CN113352584B - 配有热调节限制件的电磁处理单元 - Google Patents

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Abstract

电磁处理单元(8)，其具有：主体(9)，其具有正面(10)；光发射装置(21)，其具有多个发光源，光发射装置(21)在主体(9)上安装成向前辐射；流体回路，其配置在主体(9)内，用于光发射装置(21)的热调节；至少一个限制件(44，60，71)，其由不透发射光的材料制成，具有暴露于发射光的限制面(47，61，74，79)，电磁处理单元的特征在于，所述限制件(44，60，71)安装在主体(9)上，与之进行热接触，限制面(47，61，74，79)的热调节由流体回路(24)提供。

Description

配有热调节限制件的电磁处理单元
本申请是名称为“配有热调节限制件的电磁处理单元”、国际申请日为2015年7月17日、国际申请号为PCT/EP2015/066446、国家申请号为201580039943.8的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明一般涉及塑料制空心体的电磁处理，以便加热这种空心体。更准确地说，本发明涉及容器(例如瓶、罐或壶)的型坯的电磁加热，使之通过配有多个电磁辐射源的处理装置进行电磁加热，“型坯”或者指将原料注入一个注模中获得的预型件，或者指吹塑预型件获得的中间容器(或空心体)，中间容器无论如何都要进行辅助热处理。
背景技术
一种可行的应用是加热预型件型坯，以便在其加热之后，延伸吹塑预型件，形成容器。
虽然迄今最广泛使用管状白炽卤素灯根据普朗克法则以连续光谱进行辐射加热型坯的习用技术，但是，最近出现一种替代技术，其基于使用单能辐射或者准单能辐射(例如激光)，在红外线范围进行辐射。
激光加热的性能和特性(尤其是光学精度)优于卤素加热的性能和特性，可获得型坯的快速和选择性加热。
法国专利申请FR2982790和等效PCT专利申请WO2013/076415(申请人均为Sidel公司)两者提出一种处理装置，其具有多个加热单元，每个加热单元配有多个红外线辐射源。更准确地说，每个加热单元具有：
-一个主体；
-一个光发射装置，其具有多个红外光辐射源；
-一个流体回路，其配置在主体内，用于光发射装置的热调节；
-至少一个限制件，其安装在主体上，所述限制件由不透红外光的材料制成，具有一个暴露于红外光的限制面(红外光或者来自其所固定的加热单元，或者来自面对限制面的另一个加热单元)。
限制件用于向型坯反射红外光，和/或限制红外光向处理装置外散射。
尽管有这些性能，仍需提高处理装置的效率。更确切地说，要求整个处理装置的温度保持在低范围，最好接近大气温度，以便限制热惯性，提高处理装置的安全性，也使来自限制件的辐射干涉减到最低程度。
US2012/326345、US2010/072673(两者申请人均为Sidel公司)以及DE102005061334(先进光子学技术公司)也提出加热物体的装置。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种安全性提高的电磁处理装置。
本发明的另一个目的是提供一种电磁处理单元和一种热惯性低的电磁装置。
本发明的又一个目的是提供一种配有限制件的电磁单元，其可保持在接近大气温度的温度。
因此，根据第一实施例，提供一种电磁处理单元，其具有：
-主体，其具有正面；
-光发射装置，其具有多个发光源，光发射装置在主体上安装成向前辐射；
-流体回路，其配置在主体内，用于光发射装置的热调节；
-至少一个限制件，其由不透发射辐射的材料制成，具有一个暴露于发射辐射的限制面，所述限制件安装在主体上，与之进行热接触，限制面的热调节由流体回路提供。
单独地或者组合地，根据各种实施例：
-限制件由螺钉或者任何其它提供紧密接触的固定件固定于主体；
-一个限制件是一个围绕光发射装置的反射框，反射框的一个限制面是一个向前定向的光反射面；
-反射框具有一个与反射面相对的后缘，所述后缘与主体的正面接触；
-一个限制件是一个安装在光发射装置下面的下部反射器，下部反射器的一个限制面是一个向上定向的光反射面；
