CN113388386A - 量子点、包括量子点的量子点聚合物复合物和显示装置 - Google Patents

量子点、包括量子点的量子点聚合物复合物和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113388386A
CN113388386A CN202110274434.0A CN202110274434A CN113388386A CN 113388386 A CN113388386 A CN 113388386A CN 202110274434 A CN202110274434 A CN 202110274434A CN 113388386 A CN113388386 A CN 113388386A
Authority
CN
China
Prior art keywords
equal
less
quantum dot
light
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110274434.0A
Other languages
English (en)
Inventor
安珠娫
杨惠渊
金泰坤
李锺敏
田信爱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN113388386A publication Critical patent/CN113388386A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
    • C08F8/34—Introducing sulfur atoms or sulfur-containing groups
    • C08F8/36—Sulfonation; Sulfation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C08L101/02—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/54—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562—Chalcogenides
    • C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C09K11/701—Chalcogenides
    • C09K11/703—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
    • G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
    • G02F1/01791—Quantum boxes or quantum dots
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2300/00—Characterised by the use of unspecified polymers
    • C08J2300/12—Polymers characterised by physical features, e.g. anisotropy, viscosity or electrical conductivity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

公开了一种量子点、包括该量子点的量子点聚合物复合物和显示装置，其中，量子点包括：模板，包括第一半导体纳米晶体；量子阱(例如，量子阱层)，设置在模板上；以及壳，设置在量子阱上，壳包括第二半导体纳米晶体，并且其中，量子点不包括镉，其中，第一半导体纳米晶体包括第一锌硫属化物，其中，第二半导体纳米晶体包括第二锌硫属化物，并且量子阱层包括包含铟(In)、磷(P)、锌(Zn)和硫属元素的合金半导体纳米晶体，其中，合金半导体纳米晶体的带隙能比第一半导体纳米晶体的带隙能小，且比第二半导体纳米晶体的带隙能小。

Description

量子点、包括量子点的量子点聚合物复合物和显示装置
本申请要求于2020年3月13日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0031618号韩国专利申请的优先权和权益以及由此获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
公开了量子点、包括该量子点的组合物或复合物以及包括该量子点的显示装置。
背景技术
与体(bulk)材料不同，半导体纳米颗粒的物理特性(例如，带隙能和熔点)可以通过改变纳米颗粒的尺寸来控制。例如，半导体纳米晶体颗粒(也被称为量子点)是具有几纳米的范围内的尺寸的晶体材料。因为半导体纳米晶体颗粒具有相对小的尺寸，所以纳米晶体颗粒具有大的每单位体积的表面积，因此，颗粒呈现出量子限制效应，并且将具有与相同的化学组成的体材料不同的性质。量子点可以吸收来自激发源(例如，光或施加的电流)的能量，并且在弛豫到基态时，量子点发射与量子点的带隙能对应的光能。
发明内容
实施例提供了能够呈现出改善的光致发光性质的量子点和包括该量子点的组合物。
实施例提供了一种包括量子点的量子点复合物。
实施例提供了一种制造量子点的方法。
实施例提供了一种包括量子点的电子装置。
在实施例中，量子点(或多个量子点)包括：模板，包括第一半导体纳米晶体；量子阱(例如，量子阱层)，设置在模板上；以及壳，设置在量子阱层上，壳包括第二半导体纳米晶体，并且其中，量子点不包括镉，其中，第一半导体纳米晶体包括第一锌硫属化物，其中，第二半导体纳米晶体包括第二锌硫属化物，并且量子阱层包括包含铟(In)、磷(P)、锌(Zn)和硫属元素的合金半导体纳米晶体，其中，合金半导体纳米晶体的带隙能比第一半导体纳米晶体的带隙能小，且比第二半导体纳米晶体的带隙能小。
第一锌硫属化物可以包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合，第二锌硫属化物可以独立地包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合。
第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体可以具有彼此不同的组成。
第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体可以具有彼此相同的组成。
量子阱层可以与模板(例如，直接)相邻(例如，(例如，直接)在模板上或与模板(例如，直接)接触)。
量子阱层可以与壳(例如，直接)相邻(例如，(例如，直接)在壳上或与壳(例如，直接)接触)。
第一半导体纳米晶体可以包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合。
第二半导体纳米晶体可以包括ZnSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合。
硫属元素可以包括硫。
合金半导体纳米晶体与第一半导体纳米晶体的晶格常数之间的差可以小于或等于约3％。
合金半导体纳米晶体与第二半导体纳米晶体的晶格常数之间的差可以小于或等于约3％。
基于量子点中的元素的总摩尔数(例如，通过ICP分析测量)，量子点可以具有小于或等于约20％的铟和磷的总摩尔量。
在量子点中，磷相对于铟的摩尔比(P:In)可以大于或等于约0.5:1且小于或等于约0.9:1。
在量子点中，硫相对于铟的摩尔比(S:In)可以大于或等于约5:1且小于或等于约25:1。
在量子点中，锌相对于铟的摩尔比(Zn:In)可以是约15:1至约30:1、约20:1至约55:1或者它们的组合。
在量子点中，硫和硒的总和相对于锌的摩尔比((S+Se):Zn)可以大于或等于约0.5:1且小于或等于约1:1。
在量子点中，硫相对于硒的摩尔比(S:Se)可以大于或等于约0.3:1且小于或等于约0.9:1。
壳可以包括：第一层，包括第三锌硫属化物；以及第二层，包括包含与第三锌硫属化物不同的组成的第四锌硫属化物。
第一层和第二层可以(例如，直接)在彼此上(例如，(例如，直接)彼此接触)。
第一层可以包括ZnSe、ZnSeS或它们的组合。
第二层可以包括ZnS。
第一层可以(例如，直接)与量子阱层相邻(或者(例如，直接)在量子阱层上或(例如，直接)靠近量子阱层)，并且第二层可以是壳的最外层(例如，量子点的最外层)(例如，包括在壳的最外层(例如，量子点的最外层)中)。
量子阱层的厚度可以大于或等于约0.1纳米(nm)(例如，大于或等于约0.15nm、大于或等于约0.2nm或者大于或等于约0.22nm)且小于或等于约1nm(例如，小于或等于约0.8nm、小于或等于约0.6nm或者小于或等于约0.5nm)。
量子阱层的厚度可以小于或等于约0.4nm或者小于或等于约0.35nm。
量子点的尺寸(平均尺寸)可以小于或等于约6.5nm、小于或等于约6nm、小于或等于约5.5nm、小于或等于约5nm、小于或等于约4.5nm、小于或等于约4nm或者小于或等于约3.5nm。
量子点的尺寸(平均尺寸)可以大于或等于约2nm、大于或等于约3nm、大于或等于约4nm或者大于或等于约5nm。
量子点可以包括位于量子点的表面上的有机配体。
有机配体可以包括RCOOH、RCOOCOR、RNH2、R2NH、R3N、RSH、R3PO、R3P、ROH、RCOOR'、RPO(OH)2、R2POOH或它们的组合，其中，R和R'独立地是取代或未取代的C1至C30脂肪族烃、取代或未取代的C6至C30芳香族烃或它们的组合。
量子点的紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱曲线在约400nm至约650nm或者约450nm至约620nm(或者小于或等于约580nm或者小于或等于约540nm)的波长范围内可以不具有拐点。
量子点可以发射绿光。
量子点(或绿光)可以具有(例如，呈现出)在大于或等于约500nm并且/或者小于或等于约540nm的范围内的最大发光峰值波长。
量子点的量子效率(例如，量子产率)可以大于或等于约50％。
在实施例中，量子点复合物(例如，量子点聚合物复合物)包括基质(例如，聚合物基质)和分散在(聚合物)基质中的(例如，多个)上述量子点。
(聚合物)基质可以是线性聚合物、交联聚合物或它们的组合。
交联聚合物可以包括巯基烯聚合物、交联聚(甲基)丙烯酸酯、交联聚氨酯、交联环氧树脂、交联乙烯基聚合物、交联有机硅树脂或它们的组合。
线性聚合物可以包括具有羧酸的重复单元。
线性聚合物可以包括衍生自包括碳-碳双键和羧酸基的单体的单元、衍生自具有二酐部分的单体的单元或者它们的组合。
线性聚合物可以包括：
单体组合的共聚物，单体组合包括第一单体、第二单体和可选的第三单体，第一单体包括羧酸基和碳-碳双键，第二单体包括碳-碳双键和疏水部分且不包括羧酸基，可选的第三单体包括碳-碳双键和亲水部分且不包括羧酸基；
含多个芳香环的聚合物，具有其中两个芳香环结合到季碳原子的骨架结构且包括羧酸基(-COOH)，季碳原子是主链中的另一个环部分的构成原子；或者
它们的组合。
量子点(聚合物)复合物还可以包括(例如，分散在基质中的)金属氧化物微粒或它们的组合。
量子点(聚合物)复合物可以具有图案化膜的形式。
量子点(聚合物)复合物针对(例如，具有在约450nm至约470nm的范围内的波长的)蓝光可以具有(例如，呈现出)大于或等于约90％的吸收率。
在实施例中，量子点(聚合物)复合物可以具有大于或等于约15％、大于或等于约16％、大于或等于约17％、大于或等于约18％或者大于或等于约19％的蓝光转换效率(CE％)或蓝光转换率(QE％)。
在实施例中，显示装置包括光致发光元件和可选的光源，其中，光致发光元件包括上述量子点复合物，并且光源被构造为向光致发光元件提供入射光。
入射光可以包括具有约440nm至约460nm或约450nm至约455nm的峰值波长的光。
光致发光元件可以包括量子点聚合物复合物的片。
光致发光元件可以是包括基底和设置在基底上的发光层的堆叠结构，其中，发光层包括量子点复合物图案。
图案可以包括例如至少一个重复部分以发射预定的波长的光。
重复部分可以包括发射第一光(例如，红光)的第一重复部分。
重复部分可以包括发射具有与第一光的波长不同的波长的第二光(例如，绿光)的第二重复部分。
重复部分可以包括发射红光的第一部分和发射绿光的第二部分。
图案可以包括发射第一光的第一重复部分和发射具有与第一光的发光峰值波长不同的发光峰值波长的第二光的第二重复部分。
在实施例中，量子点(或多个量子点)包括：模板，包括第一半导体纳米晶体；量子阱(例如，量子阱层)，设置在模板上，并且其中，量子点不包括镉，其中，第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物，并且量子阱层包括包含铟(In)、磷(P)、锌(Zn)和硫属元素的合金半导体纳米晶体，其中，合金半导体纳米晶体的带隙能比第一半导体纳米晶体的带隙能小。
在量子点中，硫相对于铟的摩尔比可以大于或等于约0.5:1、大于或等于约0.6:1、大于或等于约0.7:1或者大于或等于约0.8:1。在量子点中，硫相对于铟的摩尔比可以小于或等于约1.5:1、小于或等于约1.3:1或者小于或等于约1:1。
在量子阱层中，铟和锌的总和相对于磷和硫的总和的摩尔比((In+Zn):(P+S))可以大于或等于约0.95:1且小于或等于约1.6:1。
第一半导体纳米晶体可以包括硒化锌。
在量子点中，磷相对于铟的摩尔比可以大于或等于约0.5:1、大于或等于约0.6:1、大于或等于约0.7:1或者大于或等于约0.8:1且小于或等于约1.5:1、小于或等于约1.4:1、小于或等于约1.3:1、小于或等于约1.2:1、小于或等于约1.1:1或者小于或等于约1:1。
在实施例中，组合物可以包括：(例如，多个)上述量子点；分散剂；可(光)聚合单体，包括碳-碳不饱和键(例如，C＝C双键)；(热或光)引发剂；以及(有机)溶剂(或液态载体)。
分散剂可以包括含羧酸基的化合物(例如，上述粘合剂聚合物或它的单体)。
组合物还可以包括具有多硫醇化合物、金属氧化物细颗粒或它们的组合。
根据实施例的量子点可以呈现出改善的性质(例如，改善的发光效率以及增强的蓝光吸收)。实施例的量子点可以用于各种显示装置和生物标记(例如，生物传感器或生物成像)、光电检测器、太阳能电池、杂化复合物(hybrid composite)等中。
附图说明
通过参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例，本公开的以上和其它优点和特征将变得更加明显，在附图中：
图1是示出了根据实施例的量子点的剖面的示意图，
图2是示出了根据实施例的显示装置的剖面的示意图，
图3是示出了根据实施例的显示装置的剖面的示意图，
图4是示出了根据实施例的显示装置的剖面的示意图，
图5A示意性地示出了使用根据实施例的组合物的图案形成工艺，
图5B示意性地示出了使用根据实施例的组合物的图案形成工艺，以及
图6是示出了示例1中制备的量子点的UV-Vis光谱的结果的吸光度(任意单位(a.u.))对波长(nm)的图。
具体实施方式
参照以下示例实施例以及所附附图，本公开的优点和特性及其实现方法将变得明显。然而，实施例不应被解释为限于在此所阐述的实施例。如果没有另外定义，则说明书中的所有术语(包括技术术语和科学术语)可以如本领域技术人员通常所理解的那样定义。除非清楚定义，否则不会理想化地或夸大地解释通用字典中定义的术语。另外，除非明确地描述为相反，否则词语“包括”和诸如“包含”或“含有”的变型将被理解为意指包括所陈述的元件(要素)，但不排除任何其它元件(要素)。
在附图中，为了清楚，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，同样的附图标记表示同样的元件。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，所述元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
此外，除非另外提及，否则单数包括复数。如在此使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则“一”、“一个(种/者)”、“所述(该)”和“至少一个(种/者)”不表示数量的限制，而是意图包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外清楚地指出，否则“元件”与“至少一个(种/者)元件”具有相同的含义。“至少一个(种/者)”不被解释为限定“一”或“一个(种/者)”。“或”表示“和/或”。如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”或它们的变型时，说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
将理解的是，虽然在此可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的第一“元件”、“组件”、“区域”、“层”或“部分”可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
此外，在此可以使用诸如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”的相对术语来描述如附图中示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语意图涵盖装置除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果一幅图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件的“下”侧上的元件随后将被定位为在所述其它元件的“上”侧上。因此，根据附图的具体方位，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”两种方位。类似地，如果一幅图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件“上方”。因此，示例性术语“在……下方”或“在……之下”可以包括上方和下方两种方位。
考虑到所讨论的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，如在此使用的“大约(约)”包括所陈述的值，并表示在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“大约(约)”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±10％或±5％内。
在此参照作为理想化实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。如此，将预期例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，在此描述的实施例不应被解释为局限于如在此示出的区域的特定形状，而是将包括例如由制造导致的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性的特征。此外，示出的锐角可以是倒圆的。因此，附图中示出的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不意图示出区域的精确形状且不意图限制给出的权利要求的范围。
如在此使用的，当未另外提供定义时，“取代的”指化合物的氢被取代基取代，诸如C1至C30烷基、C2至C30烯基、C2至C30炔基、C6至C30芳基、C7至C30烷基芳基、C1至C30烷氧基、C1至C30杂烷基、C3至C30杂烷基芳基、C3至C30环烷基、C3至C15环烯基、C6至C30环炔基、C2至C30杂环烷基、卤素(-F、-Cl、-Br或-I)、羟基(-OH)、硝基(-NO2)、氰基(-CN)、氨基或胺基(-NRR'，其中，R和R'均独立地是氢或C1至C6烷基)、叠氮基(-N3)、脒基(-C(＝NH)NH2)、肼基(-NHNH2)、腙基(＝N(NH2))、醛基(-C(＝O)H)、氨甲酰基(-C(O)NH2)、硫醇基(-SH)、酯基(-C(＝O)OR，其中，R是C1至C6烷基或C6至C12芳基)、羧基(-COOH)或其盐(-C(＝O)OM，其中，M是有机阳离子或无机阳离子)、磺酸基(-SO3H)或其盐(-SO3M，其中，M是有机阳离子或无机阳离子)、磷酸基(-PO3H2)或其盐(-PO3MH或-PO3M2，其中，M是有机阳离子或无机阳离子)或它们的组合。
如在此使用的，当未另外提供定义时，“杂”指包括诸如N、O、S、Si或P的一个(种)至三个(种)杂原子。
如在此使用的，当未另外提供定义时，“脂肪族烃基”可以指C1至C30直链或支链烷基、C2至C30直链或支链烯基或C2至C30直链或支链炔基。
如在此使用的，当未另外提供定义时，“芳香族烃基”可以指C6至C30芳基或C2至C30杂芳基。
如在此使用的，当未另外提供定义时，“(甲基)丙烯酸酯”指丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯或它们的组合。(甲基)丙烯酸酯可以包括(C1至C10烷基)丙烯酸酯、(C1至C10烷基)甲基丙烯酸酯或它们的组合。
如在此使用的，“分散体”指其中分散相是固体且连续相包括液体(或流体)的分散体。例如，“分散体”可以指其中分散相具有大于或等于约1nm(例如，大于或等于约2nm、大于或等于约3nm或者大于或等于约4nm)且几微米(μm)或更小(例如，约2μm或更小，或者约1μm或更小)的尺寸的胶体分散体。
如在此使用的，术语光转换效率指量子点复合物的光发射(A)相对于激发光(例如，蓝光)(B)的百分比。如在此使用的，光吸收指由量子点复合物吸收的光的量相对于入射光(例如，蓝光)的量的百分比。通过入射光的发光光谱的积分来获得激发光的总量(B)，获得穿过量子点聚合物复合物膜的入射光的量(B')，并且通过以下等式获得光转换率、光转换效率和光吸收率：
(A/B)×100％＝光转换率(％)
[A/(B-B')]×100％＝(蓝)光转换效率(CE％)
((B-B')/B)×100％＝蓝光吸收率(％)。
本说明书中使用的术语“平均”(例如，量子点的平均尺寸)可以是平均值或中值。在实施例中，平均可以是“平均的”平均值。
量子点的量子效率可以是可以通过任何市售设备(例如来自日立有限公司(Hitachi Co.Ltd)或滨松有限公司(Hamamatsu Co.Ltd)的设备)并参照制造商提供的使用说明书容易地且可再现地测量的量子产率。在实施例中，量子效率(或量子产率)可以在溶液状态或固体状态(在复合物中)下测量。在实施例中，“量子产率(或量子效率)”可以是例如由纳米结构或纳米结构群体(population)发射的光子与吸收的光子的比例。在实施例中，量子效率可以通过任何方法来确定。例如，可以有两种用于测量荧光量子产率或效率的方法：绝对方法和相对方法。绝对方法通过使用积分球检测所有样品荧光直接获得量子产率。在相对方法中，可以将标准样品(例如，标准染料)的荧光强度与未知样品的荧光强度进行比较以计算未知样品的量子产率。香豆素153、香豆素545、罗丹明101内盐、蒽和罗丹明6G可以根据光致发光(PL)波长被用作标准染料，但不限于此。
可以通过由分光光度计(或荧光分光光度计)获得的光致发光光谱来确定半峰全宽(FWHM)和最大PL峰值波长。
如在此使用的，表述“不包括镉(或其它有害重金属)”可以指其中镉(或其它有害重金属)的浓度可以小于或等于以重量计百万分之约100份(100parts per million byweight)(ppmw)、小于或等于约50ppmw、小于或等于约10ppmw、小于或等于约1ppmw、小于或等于约0.1ppmw、小于或等于约0.01ppmw或约是零的情况。在实施例中，可以基本上不存在镉(或其它有害重金属)的量，或者如果存在，镉(或其它有害重金属)的量可以小于或等于检测限度或作为给定分析工具(例如，电感耦合等离子体原子发射光谱法)的杂质水平。
如在此使用的，“第一吸收峰”或其波长指在紫外-可见吸收光谱及其波长的最低能量区域中首先出现的主峰。
量子点(或半导体纳米晶体颗粒)是具有几纳米的尺寸的结晶半导体材料。量子点可以具有大的每单位体积的表面积，并且可以呈现出量子限制效应。量子点可以吸收来自激发源的光而被激发，并且可以发射与量子点的带隙能对应的能量。
由于量子点的独特的光致发光特性，量子点例如在各种电子装置中具有潜在的实用性。具有可以可适用于(例如，用于)电子装置等的性质的量子点可以是镉基量子点。然而，镉会引起环境/健康问题，因此是一种受限制的元素。无镉量子点(在下文中，也被称为非镉量子点)可以例如包括例如基于III-V族的纳米晶体。与镉基量子点相比，非镉量子点可能具有差的光致发光性质(例如，蓝光吸收)和稳定性。蓝光(例如，具有约450nm的波长)可以用作用于量子点的能量激发源。镉基量子点对于蓝光可以具有高吸收强度，但在非镉基量子点的情况下，在例如蓝光(例如，约450nm的波长)处的吸收强度不会高，包括非镉基量子点的显示装置会呈现出降低的亮度。
在LCD装置中，来自液晶层的偏振光穿过(通过)吸收型滤色器且表现出颜色，因此液晶显示(LCD)装置可以具有由于吸收型滤色器的低透光率引起的窄视角以及亮度劣化的问题。光致发光型滤色器可以是一种克服包括吸收型滤色器的LCD装置的技术限制的替代方案。基于量子点的滤色器可以使用蓝光而不是白光作为激发光，并且滤色器可以设置在显示装置的前面以将激发光转换为期望光(例如，绿光/红光)。因此，基于量子点的滤色器可以减少(例如，最小化或解决)例如液晶显示器的技术问题(例如，窄视角和光损失)。具有线性的光(穿过液晶层且直行)可以在所有方向上散射，这可以减少(例如，最小化或解决)视角问题。也可以减少或最小化通过使用吸收型滤色器可能发生的光损失。
然而，当采用基于量子点的滤色器时，在显示装置的前向方向上传播的激发光(例如，在红色发光部分或绿色发光部分中)可能成为技术问题，并且其可能需要阻挡在显示装置的前向方向上传播的激发光。非镉基量子点不能提供足够的吸收来阻挡激发光在显示装置的前向方向上传播。
光散射体的引入可以改善吸收。然而，光散射体会增加制造成本。光散射体可以具有高的外部光反射率，这可能导致外部光反射的增加，由光散射体引起的固体含量的增加会在工艺中提供额外的困难。为了阻挡激发光，可以使用蓝光滤光器，这可能引起附加的成本和外部光反射的增加，并且可能导致显示装置的光损失、对比度劣化和图像清晰度降低。
根据实施例的量子点可以在不包括镉的同时呈现出增加的蓝光吸收(或蓝光吸收率)，并且可以减少(例如，最小化或解决)上述问题。在根据实施例的量子点的情况下，这种增加的激发光吸收可以有助于例如在减少量(例如，数量)的光散射体的情况下抑制蓝光泄漏，而不需要使用蓝色(激发)光滤光器或它们的组合。
在实施例中，量子点(或多个量子点，在下文中，可以被称为量子点)不包括镉。
参照图1，实施例的量子点包括模板和量子阱层，模板包括第一半导体纳米晶体，量子阱层设置在模板上且包括合金半导体纳米晶体。量子阱层可以围绕模板的表面的一部分(或全部)。包括第二半导体纳米晶体的壳可以设置在量子阱层上。
合金半导体纳米晶体的带隙能比第一半导体纳米晶体的带隙能小(例如，少)，并且比第二半导体纳米晶体(如果存在)的带隙能小(例如，少)。参照图1，在能带排列中，合金半导体纳米晶体的价带边缘和导带边缘可以在第一半导体纳米晶体的带隙内。合金半导体纳米晶体的价带边缘和导带边缘可以在第二半导体纳米晶体的带隙内。带隙能对于体材料(例如，ZnSe、InP、ZnS、ZnSeS等)可以是已知的，或者可以由其计算。
