CN113364427B

CN113364427B - 一种宽频带跳频滤波器

Info

Publication number: CN113364427B
Application number: CN202110729881.0A
Authority: CN
Inventors: 于孝云; 官国阳
Original assignee: Guangdong Shengda Communication Co ltd
Current assignee: Guangdong Shengda Communication Co ltd
Priority date: 2021-06-29
Filing date: 2021-06-29
Publication date: 2021-12-31
Anticipated expiration: 2041-06-29
Also published as: CN114142826A; CN113364427A

Abstract

本发明公开了一种宽频带跳频滤波器，包括：低频段跳频滤波器组，高频段跳频滤波器组，驱动控制单元和存储控制单元；所述低频段跳频滤波器组包括第一输入射频开关，第一输出射频开关，并联设置的第一跳频滤波器、第二跳频滤波器和第三跳频滤波器；所述高频段跳频滤波器组包括第二输入射频开关，第二输出射频开关，并联设置的第四跳频滤波器、第五跳频滤波器、第一低通滤波器、第二低通滤波器和第三低通滤波器；所述存储控制单元与所述驱动控制单元电性连接，所述驱动控制单元输出端分别与所述第一、第二、第三、第四和第五跳频滤波器的电容加载控制输入端连接。本发明提供一种插入损耗小、Q值高、大功率、频带宽、切换速度快的宽频带跳频滤波器。

Description

一种宽频带跳频滤波器

技术领域

本发明涉及移动通信技术领域，尤其涉及一种宽频带跳频滤波器。

背景技术

跳频技术是一种利用载波跳变实现频谱展宽的扩频技术，其方法是把一个宽频段分成若干个频率间隔(称为频道，或频隙)，由一个伪随机序列控制发射机在某一特定的驻留时间所发送信号的载波频率，由于跳频技术抗干扰性强、通信保密不易被截获、频谱利用率高等的优点，在近年来被广泛地应用于抗干扰的通信系统中。

在跳频通信设备中，跳频滤波器是一个重要器件，而大功率的跳频滤波器一般放在通信机的发射端，用以抑制发射机大功率放大器伴随的谐波和近端杂散干扰，以减少对其它通信设备的干扰。现阶段跳频通信信道主要集中在30MHz～512MHz，采用传统的LC集中调谐方式，Q值较低，带外衰减小，抗干扰能力差，滤波器驱动控制电路采用晶体管(NPN)切换，切换速度慢，容易被识别干扰。因此便提出了频段向2.5GHz扩展的需求，但在频段向2.5GHz扩展时，存在跳频滤波器功率容量小，插入损耗大，带外衰减小以及频段向2.5GHz扩展不易实现等问题。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提出了一种插入损耗小、Q值高、大功率、频带宽、切换速度快的跳频滤波器。

本发明提供一种宽频带跳频滤波器，其特征在于，包括：低频段跳频滤波器组，高频段跳频滤波器组，驱动控制单元和存储控制单元；所述低频段跳频滤波器组包括第一输入射频开关，第一输出射频开关，并联设置的第一跳频滤波器、第二跳频滤波器和第三跳频滤波器；所述高频段跳频滤波器组包括第二输入射频开关，第二输出射频开关，并联设置的第四跳频滤波器、第五跳频滤波器、第一低通滤波器、第二低通滤波器和第三低通滤波器；所述存储控制单元与所述驱动控制单元电性连接，所述驱动控制单元输出端分别与所述第一跳频滤波器、第二跳频滤波器、第三跳频滤波器、第四跳频滤波器和第五跳频滤波器的电容加载控制输入端连接；

进一步，所述第一低通滤波器、第二低通滤波器和第三低通滤波器均采用微波同轴谐振器腔体结构，任一所述微波同轴谐振器包括第一谐振器至第八谐振器和第一耦合器至第七耦合器；八个谐振器和七个耦合器顺次交替连接，所述第一谐振器的第一端与所述第二输入射频开关的输出端电性连接，所述第一谐振器的第二端与所述第一耦合器连接，所述第八谐振器的第一端与所述第七耦合器连接，所述第八谐振器的第二端与所述第二输出射频开关的输入端连接。

优选的，所述第一跳频滤波器为30～90MHz跳频滤波器，所述第二跳频滤波器为90～225MHz跳频滤波器，所述第三跳频滤波器为225～512MHz跳频滤波器，所述第四跳频滤波器为225～900MHz跳频滤波器，所述第五跳频滤波器为600～800MHz跳频滤波器，所述第一低通滤波器为880～1320MHz低通滤波器，所述第二低通滤波器为1320～2000MHz低通滤波器，所述第三低通滤波器为2000～2500MHz低通滤波器。

优选的，所述第一跳频滤波器、第二跳频滤波器、第三跳频滤波器、第四跳频滤波器和第五跳频滤波器均包括微波腔体谐振器以及与各自所述微波腔体谐振器连接的两路谐振电路；所述第一跳频滤波器、第二跳频滤波器和第三跳频滤波器的微波腔体谐振器的输入端与所述第一输入射频开关连接，输出端与所述第一输出射频开关连接；所述第四跳频滤波器和第五跳频滤波器的微波腔体谐振器的输入端与所述第二输入射频开关连接，输出端与所述第二输出射频开关连接；所述第一跳频滤波器、第二跳频滤波器、第三跳频滤波器、第四跳频滤波器和第五跳频滤波器的两路谐振电路均与所述驱动控制单元连接。

进一步，任一所述微波腔体谐振器包括依次串联的输入阻抗匹配电感、第一谐振器、耦合电感、第二谐振器和输出阻抗匹配电感，所述输入阻抗匹配电感的一端与第一输入射频开关或第二输入射频开关的输出端连接，所述输出阻抗匹配电感的一端与第一输入射频开关或第二输出射频开关的输入端连接；任一所述两路谐振电路分别与第一谐振器和第二谐振器连接，任一所述谐振电路包括电容、PIN二极管、电感和电阻；所述电容的第一端分别与所述第一谐振器或第二谐振器连接，所述电容的第二端与所述电感的第一端和所述PIN二极管的负极连接；所述电感的第二端与所述电阻的第一端连接，所述PIN二极管正极接地，所述电阻的第二端与所述驱动控制单元连接。

优选的，所述第一跳频滤波器和第二跳频滤波器均采用电容加载螺旋线圈微波腔体谐振器结构，即谐振器为螺旋线圈。

进一步，所述第三跳频滤波器、第四跳频滤波器和第五跳频滤波器均采用电容加载四分之一波长微波腔体谐振器结构，即谐振器为四分之一波长谐振圆柱。

优选的，所述驱动控制单元包括：电阻R1～R4，CMOS管Q1～Q3；所述电阻R1的第一端与电阻R2的第一端接高电位，所述电阻R1的第二端与CMOS管Q2的漏极连接，所述电阻R2的第二端与CMOS管Q1的漏极和CMOS管Q2的栅极连接；所述电阻R3的第一端和电阻R4的第一端均与所述存储控制单元连接，电阻R3的第二端与CMOS管Q1的栅极连接，电阻R4的第二端与CMOS管Q3的栅极连接；CMOS管Q2的源极和CMOS管Q3漏极与所述第一跳频滤波器、第二跳频滤波器、第三跳频滤波器、第四跳频滤波器和第五跳频滤波器的谐振电路连接，CMOS管Q1的源极与CMOS管Q3的源极接低电位。

优选的，所述第一输入射频开关包括输入SP3T Switch芯片；所述输入SP3TSwitch芯片的输入引脚通过第一电容后与低频段射频激励输入端子连接；所述输入SP3TSwitch芯片的第一输出引脚通过第二电容后与第一跳频滤波器的输入端连接；所述输入SP3T Switch芯片的第二输出引脚通过第三电容后与第二跳频滤波器的输入端连接；所述输入SP3T Switch芯片的第三输出引脚通过第四电容后与第三跳频滤波器的输入端连接；所述第一输出射频开关包括输出SP3T Switch芯片；所述输出SP3T Switch芯片的输出引脚通过第五电容后与低频段射频激励输出端子连接，所述输出SP3T Switch芯片的第一输入引脚通过第六电容后与第一跳频滤波器的输出端连接；所述输出SP3T Switch芯片的第二输入引脚通过第七电容后与第二跳频滤波器的输出端连接；所述输出SP3T Switch芯片的第三输入引脚通过第八电容后与第三跳频滤波器的输出端连接。

优选的，所述第二输入射频开关包括输入SP5T Switch芯片；所述输入SP5TSwitch芯片的输入引脚通过第九电容后与高频段射频激励输入端子连接；所述输入SP5TSwitch芯片的第一输出引脚通过第十电容后与第四跳频滤波器的输入端连接；所述输入SP5T Switch芯片的第二输出引脚通过第十一电容后与第五跳频滤波器的输入端连接；所述输入SP5T Switch芯片的第三输出引脚通过第十二电容后与第一低通滤波器的输入端连接；所述输入SP5T Switch芯片的第四输出引脚通过第十三电容后与第二低通滤波器的输入端连接；所述输入SP5T Switch芯片的第五输出引脚通过第十四电容后与第三低通滤波器的输入端连接；所述第二输出射频开关包括输出SP5T Switch芯片；所述输出SP5TSwitch芯片的输出引脚通过第十五电容后与高频段射频激励输出端子连接；所述输出SP5TSwitch芯片的第一输入引脚通过第十六电容后与第四跳频滤波器的输出端连接；所述输出SP5T Switch芯片的第二输入引脚通过第十七电容后与第五跳频滤波器的输出端连接；所述输出SP5T Switch芯片的第三输入引脚通过第十八电容后与第一低通滤波器的输出端连接；所述输出SP5T Switch芯片的第四输入引脚通过第十九电容后与第二低通滤波器的输出端连接；所述输出SP5TSwitch芯片的第五输入引脚通过第二十电容后与第三低通滤波器的输出端连接。

优选的，所述存储控制单元采用Flash Memory存储芯片进行数据存储控制。

与现有技术相比，本发明所述宽频带跳频滤波器具有以下优点：

(1)整个装置可以实现频段范围从30MHz跨度到2500MHz，并且可以提高跳频滤波器的带外衰减和输出功率。

(2)第一和第二跳频滤波器采用螺旋线圈电容加载微波腔体谐振器结构；第三至第五跳频滤波器采用四分之一波长电容加载微波腔体谐振器结构；滤波器全部采用密封的谐振腔体结构形式，有载Q值高，插损小、功率大，抗干扰能力强的优点。

(3)第一至第五跳频滤波器通过控制PIN二极管的通断来控制电容在电容阵列中的通断状态，从而改变了电容阵列的总电容量，实现带通滤波器的中心频率的可控，实现频段范围从30MHz跨度到900MHz跳频，稳定可控。

(4)低通滤波器采用微波同轴谐振器腔体结构，可以实现频段范围从800MHz跨度到2500MHz，此微波同轴谐振器腔体结构形式，具有带外衰减陡峭，远端衰减大，功率大，容易实现等优点，可以满足跳频滤波器大功率、带外衰减大的性能；具体的，相比传统的微带谐振结构形式功率在2W以下，本微波同轴谐振器腔体结构功率可以达到百瓦级以上。

(5)滤波器控制电路单元采用CMOS管控制，控制切换速度可达到us级，相比晶体管NPN ms级的控制切换速度，切换速度大幅提高。

本发明的这些方面或其他方面在以下实施例的描述中会更加简明易懂。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一种实施例宽频带跳频滤波器的结构示意图；

图2为本发明一种实施例宽频带跳频滤波器的跳频滤波器的电路图；

图3为本发明一种实施例宽频带跳频滤波器的驱动控制单元的电路图；

图4为本发明一种实施例宽频带跳频滤波器的低通滤波器腔体结构示意图；

图5为本发明一种实施例宽频带跳频滤波器第一射频输入开关的电路图；

图6为本发明一种实施例宽频带跳频滤波器第一射频输出开关的电路图；

图7为本发明一种实施例宽频带跳频滤波器第二射频输入开关的电路图；

图8为本发明一种实施例宽频带跳频滤波器第二射频输出开关的电路图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参照图1，本发明提供一种宽频带跳频滤波器，包括跳频范围为30MHz～512MHz的低频段跳频滤波器组(未标号)、跳频范围为225MHz～2500MHz的高频段跳频滤波器组(未标号)，以及驱动控制单元31和存储控制单元32；所述低频段跳频滤波器组包括并联设置的第一跳频滤波器11、第二跳频滤波器12和第三跳频滤波器13，以及第一输入射频开关21、第一输出射频开关22；所述高频段跳频滤波器组包括并联设置的第四跳频滤波器14、第五跳频滤波器15、第一低通滤波器16、第二低通滤波器17和第三低通滤波器18，以及第二输入射频开关23、第二输出射频开关24；所述存储控制单元32与所述驱动控制单元31电性连接，所述驱动控制单元31输出端分别与所述第一跳频滤波器11、第二跳频滤波器12、第三跳频滤波器13、第四跳频滤波器14和第五跳频滤波器15的电容加载控制输入端连接；所述第一低通滤波器16、第二低通滤波器17和第三低通滤波器18均采用微波同轴谐振器腔体结构，任一所述微波同轴谐振器包括第一谐振器X4、第二谐振器X5、第三谐振器X6、第四谐振器X7、第五谐振器X8、第六谐振器X9、第七谐振器X10、第八谐振器X11和第一耦合器L6、第二耦合器L7、第三耦合器L8、第四耦合器L9、第五耦合器L10、第六耦合器X11、第七耦合器X12；八个谐振器和七个耦合器顺次交替连接，所述第一谐振器X4的第一端与所述第二输入射频开关23的输出端电性连接，所述第一谐振器X4的第二端与所述第一耦合器L6连接，所述第八谐振器X11的第一端与所述第七耦合器X12连接，所述第八谐振器X11的第二端与所述第二输出射频开关24的输入端连接。

优选的，所述第一跳频滤波器11为30～90MHz跳频滤波器，所述第二跳频滤波器12为90～225MHz跳频滤波器，所述第三跳频滤波器13为225～512MHz跳频滤波器，所述第四跳频滤波器14为225～900MHz跳频滤波器，所述第五跳频滤波器15为600～800MHz跳频滤波器，所述第一低通滤波器16为880～1320MHz低通滤波器，所述第二低通滤波器17为1320～2000MHz低通滤波器，所述第三低通滤波器18为2000～2500MHz低通滤波器。

请参照图2，作为一种实施例的，所述第一跳频滤波器11、第二跳频滤波器12、第三跳频滤波器13、第四跳频滤波器14和第五跳频滤波器15均包括微波腔体谐振器X3以及与各自所述微波腔体谐振器X3连接的两路谐振电路；所述所述第一跳频滤波器11、第二跳频滤波器12和第三跳频滤波器13的微波腔体谐振器X3的输入端RFin与所述第一输入射频开关21连接，输出端RFout与所述第一输出射频开关22连接；所述第四跳频滤波器14和第五跳频滤波器15的微波腔体谐振器X3的输入端RFin与所述第二输入射频开关23连接，输出端RFout与所述第二输出射频开关24连接；所述第一跳频滤波器11、第二跳频滤波器12、第三跳频滤波器13、第四跳频滤波器14和第五跳频滤波器15的两路谐振电路均与所述驱动控制单元31连接。

进一步，任一所述微波腔体谐振器X3包括依次串联的输入阻抗匹配电感L1、第一谐振器X1、耦合电感L2、第二谐振器X2和输出阻抗匹配电感L3，所述输入阻抗匹配电感L1的一端与第一或第二输入射频开关21、23的输出端连接，所述输出阻抗匹配电感L3的一端与第一或第二输出射频开关22、24的输入端连接。任一所述两路谐振电路分别与第一谐振器X1和第二谐振器X2连接，所述两路谐振电路包括电容C1、C2，PIN二极管D1、D2，电感L4、L5和电阻R1、R2；其中一条谐振电路中的电容C1的第一端与所述第一谐振器X1连接，所述电容C1的第二端与所述电感L4的第一端和所述PIN二极管D1的负极连接；所述电感L4的第二端与所述电阻R1的第一端连接，所述PIN二极管D1正极接地，所述电阻R1的第二端与所述驱动控制单元21连接；另一条谐振电路中的电容C2的第一端与所述第一谐振器X2连接，所述电容C2的第二端与所述电感L5的第一端和所述PIN二极管D2的负极连接；所述电感L5的第二端与所述电阻R2的第一端连接，所述PIN二极管D2正极接地，所述电阻R2的第二端与所述驱动控制单元21连接。

作为一种实施例的，所述第一跳频滤波器11和第二跳频滤波器12均采用电容加载螺旋线圈微波腔体谐振器结构产生谐振，所述微波腔体谐振器X3中所述第一谐振器X1和所述第二谐振器X2为螺旋线圈，所述第一谐振器X1螺旋线圈的一端接地，另一端加载电容与电容C1电性能连接，所述第二谐振器X2螺旋线圈的一端接地，另一端加载电容与电容C2电性能连接。

作为一种实施例的，所述第三跳频滤波器13、第四跳频滤波器14和第五跳频滤波器15均采用电容加载四分之一波长微波腔体谐振器结构产生谐振，所述微波腔体谐振器X3中所述第一谐振器X1和所述第二谐振器X2为四分之一波长谐振圆柱，所述第一谐振器X1谐振圆柱的一端接地，另一端加载电容与电容C1电性连接，所述第二谐振器X2谐振圆柱的一端接地，另一端加载电容与电容C2电性连接。

需要补充说明的，所述第一跳频滤波器11、第二跳频滤波器12、第三跳频滤波器13、第四跳频滤波器14和第五跳频滤波器15的微波腔体谐振器X3的谐振腔结构是一样的；只是，第一跳频滤波器11和第二跳频滤波器12的第一谐振器X1、第二谐振器X2采用的是螺旋线圈；第三跳频滤波器13、第四跳频滤波器14和第五跳频滤波器15的第一谐振器X1、第二谐振器X2采用的是四分之一波长谐振圆柱。

请参照图3，作为一种实施例的，所述驱动控制单元31包括：电阻R1～R4，CMOS管Q1～Q3；所述电阻R1的第一端与电阻R2的第一端接高电位+450V，所述电阻R1的第二端与CMOS管Q2的漏极连接，所述电阻R2的第二端与CMOS管Q1的漏极和CMOS管Q2的栅极连接；所述电阻R3的第一端和电阻R4的第一端均与所述存储控制单元连接TTLL，电阻R3的第二端与CMOS管Q1的栅极连接，电阻R4的第二端与CMOS管Q3的栅极连接；CMOS管Q2的源极和CMOS管Q3漏极与所述第一、第二、第三、第四和第五跳频滤波器的谐振电路VT1连接，CMOS管Q1的源极与CMOS管Q3的源极接低电位-3.3V。

请参照图5和图6，作为一种实施例的，所述第一输入射频开关21包括输入SP3TSwitch芯片；所述输入SP3T Switch芯片的输入引脚1通过第一电容CS38后与低频段射频激励输入端子RFin1连接；所述输入SP3TSwitch芯片的第一输出引脚12通过第二电容CS34后与第一跳频滤波器11的输入端连接；所述输入SP3T Switch芯片的第二输出引脚9通过第三电容CS37后与第二跳频滤波器12的输入端连接；所述输入SP3T Switch芯片的第三输出引脚5通过第四电容CS42后与第三跳频滤波器13的输入端连接；所述第一输出射频开关22包括输出SP3T Switch芯片；所述输出SP3TSwitch芯片的输出引脚1通过第五电容CS49后与低频段射频激励输出端子RFout2连接，所述输出SP3T Switch芯片的第一输入引脚12通过第六电容CS43后与第一跳频滤波器11的输出端连接；所述输出SP3T Switch芯片的第二输入引脚9通过第七电容CS48后与第二跳频滤波器12的输出端连接；所述输出SP3T Switch芯片的第三输入引脚5通过第八电容CS53后与第三跳频滤波器13的输出端连接。

请参照图7和图8，作为一种实施例的，所述第二输入射频开关23包括输入SP5TSwitch芯片；所述输入SP5T Switch芯片的输入引脚1通过第九电容CS9后与高频段射频激励输入端子RFin1连接；所述输入SP5TSwitch芯片的第一输出引脚12通过第十电容CS1后与第四跳频滤波器的输入端连接；所述输入SP5T Switch芯片的第二输出引脚9通过第十一电容CS8后与第五跳频滤波器的输入端连接；所述输入SP5T Switch芯片的第三输出引脚5通过第十二电容CS15后与第一低通滤波器的输入端连接；所述输入SP5T Switch芯片的第四输出引脚15通过第十三电容CS7后与第二低通滤波器的输入端连接；所述输入SP5T Switch芯片的第五输出引脚2通过第十四电容CS11后与第三低通滤波器的输入端连接；所述第二输出射频开关24包括输出SP5T Switch芯片；所述输出SP5T Switch芯片的输出引脚1通过第十五电容CS26后与高频段射频激励输出端子RFout1连接；所述输出SP5T Switch芯片的第一输入引脚12通过第十六电容CS17后与第四跳频滤波器14的输出端连接；所述输出SP5TSwitch芯片的第二输入引脚9通过第十七电容CS23后与第五跳频滤波器14的输出端连接；所述输出SP5T Switch芯片的第三输入引脚5通过第十八电容CS32后与第一低通滤波器16的输出端连接；所述输出SP5T Switch芯片的第四输入引脚15通过第十九电容CS24后与第二低通滤波器17的输出端连接；所述输出SP5T Switch芯片的第五输入引脚2通过第二十电容CS27后与第三低通滤波器18的输出端连接。

以上对本发明所提供的一些实施例进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims

1.一种宽频带跳频滤波器，其特征在于，包括：

低频段跳频滤波器组，高频段跳频滤波器组，驱动控制单元和存储控制单元；

所述低频段跳频滤波器组包括第一输入射频开关，第一输出射频开关，并联设置的第一跳频滤波器、第二跳频滤波器和第三跳频滤波器；

所述高频段跳频滤波器组包括第二输入射频开关，第二输出射频开关，并联设置的第四跳频滤波器、第五跳频滤波器、第一低通滤波器、第二低通滤波器和第三低通滤波器；

所述存储控制单元与所述驱动控制单元电性连接，所述驱动控制单元输出端分别与所述第一跳频滤波器、第二跳频滤波器、第三跳频滤波器、第四跳频滤波器和第五跳频滤波器的电容加载控制输入端连接；

所述第一低通滤波器、第二低通滤波器和第三低通滤波器均采用微波同轴谐振器腔体结构，任一所述微波同轴谐振器包括第一谐振器至第八谐振器和第一耦合器至第七耦合器；八个谐振器和七个耦合器顺次交替连接，第一谐振器的第一端与所述第二输入射频开关的输出端电性连接，所述第一谐振器的第二端与第一耦合器连接，第八谐振器的第一端与第七耦合器连接，所述第八谐振器的第二端与所述第二输出射频开关的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的宽频带跳频滤波器，其特征在于，所述第一跳频滤波器为30～90MHz跳频滤波器，所述第二跳频滤波器为90～225MHz跳频滤波器，所述第三跳频滤波器为225～512MHz跳频滤波器，所述第四跳频滤波器为225～900MHz跳频滤波器，所述第五跳频滤波器为600～800MHz跳频滤波器，所述第一低通滤波器为880～1320MHz低通滤波器，所述第二低通滤波器为1320～2000MHz低通滤波器，所述第三低通滤波器为2000～2500MHz低通滤波器。

3.根据权利要求1所述的宽频带跳频滤波器，其特征在于，

所述第一跳频滤波器、第二跳频滤波器、第三跳频滤波器、第四跳频滤波器和第五跳频滤波器均包括微波腔体谐振器以及与各自所述微波腔体谐振器连接的两路谐振电路；

所述第一跳频滤波器、第二跳频滤波器和第三跳频滤波器的微波腔体谐振器的输入端与所述第一输入射频开关连接，输出端与所述第一输出射频开关连接；

所述第四跳频滤波器和第五跳频滤波器的微波腔体谐振器的输入端与所述第二输入射频开关连接，输出端与所述第二输出射频开关连接；

所述第一跳频滤波器、第二跳频滤波器、第三跳频滤波器、第四跳频滤波器和第五跳频滤波器的两路谐振电路均与所述驱动控制单元连接。

4.根据权利要求3所述的宽频带跳频滤波器，其特征在于，任一所述微波腔体谐振器包括依次串联的输入阻抗匹配电感、第一谐振器、耦合电感、第二谐振器和输出阻抗匹配电感，所述输入阻抗匹配电感的一端与第一输入射频开关或第二输入射频开关的输出端连接，所述输出阻抗匹配电感的一端与第一输出射频开关或第二输出射频开关的输入端连接；

任一所述两路谐振电路分别与第一谐振器和第二谐振器连接，任一所述谐振电路包括电容、PIN二极管、电感和电阻；所述电容的第一端分别与所述第一谐振器或第二谐振器连接，所述电容的第二端与所述电感的第一端和所述PIN二极管的负极连接；所述电感的第二端与所述电阻的第一端连接，所述PIN二极管正极接地，所述电阻的第二端与所述驱动控制单元连接。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的宽频带跳频滤波器，其特征在于，所述第一跳频滤波器和第二跳频滤波器均采用电容加载螺旋线圈微波腔体谐振器结构，即谐振器为螺旋线圈。

6.根据权利要求5所述的宽频带跳频滤波器，其特征在于，所述第三跳频滤波器、第四跳频滤波器和第五跳频滤波器均采用电容加载四分之一波长微波腔体谐振器结构，即谐振器为四分之一波长谐振圆柱。

7.根据权利要求1所述的宽频带跳频滤波器，其特征在于，所述驱动控制单元包括：

电阻R1～R4，CMOS管Q1～Q3；

所述电阻R1的第一端与电阻R2的第一端接高电位，所述电阻R1的第二端与CMOS管Q2的漏极连接，所述电阻R2的第二端与CMOS管Q1的漏极和CMOS管Q2的栅极连接；

所述电阻R3的第一端和电阻R4的第一端均与所述存储控制单元连接，电阻R3的第二端与CMOS管Q1的栅极连接，电阻R4的第二端与CMOS管Q3的栅极连接；

CMOS管Q2的源极和CMOS管Q3漏极与所述第一跳频滤波器、第二跳频滤波器、第三跳频滤波器、第四跳频滤波器和第五跳频滤波器的谐振电路连接，CMOS管Q1的源极与CMOS管Q3的源极接低电位。

8.根据权利要求1所述的宽频带跳频滤波器，其特征在于，

所述第一输入射频开关包括输入SP3T Switch芯片；所述输入SP3TSwitch芯片的输入引脚通过第一电容后与低频段射频激励输入端子连接；所述输入SP3T Switch芯片的第一输出引脚通过第二电容后与第一跳频滤波器的输入端连接；所述输入SP3T Switch芯片的第二输出引脚通过第三电容后与第二跳频滤波器的输入端连接；所述输入SP3T Switch芯片的第三输出引脚通过第四电容后与第三跳频滤波器的输入端连接；

所述第一输出射频开关包括输出SP3T Switch芯片；所述输出SP3TSwitch芯片的输出引脚通过第五电容后与低频段射频激励输出端子连接，所述输出SP3T Switch芯片的第一输入引脚通过第六电容后与第一跳频滤波器的输出端连接；所述输出SP3T Switch芯片的第二输入引脚通过第七电容后与第二跳频滤波器的输出端连接；所述输出SP3T Switch芯片的第三输入引脚通过第八电容后与第三跳频滤波器的输出端连接。

9.根据权利要求1或8所述的宽频带跳频滤波器，其特征在于，

所述第二输入射频开关包括输入SP5T Switch芯片；所述输入SP5TSwitch芯片的输入引脚通过第九电容后与高频段射频激励输入端子连接；所述输入SP5T Switch芯片的第一输出引脚通过第十电容后与第四跳频滤波器的输入端连接；所述输入SP5T Switch芯片的第二输出引脚通过第十一电容后与第五跳频滤波器的输入端连接；所述输入SP5T Switch芯片的第三输出引脚通过第十二电容后与第一低通滤波器的输入端连接；所述输入SP5TSwitch芯片的第四输出引脚通过第十三电容后与第二低通滤波器的输入端连接；所述输入SP5T Switch芯片的第五输出引脚通过第十四电容后与第三低通滤波器的输入端连接；

所述第二输出射频开关包括输出SP5T Switch芯片；所述输出SP5TSwitch芯片的输出引脚通过第十五电容后与高频段射频激励输出端子连接；所述输出SP5T Switch芯片的第一输入引脚通过第十六电容后与第四跳频滤波器的输出端连接；所述输出SP5T Switch芯片的第二输入引脚通过第十七电容后与第五跳频滤波器的输出端连接；所述输出SP5TSwitch芯片的第三输入引脚通过第十八电容后与第一低通滤波器的输出端连接；所述输出SP5T Switch芯片的第四输入引脚通过第十九电容后与第二低通滤波器的输出端连接；所述输出SP5T Switch芯片的第五输入引脚通过第二十电容后与第三低通滤波器的输出端连接。