CN113376048A - 冷热冲击测试装置及测试方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种冷热冲击测试装置及方法。该装置包括腔体、真空泵及驱动单元；真空泵与腔体相连通，用于使腔体在工作过程中保持真空；腔体包括冷冲击室、热冲击室及样品承载室，冷冲击室和热冲击室位于样品承载室的两侧；样品承载室内设置有用于承载测试样品的样品承载盘，驱动单元与样品承载盘相连接，用于驱动样品承载盘，以将测试样品送至冷冲击室和/或热冲击室进行冲击测试。采用本发明的冷热冲击测试装置可在真空环境下进行冷热冲击测试，有助于降低功率损耗，提高测试效率及设备产出率，降低生产成本。依本发明的冷热冲击测试装置进行的冷热冲击测试方法操作简单，有助于提高测试精度及效率。

Description

冷热冲击测试装置及测试方法

技术领域

本发明涉及半导体芯片测试领域，特别是涉及一种冷热冲击测试装置及测试方法。

背景技术

包括半导体芯片在内的很多产品的可靠性测试中通常包括TC(TemperatureCycle)环境测试项，测试温度通常从零下几十度跨越到零上几十度甚至几百度。为达到这样的测试条件，现有的TC测试机台通常设置有3个独立的测试腔体，包括一个高温预热箱、一个低温预冷箱及一个试验箱，低温预冷箱和高温预热箱都是通过气体进行制冷和加热。其具体工作模式为：机台设定好冲击条件、预冷和预热温度后，预冷和预热箱开始工作，将高温预热箱和低温预冷箱的温度稳定控制在设定温度；当样品进行高温冲击时，预热箱打开，预冷箱关闭，预热箱的热气进入试验箱以使试验箱达到冲击高温，然后进行高温冲击试验；当样品切换到低温冲击时，预热箱关闭，预冷箱打开，预冷箱的冷气进入试验箱以使试验箱达到冲击低温，然后进行冲击低温试验。这种传统的TC测试机台在实际操作过程中存在诸多问题，比如机台通过气体加热和制冷，制冷/制热效率低下，功率损耗大，且需要通过3个独立的箱体进行TC环境测试，机台尺寸庞大且设计复杂，机台费用高及测试成本上升等。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种冷热冲击测试装置及测试方法，用于解决现有的TC环境测试机台因测试腔体相互独立、采用气体制冷和制热等导致的机台尺寸庞大，制冷/制热效率低下，机台产出率低及测试成本高等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种冷热冲击测试装置，所述冷热冲击测试装置包括腔体、真空泵及驱动单元；所述真空泵与所述腔体相连通，用于使所述腔体在工作过程中保持真空；所述腔体包括冷冲击室、热冲击室及样品承载室，所述冷冲击室和所述热冲击室位于所述样品承载室的两侧；所述样品承载室内设置有用于承载测试样品的样品承载盘，所述驱动单元与所述样品承载盘相连接，用于驱动所述样品承载盘，以将所述测试样品送至所述冷冲击室和/或所述热冲击室进行冲击测试。

可选地，所述冷冲击室内设置有半导体制冷片，在冷冲击测试过程中所述样品承载盘与所述半导体制冷片相接触；所述热冲击室内设置有金属加热板，在热冲击测试过程中所述样品承载盘与所述金属加热板相接触。

更可选地，所述冷热冲击测试装置还包括压缩机，所述压缩机与所述冷冲击室相连接，用于对所述冷冲击室进行辅助制冷。

可选地，所述冷冲击室和所述热冲击室位于所述样品承载室的上下两侧或左右两侧；所述冷冲击室和所述样品承载室通过第一隔离门相隔离，所述热冲击室和所述样品承载室通过第二隔离门相隔离。

