整体成本也较为合理。
需要说明的是，第一布拉格反射镜12与第二布拉格反射镜16中，高反射率反射层的厚度与低反射率反射层的厚度，均满足以下公式：
D＝λ/4n，D为反射层的厚度，λ为反射的波长，n为光线入射的材料的折射率。将光线波长、高反射率反射层的折射率代入上述公式可得到高反射率反射层的厚度；低反射率反射层的厚度的获取方式与高反射率反射层的厚度获取方式相同。
可选地，第二布拉格反射镜16在衬底11的表面的正投影面积，小于p-AlInP限制层15在衬底11的表面的正投影面积。
第二布拉格反射镜16的正投影面积小于p-AlInP限制层15在衬底11的表面的正投影面积，则p-AlInP限制层15靠近p-GaP欧姆接触层17的一侧可以成为出光面，提高出光面积，提高发光二极管的出光效率。
示例性地，p-GaP欧姆接触层17在衬底11的表面的正投影，与第二布拉格反射镜16在衬底11的表面的正投影重合。
p-GaP欧姆接触层17在衬底11的表面的正投影，与第二布拉格反射镜16在衬底11的表面的正投影重合，则原本会被p-GaP欧姆接触层17上吸光或者被电极挡光的光线，会被第二布拉格反射镜16反射，再重新被第一布拉格反射镜12反射，最后从外延层的侧壁出射，转化为发光二极管芯片的有效出光，最终提高发光二极管芯片的出光效率。
可选地，第二布拉格反射镜16的正投影面积与p-AlInP限制层15在衬底11的表面的正投影面积之比为1/6～1/2。
第二布拉格反射镜16的正投影面积与p-AlInP限制层15在衬底11的表面的正投影面积之比在以上范围内时，可以控制最终得到的发光二极管芯片的出光效率可以有较大幅度地提高。
图2是本公开实施例提供的另一种提高发光效率的红光发光二极管芯片的结构示意图，参考图2可知，红光发光二极管芯片包括外延片1、p电极2与n电极3。外延片1包括衬底11及依次层叠在衬底11上的第一布拉格反射镜12、AlGaAs窗口层18、n-AlInP限制层13、发光层14、p-AlInP限制层15、GaP窗口层19、第二布拉格反射镜16及p-GaP欧姆接触层17，第一布拉格反射镜12的反射波长与第二布拉格反射镜16的反射波长相等，第一布拉格反射镜12与发光层14之间的最小距离，等于发光层14与第二布拉格反射镜之间的最小距离。
p电极2覆盖p-GaP欧姆接触层17远离衬底11的表面，n电极3覆盖衬底11远离p-GaP欧姆接触层17的一面。
图2中的第一布拉格反射镜12、第二布拉格反射镜16的结构，分别与图1中所示的第一布拉格反射镜12、第二布拉格反射镜16的结构相同，在前文中已进行说明，因此此处对此不再进行赘述。
为便于理解，以下详细提供红光发光二极管芯片中的一些层次结构。
可选地，衬底11的材料为砷化镓。便于获取与制备。
可选地，n-AlInP限制层13的厚度为200～300nm。得到的红光发光二极管芯片的质量较好。
示例性地，n-AlInP限制层13的厚度与AlGaAs窗口层18的厚度之比为1:20～1:10。
n-AlInP限制层13与第一布拉格反射镜之间增加AlGaAs窗口层18，可以增加第一布拉格反射镜12与发光层14之间的距离，为发光层14发出的光线预留出更多的出光空间。且AlGaAs窗口层18本身在生长过程中，可以起到一定的过渡作用，提高n-AlInP限制层13本身的质量，n-AlInP限制层13本身也不会由于过厚而出现严重吸光作用，最终得到的发光二极管的发光效率可以得到有效提高。而n-AlInP限制层13的厚度与AlGaAs窗口层18的厚度之比在以上范围内时，得到的n-AlInP限制层13与AlGaAs窗口层18的质量均较好，AlGaAs窗口层18本身也具有足够的出光空间，可以有效保证出光。
可选地，n-AlInP限制层13的厚度可为300～400nm，AlGaAs窗口层18的厚度可为2um～5um。
n-AlInP限制层13的厚度与AlGaAs窗口层18的厚度分别在以上范围内，可以得到质量较好的发光二极管芯片，并保证最终得到的发光二极管的质量较好。
可选地，n-AlInP限制层13中n型杂质的掺杂浓度可为4×1018～8×1018cm-3。n-AlInP限制层13的质量较好。
示例性地，AlGaAs窗口层18中可掺杂n型杂质，且AlGaAs窗口层18中Al的组分为0.4～0.5。得到的AlGaAs窗口层18的质量较好，且AlGaAs窗口层18整体的电阻较低，便于电流的流动。
可选地，发光层14设置为包括多个周期交替生长的AlGaInP阱层与AlGaInP垒层，AlGaInP阱层与AlGaInP垒层中Al的组分不同。
示例性地，发光层14的整体厚度可为160～200nm。
可选地，p-AlInP限制层15的厚度为200～300nm。得到的红光发光二极管芯片的质量较好。
示例性地，p-AlInP限制层15的厚度与GaP窗口层19的厚度之比为1:20～1:10。
p-AlInP限制层15与第二布拉格反射镜之间增加GaP窗口层19，可以增加第二布拉格反射镜16与发光层14之间的距离，为发光层14发出的光线预留出更多的出光空间。且GaP窗口层19本身在生长过程中，可以起到一定的过渡作用，提高p-AlInP限制层15本身的质量，p-AlInP限制层15本身也不会由于过厚而出现严重吸光作用，最终得到的发光二极管的发光效率可以得到有效提高。而p-AlInP限制层15的厚度与GaP窗口层19的厚度之比在以上范围内时，得到的p-AlInP限制层15与GaP窗口层19的质量均较好，GaP窗口层19本身也具有足够的出光空间，可以有效保证出光。
可选地，p-AlInP限制层15的厚度可为200nm～300nm，GaP窗口层19的厚度可为5um～10um。
p-AlInP限制层15的厚度与GaP窗口层19的厚度分别在以上范围内，可以得到质量较好的发光二极管芯片，并保证最终得到的发光二极管的质量较好。
可选地，p型GaP欧姆接触层的厚度为500～1000nm。
p型GaP欧姆接触层的厚度，可以满足在p型GaP欧姆接触层上进行p电极2的制备的要求，并且厚度在此范围内的p型GaP欧姆接触层整体的质量较好，可以保证p电极2的稳定制备与连接，保证最终得到的红光发光二极管外延片1的发光效率。
示例性地，p电极2的材料可包括依次层叠的Cr金属层与Au金属层，且Cr金属层与Au金属层的厚度分别为20～50nm、3000～4500nm。可以保证p电极2的质量较好，且p电极2可以实现与透明导电层之间的良好连接。
示例性地，n电极3的材料依次层叠的支撑Au金属层、AuGeNi金属层与第二Au金属层，支撑Au金属层、AuGeNi金属层与第二Au金属层的厚度分别为10～30、120～200nm、160～300nm。可以保证n电极3的质量较好，且n电极3可以实现与砷化镓材料的衬底11之间的良好连接。
在本公开所提供的其他实现方式中，电极的材料也可包括Cr、Au、Ge、Ni中的一种或多种，本公开对此不做限制。
图2中所示的外延片1结构相对图1中所示的外延片1结构，在n-AlInP限制层13与第一布拉格反射镜12之间增加了AlGaAs窗口层18，在p-AlInP限制层15与第二布拉格反射镜16之间增加了GaP窗口层19。得到的外延片1的质量及发光效率会更好。
需要说明的是，图2仅用于示例，在本公开所提供的其他实现方式中，红光发光二极管还可具有其他不同的层次结构，本公开对此不做限制。
为便于理解，此处可提供图3，图3是本公开实施例提供的发光二极管芯片的部分光线路径示意图，图3中的箭头表示部分光线的出光方向。需要说明的是，图3省略了第一布拉格反射镜12及第二布拉格反射镜内部的反射层。
图4是本公开实施例提供的一种双层布拉格反射镜的发光二极管芯片的制备方法流程图；参考图4可知，该发光二极管芯片制备方法包括：
S101：提供一衬底。
S102：在衬底上依次生长第一布拉格反射镜、n-AlInP限制层、发光层、p-AlInP限制层、第二布拉格反射镜及p-GaP欧姆接触层，
S103：第一布拉格反射镜的反射波长与第二布拉格反射镜的反射波长相等，第一布拉格反射镜与发光层之间的最小距离，等于发光层与第二布拉格反射镜之间的最小距离。
S104：在p-GaP欧姆接触层远离衬底的表面形成p电极，在衬底远离p-GaP欧姆接触层的一侧的表面上形成n电极。
执行完步骤S104之后的技术效果可参考图1中所示的发光二极管芯片的效果，因此此处不再赘述。执行完步骤S104得到的发光二极管芯片的结构也可参考图1所示的发光二极管芯片。
为便于理解，此处提供图5，图5中对图4中所示的发光二极管芯片的制备方法进行了详细说明。图5是本公开实施例提供的另一种双层布拉格反射镜的发光二极管芯片的制备方法流程图，参考图5可知，该发光二极管芯片制备方法包括：
S201：提供一衬底。
步骤S201中，衬底的材料可为砷化镓。
S202：在衬底上生长第一布拉格反射镜。
可选地，第一布拉格反射镜的生长条件包括：生长温度650-670度，V/III为20-30，生长速率0.5-0.8nm/s。能够得到质量较好的第一布拉格反射镜。
S203：在第一布拉格反射镜上生长AlGaAs窗口层。
可选地，AlGaAs窗口层的生长条件包括：生长温度670-680度，V/III为40-50，生长速率1.2-1.7nm/s。能够得到质量较好的AlGaAs窗口层。
步骤S203还可包括，对AlGaAs窗口层的侧壁进行粗化处理。
对AlGaAs窗口层的侧壁进行粗化处理，可以减小AlGaAs窗口层的侧壁处可能发生的全反射，提高发光二极管的出光效率。
可选地，可对AlGaAs窗口层的侧壁进行化学腐蚀达到粗化效果。易于实现。
S204：在AlGaAs窗口层上生长n-AlInP限制层。
可选地，n-AlInP限制层的生长条件包括：生长温度650-670度，V/III为20-30，生长速率0.5-0.8nm/s。能够得到质量较好的n型布拉格反射镜。
S205：在n-AlInP限制层上生长发光层。
可选地，发光层的生长条件包括：生长温度650-670度，V/III为20-30。
S206：在发光层上生长p-AlInP限制层。
可选地，p-AlInP限制层的生长条件包括：生长温度650-670度，V/III为20-30。能够得到质量较好的p-AlInP限制层。
S207：在p-AlInP限制层上生长GaP窗口层。
可选地，GaP窗口层的生长条件包括：生长温度650-670度，V/III为20-30，生长速率0.5-0.8nm/s。
步骤S207还可包括，对GaP窗口层的侧壁进行粗化处理。
对GaP窗口层的侧壁进行粗化处理，可以减小GaP窗口层的侧壁处可能发生的全反射，提高发光二极管的出光效率。
可选地，可对GaP窗口层的侧壁进行化学腐蚀达到粗化效果。易于实现。
S208：在GaP窗口层上生长第二布拉格反射镜。
可选地，第二布拉格反射镜的生长条件包括：生长温度650-670度，V/III为20-30，生长速率0.5-0.8nm/s。能够得到质量较好的第二布拉格反射镜。
S209：在第二布拉格反射镜上生长p-GaP欧姆接触层。
可选地，p-GaP欧姆接触层的生长条件包括：生长温度650-670度，V/III为20-30，生长速率0.5-0.8nm/s。
需要说明的是，在本公开中所涉及到的存在交替层叠的两种材料外延结构中，向反应腔交替通入两种材料对应的生长源即可得到交替层叠的两种材料外延结构。
S210：在p-GaP欧姆接触层上形成p电极，在衬底远离p-GaP欧姆接触层的一个表面上形成n电极。
示例性地，p电极可通过蒸镀得到。易于p电极的获取与制备。
需要说明的是，p电极生长也可包括：先在透明导电层上涂覆光刻胶并在光刻胶上形成孔洞图形；在孔洞内生长p电极；去除光刻胶。
可选地，n电极通过蒸镀得到。所得到的p电极与n电极的质量较好。
需要说明的是，在本公开实施例中，采用VeecoK 465i or C4 or RB MOCVD(MetalOr ganic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现LED的生长方法。采用高纯H2(氢气)或高纯N2(氮气)或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，三甲基镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，硅烷(SiH4)作为N型掺杂剂，三甲基铝(TMAl)作为铝源，二茂镁(CP2Mg)作为P型掺杂剂。
以上所述，并非对本公开作任何形式上的限制，虽然本公开已通过实施例揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。
Claims (9)
1.一种双层布拉格反射镜的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括外延片、p电极与n电极，
所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的第一布拉格反射镜、n-AlInP限制层、发光层、p-AlInP限制层、第二布拉格反射镜及p-GaP欧姆接触层，所述第一布拉格反射镜的反射波长与所述第二布拉格反射镜的反射波长相等，所述第一布拉格反射镜与所述发光层之间的最小距离，等于所述发光层与所述第二布拉格反射镜之间的最小距离，所述发光层与所述第一布拉格反射镜之间的最小距离为2um～5um，
所述p电极覆盖所述p-GaP欧姆接触层远离所述衬底的表面，所述n电极覆盖所述衬底远离所述p-GaP欧姆接触层的一面。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一布拉格反射镜的厚度为1um～3um，所述第二布拉格反射镜的厚度为1um～3um。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一布拉格反射镜中掺有n型杂质。
4.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一布拉格反射镜中掺杂的n型杂质的浓度为3～5E18cm-3。
5.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二布拉格反射镜在所述衬底的表面的正投影面积，小于所述p-AlInP限制层在所述衬底的表面的正投影面积，
所述p-GaP欧姆接触层在所述衬底的表面的正投影，与所述第二布拉格反射镜在所述衬底的表面的正投影重合。
6.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述外延片还包括位于所述第一布拉格反射镜与n-AlInP限制层之间的AlGaAs窗口层，所述n-AlInP限制层的厚度与所述AlGaAs窗口层的厚度之比为1/20～1/10。
7.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述外延片还包括位于p-AlInP限制层与所述第二布拉格反射镜之间的GaP窗口层，所述p-AlInP限制层的厚度与所述GaP窗口层的厚度之比为1/50～1/25。
8.一种双层布拉格反射镜的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长第一布拉格反射镜、n-AlInP限制层、发光层、p-AlInP限制层、第二布拉格反射镜及p-GaP欧姆接触层，
所述第一布拉格反射镜的反射波长与所述第二布拉格反射镜的反射波长相等，所述第一布拉格反射镜与所述发光层之间的最小距离，等于所述发光层与所述第二布拉格反射镜之间的最小距离，所述发光层与所述第一布拉格反射镜之间的最小距离为2um～5um；
在所述p-GaP欧姆接触层远离所述衬底的表面形成p电极，在所述衬底远离所述p-GaP欧姆接触层的一侧的表面上形成n电极。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在生长所述n-AlInP限制层之前，所述制备方法还包括：
在所述第一布拉格反射镜上生长AlGaAs窗口层；
对所述AlGaAs窗口层的侧壁进行粗化处理。
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