第一半导体纳米晶体的带隙能和第二半导体纳米晶体的带隙能可以相同或不同。在实施例中，第一半导体纳米晶体的带隙能可以比第二半导体纳米晶体的带隙能小。在实施例中，第一半导体纳米晶体的带隙能可以大于或等于第二半导体纳米晶体的带隙能。
第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体均独立地包括锌硫属化物(例如，包括锌和诸如硒、碲、硫或它们的组合的硫属元素的化合物)。包括在第一半导体纳米晶体中的第一锌硫属化物和包括在第二半导体纳米晶体中的第二锌硫属化物可以具有彼此相同的组成。第一锌硫属化物和第二锌硫属化物可以具有彼此不同的组成。
锌硫属化物(例如，第一半导体纳米晶体或第二半导体纳米晶体)可以包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS、ZnTeS或它们的组合。第一半导体纳米晶体可以包括锌和硒。第一半导体纳米晶体可以包括ZnSe、ZnSeS、ZnTeSe或它们的组合。第一半导体纳米晶体可以包括ZnSe。在实施例中，第一半导体纳米晶体可以包括锌和硫。
在实施例中，第二半导体纳米晶体可以包括锌和硫。第二半导体纳米晶体可以包括ZnSeS、ZnS或它们的组合。壳可以是多层壳。多层壳可以包括包含第三锌硫属化物的第一层和设置(例如，直接设置)在第一层上且包含第四锌硫属化物的第二层。第四锌硫属化物可以包括与第三锌硫属化物不同的组成。第一层和第二层可以(例如，直接)在彼此上(例如，(例如，直接)接触)。第一层可以直接设置在量子阱层上。第一层和第二层可以包括均具有不同的组成的锌硫属化物。第三锌硫属化物可以包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合，第四锌硫属化物可以独立地包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合。第一层可以包括ZnSe、ZnSeS或它们的组合，第二层可以包括ZnS。壳可以具有ZnSe/ZnS的结构。第二壳可以构成壳的最外层(例如，第二壳可以是壳的最外层)。
量子阱层可以设置在模板与壳之间。量子阱层可以被构造为吸收激发光(例如，蓝光)，并且发射可以根据其带隙能控制的光(例如，带缘发射(band-edge emission))。
量子阱层包括包含铟(In)、磷(P)、锌(Zn)和硫属元素的合金半导体纳米晶体。硫属元素可以不包括硒。合金半导体纳米晶体可以是InPZnS的三元合金。量子阱层可以包括例如在量子阱层的厚度方向上的相对均匀的合金组成。
在实施例的量子点中，具有相对窄带隙的量子阱层设置在具有相对宽带隙的模板上，钝化壳可以涂覆在量子阱层上。量子阱层可以起发射中心的作用。与具有类似结构的核-壳量子点相比，具有这种量子阱结构的胶体半导体纳米晶体颗粒(在下文中，也可以被称为量子阱(QW)量子点)可以呈现出改善的蓝光吸收。不希望被任何理论束缚，相信的是，与相同组成的发射芯相比，量子阱层可以实现(例如，呈现出)增加的体积，这可以增强光吸收。然而，QW量子点会倾向于在QW量子点的发射波长中显示出(例如，呈现出)显著的红移，这会使得QW量子点(例如，在绿光区域中)难以具有期望的光波长。
不希望被任何理论束缚，相信的是，QW量子点可以具有模板与发射层之间的界面以及发射层与壳之间的界面，因此可以具有比具有类似组成的核壳量子点的面积宽得多的面积。因此，发射层会倾向于具有更多数量的缺陷，并且会严重地阻碍颗粒的均匀生长。
不希望被任何理论束缚，相信的是，根据能级，具有量子阱结构的量子点不仅在导带的顶部中而且在价带的底部中会具有过多数量的尾态，这也会导致光致发光波长的红移。
令人惊讶地，本发明人已经发现，通过将上述合金组合物引入到量子阱层，实施例的量子点可以缓解红移问题而基本上没有任何不利影响。不希望被任何理论束缚，相信的是，设置有量子阱层的合金半导体纳米晶体可以显著地减少模板与量子阱层之间的界面处(以及量子阱层与壳之间的界面处)的晶格失配(lattice mismatch，或称为“晶格错配”)。这种减少的晶格失配可以控制量子阱层的形成以及随后的壳的形成中的缺陷的数量，并且也可以有助于颗粒的均匀生长，使得能够控制发射波长而基本上不引起诸如效率的降低的不利影响。
在实施例的量子点的情况下，量子阱层的用于发射期望的波长的厚度可以增加，这也可以减少结构无序。
在实施例的量子点中，合金半导体纳米晶体的晶格失配与第一半导体纳米晶体的晶格失配之间的差可以小于或等于约3％。在实施例的量子点中，合金半导体纳米晶体的晶格失配与第二半导体纳米晶体的晶格失配之间的差可以小于或等于约3％。实施例的量子点可以以相对高的发射效率发射期望的波长的光，包括该量子点的聚合物复合物膜可以显示出(例如，呈现出)改善的吸收以及增加的光转换率或光转换效率(CE％)水平。
在实施例中，量子阱层可以包括In1-xP1-yZnxSy(其中，x大于0、大于或等于约0.01、大于或等于约0.05、大于或等于约0.1、大于或等于约0.2、大于或等于约0.3、大于或等于约0.4、大于或等于约0.5且小于约1、小于或等于约0.95、小于或等于约0.9、小于或等于约0.85、小于或等于约0.8、小于或等于约0.75、小于或等于约0.7或者小于或等于约0.6，y大于0、大于或等于约0.01、大于或等于约0.05、大于或等于约0.1、大于或等于约0.2、大于或等于约0.3、大于或等于约0.4、大于或等于约0.5且小于约1、小于或等于约0.95、小于或等于约0.9、小于或等于约0.85、小于或等于约0.8、小于或等于约0.75、小于或等于约0.7、小于或等于约0.6或者小于或等于约0.55)。
在实施例的量子点中，模板可以包括锌和硒，量子阱层可以包括In1-xP1-yZnxSy，壳可以包括锌和硫。壳可以是多层壳，最外层可以包括ZnS。壳还可以包括硒。
在实施例的量子点中，基于量子点的所有元素的总摩尔数，铟和磷的总摩尔量可以(如通过诸如XPS、ICP等的适当的分析工具所确定的)小于或等于约20％、小于或等于约19％、小于或等于约18％、小于或等于约17％、小于或等于约16％、小于或等于约15％、小于或等于约14％、小于或等于约13％、小于或等于约12％、小于或等于约11％、小于或等于约10％、小于或等于约9％、小于或等于约8％、小于或等于约7％、小于或等于约6％、小于或等于约5％、小于或等于约4％或者小于或等于约3％。基于总量子点，铟和磷的总摩尔量可以大于或等于约0.01％、大于或等于约0.05％、大于或等于约0.1％、大于或等于约0.2％、大于或等于约0.3％、大于或等于约0.4％、大于或等于约0.5％、大于或等于约0.6％、大于或等于约0.7％、大于或等于约0.8％、大于或等于约0.9％或者大于或等于约1％。
如在此使用的，量子点中的每个组成的量可以通过使用ICP、XPS或另一适当的测量来测量(或确定)。
在实施例的量子点中，锌相对于铟的摩尔比可以大于或等于约7:1、大于或等于约9:1、大于或等于约10:1、大于或等于约13:1、大于或等于约15:1、大于或等于约18:1、大于或等于约20:1、大于或等于约22:1、大于或等于约23:1、大于或等于约24:1、大于或等于约25:1、大于或等于约26:1、大于或等于约27:1、大于或等于约28:1、大于或等于约29:1或者大于或等于约30:1。在实施例的量子点中，锌相对于铟的摩尔比可以小于或等于约55:1、小于或等于约50:1、小于或等于约45:1、小于或等于约40:1、小于或等于约35:1、小于或等于约30:1、小于或等于约25:1或者小于或等于约23:1。
在实施例的量子点中，磷相对于铟的摩尔比可以大于或等于约0.2:1、大于或等于约0.3:1、大于或等于约0.4:1、大于或等于约0.5:1、大于或等于约0.51:1、大于或等于约0.52:1、大于或等于约0.53:1、大于或等于约0.54:1、大于或等于约0.55:1、大于或等于约0.56:1、大于或等于约0.57:1、大于或等于约0.58:1、大于或等于约0.59:1、大于或等于约0.6:1、大于或等于约0.65:1、大于或等于约0.7:1或者大于或等于约0.75:1。在实施例的量子点中，磷相对于铟的摩尔比可以小于或等于约1.5:1、小于或等于约1.4:1、小于或等于约1.3:1、小于或等于约1.2:1、小于或等于约1.1:1、小于或等于约1.09:1、小于或等于约1.08:1、小于或等于约1.07:1、小于或等于约1.06:1、小于或等于约1.05:1、小于或等于约1.04:1、小于或等于约1.03:1、小于或等于约1.02:1、小于或等于约1.01:1、小于或等于约1:1、小于或等于约0.95:1、小于或等于约0.9:1、小于或等于约0.85:1或者小于或等于约0.75:1。
在实施例的量子点中，硫和硒的总和相对于锌的摩尔比可以大于或等于约0.5:1、大于或等于约0.6:1、大于或等于约0.7:1或者大于或等于约0.8:1且小于或等于约1:1、小于或等于约0.9:1、小于或等于约0.85:1或者小于或等于约0.8:1。
在实施例的量子点中，硫相对于硒的摩尔比可以小于或等于约1:1、小于或等于约0.9:1、小于或等于约0.8:1、小于或等于约0.7:1、小于或等于约0.6:1、小于或等于约0.5:1、小于或等于约0.4:1、小于或等于约0.39:1或者小于或等于约0.3:1且大于或等于约0.2:1、大于或等于约0.3:1、大于或等于约0.34:1或者大于或等于约0.4:1。
在实施例的量子点中，硒相对于铟的摩尔比可以大于或等于约9:1、大于或等于约10:1或者大于或等于约11:1。在实施例的量子点中，硒相对于铟的摩尔比可以小于或等于约40:1、小于或等于约35:1、小于或等于约30:1、小于或等于约25:1、小于或等于约20:1、小于或等于约15:1或者小于或等于约13:1。在实施例的量子点中，硒相对于铟的摩尔比可以大于或等于约5:1、大于或等于约6:1、大于或等于约7:1、大于或等于约8:1、大于或等于约9:1或者大于或等于约10:1。
在实施例的量子点中，硫相对于铟的摩尔比可以大于或等于约5:1、大于或等于约6:1、大于或等于约7:1、大于或等于约8:1、大于或等于约9:1或者大于或等于约10:1。在实施例的量子点中，硫相对于铟的摩尔比可以小于或等于约15:1、小于或等于约12:1或者小于或等于约10:1。
在实施例的量子点中，锌相对于硒的摩尔比可以小于或等于约3:1或者小于或等于约2:1。在实施例的量子点中，锌相对于硒的摩尔比可以大于或等于约1.5:1。
在实施例的量子点中，铟相对于硒的摩尔比(或磷相对于硒的摩尔比)可以小于或等于约0.2:1、小于或等于约0.1:1、小于或等于约0.09:1、小于或等于约0.08:1、小于或等于约0.07:1或者小于或等于约0.06:1；并且/或者大于或等于约0.05:1。
可以通过考虑量子点的期望的波长和组成来控制模板的尺寸(例如，直径或等效直径)或量子阱层的厚度。在实施例的量子点中，模板的尺寸可以大于或等于约0.8nm、大于或等于约1nm、大于或等于约1.1nm、大于或等于约1.2nm、大于或等于约1.3nm、大于或等于约1.4nm、大于或等于约1.5nm、大于或等于约1.6nm、大于或等于约1.7nm、大于或等于约1.8nm、大于或等于约1.9nm、大于或等于约2nm、大于或等于约2.1nm、大于或等于约2.2nm、大于或等于约2.3nm、大于或等于约2.4nm、大于或等于约2.5nm、大于或等于约2.6nm、大于或等于约2.7nm、大于或等于约2.8nm、大于或等于约2.9nm或者大于或等于约3.0nm。模板的尺寸可以小于或等于约5nm、小于或等于约4nm、小于或等于约3.5nm、小于或等于约3.45nm、小于或等于约3.4nm、小于或等于约3.3nm、小于或等于约3.2nm、小于或等于约3.1nm、小于或等于约3nm、小于或等于约2.9nm、小于或等于约2.8nm、小于或等于约2.7nm、小于或等于约2.6nm、小于或等于约2.5nm、小于或等于约2.4nm、小于或等于约2.3nm、小于或等于约2.2nm、小于或等于约2.1nm或者小于或等于约2nm。
量子阱层的厚度可以大于或等于约0.05nm、大于或等于约0.1nm、大于或等于约0.15nm、大于或等于约0.2nm、大于或等于约0.25nm、大于或等于约0.3nm、大于或等于约0.35nm、大于或等于约0.4nm、大于或等于约0.45nm或者大于或等于约0.5nm。量子阱层的厚度可以小于或等于约1.5nm、小于或等于约1.4nm、小于或等于约1.35nm、小于或等于约1.33nm、小于或等于约1.32nm、小于或等于约1.31nm、小于或等于约1.3nm、小于或等于约1.2nm、小于或等于约1.1nm、小于或等于约1.0nm、小于或等于约0.9nm、小于或等于约0.8nm、小于或等于约0.7nm、小于或等于约0.6nm、小于或等于约0.5nm或者小于或等于约0.35nm。
壳的厚度可以大于或等于约0.3nm、大于或等于约0.4nm、大于或等于约0.5nm、大于或等于约0.6nm、大于或等于约0.7nm、大于或等于约0.8nm、大于或等于约0.9nm、大于或等于约1nm、大于或等于约1.1nm、大于或等于约1.2nm、大于或等于约1.3nm、大于或等于约1.4nm或者大于或等于约1.5nm且小于或等于约4nm、小于或等于约3.5nm、小于或等于约3.0nm、小于或等于约2.9nm、小于或等于约2.8nm、小于或等于约2.7nm、小于或等于约2.6nm、小于或等于约2.4nm、小于或等于约2.3nm、小于或等于约2.2nm、小于或等于约2.1nm、小于或等于约2.0nm、小于或等于约1.5nm、小于或等于约1nm、小于或等于约0.8nm或者小于或等于约0.6nm。
在实施例中，量子点的尺寸(或平均尺寸)可以大于或等于约3nm、大于或等于约4nm、大于或等于约5nm或者大于或等于约6nm。在实施例中，量子点的尺寸(或平均尺寸)可以小于或等于约20nm、小于或等于约19nm、小于或等于约18nm、小于或等于约17nm、小于或等于约16nm、小于或等于约15nm、小于或等于约14nm、小于或等于约13nm、小于或等于约12nm、小于或等于约10nm、小于或等于约9nm、小于或等于约8nm、小于或等于约7nm、小于或等于约6nm或者小于或等于约5nm。
量子点的尺寸可以是颗粒直径。量子点的尺寸可以是通过转换由透射电子识别的二维面积计算的直径或等效直径。如在此使用的，诸如尺寸(例如，量子点相关维度)的维度可以指其平均(均值或中值平均)值(例如，平均尺寸)。
量子点可以构成发射绿光或红光的量子点群(例如，包括在发射绿光或红光的量子点群中)。量子点群的平均尺寸可以大于或等于约3nm、大于或等于约3.5nm、大于或等于约4nm、大于或等于约4.5nm、大于或等于约5.5nm、大于或等于约5.6nm、大于或等于约5.7nm、大于或等于约5.8nm、大于或等于约5.9nm或者大于或等于约6.0nm。在实施例中，量子点(例如，发射绿光)的尺寸可以小于或等于约30nm、小于或等于约25nm、小于或等于约20nm、小于或等于约15nm、小于或等于约14nm、小于或等于约13nm、小于或等于约12nm、小于或等于约11nm或者小于或等于约10nm。
在实施例中，量子点群可以具有小于或等于约20％、小于或等于约19％、小于或等于约18％、小于或等于约17％、小于或等于约16％或者小于或等于约15％的平均尺寸作为标准偏差的粒度分布。
在实施例中，量子点可以包括位于量子点的表面上的有机配体。有机配体可以包括RCOOH、NH2、R2NH、R3N、RSH、RH2PO、R2HPO、R3PO、RH2P、R2HP、R3P、ROH、RCOOR、RPO(OH)2、RPOOH、RHPOOH、R2POOH,或它们的组合(其中，R相同或不同，并且均独立地是C1至C40脂肪族烃基(例如，C1至C40或C3至C24烷基、C2至C40或C3至C24烯基、C2至C40或C3至C24炔基)或C6至C40芳香族烃基(例如，C6至C20芳基))或它们的组合。
有机配体可以配位到(例如或结合到)所获得的纳米晶体的表面，并且可以使得纳米晶体很好地分散在溶液中、影响量子点的发光特性和电特性或者它们的组合。
有机配体的示例可以包括：甲硫醇、乙硫醇、丙硫醇、丁硫醇、戊硫醇、己硫醇、辛硫醇、十二硫醇、十六硫醇、十八硫醇或苄硫醇；甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、己胺、辛胺、十二胺、十六胺、十八胺、二甲胺、二乙胺或二丙胺；甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、十二酸、十六酸、十八酸、油酸或苯甲酸；膦，诸如取代或未取代的甲基膦(例如，三甲基膦、甲基二苯基膦等)、取代或未取代的乙基膦(例如，三乙基膦、乙基二苯基膦等)、取代或未取代的丙基膦、取代或未取代的丁基膦、取代或未取代的戊基膦或者取代或未取代的辛基膦(例如，三辛基膦(TOP))；氧化膦，诸如取代或未取代的甲基氧化膦(例如，三甲基氧化膦、甲基二苯基氧化膦等)、取代或未取代的乙基氧化膦(例如，三乙基氧化膦、乙基二苯基氧化膦等)、取代或未取代的丙基氧化膦、取代或未取代的丁基氧化膦或者取代或未取代的辛基氧化膦(例如，三辛基氧化膦(TOPO))；二苯基膦、三苯基膦或它们的氧化物；C5至C20烷基次膦酸或C5至C20烷基膦酸(诸如膦酸、己基次膦酸、辛基次膦酸、十二烷基次膦酸、十四烷基次膦酸、十六烷基次膦酸或十八烷基次膦酸)等；但不限于此。可以使用两种或更多种不同的有机配体。有机配体可以包括羧酸化合物和胺化合物的混合物。
在根据实施例的量子点中，量子点的UV-Vis吸收光谱曲线在大于或等于约390nm、大于或等于约400nm、大于或等于约410nm、大于或等于约415nm、大于或等于约420nm、大于或等于约425nm、大于或等于约430nm、大于或等于约435nm、大于或等于约440nm、大于或等于约445nm、大于或等于约450nm、大于或等于约455nm、大于或等于约460nm、大于或等于约465nm、大于或等于约470nm、大于或等于约475nm、大于或等于约480nm、大于或等于约485nm或者大于或等于约490nm且小于或等于约620nm、小于或等于约550nm、小于或等于约540nm、小于或等于约530nm、小于或等于约520nm、小于或等于约510nm、小于或等于约500nm、小于或等于约495nm、小于或等于约490nm、小于或等于约485nm、小于或等于约480nm、小于或等于约475nm、小于或等于约470nm、小于或等于约465nm、小于或等于约460nm、小于或等于约455nm、小于或等于约450nm、小于或等于约445nm、小于或等于约440nm、小于或等于约435nm、小于或等于约430nm、小于或等于约425nm或者小于或等于约420nm的波长范围(或所列举的极限值的组合范围)内可以不具有拐点或谷(即，其中曲线的切线的斜率从负值变为正值的点)。在实施例中，量子点的UV-Vis吸收光谱曲线可以不具有第一吸收峰。不希望被任何理论束缚，相信的是，通过在量子阱层中包括合金半导体纳米晶体，量子点可以具有在上述波长范围内没有拐点的UV-Vis吸收光谱。
如在此使用的，拐点是曲线上其处凹度改变的点。在实施例中，拐点可以是连续地可微分平面曲线上的点，在该点处曲线与曲线的切线相交。在实施例中，曲线可以呈现出从向下凹到向上凸或者向上凹的变化，反之亦然。
不希望被任何理论束缚，相信的是，实施例的UV-Vis吸收光谱可以表明，在实施例的量子点的情况下，发射区域存在于包括合金半导体纳米晶体的量子阱层中(与核-壳结构量子点不同)，因此显示出(例如，呈现出)所公开的UV-Vis吸收光谱的量子点可以呈现出增加的蓝光吸收以及增加的量子效率。
在实施例的量子点中，合金半导体纳米晶体可以包括在量子阱层中，可以减轻模板与量子阱层之间以及量子阱层与壳之间的界面处的晶格失配，并且可以控制量子阱层的带隙能，使得可以增加量子阱层的用于期望的发射波长的厚度。实施例的量子点可以解决在最终QW结构中会另外发生的显著的红移问题，而基本上不会对发光性质(例如，量子效率)造成任何不利影响。
实施例的量子点可以发射具有期望的范围的波长的光(例如，绿光或红光)。
量子点或绿光可以具有在大于或等于约490nm、大于或等于约495nm、大于或等于约500nm、大于或等于约505nm、大于或等于约510nm、大于或等于约515nm或者大于或等于约520nm且小于或等于约550nm、小于或等于约545nm、小于或等于约540nm、小于或等于约535nm、小于或等于约530nm、小于或等于约525nm或者小于或等于约520nm的范围内的最大发光峰值波长。量子点或红光可以具有在大于或等于约600nm、大于或等于约605nm、大于或等于约610nm、大于或等于约615nm或者大于或等于约620nm且小于或等于约650nm、小于或等于约645nm、小于或等于约640nm、小于或等于约635nm或者小于或等于约620nm的范围内的最大发光峰值波长。
实施例的量子点(或实施例的量子点的最大发光峰值)可以显示出(例如，呈现出)小于或等于约100nm、小于或等于约80nm、小于或等于约70nm、小于或等于约60nm、小于或等于约50nm、小于或等于约40nm或者小于或等于约35nm的半峰全宽。
实施例的量子点可以具有大于或等于约40％或者大于或等于约50％的量子效率。
根据实施例的量子点通过胶体合成制备，因此可以包括位于量子点的表面上的如在此所描述的有机配体、有机溶剂或它们的组合。有机配体、有机溶剂或它们的组合可以结合到量子点的表面。
因此，在实施例中，制备上述量子点的方法包括以下步骤：获得包括第一半导体纳米晶体的模板；形成包括合金半导体纳米晶体的量子阱层；以及如果期望，在量子阱层上形成包括第二半导体纳米晶体的壳。
模板、量子阱层和壳的细节与在此所描述的相同。根据模板、量子阱层和壳的组成，可以适当地选择金属前驱体和非金属前驱体。金属前驱体可以包括金属粉末、烷基化金属、金属羧酸盐、金属氢氧化物、金属卤化物、金属氧化物、金属无机盐(例如，金属硝酸盐、金属硫酸盐等)、金属乙酰丙酮化物或它们的组合，但不限于此。非金属前驱体可以包括用于量子点合成中的非含氮化合物。
在下文中，描述了包括模板、量子阱和壳的量子点的制备，模板包括包含硒化锌的第一半导体纳米晶体，量子阱包括包含铟、磷、锌和硫的第二半导体纳米晶体，壳包括锌和硫属元素(例如，硫、硒或它们的组合)，但是本公开不限于此。
为了形成模板，在有机配体的存在下，锌前驱体和硒前驱体在有机溶剂中反应。所述方法还可以包括使所形成的模板分离。
有机配体的细节与在此所阐述的相同。有机溶剂可以是：C6至C22伯胺，诸如十六胺；C6至C22仲胺，诸如二辛胺；C6至C40叔胺，诸如三辛胺；含氮杂环化合物，诸如吡啶；C6至C40脂肪族烃(例如，烷烃、烯烃、炔烃等)，诸如十六烷、十八烷、十八烯或角鲨烷；C6至C30芳香族烃，诸如苯基十二烷、苯基十四烷或苯基十六烷；取代有C6至C22烷基的膦，诸如三辛基膦；取代有C6至C22烷基的氧化膦，诸如三辛基氧化膦；C12至C22芳香醚，诸如苯醚或苄醚；或者它们的组合。考虑到前驱体和有机配体，可以适当地选择有机溶剂的类型和量。
可以通过添加非溶剂来分离所形成的模板，但不限于此。例如，向制备的最终反应溶液添加非溶剂可以使与有机配体配位(例如结合到有机配体)的纳米晶体分离(例如，沉淀)。可以使用非溶剂洗涤所分离的模板。非溶剂可以是与反应中使用的溶剂混溶而纳米晶体不可分散在其中的极性溶剂。
非溶剂可以根据反应中使用的有机溶剂来选择，并且可以是例如丙酮、乙醇、丁醇、异丙醇、乙二醇、水、四氢呋喃(THF)、二甲基亚砜(DMSO)、二乙醚、甲醛、乙醛、具有与上述溶剂的溶解度参数相似的溶解度参数的溶剂或它们的组合。可以通过离心、沉淀、层析或蒸馏执行分离。根据期望，可以将所分离的纳米晶体添加到洗涤溶剂，然后对其进行洗涤。洗涤溶剂没有特别限制，并且可以使用具有与有机配体的溶解度参数相似的溶解度参数的溶剂。洗涤溶剂的示例可以包括己烷、庚烷、辛烷、氯仿、甲苯和苯。
为了形成量子阱，可以将铟前驱体、磷前驱体、锌前驱体和含硫属元素的前驱体(例如，硫前驱体)同时地或顺序地添加到包括有机溶剂、模板和可选的有机配体的反应介质中，并在其中进行反应。在量子阱的形成中，可以通过考虑量子阱的组成和厚度来选择金属前驱体/非金属前驱体的类型和量。在实施例中，可以在过量的锌前驱体的情况下进行量子阱层的形成。每1摩尔锌添加到反应介质中的铟前驱体的量可以大于或等于约0.1摩尔、大于或等于约0.3摩尔、大于或等于约0.5摩尔且小于或等于约1摩尔、小于或等于约0.9摩尔、小于或等于约0.8摩尔、小于或等于约0.7摩尔、小于或等于约0.6摩尔、小于或等于约0.5摩尔或者小于或等于约0.4摩尔。
在实施例中，与模板的形成类似，可以通过向反应体系添加非溶剂来分离其中形成有量子阱层的颗粒。在实施例中，包括量子阱层的颗粒可以在不分离的情况下经受壳形成反应。
锌前驱体和含硫属元素的前驱体可以反应以在具有所形成的量子阱层的颗粒上形成具有期望的组成的壳。为了形成多层壳，可以将壳前驱体的所期望的组合同时地或顺序地添加到反应体系中以进行用于形成壳的每个层的反应。
可以考虑前驱体化合物、有机配体、有机溶剂的类型来选择在此所阐述每个步骤中的反应温度。
可以考虑到前驱体之间的反应性、反应温度和期望的层或颗粒的厚度或尺寸来控制用于形成模板、形成量子阱层、形成壳或它们的组合的反应时间。反应温度可以大于或等于约200℃，例如，大于或等于约210℃、大于或等于约220℃、大于或等于约230℃、大于或等于约240℃、大于或等于约250℃、大于或等于约260℃、大于或等于约270℃、大于或等于约280℃、大于或等于约290℃或者大于或等于约300℃且小于或等于约360℃、小于或等于约350℃、小于或等于约340℃、小于或等于约330℃或者小于或等于约320℃。每个步骤中的反应时间可以小于或等于约2小时、小于或等于约1小时或者小于或等于约50分钟。反应时间可以大于或等于约20分钟，例如，大于或等于约30分钟。
在上述步骤的每个中，可以通过考虑最终的量子点(模板、量子阱和壳)中的前驱体的组成、前驱体的反应性等来确定前驱体的类型、含量或其组合或者它们之间的比例。
上述步骤(例如，模板的形成、量子阱层的形成和壳的形成)中的每个可以包括：在真空下在预定的温度(例如，大于或等于约100℃)下加热(或真空处理)有机溶剂和金属前驱体(可选地，以及配体化合物)，并且在转变为惰性气体气氛之后在预定的温度(例如，大于或等于约100℃)下再次加热它们。
可以顺序地或同时地进行金属前驱体、非金属前驱体或它们的组合的注入，并且可以适当地选择注入的温度。在实施例中，在形成多层壳或多层量子阱期间，在反应时间期间，可以将金属前驱体、非金属前驱体或它们的组合以不同的比例添加若干次。
前驱体没有特别限制，并且可以适当地选择。在实施例中，可以适当地选择锌前驱体。
在实施例中，可以适当地选择锌前驱体的类型。锌前驱体的示例可以是Zn金属粉末、烷基化的Zn化合物(例如，二甲基锌、二乙基锌等)、醇Zn、羧酸Zn(例如，锌化合物与具有C8至C40烷基的羧酸化合物之间的反应产物，诸如，油酸锌、月桂酸锌、硬脂酸锌等)、硝酸Zn、高氯酸Zn、硫酸Zn、乙酰丙酮Zn、卤化Zn、氰化Zn、氢氧化Zn、氧化Zn、过氧化Zn或它们的组合。可以使用两种或更多种不同的锌前驱体。
硒前驱体可以包括硒-三辛基膦(Se-TOP)、硒-三丁基膦(Se-TBP)、硒-三苯基膦(Se-TPP)、硒-二苯基膦(Se-DPP)或它们的组合，但不限于此。
可以适当地选择铟前驱体。铟前驱体的示例可以是三甲基铟、C1或更高级、C5或更高级、C10或更高级或者C12或更高级羧酸铟(诸如乙酸铟、棕榈酸铟或硬脂酸铟)、氢氧化铟、氯化铟、氧化铟、硝酸铟、硫酸铟或它们的组合。