进一步可选地，所述冷热冲击测试装置还包括感应单元，位于所述腔体内，用于感应所述第一隔离门和/或所述第二隔离门是否处于关闭状态。

可选地，所述冷热冲击测试装置还包括加压阀，所述加压阀与所述腔体相连接，用于在完成冲击测试后将所述腔体恢复至常压状态。

可选地，所述冷热冲击测试装置还包括温度计，位于所述冷冲击室和/或所述热冲击室内。

可选地，所述样品承载盘的材质包括紫铜，所述驱动单元包括程控电机。

可选地，所述样品承载盘上设置有卡槽，所述卡槽用于放置测试样品。

本发明还提供一种冷热冲击测试方法，用于对芯片进行冷热冲击测试，所述冷热冲击测试方法依上述任一方案中所述的冷热冲击测试装置进行。

相较于现有技术，本发明的冷热冲击测试装置及测试方法具有以下有益效果：本发明提供的冷热冲击测试装置通过优化的结构设计，可以极大减小装置的体积，有利于降低装置成本及节约装置在半导体厂内的占用空间；采用本发明的冷热冲击测试装置可在真空环境下进行冷热冲击测试，有助于降低功率损耗，提高测试效率及设备产出率，降低生产成本。依本发明的冷热冲击测试装置进行的冷热冲击测试方法操作简单，有助于提高测试精度及效率。

附图说明

图1显示为本发明的冷热冲击测试装置的一例示性结构示意图。

图2和图3显示为图1中的冷热冲击测试装置在进行冷热冲击测试过程中的状态示意图。

元件标号说明

1a 冷冲击室

1b 热冲击室

1c 样品承载室

2 真空泵

21 真空管路

3 驱动单元

4 样品承载盘

41 凹槽

5 半导体制冷片

6 金属加热板

7 压缩机

8 第一隔离门

9 第二隔离门

10 感应单元

11 加压阀

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。

请参阅图1至图3。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。且为使图示尽量简洁，本说明书的图示中并未示意出所有的结构。

如图1所示，本发明提供一种冷热冲击测试装置，所述冷热冲击测试装置包括腔体、真空泵2及驱动单元3；所述真空泵2与所述腔体相连通，用于使所述腔体在工作过程中保持真空；所述腔体包括冷冲击室1a、热冲击室1b及样品承载室1c，所述冷冲击室1a和所述热冲击室1b位于所述样品承载室1c的两侧；所述样品承载室1c内设置有用于承载测试样品的样品承载盘4，所述驱动单元3与所述样品承载盘4相连接，用于驱动所述样品承载盘4，以将所述测试样品送至所述冷冲击室1a和/或所述热冲击室1b进行冲击测试。本发明提供的冷热冲击测试装置通过优化的结构设计，可以极大减小装置的体积，有利于降低装置成本及节约装置在半导体厂内的占用空间；采用本发明的冷热冲击测试装置可在真空环境下进行冷热冲击测试，有助于降低功率损耗，提高测试效率及设备产出率，降低生产成本。依本发明的冷热冲击测试装置进行的冷热冲击测试方法操作简单，有助于提高测试精度及效率。

作为示例，所述腔体为一体结构，通过间隔装置将所述腔体间隔为所述冷冲击室1a、热冲击室1b及样品承载室1c，所述腔体上设置有腔门(未图示)，所述腔门可以设置于所述样品承载室1c的腔壁上以作为样品进出通道和设备维修保养的开启窗口(当然也可以设置于所述腔体的顶部或底部或其他位置，相应地样品进出通道也做调整)。在一示例中，所述冷冲击室1a和所述样品承载室1c通过第一隔离门8相隔离，所述热冲击室1b和所述样品承载室1c通过第二隔离门9相隔离。需要特别说明的是，采用“第一”和“第二”类似的描述只是为了描述的简便而并不具有实质性的限定意义。所述第一隔离门8和所述第二隔离门9的材质和结构可以相同或不同，比如可以均为纯金属材质或为金属材质表面包覆有隔热材料的复合材质。在一示例中，所述腔体为上下一体结构，此时所述冷冲击室1a和所述热冲击室1b位于所述样品承载室1c的上下两侧，比如可以是所述冷冲击室1a位于所述样品承载室1c的上方而所述热冲击室1b位于所述样品承载室1c的下方，也可以是所述冷冲击室1a位于所述样品承载室1c的下方而所述热冲击室1b位于所述样品承载室1c的下方。在另一示例中，所述腔体为左右一体结构，此时所述冷冲击室1a和所述热冲击室1b位于所述样品承载室1c的左右两侧，比如可以是所述冷冲击室1a位于所述样品承载室1c的左侧而所述热冲击室1b位于所述样品承载室1c的右侧，也可以是所述冷冲击室1a位于所述样品承载室1c的右侧而所述热冲击室1b位于所述样品承载室1c的左侧。本说明书中仅示意所述腔体为上下一体结构且仅以所述热冲击室1b位于所述样品承载室1c的上方而所述冷冲击室1a位于所述样品承载室1c的下方为例。这种一体式的结构设计相较于现有的独立腔体设计可以极大减小所述冷热冲击测试装置的体积，减少占用空间，有助于装置结构简化及成本的降低。

