CN113375840A - 一种压力传感器及其封装方法 - Google Patents

一种压力传感器及其封装方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113375840A
CN113375840A CN202010117838.4A CN202010117838A CN113375840A CN 113375840 A CN113375840 A CN 113375840A CN 202010117838 A CN202010117838 A CN 202010117838A CN 113375840 A CN113375840 A CN 113375840A
Authority
CN
China
Prior art keywords
packaging
chip
pins
sensitive chip
pin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010117838.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113375840B (zh
Inventor
赵一宇
刘宇鹏
张志彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Machinery Equipment Research Institute
Original Assignee
Beijing Machinery Equipment Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Machinery Equipment Research Institute filed Critical Beijing Machinery Equipment Research Institute
Priority to CN202010117838.4A priority Critical patent/CN113375840B/zh
Publication of CN113375840A publication Critical patent/CN113375840A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113375840B publication Critical patent/CN113375840B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00Measuring force or stress, in general
    • G01L1/04Measuring force or stress, in general by measuring elastic deformation of gauges, e.g. of springs
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L7/00Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements
    • G01L7/02Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements in the form of elastically-deformable gauges
    • G01L7/08Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements in the form of elastically-deformable gauges of the flexible-diaphragm type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/8036Bonding interfaces of the semiconductor or solid state body
    • H01L2224/80365Shape, e.g. interlocking features
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/8038Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/80385Shape, e.g. interlocking features

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