可以适当地选择磷前驱体。磷前驱体的示例可以是三(三甲基甲硅烷基)膦、三(二甲基氨基)膦、三乙基膦、三丁基膦、三辛基膦、三苯基膦、三环己基膦或它们的组合。
可以适当地选择硫前驱体。硫前驱体可以是(具有例如至少一个硫醇基的)C6至C20烷基(或烯基)硫醇化合物，诸如己硫醇、辛硫醇、癸硫醇、十二硫醇、十六硫醇、巯基丙基硅烷、硫-三辛基膦(S-TOP)、硫-三丁基膦(S-TBP)、硫-三苯基膦(S-TPP)、硫-三辛胺(S-TOA)、双三甲基甲硅烷基硫、硫化铵、硫化钠或它们的组合。
在实施例中，组合物可以包括：(例如，多个)上述量子点；分散剂；以及(有机)溶剂、液态载体或它们的组合。分散剂可以分散量子点。组合物还可以包括含羧酸基的化合物(例如，单体或粘合剂聚合物)。组合物还可以包括包含碳-碳双键的可(光)聚合单体和可选的(热或光)引发剂。组合物可以具有光敏性。
组合物中的量子点的细节在此所描述的。考虑到期望的最终用途(例如，滤色器等)，可以适当地调节组合物中的量子点的量。在实施例中，基于组合物的固体含量，量子点的量可以大于或等于约1重量百分比(wt％)，例如，大于或等于约2wt％、大于或等于约3wt％、大于或等于约4wt％、大于或等于约5wt％、大于或等于约6wt％、大于或等于约7wt％、大于或等于约8wt％、大于或等于约9wt％、大于或等于约10wt％、大于或等于约15wt％、大于或等于约20wt％、大于或等于约25wt％、大于或等于约30wt％、大于或等于约35wt％或者大于或等于约40wt％。基于组合物的固体含量，量子点的量可以小于或等于约70wt％，例如，小于或等于约65wt％、小于或等于约60wt％、小于或等于约55wt％或者小于或等于约50wt％。组合物中的组分相对于总固体含量的重量百分比可以表示复合物中的组分的含量，这将在此描述。
根据实施例的组合物可以用于提供量子点聚合物复合物图案。根据实施例的组合物可以是包括可适用于光刻法的量子点的光致抗蚀剂组合物。根据实施例的组合物可以是可以通过印刷(例如，诸如喷墨印刷的液滴排放法)提供图案的墨组合物。根据实施例的组合物可以不包括共轭(或导电)聚合物(除了将在此描述的cardo粘合剂之外)。根据实施例的组合物可以包括共轭聚合物。在此，共轭聚合物指在聚合物的主链中具有共轭双键的聚合物(例如，聚苯撑乙烯撑等)。
在根据实施例的组合物中，分散剂可以确保量子点的分散。在实施例中，分散剂可以是粘合剂(或粘合剂聚合物)。粘合剂聚合物可以包括羧酸基(例如，在其重复单元中)。粘合剂可以是含羧酸基的化合物(单体或聚合物)。粘合剂可以包括含羧酸基的化合物。粘合剂可以是绝缘聚合物。
分散剂或粘合剂聚合物可以包括：单体组合或它们的共聚物，单体组合包括包含羧酸基和碳-碳双键的第一单体、具有碳-碳双键和疏水部分且不包括羧酸基的第二单体以及包括碳-碳双键和亲水部分且不包括羧酸基的可选的第三单体；含多个芳香环的聚合物，具有其中两个芳香环结合到季碳原子的骨架结构且包括羧酸基(-COOH)(在下文中，cardo粘合剂)，季碳原子是主链中的另一个环部分的构成原子；或者它们的组合。分散剂可以包括第一单体、第二单体和可选的第三单体。
在组合物中，基于组合物的总重量(或固体含量)，分散剂或粘合剂聚合物的量可以大于或等于约0.5wt％，例如，大于或等于约1wt％、大于或等于约5wt％、大于或等于约10wt％、大于或等于约15wt％或者大于或等于约20wt％，但不限于此。基于组合物的总重量(或固体含量)，粘合剂聚合物的量可以小于或等于约55wt％，例如，小于或等于约50wt％、小于或等于约40wt％、小于或等于约35wt％、小于或等于约33wt％或者小于或等于约30wt％。基于组合物的固体含量的总重量，粘合剂聚合物的量可以是约0.5wt％至约55wt％。
在组合物中，包括碳-碳双键的可聚合(例如，可光聚合)单体(在下文中，可以被称为“单体”)可以包括(例如，可光聚合)(甲基)丙烯酰基类单体。单体可以是用于绝缘聚合物的前驱体。
基于组合物的总重量，单体的量可以大于或等于约0.5wt％，例如，大于或等于约1wt％或者大于或等于约2wt％。基于组合物的总重量，单体的量可以小于或等于约30wt％，例如，小于或等于约28wt％、小于或等于约25wt％、小于或等于约23wt％、小于或等于约20wt％、小于或等于约18wt％、小于或等于约17wt％、小于或等于约16wt％或者小于或等于约15wt％。
包括在组合物中的(光)引发剂是引发组合物中的上述单体的(光)聚合的化合物。引发剂是通过在温和条件下(例如，通过热或光)产生自由基化学物质来促进自由基反应(例如，单体的自由基聚合)的化合物。引发剂可以是热引发剂或光引发剂。引发剂没有特别限制，并且可以适当地选择。
在组合物中，可以考虑可聚合单体的类型和量来适当地调节引发剂的量。在实施例中，基于组合物的总重量(或固体含量的总重量)，引发剂的量可以大于或等于约0.01wt％，例如，大于或等于约1wt％且小于或等于约10wt％，例如，小于或等于约9wt％、小于或等于约8wt％、小于或等于约7wt％、小于或等于约6wt％或者小于或等于约5wt％，但不限于此。
组合物(或稍后将描述的聚合物基质)还可以包括(多官能或单官能的)硫醇化合物、金属氧化物微粒或它们的组合，(多官能或单官能的)硫醇化合物例如在其末端处具有例如至少一个硫醇基。
金属氧化物微粒可以包括TiO2、SiO2、BaTiO3、Ba2TiO4、ZnO或它们的组合。在组合物中，基于组合物的总重量(或其固体含量)，金属氧化物微粒的量可以大于或等于约1wt％、大于或等于约5wt％或者大于或等于约10wt％且小于或等于约50wt％、小于或等于约40wt％、小于或等于约30wt％、小于或等于约25wt％、小于或等于约20wt％、小于或等于约15wt％、小于或等于约10wt％或者小于或等于约5wt％。
金属氧化物微粒可以具有适当地选择的直径而没有特别的限制。金属氧化物微粒的直径可以大于或等于约100nm，例如，大于或等于约150nm或者大于或等于约200nm且小于或等于约1000nm或者小于或等于约800nm。
硫醇化合物可以是二硫醇化合物、三硫醇化合物、四硫醇化合物或它们的组合。例如，硫醇化合物可以是乙二醇二-3-巯基丙酸酯、乙二醇二巯基乙酸酯、三羟甲基丙烷三(3-巯基丙酸酯)、季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)、季戊四醇四(2-巯基乙酸酯)、1,6-己二硫醇、1,3-丙二硫醇、1,2-乙二硫醇、包括1个至10个乙二醇重复单元的聚乙二醇二硫醇或它们的组合。
基于组合物的总重量(或固体含量的总重量)，硫醇化合物的量可以小于或等于约50wt％、小于或等于约40wt％、小于或等于约30wt％、小于或等于约20wt％、小于或等于约10wt％、小于或等于约9wt％、小于或等于约8wt％、小于或等于约7wt％、小于或等于约6wt％或者小于或等于约5wt％。基于组合物的总重量(或固体含量的总重量)，硫醇化合物的量可以大于或等于约0.1wt％，例如，大于或等于约0.5wt％、大于或等于约1wt％、大于或等于约5wt％、大于或等于约10wt％或者大于或等于约15wt％。
组合物还可以包括有机溶剂(或液态载体，在下文中，被称为溶剂)。可用的有机溶剂的类型没有特别限制。
溶剂的示例可以包括但不限于：3-乙氧基丙酸乙酯；乙二醇系列，诸如乙二醇、二乙二醇或聚乙二醇；乙二醇醚系列，诸如乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、二乙二醇单甲醚、乙二醇二乙醚或二乙二醇二甲醚；乙二醇醚乙酸酯系列，诸如乙二醇单甲醚乙酸酯、乙二醇单乙醚乙酸酯、二乙二醇单乙醚乙酸酯或二乙二醇单丁醚乙酸酯；丙二醇系列，诸如丙二醇；丙二醇醚系列，诸如丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丙醚、丙二醇单丁醚、丙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚或二丙二醇二乙醚；丙二醇醚乙酸酯系列，诸如丙二醇单甲醚乙酸酯或二丙二醇单乙醚乙酸酯；酰胺系列，诸如N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺；酮系列，诸如甲基乙基酮(MEK)、甲基异丁基酮(MIBK)或环己酮；石油产品系列，诸如甲苯、二甲苯或溶剂石脑油；酯系列，诸如乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸环己酯或乳酸乙酯；醚系列，诸如二乙醚、二丙醚或二丁醚；氯仿、C1至C40脂肪族烃(例如，烷烃、烯烃或炔烃)、卤素(例如，氯)取代的C1至C40脂肪族烃(例如，二氯乙烷、三氯甲烷等)、C6至C40芳香族烃(例如，甲苯、二甲苯等)、卤素(例如，氯)取代的C6至C40芳香族烃；或者它们的组合。
可以通过考虑上述主要组分(即，量子点、分散剂、可光聚合单体、光引发剂和如果使用的硫醇化合物)以及将在此描述的添加剂的类型和量来适当地选择溶剂的类型和量。组合物可以包括除了期望量的固体含量(非挥发性组分)之外的剩余量的溶剂。
组合物(例如，喷墨组合物)在25℃下可以具有大于或等于约4厘泊(cPs)、大于或等于约5cPs、大于或等于约5.5cPs、大于或等于约6.0cPs或者大于或等于约7.0cPs的粘度。组合物(例如，喷墨组合物)在25℃下可以具有小于或等于约12cPs、小于或等于约10cPs或者小于或等于约9cPs的粘度。
如果在喷墨工艺中施用组合物，则组合物可以在室温下被排放到基底上，并且可以例如通过加热形成量子点聚合物复合物或量子点聚合物复合物的图案。与所公开的粘度一起，墨组合物在23℃下可以具有大于或等于约21毫牛顿每米(mN/m)、大于或等于约22mN/m、大于或等于约23mN/m、大于或等于约24mN/m、大于或等于约25mN/m、大于或等于约26mN/m、大于或等于约27mN/m、大于或等于约28mN/m、大于或等于约29mN/m、大于或等于约30mN/m或者大于或等于约31mN/m且小于或等于约40mN/m、小于或等于约39mN/m、小于或等于约38mN/m、小于或等于约37mN/m、小于或等于约36mN/m、小于或等于约35mN/m、小于或等于约34mN/m、小于或等于约33mN/m或者小于或等于约32mN/m的表面张力。墨组合物的表面张力可以小于或等于约31mN/m、小于或等于约30mN/m、小于或等于约29mN/m或者小于或等于约28mN/m。
如果期望，除了上述组分之外，组合物还可以包括诸如光漫射剂、流平剂或偶联剂的各种添加剂。
可以适当地选择包括在实施例的组合物(例如，光致抗蚀剂组合物)中的组分(粘合剂、单体、溶剂、添加剂、硫醇化合物、cardo粘合剂等)，对于细节，可以参考例如US-2017-0052444-A1中描述的。
根据实施例的组合物可以通过包括以下步骤的方法制备：制备包括上述量子点、分散剂和溶剂的量子点分散体；以及将量子点分散体与引发剂、可聚合单体(例如，丙烯酰基类单体)、可选的硫醇化合物、可选的金属氧化物微粒以及可选的上述添加剂混合。可以顺序地或同时地混合上述组分中的每一种，但是混合顺序没有特别限制。
组合物可以通过(例如，自由基)聚合提供量子点聚合物复合物。
在实施例中，量子点(聚合物)复合物包括：聚合物基质；以及上述量子点，分散在聚合物基质中。(聚合物)基质可以包括线性聚合物、交联聚合物或它们的组合。交联聚合物可以包括巯基烯(thiolene)树脂、交联聚(甲基)丙烯酸酯、交联聚氨酯、交联环氧树脂、交联乙烯基聚合物、交联有机硅树脂或它们的组合。线性聚合物可以包括衍生自碳-碳不饱和键(例如，碳-碳双键)的重复单元。重复单元可以包括羧酸基。线性聚合物可以包括亚乙基重复单元。
聚合物基质可以包括分散剂(例如，包括羧酸基的粘合剂聚合物)、具有(至少一个，例如，至少两个、至少三个、至少四个或至少五个)碳-碳双键的可聚合单体的聚合产物(例如，绝缘聚合物)、可选的可聚合单体与硫醇化合物(例如，例如在其末端处具有至少两个硫醇基的多硫醇化合物)的聚合产物，或者它们的组合。量子点聚合物复合物还可以包括上述金属氧化物微粒。
在实施例中，聚合物基质可以包括交联聚合物和分散剂(例如，(含羧基的)粘合剂聚合物)。聚合物基质可以不包括共轭聚合物(除了cardo树脂之外)。交联聚合物可以包括巯基烯树脂、交联聚(甲基)丙烯酸酯或它们的组合。在实施例中，交联聚合物可以是可聚合单体和可选的(例如，在其末端处)具有至少两个硫醇的多硫醇化合物的聚合产物。
量子点、分散剂或粘合剂聚合物、可聚合单体和多硫醇化合物可以与在此所描述的相同。
量子点聚合物复合物的膜(或如在此所描述的其图案)可以具有例如小于或等于约30μm，例如，小于或等于约25μm、小于或等于约20μm、小于或等于约15μm、小于或等于约10μm、小于或等于约8μm或者小于或等于约7μm且大于或等于约2μm，例如，大于或等于约3μm、大于或等于约3.5μm、大于或等于约4μm、大于或等于约5μm或者大于或等于约6μm的厚度。
在实施例中，图案化膜包括重复部分，所述重复部分包括被构造为发射第一光的第一部分，其中，第一部分包括上述量子点(聚合物)复合物。重复部分可以包括发射具有与第一光的波长不同的波长的第二光的第二部分，其中，第二部分可以包括量子点聚合物复合物。第二部分的量子点聚合物复合物可以包括被构造为发射第二光的第二量子点。第二量子点可以包括上述量子点。第一光或第二光可以是具有在约600nm与约650nm之间(例如，约620nm至约650nm)的最大光致发光峰值波长的红光或者具有在约500nm与约550nm之间(例如，约510nm至约540nm)的最大光致发光峰值波长的绿光。图案化膜还可以包括发射与第一光和第二光不同的第三光(例如，蓝光)的第三部分。第三光可以具有约380nm至约480nm的范围的最大峰值波长。如在此所公开的，第三部分可以允许蓝色激发光穿过量子点聚合物复合物的图案化膜。