-下部反射器由一个定位板安装在主体上，定位板配有校准下部反射器相对于主体的垂直位置的校准装置，所述定位板用作主体与下部反射器之间的热桥；
-定位板具有一个向前定向的光反射面；
-一个限制件是一个上部吸收器，其安装在光发射装置之上，上部吸收器的一个限制面是一个向前定向的光吸收面；
-上部吸收器具有一个向下定向的光反射下边缘，其定位在光发射装置的上边缘附近；
-光发射装置接纳在主体正面上形成的一个中空前壳体中；
-流体回路具有至少一个引入通道，其形成于主体上，所述引入通道一方面通过一个引入孔通到前壳体中，另一方面通过一个入口通到主体的后端面上；
-流体回路具有至少一个排出通道，其形成于主体上，平行于引入通道，所述排出通道一方面通过一个排出孔通到前壳体中，另一方面通过一个出口通到主体的后端面上；
-流体回路具有一对排出通道，其形成于引入通道的每一侧；
-发光源设计成在红外线范围进行辐射，例如红外激光器二极管，例如VCSEL(垂直-空腔表面-发射激光二极管)二极管。
本发明还提出一种处理塑料型坯的电磁处理装置，所述处理装置具有一系列上述相邻的处理单元。
附图说明
根据参照附图对优选实施例所作的详细说明，本发明的上述及其它目的和优越性将显而易见。
附图如下：
图1是处理型坯的处理装置的立体图，其具有一系列相邻的处理单元。
图2是图1所示处理装置的横向剖视图；
图3是图1所示处理装置配有的处理单元的立体分解正视图；
图4是图1所示处理单元的立体分解后视图；
图5是装配的处理单元的立体正视图；
图5B类似于图5，示出处理单元处于不同的构形；
图6是图5所示处理单元的正视图；
图7是图6所示处理单元的沿线VII-VII的细部剖视图；
图8是图6所示处理单元的沿线VIII-VIII的细部剖视图；
图9是图6所示处理单元的沿线IX-IX的细部剖视图；
图10是图6所示处理单元的沿线X-X的立体细部剖视图；
图11是图6所示处理单元的沿线XI-XI的立体细部剖视图。
具体实施方式
图1和图2示出用于处理(例如加热或者消毒)塑料型坯2的电磁处理装置1。在所示的实施例中，型坯2是预型件(例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯制成)，其用于在加热(从而软化)时，在一个模具中进行吹制或者延伸吹制，形成容器例如瓶或壶。
预型件型坯2具有一个基本上呈圆柱形的主体3，其在一端由一个半球形底部4封闭，在相对的一端由一个颈部5延伸，颈部一般用于支承，开口形成最终容器的口部(如图1和2所示)。
型坯2可能不是预型件，而是中间容器，公知地，其在预型件的上述吹塑或延伸吹塑阶段获得。象预型件一样，这种中间容器具有一个主体3，其在一端由一个底部4封闭，在相对的一端由一个颈部5延伸(其也是预型件的颈部)。
每个型坯2(这里是每个预型件)被驱动沿一条路径移动，在所述实施例中，其为线形，但是可以是任何其它形状，包括圆弧形。
处理装置1具有一对彼此面对的平行侧壁6，其沿型坯2的路径在其两侧垂直延伸，一起限定型坯2通过的一个空腔7。
至少一个(最好每个)侧壁6具有一系列类似的彼此邻接安装的电磁处理单元8。
每个处理单元8具有一个主体9，其最好由热传导材料，例如钢合金、铜合金或者铝合金，制成一个整件。
如下所述，处理单元8具有其它组件，其安装在主体9上，因此，其提供这些组件的支承作用。组件或者直接或者通过界面元件间接固定于主体9。
如图3和4所示，其为处理单元8的立体分解图，主体9基本上呈棱形形状，具有一个正面10，其在运转中(见图1)向空腔7定向，即向型坯2(或所示的预型件)定向。
主体9也具有一个后端面11、侧面12、一个下边缘13和一个上边缘14。
在下面，沿着与正面10相同的方向定向的任何表面被称作向前定向。相反，沿着与正面10相反的方向定向的任何表面被称作向后定向。向主体9的下边缘13定向的任何表面被称作向下定向，而向主体9的上边缘14定向的任何表面被称作向上定向。
在一个优选实施例中，主体9具有一个中空前壳体15，其形成于与其上边缘14邻接的正面10上。如图3所示，前壳体15围绕以一个从正面10凸起的棱16。棱16最好在形状上呈长方形，且具有圆角。一个连续槽部17形成于棱16的前缘。
在图3和4所示的一个实施例中，主体9的每个侧面12至少部分地切成限定一个侧面凸起棱18。该棱18配有一系列开在正面10上的通孔19。主体9也配有一系列螺纹盲孔20，其在正面10上钻在前壳体15的下面。
处理单元8也具有一个光发射装置21，其安装在主体9上，包括多个发光源(每个具有微小尺寸，因而附图未示出)。
更确切地说，光源最好以单色光或者假单色光进行辐射。在一个实施例中，其中，处理装置1是一个加热装置，用于从其制造容器的型坯2的温度调节，发光源设计成在红外线范围进行辐射。在另一个实施例中，其中，处理装置1是一个消毒装置，用于型坯2的消毒，例如，以便后续的无菌灌装，发光源设计成在紫外线范围进行辐射。也可以组合使用几种波长或者范围(例如红外线和紫外线)。
理论上，单色光源是一种理想光源，其发射单一频率的正弦波。换句话说，频谱由零谱宽的单一光线组成(狄拉克)。
实际上，这种光源不存在，实际光源至少是准单色光源，即其频谱是小而非零的谱宽带，其以射线强度最大的主频率为中心。但是，将这种实际光源说成单色光源通常不精确。此外，在离散谱上发射准单色光的光源具有几种以不同的主频率为中心的窄频带，称为假单色光源，也称为多波型光源。
在一个实施例中，其中，处理装置1是一个加热装置，发光源可以是红外激光二极管。
光源的一种可行的组织形式是一个矩阵22，如同所述实施例中那样。所述或每个矩阵22可以是一个垂直-空腔表面-发射激光二极管矩阵，公知地，提供高密度光源(直至每平方英寸数十或者数万个)。在这种布置中，矩阵22可辐射每平方英寸数兆瓦热功率。为了加热型坯2，红外发射光的波长可约为1微米，基本上相当于聚对苯二甲酸乙二醇酯的最大能量吸收率，由此快速和有效地加热型坯2。
在所示的实施例中，更确切地说，如图3、4和5所示，辐射装置21具有多个这种矩阵22，其安装在一个共衬底23上，也组织成一个大矩阵。在图3中，辐射装置21具有三十六个相邻矩阵22，但是，该数量是任意的。
光发射装置21在主体9上安装成向前辐射。实际上，光发射装置21接纳在前壳体15中。光发射装置21小于前壳体15，比棱16薄。因此，光发射装置21完全接纳在前壳体15内，棱16向前延伸超过光发射装置21。光发射装置21由螺钉或者任何其它合适的装置牢固地固定于主体。
运转中，光发射装置21产热，若不移去，则会降低其效率。因此，光发射装置21需要冷却，更确切地说，需要基本上保持恒温。
为此，处理单元8具有一个流体回路24，其配置在主体9内，用于光发射装置21的热调节。冷却液可以完全是纯水，但是，可使用任何其它适当的液体，例如水带有添加剂，例如乙二醇或者丙二醇，甚至冷却空气或氮这样的气体。
在所述实施例中，流体回路24具有至少一条引入通道25和至少一条排出通道26，其形成于主体9内。
引入通道25在主体9内从接近于主体9的下边缘13的下端27，向接近于主体9的上边缘14的对置上端垂直延伸。实际上，引入通道25可以在主体9上从上边缘14垂直钻成，引入通道25由一个旋塞28封闭。
引入通道25一方面通过正面10上钻的一个引入孔29通到前壳体15中。另一方面，引入通道25通过一个入口30通到主体9的后端面11上。在图3所示的实施例中，几个引入孔29可钻在正面10上，从而可具有高液体流速，且使光发射装置21均匀冷却。
冷却液由一个进入管31(图4上虚线所示)通过一个与入口30连接的引入喷嘴32提供给流体回路24。
所述或者每个排出通道26也在主体9内，在引入通道25的旁边(且最好与之平行地)，从接近于主体9的下边缘13的下端33，向接近于主体上边缘14的对置上端垂直延伸。实际上，排出通道26可在主体9上从上边缘14垂直钻成，排出通道26由一个旋塞34封闭。
排出通道26一方面通过正面10上钻的一个排出孔35通到前壳体15中。另一方面，排出通道26通过一个出口36通到主体9的后端面11上。在图3所示的实施例中，数对排出孔35可在正面10上钻在引入孔29的每一侧。
冷却液由一个排出管37(图4上虚线所示)，通过一个与出口36连接的排出喷嘴38，从流体回路24排出。
在所述实施例中，入口30和出口36一条位于另一个之上，虽然这种构形可视为可选。
在一个优选实施例中，流体回路24具有一对排出通道26，其形成于引入通道25的每一侧。在所述实施例中，引入通道25在中央形成于主体9上，排出通道26形成于引入通道25与主体9的侧面12之间。
排出通道26在其下端33，通常通过一个横向连接通道39，通向出口36。
如图8所示，光发射装置21配有一个流体分配回路40，其在基件内形成，在光源矩阵22之后分布流体流。在所示的实施例中，流体分配回路40具有孔41，其钻在基件23的后端面42上，由至少一个横向分配通道43进行连接。
处理单元8还具有至少一个限制件，其安装在主体9上，由不透红外光的材料制成，具有一个暴露于红外光的限制面(红外光或者来自相同的处理单元8，或者来自另一个处理单元，例如对置侧壁6的一个单元8)。
术语“限制”包含构件、材料或者表面的两种可能的光学性质：光学反射；光学吸收。理论上，当来自单一方向的光线反射到向单一方向射出的出射光线中时，反射面提供镜面反射，而当来自任何方向的光线未完全反射、但完全被吸收到表面内时，吸收面提供吸收作用。
但是，实际上，一个构件、一种材料或者一个表面在其反射大部分入射光时可视为反射，而一个构件、一种材料或者一个表面在其吸收大部分入射光时可视为吸收。
限制件视其构形、材料和定位，用于：
-向空腔7反射其接收的至少部分辐射，以使能量损失减到最低程度，从而提高处理装置1的性能，
-和/或吸收其接收的至少部分辐射，以免能量分散到空腔7的外面，多半是为了人身安全。
在任一情况下，一部分入射光吸收在限制件内，因而提供能量，从而提供热。
要求从限制件去除该热中至少部分热，使之保持在一定温度：
-限制件的热损耗(因而空腔7内的非所需红外辐射)减到最低程度；
-在使处理单元8从关掉状态转换到操作状态(反之亦然)时，限制件的热疲劳减到最低程度；
-在接通处理单元8时，限制件的热惯性、因而处理单元8和处理装置1的热惯性减到最低程度。
为此，所述或者每个限制件安装在主体9上，以便与之进行热接触，限制面的热调节由流体回路24提供。
在所述实施例中，处理单元8具有几个限制件。
一个限制件是一个围绕光发射装置21的反射框44。如图3和4所示，反射框44具有一个矩形面板45，其配有一个矩形轮廓中央孔46，用于使光发射装置21发射的光通过。
反射框44的限制面是面板45的一个向前定向的光反射正面47。
反射框44最好由钢合金、铜合金或者铝合金这样的热传导材料制成。
正面47的光反射特性可通过磨光或者涂层操作例如物理汽相沉积获得。涂层材料可以是银、铂、铝甚至金。正面47用于反射从对置侧壁6的处理单元8向型坯2的辐射(如图8中虚线所示)，从而提高处理装置1的效率。为清楚起见，反射正面47用阴影图案示于图5。
如图4所示，反射框44配有一个支承凸缘48，其从面板45的与正面47相对的后端面49向后突出。凸缘48限定与正面47相对的后缘50，其钻有一系列螺纹盲孔51。
反射框44安装在主体9上，例如用螺钉52(或者任何其它适当的提供紧密接触的固定件例如热熔胶)与之固定，其通过横肋18上的通孔19与盲孔51进行螺旋配合。在横肋18上上紧螺钉52，在凸缘48的后缘与主体9的正面10之间提供紧密接触。这种紧密接触确保主体9与反射框44之间的热接触。因此，主体9的热调节提供反射框44的热调节，更准确地说，其正面47的热调节。应当指出，因为反射框44与主体9之间的接触主要在横肋18中提供，其中发生大部分热交换。因为横肋18比接近引入通道25更接近排出通道26，所以从反射框44吸取的大部分热传向在排出通道26中流动的流体，从而保持流体在引入通道25中流动，从而更有效地冷却光发射装置21。
在附图更确切地说图3和图4所示的一个优选实施例中，处理单元8还具有一个透明窗面板53，其例如由石英制成，布置在反射框44的后端面49与主体9之间。有利地，一个弹性密封圈54(例如由天然橡胶或合成橡胶制成)夹在窗面板53与主体9之间。更确切地说，密封圈54接纳在槽部17内，其形成于从主体9的正面10突出的棱16上。这种装置清楚地示于图8。
窗面板53和密封圈54使前壳体15具有水密性，从而限制光发射装置21由空气湿度造成的污染危险。
因此，为了去除前壳体15的潮气，处理单元8可具有一个干燥室55。在所述实施例中，干燥室55形成于一个添加箱56内，添加箱56安装在主体9的后端面11上(例如用螺钉)。
如图10所示，主体9配有通孔57，其使干燥室55与前壳体15进行流体连通。干燥室55至少部分地注以干燥剂58，例如硅胶或者任何等效物质，例如硫酸钙或者氯化钙。饱和干燥剂58替换以新鲜干燥剂，可通过一个可拆卸帽59进行，可拆卸帽59用螺钉固定在添加箱56上，且与之紧密密封。密封圈(图10上黑色部分)最好夹在添加箱56与主体9的后端面11之间，以及帽59与添加箱56之间。
在附图所示的优选实施例中，另一个限制件是一个下部反射器60，其安装在光发射装置21的下面。
该下部反射器60的一个限制面是一个向上定向的光反射顶面61。该顶面61用于在型坯2的下面向下关闭空腔7，以便当型坯2是预型件时，限制辐射向型坯2的底部4反射传播(如图9虚线所示)，从而提高处理装置1的效率。为清楚起见，顶面61用阴影图案示于图5。
下部反射器60最好由钢合金、铜合金或者铝合金这样的热传导材料制成。
顶面61的光反射特性可通过磨光或者涂层操作例如物理汽相沉积获得。涂层材料可以是银、铂、铝甚至金。
如图3所示，下部反射器60具有一个垂直下部部分62和一个水平上部部分63，上部部分63从下部部分62的上端向前突出，形成或者具有反射顶面61。
在一个优选实施例中，为使处理装置1适应不同尺寸(即高度)的型坯2更准确地说是预型件，下部反射器60通过一个定位板64安装在主体9上。为了垂直调整下部反射器60相对于主体9的垂直位置，定位板64配有滑道65(例如由侧槽形成)，而下部反射器配有辅助棱66，其从下部部分62向后突出，与滑道65滑动配合。
定位板64由钢合金、铜合金或者铝合金这样的热传导材料制成。
定位板64配有一系列通孔67，其与主体9的螺纹盲孔20同轴；下部反射器60配有一对长通孔68，其形成于下部部分62，面对定位板64的槽孔67和主体9的螺纹盲孔20。
定位板64用一对螺钉69(或者提供紧密接触的任何其它适当的固定件例如热熔胶)固定于主体9，螺钉69与主体9的螺纹盲孔20进行螺旋配合。下部反射器60用一对螺钉69固定于主体9，定位板64夹在下部反射器60与主体9之间，螺钉69通过定位板64的一对通孔67，与主体9的一对螺纹盲孔20进行螺旋配合。选择螺钉插入的螺纹盲孔20，粗调下部反射器60相对于主体9的垂直位置。在上紧螺钉69之前，使下部反射器60相对于定位板64垂直滑动，进一步精调下部反射器60的垂直位置。垫圈可布置在螺钉69与下部反射器60之间，以分配受力。
在下部反射器60上上紧螺钉69，在一方面是下部反射器60和定位板64的正面10、另一方面是定位板64和主体9的正面10之间提供紧密接触。这种紧密接触确保主体9与下部反射器60之间通过定位板64进行热接触，定位板64用作主体9与下部反射器60之间的热桥。
因此，主体9的热调节提供下部反射器60的热调节，更准确地说，反射顶面61的热调节。
定位板64可作为一个限制件，如果下部反射器60与之固定在定位板64的正面70部分地从反射顶面61向上突出的这种低位(例如当型坯2具有较大长度时)、从而面对型坯2的下部部分，如图5B所示。定位板64的限制面是正面70，其进行光反射，且向前定向。正面70的光反射特性可通过磨光或者涂层操作例如物理汽相沉积获得。涂层材料可以是银、铂、铝甚至金。正面70用于从相对的侧壁6的加热单元8向型坯2反射辐射。正面70用作限制面，图5上用阴影图案示出。
另一个限制件是安装在光发射装置21之上的一个上部吸收器71。该上部吸收器71的一个主要作用是限制辐射向上传播到处理装置1的空腔7的外面，以保护环境和人员免受红外光可能造成的损害。
如图3、4和7所示，上部吸收器71侧视时呈L形，具有一个水平上部部分72和一个垂直前部部分73，前部部分73在其前缘从上部部分72垂直突出。
上部吸收器71由钢合金、铜合金或者铝合金这样的热传导材料制成。
上部吸收器71的一个限制面是前部部分73的一个向前定向的光吸收正面74。正面74可用吸收性涂层例如黑涂料进行光吸收。正面74吸收至少部分由相对的侧壁6发射的入射辐射，如图7上破折号箭头所示。为清楚起见，正面74用蜂窝形图案示于图5。
上部部分72配有侧通孔75，其面对在主体9的上边缘14上形成的螺纹盲孔76。上部吸收器71用螺钉77(或者提供紧密接触的任何其它适当的固定件例如热熔胶)固定于主体9，螺钉77通过通孔75与螺纹盲孔76进行螺旋配合。在上部吸收器71上上紧螺钉77，在上部吸收器71的下端面78与主体9的上边缘14之间提供紧密接触。这种紧密接触确保主体9与上部吸收器71之间的热接触。因此，主体9的热调节提供上部吸收器71的热调节。应当指出，因为上部吸收器71与主体9之间的紧密接触主要是侧向提供，即基本上在排出通道26之上提供，所以上部吸收器71吸取的大部分热传导到在排出通道26中流动的流体。在任何情况下，引入通道中流动的流体冷却光发射装置21的温度不受(或者不太受)从上部吸收器71吸取的热的影响。
如图5和7所示，上部吸收器71的前部部分73部分地覆盖前壳体15之上的反射框44。如图7所示，通孔75延长，以便在型坯是预型件时，水平校正上部吸收器71的位置，使之适应预型件颈部5的尺寸。
在一个特殊的实施例中，上部吸收器71的另一个限制面是前部部分73的一个光反射下边缘79，其向下定向，定位在光发射装置21的上边缘附近。下边缘79的光反射特性可通过磨光或者涂层操作例如物理汽相沉积获得。涂层材料可以是银、铂、铝甚至金。
前部部分73的下边缘79用于向空腔7反射由光发射装置21的靠近红外线辐射源发射的部分辐射，如图7中虚线所示。
处理单元8操作如下。
光发射装置21由一根供电线(未示出)根据与所需型坯(预型件)处理外形相应的预定模式供电。
同时，中等温度(例如10℃至25℃、例如约15℃)的流体通过引入喷嘴32提供给流体回路24。流到引入通道25中的流体经过引入孔29，流到流体分配回路40中，与基件23进行热交换，使基件23的温度调节和保持在差不多恒温(约为25℃)。
如此加热的流体通过排出孔35从流体分配回路40排出，流经排出通道26，与电磁辐射加热的限制件44、60、71进一步进行热交换。
更确切地说，通过主体9的与凸缘48的后缘50进行热接触的反射框44排出热。因为排出通道26位于主体9的侧面12附近(因而位于凸缘48附近)，所以反射框44的热调节(在30℃至40℃的温度)主要由在排出通道26中流动的流体获得。
通过主体9的与下部反射器60的下部部分62进行热接触(通过作为热桥的定位板64)的正面10排出热。下部反射器60和定位板64的热调节(在25℃至40℃的温度)多半由在排出通道26中流动的变热流体获得(但是，其温度仍低于下部反射器60的温度)。
通过主体9的由下端面78与上部部分72进行热接触的上边缘14排出热。在排出通道26中流动的流体通过主体9与上部吸收器71进行热交换。
因此，限制件44、60、71在运转中保持在接近大气温度的温度。因此，处理单元8(因而整个处理装置1)具有低热惯性：
-当接通时，处理装置1运行快速；
-当关掉时，处理装置1快速准备好进行维护保养；
-限制件44、60、71不容易造成热疲劳，因而使用寿命长；
-限制件44、60、71的光学性质不变，因而处理装置1的效率和安全性得到提高。

Claims (17)

1.电磁处理单元(8)，其具有：
-主体(9)，主体具有正面(10)，
-光发射装置(21)，光发射装置具有多个发光源，发光源是激光二极管，光发射装置(21)在主体(9)上安装成向前辐射，
-流体回路(24)，流体回路配置在主体(9)内，用于光发射装置(21)的热调节，
-至少一个限制件(44，60，64，71)，限制件由不透发射光的材料制成，限制件有暴露于发射光的限制面(47，61，74，79)，
其中，流体回路(24)具有在主体(9)中形成的至少一个引入通道(25)、以及在主体(9)中形成的至少一个排出通道(26)，所述限制件(44，60，64，71)安装在主体(9)上，以与主体进行热接触，限制面(47，61，74，79)的热调节由流体回路(24)提供；
其中，主体(9)具有中空的前壳体(15)，前壳体形成于主体(9)的正面(10)中，光发射装置(21)完全地接纳在前壳体(15)中；
其中，电磁处理单元(8)还具有使前壳体(15)具有水密性的透明窗面板(53)和弹性密封圈(54)，电磁处理单元(8)还具有干燥室(55)，干燥室与前壳体(15)流体连通，从而限制光发射装置(21)由空气湿度造成的污染危险。
2.根据权利要求1所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，限制件(44，60，64，71)由提供紧密接触的固定件固定于主体(9)。
3.根据权利要求1所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，一个限制件是围绕光发射装置(21)的反射框(44)；并且，反射框(44)的一个限制面是向前定向的光学反射面(47)。
4.根据权利要求3所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，反射框(44)具有一个与光学反射面(47)相对的后缘(50)，所述后缘(50)与主体(9)的正面(10)接触。
5.根据权利要求1所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，一个限制件是安装在光发射装置(21)下面的下部反射器(60)；并且，下部反射器(60)的一个限制面是向上定向的光学反射面(61)。
6.根据权利要求5所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，下部反射器(60)由一个定位板(64)安装在主体(9)上，定位板(64)配有校准下部反射器(60)相对于主体(9)的竖直位置的校准装置，所述定位板(64)用作主体(9)与下部反射器(60)之间的热桥。
7.根据权利要求6所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，定位板(64)具有向前定向的光学反射面(70)。
8.根据权利要求1所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，一个限制件是上部吸收器(71)，上部吸收器安装在光发射装置(21)之上；并且，上部吸收器(71)的一个限制面是向前定向的光学吸收面(74)。
9.根据权利要求8所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，上部吸收器(71)具有向下定向的光学反射下边缘(79)，光学反射下边缘定位在光发射装置(21)的上边缘附近。
10.根据权利要求1所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，光发射装置(21)接纳于在主体(9)的正面(10)中形成的中空的前壳体(15)中。
11.根据权利要求10所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，所述引入通道(25)一方面通过引入孔(29)通到前壳体(15)中，另一方面通过入口(30)通到主体(9)的后端面(11)上。
12.根据权利要求11所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，排出通道(26)平行于引入通道(25)，所述排出通道(26)一方面通过排出孔(35)通到前壳体(15)中，另一方面通过出口(36)通到主体(9)的后端面(11)上。
13.根据权利要求12所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，流体回路(24)具有一对排出通道(26)，该一对排出通道形成在引入通道(25)的每一侧。
14.根据权利要求1所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，发光源设计成在红外线范围进行发射。
15.根据权利要求1所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，发光源是VCSEL二极管。
16.根据权利要求2所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，固定件是螺钉。
17.用于对塑料型坯进行电磁处理的处理装置(1)，其特征在于，所述处理装置(1)具有一系列相邻的根据前述权利要求中任一项所述的电磁处理单元(8)。
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