作为示例，所述真空泵2与所述腔体通过真空管路21相连通，所述真空泵2可以为一个或多个。本实施例中，优选单个所述真空泵2分别与所述冷冲击室1a、热冲击室1b及样品承载室1c均相连通，以在需要时通过单个所述真空泵2确保所述腔体内部整体保持真空状态，有利于装置结构的简化及成本的降低。使所述腔体在冷热冲击测试过程中保持真空状态可以确保在冷热冲击测试过程中无能量耗损，可以实现最大的能量利用效率，不仅有助于降低生产成本，同时有助于确保实际测试温度与预设温度相一致以及确保测试条件的恒定，从而有助于改善测试效果。

作为示例，所述冷冲击室1a内设置有半导体制冷片5，采用半导体制冷片5有助于提高制冷效率，便于根据测试需要精确控制冷冲击测试温度。在进一步的示例中，所述冷热冲击测试装置还包括压缩机7，所述压缩机7与所述冷冲击室1a相连接，用于对所述冷冲击室1a进行辅助制冷，由此可以加快降温速度，提高测试效率。

作为示例，所述半导体制冷片5具有平坦表面，在冷冲击测试过程中所述样品承载盘4与所述半导体制冷片5的平坦表面完全相接触(所述半导体制冷片5的表面积大到至少使其足以覆盖所有测试样品)，有助于使测试样品尽快达到预设的冷冲击测试温度，确保测试样品的冷冲击温度与预设标准完全一致，确保同时测试的多个样品的测试温度完全相同。

作为示例，所述热冲击室1b内设置有金属加热板6，且所述金属加热板6的表面优选为平坦表面，在热冲击测试过程中所述样品承载盘4与所述金属加热板6的平坦表面完全相接触(所述金属加热板6的表面积大到至少使其足以覆盖所有测试样品)，有助于加快传热，确保测试样品的热冲击温度与预设标准完全一致，确保同时测试的多个样品的测试温度完全相同。

作为示例，所述冷热冲击测试装置还包括感应单元10，位于所述腔体内，用于感应所述第一隔离门8和/或所述第二隔离门9是否处于关闭状态，且可以进一步设置与所述感应单元10相连接的报警器(未图示)，用于在冲击测试开始时以及冲击测试过程中，如果所述感应单元10感应到所述第一隔离门8和/或所述第二隔离门9未完全关闭时，由所述报警器发出报警信息，提醒工作人员尽快处理。通过所述感应单元10的感应监督，可以确保所述第一隔离门8和/或所述第二隔离门9在冲击测试过程中保持完全的关闭以避免冲击测试过程受到干扰。具体地，根据所述感应单元10的具体结构不同，所述感应单元10可以设置于所述冷冲击室1a内，也可以设置于所述热冲击室1b内，还可以设置于所述样品承载室1c内，还可以在所述冷冲击室1a、热冲击室1b和样品承载室1c内靠近所述第一隔离门8和第二隔离门9的表面均设置所述感应单元10。本实施例中优选至少包括感应所述第一隔离门8关闭状态和感应所述第二隔离门9关闭状态的两个感应单元10。所述感应单元10可以包括但不仅限于基于红外感应的传感器。

作为示例，所述冷热冲击测试装置还包括加压阀11，所述加压阀11与所述腔体相连接，用于在完成冲击测试后将所述腔体恢复至常压状态。所述加压阀11可以为一个或多个，其可以与所述样品承载室1c、冷冲击室1a和热冲击室1b中的至少一个相连接。当所述加压阀11仅为一个时，在完成所有的冲击测试工作后，所述第一隔离门8和所述第二隔离门9均打开，此时开启所述加压阀11以将所述腔体的压强恢复至常压状态。或者可以设置分别与所述冷冲击室1a、热冲击室1b及样品承载室1c相连接的多个加压阀11，则在完成所有的冲击测试工作后，所述第一隔离门8和所述第二隔离门9无需打开而通过各自相连的加压阀11将各个空间恢复至常压。

作为示例，所述冷热冲击测试装置还包括温度计，位于所述冷冲击室1a和/或所述热冲击室1b内，优选在所述冷冲击室1a和所述热冲击室1b内均设置温度计，以测量所述冷冲击室1a和所述热冲击室1b内的温度，确保相应的测试温度满足要求。

作为示例，所述样品承载盘4的材质包括但不限于金属，使用金属材质不仅有助于提高使用寿命，而且有助于加快热传导，以使测试样品尽快达到预设的测试温度。在进一步的示例中，所述样品承载盘4的材质为紫铜，紫铜不仅有良好的热传导性能，而且防腐和耐高低温性能良好，可以有效避免冷热冲击测试过程中产生杂质导致测试样品的污染。

根据不同的测试需要及/或测试样品结构的不同，所述样品承载盘4的表面形状包括但不限于圆形和方形。在进一步的示例中，所述样品承载盘4上设置有卡槽，所述卡槽用于放置测试样品，所述卡槽可以为多个，所述卡槽的大小及深度与待放置的测试样品尺寸相匹配，确保测试样品放置于所述凹槽41内后，测试样品的上表面不高于所述样品承载盘4的上表面。通过设置所述凹槽41，不仅有利于测试样品的固定，避免所述样品承载盘4与所述半导体制冷片5和/或所述金属加热板6硬体接触时造成所述测试样品的损伤，还有助于加快热传导，使测试过程中测试样品尽快达到预设的测试温度，同时有助于测试样品各表面的温度均衡，有利于提高测试效果。

作为示例，所述驱动单元3包括但不限于程控电机，且所述程控电机可以为一个或多个，比如在所述腔体的两侧各设置一个所述驱动单元3以从两侧同时驱动所述样品承载盘4，确保所述样品承载盘4在移动过程中保持平衡。采用程控电机便于精确控制样品承载盘4的升降，确保升降过程中的平稳。

作为示例，所述冷热冲击测试装置还可以包括外部加热单元(未图示)，所述外部加热单元位于所述冷冲击室1a的外部，用于在完成冷冲击测试后将所述冷冲击室1a恢复至预设温度，比如恢复至室温。

作为示例，所述冷热冲击测试装置还可以包括外部冷却单元(未图示)，所述外部冷却单元位于所述热冲击室1b的外部，用于在完成冲击测试后将所述热冲击室1b恢复至预设温度，比如恢复至室温。

作为示例，所述冷热冲击测试装置还可以进一步包括控制器(未图示)，前述的驱动单元3、感应单元10、真空泵2、压缩机7、第一隔离门8、第二隔离门9及加压阀11等均与所述控制器相连接，所述控制器内可以预先存储有相应的测试参数(recipe)，比如冷热冲击测试温度、测试时间、冷热冲击循环测试次数等，所述控制器根据所述测试参数控制相应的测试操作，由此可以极大提高所述冷热冲击测试装置的自动化水平，有利于提高测试效率，提高设备产出率。

为使本发明的技术方案和优点更加清楚，下面结合图1-3对本发明的冷热冲击测试装置的使用方法做一示例性说明。

具体地，使用本发明的冷热测试装置进行测试样品的冷热冲击测试前先进行装置调试，以使样品承载盘4位于所述冷冲击室1a和热冲击室1b的中间并与所述冷冲击室1a和热冲击室1b相隔离(比如通过所述第一隔离门8和所述第二隔离门9进行隔离)，将测试样品装载到所述样品承载盘4上，然后关闭所述腔体(比如关闭腔门)，开启真空泵2以使所述腔体内达到真空，比如达到-30KPa以下。

然后使所述冷冲击室1a和热冲击室1b达到预设的冲击温度，比如开启所述半导体制冷片5和/或所述压缩机7使所述冷冲击室1a的温度达到预设的冷冲击测试温度，比如零度以下；对所述金属加热板6进行加热以使所述热冲击室1b的温度达到预设的热冲击测试温度，比如100℃以上(这两个温度调节过程可以同时进行或先后进行)。

在进行热冲击测试时，使所述样品承载室1c和所述热冲击室1b连通(比如开启所述第二隔离门9)而使所述样品承载室1c和所述冷冲击室1a相隔离(比如关闭所述第一隔离门8)，在所述驱动单元3的驱动下，所述样品承载盘4上升到所述热冲击室1b并与所述金属加热板6保持硬体紧密接触以使测试样品尽快达到预设的热冲击测试温度，所述第二隔离门9关闭，样品按照预设时间接受热冲击测试，该过程的示意图请参考图2，此过程中真空泵2优选一直处于工作状态以确保所述腔体内处于真空状态(至少所述热冲击室1b和所述样品承载室1c处于真空，优选整个腔体均保持真空)，由此可以最大程度减少能量损耗，提高能源利用效率。

在测试样品完成预设时间的热冲击测试后需进行冷冲击测试时，所述第二隔离门9打开，在所述驱动单元3的驱动下所述样品承载盘4下降直至下降到所述第二隔离门9以下时，所述第二隔离门9关闭，所述第一隔离门8打开，所述样品承载盘4下降到所述冷冲击室1a内并与所述半导体制冷片5保持硬体紧密接触以使所述测试样品尽快达到冷冲击测试温度，所述第一隔离门8关闭，测试样品按照预设时间接受冷冲击测试，该过程的示意图请参考图3。同样地，此过程中真空泵2优选一直处于工作状态以确保所述腔体内处于真空状态(至少所述冷冲击室1a和所述样品承载室1c处于真空)以减少能量损耗，提高能源利用效率。

根据不同的测试需要，所述冷冲击测试和所述热冲击测试的先后顺序可以调整，冷冲击和热冲击交替循环进行，循环次数可以根据需要设置，具体不做限制。

待测试样品完成冲击循环次数后，所述样品承载盘4在所述驱动单元3的驱动下回复至初始位置(即所述样品承载室1c内)，所述半导体制冷片5、压缩机7及金属加热板6均停止工作以使所述冷冲击室1a和热冲击室1b均回复至常温或室温或其他预设温度(此过程中也可以利用外部的加热装置对所述冷冲击室1a进行加热和/或利用外部的冷却装置对所述热冲击室1b进行降温以使所述冷冲击室1a和/或所述热冲击室1b尽快回复到常温或室温环境)。

待恢复到预设温度后所述第一隔离门8和/或第二隔离门9以及所述加压阀11同时打开，直至所述腔体内的压力回复到设定值，比如回复到常压状态时所述第一隔离门8和所述第二隔离门9再关闭(如果所述冷冲击室1a和所述热冲击室1b均设置有相应的加压阀11而无需通过所述样品承载室1c回复至预设的压力，开启相应的加压阀11即可，而无需打开所述第一隔离门8和所述第二隔离门9)。

最后打开所述腔体，取出测试样品。

上述使用方法仅是示例性的，其先后顺序并没有严格的限制，比如可以先进行冷冲击测试再进行热冲击测试，冷冲击测试和热冲击测试的次数和时间可以相同或不同，本实施例中对此不做限制。本发明的冷热冲击测试装置可以对包括半导体芯片在内的多种产品进行冷热冲击测试。采用本发明的冷热冲击测试装置进行样品的冷热冲击测试，不仅操作非常简单，有助于提高测试效率和产出率，有助于降低测试成本，而且有助于改善测试效果，提高生产良率。

本发明还提供一种冷热冲击测试方法，用于对芯片进行冷热冲击测试，所述冷热冲击测试方法依上述任一方案中所述的冷热冲击测试装置进行，在将所述冷冲击室和热冲击室的温度调整到预定温度后，通过所述驱动单元驱动所述样品承载盘，由此驱动测试样品(比如芯片)在所述冷冲击室和所述热冲击室之间移动以进行冷热冲击循环测试。所述冷热冲击测试方法的具体步骤可以根据需要调整，比如先进行冷冲击测试再进行热冲击测试，或者先进行热冲击测试再进行冷冲击测试，详细的内容请参考对所述冷热冲击测试装置的使用方法的说明，前述内容可全文引用至此，此处不再赘述。

如上所述，本发明提供一种冷热冲击测试装置及测试方法。所述冷热冲击测试装置包括腔体、真空泵及驱动单元；所述真空泵与所述腔体相连通，用于使所述腔体在工作过程中保持真空；所述腔体包括冷冲击室、热冲击室及样品承载室，所述冷冲击室和所述热冲击室位于所述样品承载室的两侧；所述样品承载室内设置有用于承载测试样品的样品承载盘，所述驱动单元与所述样品承载盘相连接，用于驱动所述样品承载盘，以将所述测试样品送至所述冷冲击室和/或所述热冲击室进行冲击测试。本发明提供的冷热冲击测试装置通过优化的结构设计，可以极大减小装置的体积，有利于降低装置成本及节约装置在半导体厂内的占用空间；采用本发明的冷热冲击测试装置可在真空环境下进行冷热冲击测试，有助于降低功率损耗，提高测试效率及设备产出率，降低生产成本。依本发明的冷热冲击测试装置进行的冷热冲击测试方法操作简单，有助于提高测试精度及效率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具较高的产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种冷热冲击测试装置，其特征在于，包括腔体、真空泵及驱动单元；所述真空泵与所述腔体相连通，用于使所述腔体在工作过程中保持真空；所述腔体包括冷冲击室、热冲击室及样品承载室，所述冷冲击室和所述热冲击室位于所述样品承载室的两侧；所述样品承载室内设置有用于承载测试样品的样品承载盘，所述驱动单元与所述样品承载盘相连接，用于驱动所述样品承载盘，以将所述测试样品送至所述冷冲击室和/或所述热冲击室进行冲击测试。

2.根据权利要求1所述的冷热冲击测试装置，其特征在于：所述冷冲击室内设置有半导体制冷片，在冷冲击测试过程中所述样品承载盘与所述半导体制冷片相接触；所述热冲击室内设置有金属加热板，在热冲击测试过程中所述样品承载盘与所述金属加热板相接触。

3.根据权利要求2所述的冷热冲击测试装置，其特征在于：所述冷热冲击测试装置还包括压缩机，所述压缩机与所述冷冲击室相连接，用于对所述冷冲击室进行辅助制冷。

4.根据权利要求1所述的冷热冲击测试装置，其特征在于：所述冷冲击室和所述热冲击室位于所述样品承载室的上下两侧或左右两侧；所述冷冲击室和所述样品承载室通过第一隔离门相隔离，所述热冲击室和所述样品承载室通过第二隔离门相隔离。

5.根据权利要求4所述的冷热冲击测试装置，其特征在于：所述冷热冲击测试装置还包括感应单元，位于所述腔体内，用于感应所述第一隔离门和/或所述第二隔离门是否处于关闭状态。

6.根据权利要求1所述的冷热冲击测试装置，其特征在于：所述冷热冲击测试装置还包括加压阀，所述加压阀与所述腔体相连接，用于在完成冲击测试后将所述腔体恢复至常压状态。

7.根据权利要求1所述的冷热冲击测试装置，其特征在于：所述冷热冲击测试装置还包括温度计，位于所述冷冲击室和/或所述热冲击室内。

8.根据权利要求1所述的冷热冲击测试装置，其特征在于：所述样品承载盘的材质包括紫铜，所述驱动单元包括程控电机。

9.根据权利要求1-8任一项所述的冷热冲击测试装置，其特征在于：所述样品承载盘上设置有卡槽，所述卡槽用于放置测试样品。

10.一种冷热冲击测试方法，用于对芯片进行冷热冲击测试，其特征在于：所述冷热冲击测试方法依权利要求1-9任一项所述的冷热冲击测试装置进行。

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