在实施例中，显示装置包括光源和光致发光元件，光致发光元件包括发光层，发光层包括量子点聚合物复合物的膜或图案化膜。发光层可以设置在(例如，透明)基底上。光源被构造为向光致发光元件提供入射光。入射光可以具有大于或等于约440nm，例如，大于或等于约450nm且小于或等于约500nm，例如，小于或等于约480nm、小于或等于约470nm或者小于或等于约460nm的发光峰值波长。
在根据实施例的显示装置的发光层(例如，量子点聚合物复合物的图案化膜)中，第一部分可以是发射红光的部分，第二部分可以是发射绿光的部分，光源可以是发射蓝光和可选的绿光的元件。
在实施例中，在第一部分和第二部分的前侧(即，发光面)上可以设置切割(例如，吸收或反射)蓝光和可选的绿光的第一光学元件。
在上述显示装置中，光源包括分别与第一部分和第二部分对应的多个发光单元，发光单元可以包括均具有彼此相对的表面的第一电极和第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的电致发光层。电致发光层可以包括有机发光材料。例如，光源的每个发光单元可以包括被构造为发射预定的波长的光(例如，蓝光、绿光或它们的组合)的电致发光器件(例如，有机发光二极管(OLED))。电致发光器件和有机发光二极管(OLED)的结构和材料没有特别限制。光源包括发射蓝光(和可选的绿光)的有机发光二极管(OLED)。
图2是根据实施例的显示装置的示意性剖视图，图3是根据实施例的显示装置的示意性剖视图。参照图2和图3，光源包括发射蓝光的有机发光二极管(OLED)。有机发光二极管OLED可以包括：(至少两个，例如，三个或更多个)像素电极90a、90b、90c，形成在基底100上；像素限定层150a、150b，形成在相邻的像素电极90a、90b、90c之间；有机发光层140a、140b、140c，形成在像素电极90a、90b、90c上；以及共电极(层)130，形成在有机发光层140a、140b、140c上。薄膜晶体管和基底可以设置在有机发光二极管(OLED)下面。
包括量子点聚合物复合物图案170(例如，包括或不包括量子点(例如，发射蓝光)的部分31，包括红色发光量子点的部分21和包括绿色发光量子点的部分11)、滤光层160和透明的基底(或被称为上基底)240的堆叠结构可以设置在光源上。从光源发射并入射到图案化的部分上的激发光(例如，蓝光)分别被转换为红光和绿光。从光源发射的蓝光可以穿过图案化的量子点聚合物复合物的第三部分。
可以通过单独地制备上述堆叠结构和(例如，蓝光发射)LED或OLED然后将它们进行组装来获得显示装置。可以通过直接在LED或OLED上形成量子点聚合物复合物图案来获得显示装置。
基底可以是包括绝缘材料的基底。基底可以包括：玻璃；各种聚合物，诸如聚酯(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN))；聚碳酸酯或聚丙烯酸酯；聚硅氧烷(例如，聚二甲基硅氧烷(PDMS))；无机材料，诸如Al2O3或ZnO；或者它们的组合，但不限于此。考虑到基底材料，可以适当地选择基底的厚度，但没有特别限制。基底可以具有柔性。针对从量子点发射的光，基底可以具有大于或等于约50％、大于或等于约60％、大于或等于约70％、大于或等于约80％或者大于或等于约90％的透射率。
在基底上形成包括薄膜晶体管等的布线层。布线层还可以包括栅极线、维持电压线、栅极绝缘层、数据线、源电极、漏电极、半导体、保护层等。根据实施例，可以确定布线层的细节结构。栅极线和维持电压线彼此电分离，数据线与栅极线和维持电压线绝缘且交叉。栅电极、源电极和漏电极分别形成薄膜晶体管的控制端子、输入端子和输出端子。漏电极电连接到将在此描述的像素电极。
像素电极可以用作显示装置的阳极。像素电极可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料形成。像素电极可以由诸如金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)或钛(Ti)的具有阻光性质的材料形成。像素电极可以具有其中顺序地堆叠有透明导电材料和具有阻光性质的材料的两层结构。
在两个相邻的像素电极之间，像素限定层(PDL)可以与像素电极的末端叠置，以将像素电极划分为像素单元。像素限定层可以是可以电阻挡至少两个像素电极的绝缘层。
像素限定层可以覆盖像素电极的上表面的一部分，像素电极的未被像素限定层覆盖的剩余区域可以提供开口。将在此描述的有机发射层可以形成在由开口限定的区域中。
有机发射层通过像素电极和像素限定层限定每个像素区域。换句话说，一个像素区域可以被限定为形成有一个有机发射单元层的区域，所述有机发射单元层与被像素限定层划分的一个像素电极接触。
在根据实施例的显示装置中，有机发射层可以被限定为第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域，每个像素区域通过像素限定层彼此分隔开并留有预定的间隔。
在实施例中，有机发射层可以发射属于可见光区域或属于紫外光(UV)区域的第三光。换句话说，有机发射层的第一像素区域至第三像素区域中的每个可以发射第三光。在实施例中，第三光可以是可见光区域中具有最高能量的光，例如，可以是蓝光。当有机发射层的所有像素区域被构造为发射同一种光时，有机发射层的每个像素区域可以由相同或相似的材料形成，或者可以显示出(例如，呈现出)相同或相似的性质。因此，可以降低(例如，减轻)形成有机发射层的工艺难度，显示装置可以应用于(例如，用于)大规模/大面积加工。然而，根据实施例的有机发射层不必限于此，而是有机发射层可以被构造为发射至少两种不同的光。
有机发射层在每个像素区域中包括有机发射单元层，除了发射层之外，每个有机发射单元层还可以包括辅助层(例如，空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)等)。
共电极可以用作显示装置的阴极。共电极可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料形成。共电极可以形成在有机发射层上且可以与有机发射层集成。
平坦化层或钝化层(未示出)可以形成在共电极上。平坦化层可以包括用于确保与共电极的电绝缘的(例如，透明的)绝缘材料。
在实施例中，显示装置还可以包括下基底、设置在下基底下面的偏振器和设置在堆叠结构与下基底之间的液晶层，在堆叠结构中，发光层可以设置为面对液晶层。显示装置还可以包括位于液晶层与发射层之间的偏振器。光源还可以包括LED，并且如果期望，还可以包括导光面板。
参照附图示出了根据实施例的显示装置(例如，液晶显示装置)的非限制性示例。图4是示出了根据实施例的液晶显示装置的示意性剖视图。参照图4，实施例的显示装置包括液晶面板200、设置在液晶面板200下面的偏振器300以及设置在偏振器300下面的背光单元。
液晶面板200包括下基底210、堆叠结构和设置在堆叠结构与下基底210之间的液晶层220。堆叠结构包括透明基底240、第一滤光器层310、包含量子点聚合物复合物的图案的光致发光层230和第二滤光器层311。
也被称为阵列基底的下基底210可以是透明绝缘材料基底。基底与在此所描述的相同。布线板211设置在下基底210的上表面上。布线板211可以包括限定像素区域的多条栅极线(未示出)和多条数据线(未示出)、设置为与栅极线和数据线的交叉区域相邻的薄膜晶体管以及针对每个像素区域的像素电极，但不限于此。这种布线板的细节没有特别限制。
液晶层220可以设置在布线板211上。液晶面板200可以包括在液晶层220上和下面的取向层221，以使包括在其中的液晶材料初始取向。液晶层和取向层的细节(例如，液晶材料、取向层材料、形成液晶层的方法、液晶层的厚度等)没有特别限制。
下部偏振器300设置在下基底210下面。偏振器300的材料和结构没有特别限制。(例如，发射蓝光的)背光单元可以设置在偏振器300下面。
上部光学元件或上部偏振器300可以设置在液晶层220与透明基底240之间，但不限于此。例如，上部偏振器可以设置在液晶层220与发光层230之间。偏振器可以是用在液晶显示装置的任何合适的偏振器。上部偏振器可以是具有小于或等于约200μm的厚度的TAC(三乙酰纤维素)，但不限于此。在实施例中，上部光学元件可以是控制折射率而没有偏振功能的涂层。
背光单元包括光源110。光源110可以发射蓝光或白光。光源110可以包括蓝色LED、白色LED、白色OLED或它们的组合，但不限于此。
背光单元还可以包括导光面板120。在实施例中，背光单元可以是边缘型照明。例如，背光单元可以包括反射器(未示出)、设置在反射器上且向液晶面板200提供平面光源的导光面板(未示出)、位于导光面板上的光学片(未示出)(例如，漫射板、棱镜片等)或它们的组合，但不限于此。在实施例中，背光单元不包括导光面板。在实施例中，背光单元可以是直下式照明。例如，背光单元可以具有反射器(未示出)，并且可以具有以规则间隔设置在反射器上的多个荧光灯，或者可以具有其上可以设置有多个发光二极管的LED操作基底、位于LED操作基底上的漫射板和可选的光学片。这种背光单元的细节(例如，发光二极管、荧光灯、导光面板、各种光学片和反射器中的每个组件)没有特别限制。
黑色矩阵(BM)241设置在透明基底240的底表面上或下面且具有开口，并且隐藏位于下基底上的布线板的栅极线、数据线和薄膜晶体管。例如，黑色矩阵241可以具有网格形状。光致发光层230设置在黑色矩阵241的开口中，并且具有量子点聚合物复合物图案，所述量子点聚合物复合物图案包括被构造为发射第一光(例如，红光)的第一部分(R)、被构造为发射第二光(例如，绿光)的第二部分(G)和被构造为发射/透射例如蓝光的第三部分(B)。如果期望，光致发光层230还可以包括第四部分。第四部分可以包括量子点，该量子点发射与从第一部分至第三部分发射的光的颜色不同的颜色的光(例如，青色光、品红色光和黄色光)。
在发光(光致发光)层230中，形成图案的部分可以与形成在下基底210上的像素区域对应地重复。透明的共电极231可以设置在光致发光层(例如，光致发光滤色器层)上。
被构造为发射/透射蓝光的第三部分(B)可以是不改变光源的光致发光光谱的透明滤色器。在这种情况下，从背光单元发射的蓝光可以以偏振状态进入，并且可以原样穿过下部的偏振器和液晶层发射。如果期望，第三部分可以包括发射蓝光的量子点。
如果期望，显示装置还可以包括蓝光阻挡层(例如，蓝光截止滤色器)或第一滤光器层。蓝光阻挡层或第一滤光器层可以设置在第一部分(R)和第二部分(G)(的底表面)与上基底240之间或者设置在上基底240的顶表面上。蓝光阻挡层或第一滤光器层可以包括具有与显示蓝色的像素区域(例如，第三部分)对应的开口的片，并且可以形成在与第一部分和第二部分对应的部分上。如图4中所示，第一滤光器层310可以在除了与第三部分叠置的位置之外的其余位置处一体地形成为一体结构，但不限于此。至少两个第一滤光器层可以分隔开，并且设置在与第一部分和第二部分叠置的位置中的每个上。
在实施例中，第一滤光器层可以阻挡具有可见光区域中的波长区域的一部分的光且透射具有其它波长区域的光。在实施例中，第一滤光器层可以阻挡蓝光且透射除了蓝光之外的光。在实施例中，第一滤光器层可以透射绿光、红光以及/或者作为绿光和红光的混合光的黄光。
在实施例中，第一滤光器层可以基本上阻挡具有小于或等于约500nm的波长的蓝光，并且可以透射具有大于约500nm且小于或等于约700nm的范围内的波长的可见光中的光。
在实施例中，相对于大于约500nm且小于或等于约700nm的可见光，第一滤光器层可以具有大于或等于约70％、大于或等于约80％、大于或等于约90％或者约100％的透光率。
第一滤光器层可以包括聚合物薄膜，所述聚合物薄膜包括吸收具有要被阻挡的波长的光的染料、颜料或它们的组合。第一滤光器层可以阻挡(例如，吸收)大于或等于约80％、大于或等于约90％或者大于或等于约95％的具有小于或等于约480nm的波长的蓝光，并且相对于大于约500nm且小于或等于约700nm的其它可见光可以具有大于或等于约70％、大于或等于约80％、大于或等于约90％或者约100％的透光率。
第一滤光器层可以阻挡(例如，吸收)或基本上阻挡具有小于或等于约500nm的波长的蓝光，并且例如可以选择性地透射绿光或红光。在这种情况下，至少两个第一滤光器层可以分隔开且分别设置在与第一部分和第二部分叠置的部分中的每个上。例如，各自地，选择性地透射红光的第一滤光器层可以设置在与发射红光的部分叠置的部分上，选择性地透射绿光的第一滤光器层可以设置在与发射绿光的部分叠置的部分上。例如，第一滤光器层可以包括第一区域、第二区域或它们的组合，其中，第一区域阻挡(例如，吸收)蓝光和红光且透射具有预定范围的波长(例如，大于或等于约500nm、大于或等于约510nm或者大于或等于约515nm且小于或等于约550nm、小于或等于约545nm、小于或等于约540nm、小于或等于约535nm、小于或等于约530nm、小于或等于约525nm或者小于或等于约520nm)的光，第二区域阻挡(例如，吸收)蓝光和绿光且透射具有预定范围的波长(例如，大于或等于约600nm、大于或等于约610nm或者大于或等于约615nm且小于或等于约650nm、小于或等于约645nm、小于或等于约640nm、小于或等于635nm、小于或等于约630nm、小于或等于约625nm或者小于或等于约620nm)的光。第一区域可以设置在与发射绿光的部分叠置的位置处，第二区域可以设置在与发射红光的部分叠置的位置处。第一区域和第二区域可以是光学地隔离的。第一滤光器(层)可以有助于改善显示装置的色纯度。
第一滤光器层可以是包括具有不同的折射率的多个层(例如，无机材料层)的反射滤光器。例如，具有不同的折射率的两个层可以彼此交替地堆叠，或者例如具有高折射率的层和具有低折射率的层可以彼此交替地堆叠。
当具有高折射率的层与具有低折射率的层之间的折射率的差增加时，由此形成的第一滤光器层可以具有更高(例如，更大)的波长选择性。可以根据每层的折射率和反射波长来确定具有高折射率的层和具有低折射率的层的厚度和堆叠数量，例如，具有高折射率的每层可以具有约3nm至约300nm的厚度，具有低折射率的每层可以具有约3nm至约300nm的厚度。
第一滤光器层的总厚度可以是例如约3nm至约10,000nm、约300nm至约10,000nm或者约1,000nm至约10,000nm。具有高折射率的所有层可以具有彼此相同的厚度和彼此相同的材料或者可以具有彼此不同的厚度和彼此不同的材料，具有低折射率的所有层可以具有彼此相同的厚度和彼此相同的材料或者可以具有彼此不同的厚度和彼此不同的材料。
显示装置还可以包括第二滤光器层(例如，红光/绿光或黄光再循环层)，所述第二滤光器层(例如，红光/绿光或黄光再循环层)设置在发光层与液晶层之间(例如，在发光层与上部的偏振器之间)且透射第三光的至少一部分并反射第一光和第二光的至少一部分。第二滤光器层可以反射大于约500nm的波长区域中的光。第一光可以是红光，第二光可以是绿光，第三光可以是蓝光。
在根据实施例的显示装置中，第二滤光器层可以形成为具有相对平坦的表面的一体化的一个层。
在实施例中，第二滤光器层可以包括具有低折射率的单层，例如，第二滤光器层可以是具有小于或等于约1.4、小于或等于约1.3或者小于或等于约1.2的折射率的透明薄膜。
具有低折射率的第二滤光器层可以是例如多孔氧化硅、多孔有机材料、多孔有机/无机复合物或它们的组合。
在实施例中，第二滤光器层可以包括具有不同的折射率的多个层，例如，第二滤光器层可以通过交替地堆叠具有不同的折射率的两个层来形成，或者例如，第二滤光器层可以通过交替地堆叠具有高折射率的材料和具有低折射率的材料来形成。
第二滤光器层中的具有高折射率的层可以包括例如氧化铪、氧化钽、氧化钛、氧化锆、氧化镁、氧化铯、氧化镧、氧化铟、氧化铌、氧化铝、氮化硅或它们的组合。根据实施例，第二滤光器层中的具有高折射率的层可以包括具有比具有低折射率的层的折射率高的折射率的各种材料。
第二滤光器层中的具有低折射率的层可以包括例如氧化硅。根据实施例，第二滤光器层中的具有低折射率的层可以包括具有比具有高折射率的层的折射率低的折射率的各种材料。
当具有高折射率的层与具有低折射率的层之间的折射率差增加时，第二滤光器层可以具有更高(例如，更大)的波长选择性。
在第二滤光器层中，可以根据每层的折射率和反射波长来确定具有高折射率的层和具有低折射率的层的各自厚度及其堆叠数量。例如，第二滤光器层中的具有高折射率的每个层可以具有约3nm至约300nm的厚度，第二滤光器层中的具有低折射率的每个层可以具有约3nm至约300nm的厚度。第二滤光器层的总厚度可以是例如约3nm至约10,000nm、约300nm至约10,000nm或约1,000nm至约10,000nm。第二滤光器层中的具有高折射率的层和具有低折射率的层中的每个可以具有彼此相同的厚度和材料或者彼此不同的厚度和材料。
第二滤光器层可以反射第一光(R)和第二光(G)的至少一部分，并且透射第三光(B)的至少一部分(例如，全部)。例如，第二滤光器层可以仅透射小于或等于约500nm的蓝光波长区域中的第三光(B)，并且大于约500nm的波长区域中的光(即，绿光(G)、黄光、红光(R)等)可以不穿过第二滤光器层311且可以不被反射。因此，反射的绿光和红光可以穿过第一部分和第二部分以发射到显示装置的外部。
第二滤光器层可以反射大于约500nm的波长区域的光的大于或等于约70％、大于或等于约80％、大于或等于约90％或者约100％。
同时，第二滤光器层对小于或等于约500nm的波长区域的光可以具有例如大于或等于约90％、大于或等于约92％、大于或等于约94％、大于或等于约96％、大于或等于约98％、大于或等于约99％或者约100％的透射率。
在实施例中，堆叠结构可以通过使用光致抗蚀剂组合物的方法制备。该方法可以包括以下步骤：
在基底上形成组合物的膜；
将膜的选定区域暴露于光(例如，小于或等于约400nm的波长)；以及
用碱显影溶液对曝光的膜进行显影，以获得包括量子点聚合物复合物的图案。
基底和组合物与在此所描述的相同。参照图5A，示出了形成图案的非限制性方法。
以旋涂、狭缝涂覆等适当的方法将组合物涂覆在基底上以具有预定的厚度(S1)。可选地，可以对所形成的膜进行预烘焙(PRB)(S2)。可以通过选择适当的温度、时间、气氛等条件来执行预烘焙。
在具有预定的图案的掩模下，将所形成的(或可选地被预烘焙的)膜暴露于具有预定波长的光(S3)。可以通过考虑引发剂(例如，光引发剂)、引发剂(例如，光引发剂)的量、量子点、量子点的量等来选择光的波长和强度。
用碱显影溶液(例如，浸渍或喷涂)处理曝光的膜，以溶解未曝光的区域并获得期望的图案(S4)。可选地，可以将所获得的图案在例如约150℃至约230℃下进行后烘焙(POB)预定时间(例如，大于或等于约10分钟或者大于或等于约20分钟)(S5)，以改善图案的抗裂性和耐溶剂性。
在其中量子点聚合物复合物图案具有多个重复部分的实施例中，可以通过如下方式获得具有期望图案的量子点聚合物复合物：制备包括具有期望的光致发光性质(光致发光峰值波长等)的量子点的多个组合物以形成每个重复部分(例如，红色发光量子点、绿色发光量子点或可选的蓝色发光量子点)；以及针对每个组合物重复图案的形成适当次数(例如，两次或更多次或者三次或更多次)(S6)。例如，量子点聚合物复合物可以具有包括至少两个重复颜色部分(例如，RGB部分)的图案，例如可以设置为包括至少两个重复颜色部分(例如，RGB部分)的图案。量子点聚合物复合物图案可以用作显示装置中的光致发光型滤色器。
可以通过使用墨组合物来形成量子点复合物图案，墨组合物被构造为经由喷墨方式形成图案。参照图5B，该方法包括以下步骤：制备墨组合物；获得包括例如电极和可选的由堤(bank)形成的像素区域的图案的基底；在基底(或像素区域)上沉积墨组合物以形成第一量子点层(或第一重复部分)；以及在基底(或像素区域)上沉积墨组合物以形成第二量子点层(或第二重复部分)。可以同时地或顺序地进行第一量子点层和第二量子点层的形成。
可以使用适当的诸如喷墨打印机或喷嘴印刷系统的(例如，具有墨储存器和例如至少一个打印头的)液滴排放系统进行墨组合物的沉积。
可以加热沉积的墨组合物以去除溶剂且可选地进行聚合，从而提供(第一或第二)量子点层。该方法可以以简单的方式在短时间内提供高度精确的量子点聚合物复合膜或图案。
实施例提供了一种包括量子点的电子装置。电子装置可以包括发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)、传感器、太阳能电池、成像传感器或液晶显示器(LCD)，但不限于此。
在下文中，参照示例更详细地说明实施例。然而，它们是本发明的示例性实施例，本发明不限于此。
示例
分析方法
1、紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱
进行UV-Vis吸收光谱，通过使用Agilent(安捷伦)Cary5000分光光度计获得UV-可见吸收光谱。
2、光致发光分析
使用Hitachi(日立)F-7000分光光度计获得所生产的量子点在450纳米(nm)的激发波长下的光致发光(PL)光谱。
3、电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)
使用Shimadzu(岛津)ICPS-8100进行电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)。
4、复合物的蓝光吸收率和光转换率(CE)
使用积分半球测量蓝色激发光的光量(B)。然后，将量子点聚合物复合物放入积分半球中并用蓝色激发光照射，以测量从复合物射出的绿光量(A)和蓝光量(B')。
根据以下等式计算蓝光吸收和光转换效率。
蓝光吸收率(％)＝((B-B')/B)×100(％)
光转换效率(％)＝(A/(B-B'))×100(％)
光转换率(％，QE)＝(A/B)×100(％)
示例1：
1、量子阱(QW)量子点的合成
模板合成：
将硒分散在三辛基膦(TOP)中以获得Se/TOP储备溶液。在包含三辛胺的300毫升(mL)反应烧瓶中，加入包括油酸的有机配体，然后在120℃下在真空下加热。在约1小时之后，反应器中的气氛被转变为惰性气体。当反应器的温度升高至300℃时，向其中注入二乙基锌、二苯基氧化膦和Se/TOP储备溶液。在完成注入之后，进行反应40分钟。
当反应完成时，向快速地冷却至室温的反应溶液中加入丙酮，将通过离心混合物获得的沉淀物分散在甲苯中以获得ZnSe模板。ZnSe模板具有约2.5nm的平均尺寸。
在此使用的Zn前驱体和Se前驱体的量分别是0.9毫摩尔(mmol)和0.45mmol。
量子阱层的形成：
将包括油酸的有机配体置于包含十八烯(ODE)的300mL反应烧瓶中，并且在120℃下真空处理。将烧瓶中的气氛变为氮气(N2)。当反应器的温度升高到300℃时，在反应烧瓶中快速地放入ZnSe模板的甲苯分散体，随后向其中注入月桂酸铟、十二烷硫醇、油酸锌和三(三甲基甲硅烷基)膦的TOP分散体(在下文中，也被称为“TMSP”)。然后，进行反应30分钟以在模板上形成量子阱层。
当反应完成时，将反应溶液快速地冷却至室温并向其加入乙醇，通过离心分离沉淀物，并且将沉淀物分散在甲苯中。
在此所使用的Zn前驱体、铟前驱体、十二烷硫醇和磷前驱体之间的摩尔比是1:3:1:1。
对于如此制备的颗粒，进行ICP分析，所制备的合金量子阱层的厚度是约0.29nm，在量子阱层中，In+Zn:(P+S)的值是约1.17:1。这样的结果表明形成合金半导体纳米晶体。对于如此制备的颗粒，进行光致发光分析以测量光致发光峰值的半峰全宽。
壳层的形成：
将乙酸锌和油酸置于包含TOA的300mL反应烧瓶中，然后在120℃下真空处理。烧瓶内部用氮(N2)进行替代。当反应器的反应温度升高到320℃时，将具有量子阱层的颗粒的甲苯分散体注入到反应烧瓶中，然后向其注入Se/TOP储备溶液，随后，还向其注入S/TOP储备溶液以及乙酸锌。在预定的时间内进行反应，并且在量子阱层上形成ZnSe/ZnS壳层。
Zn前驱体和Se前驱体之间的量(例如，摩尔)比是约1:2，用于合成模板的Zn前驱体:用于形成壳的Zn前驱体的量(例如，摩尔)比是约1:3。
当完成反应时，将乙醇添加到快速地冷却至室温的反应溶液中，将通过离心混合物获得的沉淀物分散在甲苯中，以获得QW量子点的甲苯分散体。所获得的QW量子点具有约6.5nm的平均尺寸。
对制备的QW量子点进行UV-Vis吸收光谱分析，结果示出在图6中。图6的结果显示UV-Vis吸收光谱曲线既不具有拐点也不具有第一吸收峰。
2、量子点聚合物复合物及其图案的制备
(1)量子点-粘合剂分散体的制备
将制备的量子点的氯仿溶液与粘合剂聚合物的溶液混合以形成量子点-粘合剂分散体，粘合剂聚合物是甲基丙烯酸、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸羟乙酯和苯乙烯的四元共聚物(酸值：130毫克(mg)KOH每克(mg KOH/g)，分子量：8,000克每摩尔(g/mol)，甲基丙烯酸:甲基丙烯酸苄酯:甲基丙烯酸羟乙酯:苯乙烯(摩尔比)＝61.5:12:16.3:10.2)(溶剂：30重量百分比(wt％)的浓度的聚丙二醇单甲醚乙酸酯PGMEA)。
(2)光敏组合物的制备
向制备的量子点-粘合剂分散体添加具有以下结构的六丙烯酸酯(作为可光聚合单体)、乙二醇二-3-巯基丙酸酯(在下文中，2T，作为多硫醇化合物)、肟酯化合物(作为引发剂)、作为金属氧化物细颗粒的TiO2和PGMEA(作为溶剂)，以获得组合物。
Figure BDA0002976003250000401
(乙二醇二-3-巯基丙酸酯)
Figure BDA0002976003250000402
(六丙烯酸酯)
其中，
Figure BDA0002976003250000403
基于总固体含量，所制备的组合物包括40wt％的量子点、12.5wt％的粘合剂聚合物、25wt％的2T、12wt％的可光聚合单体、0.5wt％的光引发剂和10wt％的金属氧化物细颗粒。总固体含量是约25wt％。
(3)量子点聚合物复合物图案的形成及其热处理
将获得的组合物在玻璃基底上以150转每分钟(rpm)旋涂5秒以设置膜。将所获得的膜在100℃下进行预烘焙(PRB)。将预烘焙的膜在具有预定的图案(例如，方点或条纹图案)的掩模下暴露于光(波长：365纳米(nm)，强度：100毫焦耳(mJ))1秒(EXP)，并且用氢氧化钾水溶液(浓度：0.043wt％)显影50秒，以获得量子点聚合物复合物的图案。
将所获得的图案在氮气氛(POB)下在180℃的温度下热处理30分钟。
对于所获得的图案膜，测量蓝光吸收率和光转换效率，结果示出在表1中。
对比示例1：
1、QW量子点的合成
以与示例1中的方式相同的方式制备模板。除了不使用锌前驱体和硫前驱体之外，以与示例1中的方式相同的方式形成量子阱层。
对于制备的颗粒，进行光致发光光谱分析，结果示出在表1中。对于如此制备的颗粒，进行ICP分析，所制备的合金量子阱层的厚度是约0.22nm。对于如此制备的颗粒，进行光致发光分析以测量光致发光峰值的半峰全宽，结果证实对比示例1的QW量子点的FWHM比示例1的QW量子点的FWHM宽两倍。
除了使用获得的具有QW层的颗粒之外，以与示例1中所阐述的方式相同的方式形成壳层。当完成反应时，将乙醇添加到快速地冷却至室温的反应溶液中，将通过离心混合物获得的沉淀物分散在甲苯中，以获得QW量子点的甲苯分散体。所获得的QW量子点具有约6.5nm的平均尺寸。
对制备的QW量子点进行UV-Vis吸收光谱分析，结果证实对比示例的QW量子点的UV-Vis吸收光谱曲线具有拐点和第一吸收峰。
2、除了使用制备的QW量子点之外，以与示例1中的方式相同的方式制备量子点聚合物复合物图案。对于所获得的图案膜，测量蓝光吸收和光转换效率，结果示出在表1中。
表1
Figure BDA0002976003250000411
示例1的QW量子点具有比对比示例1的QW量子点的FWHM窄的FWHM，表1的结果表明示例1的QW量子点具有改善的吸收和增强的发光效率。
示例2：
1、QW量子点的合成
以与示例1中的方式相同的方式制备模板。除了调节锌前驱体和硫前驱体的量使得In:Zn:P:S的摩尔比是约1:1:1:1之外，以与示例1中的方式相同的方式形成量子阱层。
对于如此制备的颗粒，进行ICP分析，所制备的合金量子阱层的厚度是约0.29nm，在阱层中，In+Zn:(P+S)的值是约1.4:1。这样的结果表明形成了合金半导体纳米晶体。
以与示例1中所阐述的方式相同的方式在制备的QW层上形成壳层。当完成反应时，将乙醇添加到快速地冷却至室温的反应溶液中，将通过离心混合物获得的沉淀物分散在甲苯中，以获得QW量子点的甲苯分散体。所获得的QW量子点具有约6.5nm的平均尺寸。
2、除了使用制备的QW量子点之外，以与示例1中的方式相同的方式制备量子点聚合物复合物图案。对于所获得的图案膜，测量蓝光吸收和光转换效率，结果示出在表2中。
对比示例2：
1、QW量子点的合成
以与示例1中的方式相同的方式制备模板。除了不使用硫前驱体且In:Zn:P:S的摩尔比是约1:1:1之外，以与示例1中的方式相同的方式形成量子阱层。
对于如此制备的颗粒，进行ICP分析，所制备的合金量子阱层的厚度是约0.22nm。
以与示例1中所阐述的方式相同的方式在制备的QW层上形成壳层。当完成反应时，将乙醇添加到快速地冷却至室温的反应溶液中，将通过离心混合物获得的沉淀物分散在甲苯中，以获得QW量子点的甲苯分散体。所获得的QW量子点具有约6.5nm的平均尺寸。
2、除了使用制备的QW量子点之外，以与示例1中的方式相同的方式制备量子点聚合物复合物图案。对于所获得的图案膜，测量蓝光吸收和光转换效率，结果示出在表2中。
表2
Figure BDA0002976003250000421
表2的结果表明，与对比示例2的QW量子点相比，示例2的QW量子点具有改善的吸收和增强的发光效率。
虽然已经结合目前被认为是实际的示例实施例的内容描述了本公开，但将理解的是，发明不限于所公开的实施例，但是相反地，其意图涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (30)

1.一种量子点，所述量子点包括：
模板，包括第一半导体纳米晶体；
量子阱层，设置在所述模板上；以及
壳，设置在所述量子阱层上，所述壳包括第二半导体纳米晶体，
其中，所述量子点不包括镉，
其中，所述第一半导体纳米晶体包括第一锌硫属化物，
其中，所述第二半导体纳米晶体包括第二锌硫属化物，
其中，所述量子阱层包括包含铟、磷、锌和硫属元素的合金半导体纳米晶体，并且
其中，所述合金半导体纳米晶体的带隙能比所述第一半导体纳米晶体的带隙能小，并且比所述第二半导体纳米晶体的带隙能小。
2.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第一锌硫属化物包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合，并且
所述第二锌硫属化物独立地包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合。
3.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第一半导体纳米晶体和所述第二半导体纳米晶体具有彼此不同的组成。
4.根据权利要求1所述的量子点，其中，
所述第一半导体纳米晶体包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合，并且
所述第二半导体纳米晶体包括ZnSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合。
5.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述硫属元素包括硫。
6.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述合金半导体纳米晶体与所述第一半导体纳米晶体的晶格常数之间的差小于或等于3％，并且
其中，所述合金半导体纳米晶体与所述第二半导体纳米晶体的晶格常数之间的差小于或等于3％。
7.根据权利要求1所述的量子点，其中，基于所述量子点中的元素的总摩尔数，所述量子点具有小于或等于20％的铟和磷的总摩尔量。
8.根据权利要求1所述的量子点，其中，在所述量子点中，磷相对于铟的摩尔比大于或等于0.5:1且小于或等于0.9:1。
9.根据权利要求1所述的量子点，其中，在所述量子点中，锌相对于铟的摩尔比大于或等于15:1且小于或等于55:1。
10.根据权利要求1所述的量子点，其中，在所述量子点中，硫和硒的总和相对于锌的摩尔比大于或等于0.5:1且小于或等于1:1。
11.根据权利要求1所述的量子点，其中，在所述量子点中，硫相对于硒的摩尔比大于或等于0.3:1且小于或等于0.9:1。
12.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述壳包括：第一层，包括第三锌硫属化物；以及第二层，包括具有与所述第三锌硫属化物不同的组成的第四锌硫属化物。
13.根据权利要求12所述的量子点，其中，所述第一层包括ZnSe、ZnSeS或它们的组合，并且所述第二层包括ZnS。
14.根据权利要求12所述的量子点，其中，所述第一层直接在所述量子阱层上，并且所述第二层是所述壳的最外层。
15.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述量子阱层的厚度大于或等于0.1纳米且小于或等于0.35纳米。
16.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述量子点的尺寸大于或等于3纳米且小于或等于7纳米。
17.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述量子点包括位于所述量子点的表面上的有机配体，并且所述有机配体包括RCOOH、RCOOCOR、RNH2、R2NH、R3N、RSH、R3PO、R3P、ROH、RCOOR'、RPO(OH)2、R2POOH或它们的组合，其中，R和R'独立地是取代或未取代的C1至C30脂肪族烃、取代或未取代的C6至C30芳香族烃或它们的组合。
18.根据权利要求1所述的量子点，其中，
所述量子点发射绿光，并且
所述量子点的紫外-可见吸收光谱曲线在450纳米至620纳米的波长范围内不具有拐点。
19.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述量子点呈现出在500纳米至540纳米范围内的最大发光峰值波长。
20.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述量子点的量子效率大于或等于40％。
21.一种量子点聚合物复合物，所述量子点聚合物复合物包括：
聚合物基质；以及
分散在所述聚合物基质中的多个根据权利要求1所述的量子点。
22.根据权利要求21所述的量子点聚合物复合物，其中，所述聚合物基质包括线性聚合物、交联聚合物或它们的组合。
23.根据权利要求21所述的量子点聚合物复合物，其中，所述聚合物基质还包括：包括硫醇化合物和具有碳-碳不饱和键的烯化合物的单体组合的聚合产物；金属氧化物微粒；或者它们的组合。
24.根据权利要求21所述的量子点聚合物复合物，其中，所述量子点聚合物复合物是图案化膜的形式。
25.根据权利要求21所述的量子点聚合物复合物，其中，在将所述量子点聚合物复合物在180℃的温度下热处理30分钟之后，所述量子点聚合物复合物针对蓝光呈现出大于或等于90％的吸收或者大于或等于15％的蓝光转换效率。
26.一种显示装置，所述显示装置包括发光元件，
其中，所述发光元件包括根据权利要求21所述的量子点聚合物复合物。
27.根据权利要求26所述的显示装置，所述显示装置还包括光源，其中，所述光源被构造为向所述发光元件提供入射光，并且
其中，所述入射光包括具有440纳米至460纳米的峰值波长的光。
28.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述发光元件包括所述量子点聚合物复合物的片。
29.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述发光元件包括堆叠结构，所述堆叠结构包括：
基底；以及
发光层，设置在所述基底上，
其中，所述发光层包括包含所述量子点聚合物复合物的图案，并且
其中，所述图案包括发射预定的波长的光的重复部分。
30.根据权利要求29所述的显示装置，其中，所述图案包括发射第一光的第一重复部分和发射具有与所述第一光的发射峰值波长不同的发射峰值波长的第二光的第二重复部分。
CN202110274434.0A 2020-03-13 2021-03-15 量子点、包括量子点的量子点聚合物复合物和显示装置 Pending CN113388386A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0031618 2020-03-13
KR1020200031618A KR20210116779A (ko) 2020-03-13 2020-03-13 양자점, 복합체, 그리고 이를 포함하는 소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113388386A true CN113388386A (zh) 2021-09-14

Family

ID=77617533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110274434.0A Pending CN113388386A (zh) 2020-03-13 2021-03-15 量子点、包括量子点的量子点聚合物复合物和显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20210284907A1 (zh)
KR (1) KR20210116779A (zh)
CN (1) CN113388386A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210128040A (ko) * 2020-04-14 2021-10-26 삼성디스플레이 주식회사 양자점, 복합체, 그리고 이를 포함하는 소자

Also Published As

Publication number Publication date
US20210284907A1 (en) 2021-09-16
KR20210116779A (ko) 2021-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110028968B (zh) 不含镉的量子点、包括其的量子点-聚合物复合物、和显示装置
CN111234821B (zh) 量子点、包括其的组合物或复合物以及包括其的显示装置
CN111218269B (zh) 量子点、其制造方法、组合物和图案化膜以及显示装置
CN111826161B (zh) 量子点和其制造方法、量子点聚合物复合物、显示装置
CN112143482A (zh) 无镉量子点以及包括其的复合物和显示装置
CN111826160B (zh) 不含镉的量子点、其制造方法、组合物、量子点聚合物复合物和包括其的显示器件
US11788005B2 (en) Quantum dots, a composition or composite including the same, and an electronic device including the same
CN110746958A (zh) 量子点、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子设备
CN112778999A (zh) 量子点-聚合物复合物和包括该复合物的显示装置
CN111234822A (zh) 量子点、其制造方法、复合物、装置和纳米晶体形成方法
KR20190138532A (ko) 양자점, 이를 포함한 조성물 또는 복합체, 그리고 이를 포함한 전자 소자
CN112680210A (zh) 芯壳量子点、其制造方法、包括其的量子点复合物、量子点组合物、显示器件和电子器件
CN113388391B (zh) 量子点、其制造方法及包括该量子点的复合物和显示装置
CN112708414A (zh) 核壳量子点、量子点聚合物复合物及显示装置
CN114381267A (zh) 量子点、其制造方法、以及包括其的量子点复合物、显示器件和电子器件
KR20210128040A (ko) 양자점, 복합체, 그리고 이를 포함하는 소자
CN113736446A (zh) 量子点复合物及包括该量子点复合物的滤色器和显示装置
CN111826152B (zh) 量子点、其制造方法、量子点群、组合物、量子点聚合物复合物和包括其的显示器件
CN111834499A (zh) 纳米片、其制造方法、以及包括其的半导体纳米晶体-聚合物复合物和电子器件
CN113388386A (zh) 量子点、包括量子点的量子点聚合物复合物和显示装置
CN112592710B (zh) 量子点、包括其的组合物和图案化膜及包括其的显示装置
EP4012003B1 (en) Color filters and devices including the same
CN115701258A (zh) 量子点、显示面板和包括该显示面板的电子装置
CN116769474A (zh) 半导体纳米颗粒、其制造方法、复合物、装置和显示装置
CN116782714A (zh) 半导体纳米颗粒、其制备方法、颜色转换面板和电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination