CN113399675B - 一种协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置 - Google Patents

一种协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置。包括电压转换装置和纳米粒子射嘴结构，纳米粒子射嘴结构包括放电间隙、聚焦射嘴、放电负极、纳米粒子对应金属电极和绝缘材料，纳米粒子射嘴结构的内芯为纳米粒子对应金属电极，内芯为纳米粒子对应金属电极的外周为装置腔体，装置腔体外部为放电负极，绝缘材料安装于装置腔体的后部，纳米粒子对应金属电极的前端为放电端，放电端周围为放电间隙，放电负极对应于纳米粒子对应金属电极放电端的前部具有开口，为聚焦射嘴。本发明的协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置用于体表杀菌、修复。局部的等离子体保证了杀菌消炎的作用，有效针对各种耐药菌。

Description

一种协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置
技术领域
本发明涉及一种利用等离子体的温度产生纳米银的装置，具体涉及一种协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置。
背景技术
等离子体可以通过多种方式来产生，常见的方法主要包括：热电离法、射线辐照法、光电离法、激波等离子法、激光等离子法、气体放电法等。气体放电是指气体在电场的作用下被击穿引起的导电现象，而低温等离子体的产生方式主要是通过气体放电来实现的。
电弧放电时是一种气体放电现象，电流通过某些绝缘介质(例如空气)所产生的瞬间火花。电弧是一种自持气体导电(电离气体中的电传导)，其大多数载流子为一次电子发射所产生的电子。触头金属表面因一次电子发射(热离子发射、场致发射或光电发射)导致电子逸出，间隙中气体原子或分子会因电离(碰撞电离、光电离和热电离)而产生电子和离子。另外，电子或离子轰击发射表面又会引起二次电子发射。当间隙中离子浓度足够大时，间隙被电击穿而发生电弧。
发明内容
本发明的目的是提供一种协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置。利用电弧放电产生所在气氛的等离子体，等离子体的尾焰区的温度较高，作为放电电弧的银电级，在尾焰区融化、蒸发成银蒸气，在离开尾焰区的温度急剧下降，银蒸气遇到周围的气体就会被冷却成纳米微粒。纳米银颗粒和等离子体一起从喷口喷出。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案是：
一种协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置，包括电压转换装置和纳米粒子射嘴结构，所述的纳米粒子射嘴结构包括放电间隙、聚焦射嘴、放电负极、纳米粒子对应金属电极和绝缘材料，所述纳米粒子射嘴结构的内芯为纳米粒子对应金属电极，所述的内芯为纳米粒子对应金属电极的外周为装置腔体，所述的装置腔体外部为放电负极，所述绝缘材料安装于装置腔体的后部，所述的纳米粒子对应金属电极的前端为放电端，所述的放电端周围为放电间隙，所述的放电负极对应于纳米粒子对应金属电极放电端的前部具有开口，为聚焦射嘴。
进一步的，所述的电压转换装置包括低压直流电源、高压交流电源、高压直流电源以及高压电容。
作为优选的方案，所述的放电负极为惰性金属。
作为优选的方案，所述的纳米粒子对应金属电极为喷射银离子的银电极。
作为优选的方案，所述的放电间隙为1-3mm。
进一步的，所述的低压直流电源连接至高压交流电源，所述的低压直流电源为5-24V。
进一步的，所述的高压交流电源连接至高压直流电源，所述的高压交流电源为5000-12000V。
进一步的，所述的高压直流电源连接至高压电容，所述的高压直流电源为5000-12000V。
进一步的，所述的高压电容连接至纳米粒子射嘴，所述的高压电容为0.022-0.068μF。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明的协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置是利用电弧放电产生所在气
氛的等离子体，等离子体的尾焰区的温度较高，作为放电电弧的银电级，在尾焰区融化、蒸发成银蒸气，在离开尾焰区的温度急剧下降，银蒸气遇到周围的气体就会被冷却成纳米微粒。纳米银颗粒和等离子体一起从喷口喷出。纳米银具有广谱抗菌、强效杀菌，在杀菌的同时不会产生耐药。同时对上皮组织有修复再生的作用。
本发明的装置可以输出纳米银+等离子体，但是不限于纳米银，可以是很多金属纳米材料。从
而产生不同的效果和应用。
附图说明
图1：纳米粒子射嘴结构的结构示意图。
图2：电压转换装置的结构示意图。
图中：1-纳米粒子射嘴结构，2-电压转换装置，3-放电间隙，4-聚焦射嘴，5-放电负极，6-纳
米粒子对应金属电极，7-绝缘材料。
具体实施方式
以下通过实施例的形式对本发明的上述内容再作进一步的详细说明，但不应将此理解为本发
明上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本发明上述内容所实现的技术均属于本发明的范围。
在本发明的描述中，还需要说明的是：术语中的“上、下、顶、底、内和外”等指示的方位或
位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。对于本领域的普通技术人员而言，可依据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
一种协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置，包括电压转换装置2和纳米粒子射嘴结构1，所述的纳米粒子射嘴结构1包括放电间隙3、聚焦射嘴4、放电负极5、纳米粒子对应金属电极6和绝缘材料7。
所述纳米粒子射嘴结构1的内芯为纳米粒子对应金属电极6，所述的内芯为纳米粒子对应金属电极6的外周为装置腔体，所述的装置腔体外部为放电负极5，所述绝缘材料7安装于装置腔体的后部，所述的纳米粒子对应金属电极6的前端为放电端，所述的放电端周围为放电间隙3，所述的放电负极5对应于纳米粒子对应金属电极6放电端的前部具有开口，为聚焦射嘴4。
作为优选的方案，所述的放电负极5为惰性金属。
作为优选的方案，所述的纳米粒子对应金属电极6为喷射银离子的银电极。
作为优选的方案，所述的放电间隙3为1-3mm。
实施例中，所述的电压转换装置2包括低压直流电源、高压交流电源、高压直流电源以及高压电容。
实施例中，所述的低压直流电源连接至高压交流电源，所述的低压直流电源为5-24V。
实施例中，所述的高压交流电源连接至高压直流电源，所述的高压交流电源为5000-12000V。
实施例中，所述的高压直流电源连接至高压电容，所述的高压直流电源为5000-12000V。
实施例中，所述的高压电容连接至纳米粒子射嘴，所述的高压电容为0.022-0.068μF。
本发明的协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置利用电弧放电产生所在气氛的等离子体，等离子体的尾焰区的温度较高，作为放电电弧的银电级，在尾焰区融化、蒸发成银蒸气，在离开尾焰区的温度急剧下降，银蒸气遇到周围的气体就会被冷却成纳米微粒。纳米银颗粒和等离子体一起从喷口喷出。
纳米银具有广谱抗菌、强效杀菌，在杀菌的同时不会产生耐药。同时对上皮组织有修复再生的作用。
本装置可以输出纳米银+等离子体，但是不限于纳米银，可以是很多金属纳米材料。从而产生不同的效果和应用。
本发明的协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置用于体表杀菌、修复。局部
的等离子体保证了杀菌消炎的作用，有效针对各种耐药菌。
其中，纳米银是将粒径做到纳米级的金属银单质。纳米银粒径大多在25纳米左右，对大肠杆
菌、淋球菌、沙眼衣原体等数十种致病微生物都有强烈的抑制和杀灭作用，而且不会产生耐药性。
本发明体表应用等离子体和纳米银实验均没有显示有害性。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何形式上的限制，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，依据本发明的技术实质，对以上实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等，均仍属于本发明技术方案的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置，其特征在于：包括电压转换装置和纳米粒子射嘴结构，所述的纳米粒子射嘴结构包括放电间隙、聚焦射嘴、放电负极、纳米粒子对应金属电极和绝缘材料，所述纳米粒子射嘴结构的内芯为纳米粒子对应金属电极，所述的内芯为纳米粒子对应金属电极的外周为装置腔体，所述的装置腔体外部为放电负极，所述绝缘材料安装于装置腔体的后部，所述的纳米粒子对应金属电极的前端为放电端，所述的放电端周围为放电间隙，所述的放电负极对应于纳米粒子对应金属电极放电端的前部具有开口，开口为聚焦射嘴。
2.根据权利要求1所述的协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置，其特征在于：所述的电压转换装置包括低压直流电源、高压交流电源、高压直流电源以及高压电容。
3.根据权利要求1所述的协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置，其特征在于：所述的放电负极为惰性金属。
4.根据权利要求1所述的协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置，其特征在于：所述的纳米粒子对应金属电极为喷射银离子的银电极。
5.根据权利要求1所述的协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置，其特征在于：所述的放电间隙为1-3mm。
6.根据权利要求2所述的协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置，其特征在于：所述的低压直流电源连接至高压交流电源，所述的低压直流电源为5-24V。
7.根据权利要求2所述的协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置，其特征在于：所述的高压交流电源连接至高压直流电源，所述的高压交流电源为5000-12000V。
8.根据权利要求2所述的协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置，其特征在于：所述的高压直流电源连接至高压电容，所述的高压直流电源为5000-12000 V。
9.根据权利要求2所述的协同等离子体及纳米银喷雾的手持式体表杀菌修复装置，其特征在于：所述的高压电容连接至纳米粒子射嘴，所述的高压电容为0.022-0.068μF。
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