本发明涉及一种压力传感器及其封装方法,属于电子封装技术领域,解决了现有技术中传导形式的封装结构带来的封装工艺流程多,工艺要求高,且压力和敏感芯片的应变呈非线性的问题。本发明的压力传感器包括:封装上盖、敏感芯片和底座,封装上盖与敏感芯片接触,用于将外部压力传递到敏感芯片,底盖上固定安装封装引脚,敏感芯片上设置至少两个芯片引脚,芯片引脚上设置凹槽,封装引脚卡合安装在芯片引脚的凹槽中,封装引脚的另一端与电路板连接,实现信号传输。本发明减少了封装流程,提高了封装效率,采用凹槽配合的方式固定敏感芯片,确保了敏感芯片在水平方向上的位置,同时减小了支撑点附近的应变不确定性,提高了传感器响应的一致性和灵敏度。

Description

一种压力传感器及其封装方法
技术领域
本发明涉及电子封装技术领域,尤其涉及一种压力传感器及其封装方法。
背景技术
通常压力传感器是通过封装结构,将压力转变为应力应变进行感知,封装结构直接能影响到压力传感器的性能指标。
现有的封装结构典型的有两种结构,一种是薄膜形式的封装结构,另一种是传导形式的封装结构。
薄膜形式的封装结构压力直接作用于薄膜表面,在薄膜应变最大处设置压力敏感芯片,这种结构需要敏感芯片与薄膜紧密配合,通常使用粘贴或者键合的方式,但是薄膜在不断变化的形变会影响这种配合的效果,会带来传感器灵敏度的降低。也有将敏感芯片本身做成薄膜的形式,但是这种封装会带来暴露敏感芯片的问题,并且也直接导致传感器成本的提升。
传导形式的封装结构,利用传导结构,将外壳的压力传导到压力敏感芯片,这种结构要求压力敏感芯片本身具备小型的薄膜结构,将压力转换为应变进行感知,这种结构能够有效解决薄膜式封装中带来的问题,但是这种小型的薄膜结构,薄膜周边通常采用粘贴或者键合的方式固定,工艺流程多,对工艺要求高,且会引起压力和应变关系的非线性。
发明内容
鉴于上述的分析,本发明旨在提供一种压力传感器及其封装方法,用以解决现有传导形式的封装结构带来的封装工艺流程多,工艺要求高,且压力和敏感芯片的应变呈非线性的问题。
本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的:
一种压力传感器,包括:封装上盖、敏感芯片、芯片引脚、底座和封装引脚;封装上盖的内壁面与敏感芯片的上表面接触,用于将外部压力传递到敏感芯片;敏感芯片用于将感受到的压力转换为应变进行感知;敏感芯片的下表面设置芯片引脚;芯片引脚与封装引脚卡合安装;封装引脚一端通过芯片引脚与敏感芯片电连接,另一端与电路板电连接;封装引脚固定安装在底座上,底座与封装上盖固定连接。
具体地,芯片引脚至少有两个;封装引脚的数量和位置与芯片引脚相对应。
具体地,芯片引脚上设置凹槽,封装引脚上设置卡合部,卡合部与凹槽匹配。
具体地,凹槽的纵截面为三角形,卡合部的纵截面也为三角形。
具体地,卡合部的顶端尖角的角度小于凹槽的底部尖角的角度。
具体地,凹槽为纵截面为圆弧的柱状弧面槽;卡合部的纵截面为半圆形或者月牙形;凹槽与卡合部的形状大小匹配。
具体地,封装上盖内壁面的中心位置设有突出的接触部,接触部与敏感芯片接触。
具体地,接触部为锥型或者球型。
具体地,封装引脚还包括封装部,封装部与底盖固定连接;封装部的两侧设置凸块,凸块用于限制封装引脚与底盖在竖直方向的相对位置。
另一方面提供一种压力传感器的封装方法,包括以下步骤:
步骤一:将封装引脚安装在底座上;
步骤二:将封装引脚卡入芯片引脚的凹槽中,完成敏感芯片与封装引脚之间的配合安装;
步骤三:将封装上盖套在敏感芯片的外部,并与底座固定连接。
本发明的技术方案至少具有如下有益效果之一:
1.本发明采用倒装式的压力敏感芯片信号引出方式,通过芯片引脚和封装引脚之间的配合实现敏感芯片的封装,不需要从芯片引脚键合引线到封装引脚,减少了封装流程,提高了封装效率。
2.本发明采用芯片引脚与封装引脚相互配合的方式固定敏感芯片的水平位置,保证了传感器封装结构的一致性。通过检查芯片引脚的形状、位置,以及底座上封装引脚的形状、位置,即可保证传感器封装的质量。
3.本发明的敏感芯片不再采用粘贴或者键合的方式固定,而是采用凹槽和卡合部配合的方式固定敏感芯片,确保了敏感芯片在水平方向上的位置一致性,因而提高了传感器响应的一致性。同时用形状配合方式代替粘贴或键合等方式固定芯片,减小了支撑点附近的应变不确定性,因而减小了传感器响应的非线性。
本发明中,上述各技术方案之间还可以相互组合,以实现更多的优选组合方案。本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分优点可从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过说明书以及附图中所特别指出的内容中来实现和获得。
附图说明
附图仅用于示出具体实施例的目的,而并不认为是对本发明的限制,在整个附图中,相同的参考符号表示相同的部件。
图1是本发明的压力传感器的结构图;
图2是本发明的压力传感器的分解图;
图3是敏感芯片的仰视图;
图4是芯片引脚的剖视图;
图5是芯片引脚的仰视图;
图6是封装引脚的剖视图;
图7是封装引脚的侧视图。
附图标记:
1-封装上盖,2-敏感芯片,3-芯片引脚,4-底座,5-封装引脚,51-封装部;52-卡合部。
具体实施方式
下面结合附图来具体描述本发明的优选实施例,其中,附图构成本申请一部分,并与本发明的实施例一起用于阐释本发明的原理,并非用于限定本发明的范围。
实施例一
本发明的一个具体实施例,公开了一种压力传感器,包括封装上盖1、敏感芯片2、芯片引脚3、底座4和封装引脚5。
图1为本发明的压力传感器的封装结构示意图,本发明的压力传感器采用MEMS技术在敏感芯片2上制作与封装引脚5相配合的芯片引脚3,封装引脚5采用粘接、烧结等方式与底座4固定连接。
敏感芯片2的上表面与封装上盖1接触,封装上盖1将外部压力传递到敏感芯片2。进一步地,敏感芯片2用于将感受到的压力转换为应变进行感知。进一步地,封装引脚5一端通过芯片引脚3与敏感芯片2实现电连接,另一端与电路板进行电连接,实现信号的连通。
进一步地,底座4采用树脂或者陶瓷等绝缘材料制作,以保证封装引脚5之间不会通过底座4短路。
进一步地,芯片引脚3和封装引脚5是一一对应的,即芯片引脚3和封装引脚5的数量相同,且敏感芯片2上设置至少两个芯片引脚3,如图3所示。
进一步地,敏感芯片2采用倒装方式反扣在底座4上,通过敏感芯片2上的芯片引脚3与封装引脚5之间的相互配合,实现敏感芯片2与底座4之间的位置固定。具体地,敏感芯片2上的芯片引脚3与底座4上的封装引脚5之间的位置是相对应或者说相匹配的。
图2为本发明的压力传感器的结构分解图,本发明的压力传感器的封装上盖1为壳体结构,进一步地,封装上盖1的壳体内壁面的中心位置设置一个接触部,接触部突出于封装上盖1的内壁面。封装上盖1套设在敏感芯片2的外部,且封装上盖1的接触部与敏感芯片2之间仅接触不连接。
进一步地,在封装完成后,封装上盖1的接触部与敏感芯片2之间具有一定的预紧力,来确保封装上盖1与敏感芯片2的接触可靠性,避免由于封装上盖1与敏感芯片2之间存在间隙导致的接触中断,进一步确保压力传感器的灵敏度和可靠性。
如图1所示,芯片引脚3与封装引脚5相配合,形成悬臂梁结构,外界压力通过封装上盖1的接触部集中传导到敏感芯片2的中心位置,使得悬臂梁结构发生形变,由于敏感芯片2与封装引脚5之间通过类似铰链连接,可以降低敏感芯片2支撑点附近的非线性应变。
进一步地,如图4、图5所示,敏感芯片2上的芯片引脚3是一凹槽结构,芯片引脚3的下表面上设置纵截面为三角形的楔形凹槽。其中,纵截面指的是垂直于芯片引脚3长度的方向。
进一步地,如图6、图7所示,封装引脚5下部的封装部为圆柱型结构,封装引脚5的顶端为卡合部51,卡合部51是一纵截面为三角形的楔形结构。封装引脚5的卡合部51的楔形结构与芯片引脚3的楔形凹槽之间相互配合后,由于外部压力挤压可以限制敏感芯片2在水平方向上的移动。
进一步地,楔形凹槽和楔形结构之间涂敷导电胶,以增强信号的传输质量。
进一步地,芯片引脚3的楔形凹槽的两个侧面之间的夹角大于封装引脚5的卡合部51的尖端的夹角。封装引脚5的卡合部51能够在芯片引脚3的楔形凹槽中小幅度的偏转,当压力传感器的封装上盖1在外部压力的作用下下压敏感芯片2时,敏感芯片2的两端会有微小幅度的上翘,此时,封装引脚5相对于芯片引脚3有微小幅度的偏转,芯片引脚3和封装引脚5之间构成一个类铰链结构。
也就是说,封装引脚5的卡合部51的楔形结构尖端与芯片引脚3的楔形凹槽底端始终保持接触,限制敏感芯片2在水平方向的滑移,但是不会限制敏感芯片2的正常应变。
比较而言,常规封装方法是将敏感芯片2与封装上壳1胶粘固定,在遇到压力时,敏感芯片2的两端会受到胶水产生的拉拽力的影响,进而导致敏感芯片2支撑点附近的应变非线性,对比常规封装,本发明的封装方式能够减少支撑点附近的应变不确定性,保证压力传感器的灵敏度。
进一步地,凹槽设置芯片引脚的中心位置,长度略小于芯片引脚3的长度,也就是说,凹槽的两端是封闭的,而不是通槽,如图5所示。另外,由于敏感芯片2为长条型板状结构,因此,芯片引脚3设置在敏感芯片2长度方向的两端,而忽略敏感芯片2在宽度方向的极微小应变。通过芯片引脚3和封装引脚5的配合限制敏感芯片2在水平方向的移动;通过封装上盖1和封装引脚5共同限制敏感芯片2在竖直方向的移动,实现对敏感芯片2的位置固定。
进一步地,封装引脚5的封装部52为柱状结构,封装部的两侧面上设置两个凸块,如图6所示,凸块用于限制封装引脚5相对于底座4在竖直方向上的移动。
进一步地,封装结构封装上盖1与底座4采用键合、密封圈、粘贴、焊接等方式进行气密封装,保证封装上盖1空腔内的气密性。
实施例二
本实施例针对实施例一的芯片引脚3和封装引脚5的配合安装,提供的一种不同的配合结构:
凹槽和楔形结构的设置位置可以互换,即在敏感芯片2上的芯片引脚3上设置楔形结构的卡合部,而在封装引脚5的顶端设置楔形结构的凹槽,两者在位置上需要相互配合。
敏感芯片2在压力的作用下发生变形时,楔形结构能够在楔形凹槽中发生偏转,限制敏感芯片2在水平方向的滑移,但是不会限制敏感芯片2的正常应变,通过楔形结构和楔形凹槽的配合形成的类铰链结构能够最大限度的减少封装引脚5对敏感芯片2的应变变化的影响,减小敏感芯片2应变的不确定性,保证传感器的检测精度。
本发明的芯片引脚3和封装引脚5通过形状配合实现对敏感芯片水平方向的位置固定,而凹槽和楔形结构的设置位置可以互换,仍属于本发明相同的设计构思,落入本发明的保护范围之内。
实施例三
本实施例为针对实施例一的芯片引脚3和封装引脚5的配合安装,提供的一种不同的配合结构:
芯片引脚3上的凹槽设计为纵截面为半圆的柱状弧面或者纵截面为劣弧的柱状弧面槽。
对应的,封装引脚5上的卡合部51与芯片引脚3的凹槽匹配,即卡合部51的纵截面形状与凹槽匹配,即卡合部51为纵截面为半圆形或月牙形的弧面柱,其中,月牙形为劣弧与其所对应的弦所组成的封闭图形。
进一步地,凹槽与卡合部51的形状大小匹配,且表面光滑。
封装引脚5的卡合部51能够在芯片引脚3的弧面凹槽内转动,形成一个类铰链结构,能够减少敏感芯片2支撑点附近的应变不确定性,保证压力传感器的灵敏度。
外界压力从封装上盖1传递到敏感芯片2,下压敏感芯片2时,敏感芯片2的两端向上方微小翘起,芯片引脚3相对于封装引脚5存在小幅度的逆时针方向转动,卡合部51的圆弧面顶端在芯片引脚3的弧面凹槽中转动。卡合部51和芯片引脚3构成一个转动副,能够最大限度的减少封装引脚5对敏感芯片2的应变变化的影响,减小敏感芯片2应变的不确定性,保证传感器的检测精度。
实施例四
本实施例结合实施例一和实施例三的芯片引脚3和封装引脚5的配合安装方式,提供的一种组合型的配合结构,即:
芯片引脚3的凹槽为弧面和两侧平面的结合,将实施例一中的纵截面为三角形的凹槽替换为纵截面为梯形面和圆弧面的组合平面,对应的,封装引脚5的卡合部51与芯片引脚3的凹槽配合,卡合部51的纵截面为梯形面和弧面的组合,即将实施例一中三角形截面的卡合部51的尖端磨圆为弧面。
敏感芯片2在压力的作用下发生变形时,卡合部51上端的弧面能够在凹槽的弧面槽中转动,形成转动副,减少应变不确定性。卡合部51下部的梯形结构的两侧面夹角小于凹槽的两侧面夹角,能够提供敏感芯片2产生应变变形时卡合部51的转动空间,同时限制敏感芯片2在水平方向的滑移,但是不会影响敏感芯片2的正常应变,通过卡合部51和凹槽的配合形成的类铰链结构能够最大限度的减少封装引脚5对敏感芯片2的应变变化的影响,减小敏感芯片2应变的不确定性,保证传感器的检测精度。
实施例五
本实施例提供一种本发明的压力传感器的封装方法,具体步骤为:
步骤一:将封装引脚5安装在底座4上;进一步地,封装引脚5与底座4之间采用螺纹连接,烧接、焊接、粘接等方式固定连接,或者,封装引脚5与底座4之间采用孔柱配合(卡合)的方式安装。具体地,采用封装引脚5与底座4卡合安装时,封装引脚5的封装部与底座4上预设的通孔配合安装。
步骤二:将芯片引脚3与封装引脚5相配合;具体地,封装引脚5顶端的卡合部51与芯片引脚3上的凹槽相配合/卡合,或者说,封装引脚5顶端的卡合部51卡入芯片引脚3上的凹槽中,完成敏感芯片2与封装引脚5之间的配合安装。
具体地,在芯片引脚3与封装引脚5配合之前,采用MEMS技术在敏感芯片2上制作与封装引脚5相配合的芯片引脚3。
步骤三:将封装上盖1套在敏感芯片2的外部,并与底座4固定连接。具体地,封装引脚5与底座4之间采用螺纹连接,焊接、粘接等方式固定连接。
与现有技术相比,本发明的实施例提供的技术方案至少具有如下效果之一:
1.本发明采用倒装式的压力敏感芯片信号引出方式,减少了封装流程。与传统的封装方式相比,敏感芯片2与封装上盖1之间无需胶粘,仅通过凹槽配合即可完成相对位置的固定,安装方便。
2.本发明采用凹槽和封装引脚5的卡合部51相配合的方式,固定敏感芯片2,确保了敏感芯片2在水平方向上的位置一致性,因而提高了传感器响应的一致性。同时用形状配合方式代替粘贴或键合等方式固定芯片,减小了支撑点附近的应变不确定性,因而减小了传感器响应的非线性,提高了压力传感器的灵敏度。
3.本发明的传感器及其封装方法,在封装之前,通过检查芯片上引脚的形状、位置,以及底座上引脚的芯片、位置,即可确认最终封装后传感器的信号质量。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种压力传感器,其特征在于,包括:封装上盖(1)、敏感芯片(2)、芯片引脚(3)、底座(4)和封装引脚(5);所述封装上盖(1)的内壁面与敏感芯片(2)的上表面接触,用于将外部压力传递到敏感芯片(2);所述敏感芯片(2)用于将感受到的压力转换为应变进行感知;所述敏感芯片(2)的下表面设置芯片引脚(3);所述芯片引脚(3)与所述封装引脚(5)卡合安装;所述封装引脚(5)一端通过芯片引脚(3)与敏感芯片(2)电连接,另一端与电路板电连接;所述封装引脚(5)固定安装在所述底座(4)上,所述底座(4)与所述封装上盖(1)固定连接。
2.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,所述芯片引脚(3)至少有两个;所述封装引脚(5)的数量和位置与所述芯片引脚(3)相对应。
3.根据权利要求2所述的压力传感器,其特征在于,所述芯片引脚(3)上设置凹槽,所述封装引脚(5)上设置卡合部(51),所述卡合部(51)与所述凹槽匹配。
4.根据权利要求3所述的压力传感器,其特征在于,所述凹槽为纵截面呈三角形的楔形凹槽,所述卡合部(51)为纵截面呈三角形的楔形结构。
5.根据权利要求4所述的压力传感器,其特征在于,所述卡合部(51)的顶端尖角的角度小于所述凹槽的底部尖角的角度。
6.根据权利要求3所述的压力传感器,其特征在于,所述凹槽的纵截面为圆弧的柱状弧面槽;所述卡合部(51)的纵截面为半圆形或者月牙形;所述凹槽的形状和大小与所述卡合部(51)的形状和大小匹配。
7.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,所述封装上盖(1)内壁面的中心位置设有突出的接触部,所述接触部与所述敏感芯片(2)接触。
8.根据权利要求7所述的压力传感器,其特征在于,所述接触部为锥型或者球型。
9.根据权利要求3-8任一项所述的压力传感器,其特征在于,所述封装引脚(5)还包括封装部(52),所述封装部(52)与所述底盖(4)固定连接;所述封装部(52)的两侧设置凸块,所述凸块用于限制所述封装引脚(5)与底盖(4)在竖直方向的相对位置。
10.根据权利要求1-9任一项所述的压力传感器的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:将封装引脚(5)安装在底座(4)上;
步骤二:将封装引脚(5)卡入芯片引脚(3)的凹槽中,完成敏感芯片(2)与封装引脚(5)之间的配合安装;
步骤三:将封装上盖(1)套在敏感芯片(2)的外部,并与底座(4)固定连接。
CN202010117838.4A 2020-02-25 2020-02-25 一种压力传感器及其封装方法 Active CN113375840B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010117838.4A CN113375840B (zh) 2020-02-25 2020-02-25 一种压力传感器及其封装方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010117838.4A CN113375840B (zh) 2020-02-25 2020-02-25 一种压力传感器及其封装方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113375840A true CN113375840A (zh) 2021-09-10
CN113375840B CN113375840B (zh) 2022-12-23

Family

ID=77569347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010117838.4A Active CN113375840B (zh) 2020-02-25 2020-02-25 一种压力传感器及其封装方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113375840B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06232202A (ja) * 1993-02-01 1994-08-19 Oki Electric Ind Co Ltd フリップチップicの実装構造
JPH1068645A (ja) * 1996-08-27 1998-03-10 Yazaki Corp センサ取付板、センサユニット及び流速センサモジュール
CN205940853U (zh) * 2016-08-26 2017-02-08 华景传感科技(无锡)有限公司 压力传感器及所适用的汽车
CN108275648A (zh) * 2017-12-21 2018-07-13 中航(重庆)微电子有限公司 一种基于硅压阻式的压力传感器封装结构
CN208458900U (zh) * 2018-07-24 2019-02-01 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 一种光纤光栅压力传感器结构
CN208796803U (zh) * 2018-10-16 2019-04-26 珠海科德电子有限公司 一种倒装电磁元件
CN209541974U (zh) * 2019-03-27 2019-10-25 瑞安市益华汽车配件有限公司 一种压差传感器
JP2020008396A (ja) * 2018-07-06 2020-01-16 株式会社不二工機 圧力センサ

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06232202A (ja) * 1993-02-01 1994-08-19 Oki Electric Ind Co Ltd フリップチップicの実装構造
JPH1068645A (ja) * 1996-08-27 1998-03-10 Yazaki Corp センサ取付板、センサユニット及び流速センサモジュール
CN205940853U (zh) * 2016-08-26 2017-02-08 华景传感科技(无锡)有限公司 压力传感器及所适用的汽车
CN108275648A (zh) * 2017-12-21 2018-07-13 中航(重庆)微电子有限公司 一种基于硅压阻式的压力传感器封装结构
JP2020008396A (ja) * 2018-07-06 2020-01-16 株式会社不二工機 圧力センサ
CN208458900U (zh) * 2018-07-24 2019-02-01 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 一种光纤光栅压力传感器结构
CN208796803U (zh) * 2018-10-16 2019-04-26 珠海科德电子有限公司 一种倒装电磁元件
CN209541974U (zh) * 2019-03-27 2019-10-25 瑞安市益华汽车配件有限公司 一种压差传感器

Also Published As

Publication number Publication date
CN113375840B (zh) 2022-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8806964B2 (en) Force sensor
JP6188231B2 (ja) 荷重検出装置及び前記荷重検出装置を用いた電子機器
KR20030039985A (ko) 압력검출장치
CN113375840B (zh) 一种压力传感器及其封装方法
CN112470012A (zh) 检查用导电薄片
KR20230116933A (ko) 센서 조립체 및 밸브 장치
CN115183931A (zh) 一种mems气体压力传感器封装结构
CN201107149Y (zh) 高可靠电子式汽车压力传感器
US8870592B2 (en) Socket and device having the socket
CN113582127A (zh) 压力传感器封装结构
JP3499321B2 (ja) 圧力検出ピン
JP3567740B2 (ja) 半導体センサ及び実装構造
CN212609548U (zh) 压力传感器封装结构
CN212133946U (zh) 压力传感器封装结构
US11105692B2 (en) Force sensor having first and second circuit board arrangements
CN210689903U (zh) 一种高可靠压力传感器
CN220982524U (zh) 一种压力传感器系统
CN220893626U (zh) 一种带插销的力传感器
CN214951967U (zh) 一种传感器封装结构
CN210089897U (zh) 密封型msg压力传感器
CN111473894B (zh) 力量传感器
CN215296319U (zh) 传感器
TW202028709A (zh) 力量感測器
CN210735377U (zh) 一种皮带跑偏检测装置
CN215249542U (zh) 一种mems圆形pcb基板传感器封装的结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant