CN113346952B - 一种光模块突发发射耦合电路 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种光模块突发发射耦合电路，包括突发发射控制模块、突发光功率采样脉冲模块、突发光功率采样保持模块和TX_SD信号发射模块：突发发射控制模块包括两个射频三极管和双路单刀双掷开关，用于在BEN信号的控制下使DFB突发发射出光信号；突发光功率采样脉冲模块根据BEN信号输出采样脉冲信号；突发光功率采样保持模块将PIN输出的背光电流转化为电压输出给TX_SD信号发射模块，并对背光电流进行采样保持；TX_SD信号发射模块用于根据采样保持电路输出的电压生成突发发射TX_SD信号。有益效果是，实现25G DFB驱动芯片输出到25G DFB之间的直流耦合突发发射功能及突发发射功率监控和TX_SD信号输出，可应用到各25G突发上行发射的ONU光模块产品。

Description

一种光模块突发发射耦合电路

技术领域

本发明涉及光技术领域，尤其涉及一种光模块突发发射耦合电路。

背景技术

突发的光模块主要是用于光纤接入网的PON（Passive Optical Network，无源光纤网络）系统中，现在主要是EPON和GPON。突发也分ONU（Optical Network Unit，光网络单元）的突发发射和OLT（Optical Line Terminal，光线路终端）的突发接收。概念都是在尽量短的时间内开启或恢复出正常的信号，这个时间的要求GPON要比EPON严格很多，GPON是12.8nS，EPON协议的要求是512ns。

自2018年12月工信部发起“双G双提，同网同速”行动以来，中国电信就在积极推动重点城市千兆规模覆盖，加快千兆宽带应用推广。2019年，中国电信在全国200多个城市推进10G PON网络建设，打造以千兆引领、200M﹢为业务主流的宽带服务能力。

在以太无源光网络EPON和吉比特无源光网络GPON到10G PON的发展历程中，随着视觉增强/虚拟现AR/VR和5G技术的加速发展，10 G PON技术已经难以满足未来的驻地接入和移动前传/回传的带宽需求，因此下一代更高速率的PON技术正逐步成为业界研究热点。

PON系统上行采样突发机制，不同ONU占用不同时隙突发发射，OLT接收机需要突发TIA（Trans-Impedance Amplifier，跨阻放大器）快速建立工作电平，在从千兆PON模块到10G PON模块的升级过程中，1G到10G的传输因为不需要CDR(Clock Data Recovery，时钟数据恢复)功能，对突发发射功能都有了成熟的集成芯片解决方案，但是当速率上升到25G时，从MAC（Medium/Media Access Control，媒体访问控制）到光模块内部则必须利用CDR，然而现有技术还没有专用的CDR&突发发射解决方案的集成芯片，无法满足25G ONU突发发射的需求。

因此，有必要提供一种光模块突发发射耦合电路，以满足25G ONU突发发射的需求。

发明内容

（一）要解决的技术问题

鉴于现有技术的上述缺点、不足，本发明提供一种光模块突发发射耦合电路，其解决了现有技术没有专用的CDR&突发发射解决方案的集成芯片，无法满足25G ONU突发发射的需求技术问题。

（二）技术方案

为了达到上述目的，本发明采样的主要技术方案包括：

本发明实施例提供一种光模块突发发射耦合电路，适用于激光器DFB驱动芯片输出到DFB之间的直流耦合突发发射，所述光模块突发发射直流耦合电路包括突发发射控制模块；

所述突发发射控制模块包括射频三极管Q14、射频三极管Q14’、和双路单刀双掷开关；

所述双路单刀双掷开关设有公共端、第一端口和第二端口；

所述射频三极管Q14、射频三极管Q14’的发射极与激光器DFB的负极和激光驱动芯片的芯片输出级的DOUT引脚连接，所述射频三极管Q14、射频三极管Q14’的集电极与所述DFB的正极、所述芯片输出级的TOUT引脚连接，所述两个射频三极管Q14、射频三极管Q14’的基极与所述双路单刀双掷开关的公共端、电源电压以及所述芯片输出级的VCCT引脚连接；

所述双路单刀双掷开关的第一端口与所述激光驱动芯片输出级的VOUT引脚连接，所述双路单刀双掷开关用于在突发BEN信号的作用下控制所述DFB突发发射输出调制光信号或不发光，包括：在BEN信号高电平期间连通所述第一端口和所述公共端，使所述DFB突发发射输出调制光信号；在所述BEN信号低电平期间，断开所述第一端口和所述公共端，使所述DFB不发光；

其中，所述激光驱动芯片输出级的VOUT引脚与LC1引脚之间通过电感L3连接，VCCT引脚与LC2引脚之间通过电感L4连接。

可选的，所述射频三极管Q14的基极与所述双路单刀双掷开关的公共端和第一RC并联电路的一端连接，所述第一RC并联电路的另一端与所述VCCT引脚及电源电压连接，其中，所述第一RC并联电路由并联的R1和C3组成；

所述射频三极管Q14’的基极与所述双路单刀双掷开关的公共端和第二RC并联电路的一端连接，所述第二RC并联电路的另一端与所述VCCT引脚及所述电源电压连接，其中，所述第二RC并联电路由并联的R2和C1组成。

可选的，所述射频三极管Q14的集电极与电感L5连接，并通过所述电感L5与所述TOUT引脚以及所述DFB的正极连接；

所述射频三极管Q14’的集电极与电感L6连接，并通过所述电感L6与所述TOUT引脚以及所述DFB的正极连接。

可选的，所述光模块突发发射耦合电路还包括突发光功率采样脉冲模块、突发光功率采样保持模块和TX_SD信号发射模块；

所述突发光功率采样脉冲模块用于根据所述BEN信号输出采样脉冲信号，所述采样脉冲信号包括用于对前导码的背光电流进行采样的高脉冲信号；

所述突发光功率采样保持模块与背光探测器PIN连接，用于将所述背光探测器PIN输出的所述背光电流转化为电压输出给所述TX_SD信号发射模块，并根据所述采样脉冲信号对所述背光电流进行采样保持；

所述TX_SD信号发射模块用于根据所述突发光功率采样保持模块输出的电压生成突发发射TX_SD信号。

可选的，所述突发光功率采样脉冲模块包括BEN脉冲延迟电路、异或门和与门；

所述BEN脉冲延迟电路的输入端用于接收初始BEN信号，输出端与所述异或门的输入引脚A连接并向所述输入引脚A输出延迟BEN信号；

所述异或门的输入引脚B与所述与门的输入引脚B连接，并接收所述初始BEN信号，所述异或门的输出引脚Y与所述与门的输入引脚A连接；

所述与门的输出引脚Y与所述突发光功率采样保持模块连接，用于向所述突发光功率采样保持模块输出所述采样脉冲信号。

可选的，所述突发光功率采样保持模块包括跨阻放大电路、运算缓冲电路和采样保持电路；

所述跨阻放大电路用于将所述背光探测器PIN的背光电流转化为电压；

所述运算缓冲电路用于降低所述采样保持电路在采样保持期间的运放输出的不稳定特性；

所述采样保持电路用于根据所述采样脉冲信号对所述背光电流进行采样保持；

其中，所述采样保持电路设有模拟开关，所述模拟开与所述运算缓冲电路连接；所述跨阻放大电路与所述背光探测器PIN、所述TX_SD信号发射模块及所述运算缓冲电路连接。

可选的，所述跨阻放大电路包括跨阻放大器A1和负反馈电路；

所述跨阻放大器A1设有正引脚、负引脚和输出引脚，所述负引脚与所述背光探测器PIN及所述负反馈电路的输出端连接，所述正引脚与基准电压VREF及所述TX_SD信号发射模块的输入引脚IN1连接，所述输出引脚与所述负反馈电路的输入端及所述TX_SD信号发射模块的输入引脚IN2连接；

所述负反馈电路包电阻R5、电阻R5’、二极管D5、二极管D6和电容C4，其中，所述二极管D6的正极与所述负反馈电路的输出端连接，负极与所述二极管D5的正极连接，所述二极管D5的负极与所述电阻R5连接，构成串联电路，所述串联电路与所述电阻R5’、电容C4并联。

可选的，所述运算缓冲电路包括运算放大器A2和电阻R4；

所述电阻R4连接所述运算放大器A2的输出引脚连接与所述模拟开关连接，所述运算放大器A2的负引脚与输出引脚连接，所述运算放大器A2的正引脚与所述跨阻放大器A1的输出引脚连接。

可选的，所述采样保持电路还包括保持电容C5和运算放大器A3；

所述运算放大器A3的负引脚与输出引脚连接；

所述模拟开关设有3个端口，端口1与所述与门的输出引脚Y连接，端口2与所述电阻R4连接，端口3与所述运算放大器A3的正引脚及保持电容C5连接；

所述保持电容C5接地；

其中，所述模拟开关用于在所述采样脉冲信号高电平期间导通所述端口3与所述端口2，此时所述采样保持电路对所述背光电流进行采样；所述模拟开关在所述采样脉冲信号低电平期间断开所述端口3与所述端口2，此时所述采样保持电路保持采样时的电压对所述电压进行缓冲，将缓冲后的电压发送至光模块微控单元MCU的模数转换器ADC。

可选的，所述TX_SD信号发射模块包括反向比较器A4和电阻R6、电阻R8、电阻R9；

所述反向比较器A4的正引脚与所述TX_SD信号发射模块的输入引脚IN2连接，负引脚与所述电阻R8、电阻R6连接，所述电阻R9连接所述反向比较器A4的负引脚与输出引脚；

其中，所述电阻R8接地，所述电阻R6与所述TX_SD信号发射模块的输入引脚IN1连接。

（三）有益效果

本发明的有益效果是：本实施例的光模块突发发射耦合电路设有突发发射控制模块、突发光功率采样脉冲模块、突发光功率采样保持模块和TX_SD信号发射模块，突发发射控制模块采用三极管实现DFB驱动芯片输出到25G DFB之间的直流耦合突发发射功能，同时，通过突发光功率采样脉冲模块、突发光功率采样保持模块和TX_SD信号发射模块实现了突发发射的功率监控和TX_SD信号的输出，能够应用到各种25G突发上行发射的ONU光模块产品中。

附图说明

图1为本发明实施例的光模块突发发射耦合电路的模块结构示意图；

图2为图1中突发发射控制模块与DFB驱动芯片输出级的电路连接示意图；

图3为图1中突发光功率采样脉冲模块的电路示意图；

图4为图1中突发光功率采样保持模块与TX_SD信号发射模块的电路连接示意图。

具体实施方式

为了更好的解释本发明，以便于理解，下面结合附图，通过具体实施方式，对本发明作详细描述。

本发明实施例提出的一种光模块突发发射耦合电路，包括突发发射控制模块、突发光功率采样脉冲模块、突发光功率采样保持模块和TX_SD信号发射模块：

该突发发射控制模块包括两个射频三极管、DFB（Distributed Feedback Laser，激光器）和双路单刀双掷开关，用于在突发BEN信号的控制下使DFB突发发射输出调制光信号或不发光；

该突发光功率采样脉冲模块用于根据该BEN信号输出采样脉冲信号，该采样脉冲信号包括用于对前导码的背光电流进行采样的高脉冲信号；

该突发光功率采样保持模块与背光探测器PIN连接，用于将该背光探测器PIN输出的背光电流转化为电压输出给该TX_SD信号发射模块，并根据该采样脉冲对该背光电流进行采样保持；

该TX_SD信号发射模块用于根据该采样保持电路输出的电压生成突发发射TX_SD信号。

本发明的光模块突发发射耦合电路采用射频三极管对25G DFB旁路的方式来实现DFB的突发功能，从而让CDR&DFB驱动器依旧工作在连续模式，再结合外围的分散元件实现25G突发发射光功率采样监控和TX_SD信号的生成。

为了更好的理解上述技术方案，下面将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。虽然附图中显示了本发明的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更清楚、透彻地理解本发明，并且能够将本发明的范围完整的传达给本领域的技术人员。

具体实施例描述部分。

本发明实施例的光模块突发发射耦合电路适用于25G ONU突发发射直流耦合及突发发射状态监控。

请参阅图1至图4，光模块突发发射耦合电路包括突发发射控制模块、突发光功率采样脉冲模块、突发光功率采样保持模块和TX_SD信号发射模块。

请参阅图2，该突发发射控制模块用于在突发BEN信号的作用下控制DFB突发发射输出调制光信号或不发光，其包括两个射频三极管Q14、射频三极管Q14’、双路单刀双掷开关DPDT1。

双路单刀双掷开关DPDT1设有公共端、第一端口和第二端口。

射频三极管Q14的发射极与DFB的负极和激光驱动芯片输出级的DOUT引脚连接，集电极通过电感L5与DFB的正极和激光驱动芯片的输出级的TOUT引脚连接，基极与双路单刀双掷开关DPDT1的公共端和第一RC并联电路的一端连接，该第一RC并联电路的另一端与激光驱动芯片输出级的VCCT引脚及电源电压（3.3V）连接。第一RC并联电路由并联的R1和C3组成。

射频三极管Q14’的发射极与DFB的负极和激光驱动芯片输出级的DOUT引脚（调制电流输出引脚）连接，集电极通过电感L6与DFB的正极和激光驱动芯片输出级的TOUT引脚（偏置电流输出引脚）连接，基极与双路单刀双掷开关DPDT1的公共端和第二RC并联电路的一端连接，该第二RC并联电路的另一端与激光驱动芯片输出级的VCCT引脚及电源电压（3.3V）连接。第二RC并联电路由并联的R2和C1组成。

双路单刀双掷开关的第一端口与激光驱动芯片输出级的VOUT引脚连接，第二端口悬空。该双路单刀双掷开关用于在突发BEN信号的控制下使DFB突发发射输出调制光信号或不发光，具体包括：在BEN信号高电平期间连通第一端口和公共端，两个射频三极管Q14、射频三极管Q14’的基极和VOUT引脚接通，此时两个射频三极管关断，基极与DFB阴极同电压，激光器驱动芯片输出级输出的调制电流和偏置电流都流经DFB，因此DFB突发发射输出调制光信号；在BEN信号低电平期间，双路单刀双掷的第一端口和公共端断开，两个射频三极管Q14、射频三极管Q14’的基极和DFB阳极高电位连通，此时，两个射频三极管饱和导通，激光器驱动芯片输出级的调制电流和偏置电流都流经射频三极管，DFB不再发光。

本实施例中，激光驱动芯片输出级的VOUT引脚与LC1引脚之间通过电感L3连接，VCCT引脚与LC2引脚之间通过电感L4连接。

实际应用中，激光驱动芯片可以是常规25G CDR&LDD驱动芯片，其输出级包括射频三极管Q1、射频三极管Q2、电感L1、L2、两个25Ω电阻和高阻抗元件CASCODE等电子元件并采用CML结构，这种CML结构的静态电平较高，适合直接直流耦合至DFB。

请参阅图3，突发光功率采样脉冲模块用于根据BEN信号输出采样脉冲信号，采样脉冲信号包括用于对前导码的背光电流进行采样的高脉冲信号。突发光功率采样脉冲模块包括BEN脉冲延迟电路、异或门和与门。

BEN脉冲延迟电路包括第一反相器U1、第二反相器U2、电阻R3和电容C4’。第一反向器U1和第二反向器U2之间通过电阻R3连接：第一反向器U1的输入端用于接收初始BEN信号，输出端与电阻R3的输入端连接；第二反向器U2的输入端与电阻R3的输出端及电容C4’连接，输出端与异或门的输入引脚A连接并向输入引脚A输出延迟BEN信号。

异或门的输入引脚B和与门的输入引脚B连接，同时接收该初始BEN信号，异或门的输出引脚Y与与门的输入引脚A连接；与门的输出引脚Y与采样保持电路连接，并向采样保持电路输出采样脉冲信号。

本实施例种，BEN脉冲延迟电路包括BEN脉冲延迟电路、异或门和与门。延迟时间约等于输出的采样脉冲宽度。初始BEN信号经过延迟电路之后，输出一个延迟了时间Tns的延迟BEN信号，该延迟BEN信号和初始BEN信号一起经过异或门，异或门就能在该初始BEN信号前后两端输出两个时间宽度都为Tns的高脉冲信号，然后该高脉冲信号再与该初始BEN信号一起经过与门，输出的就是位于该初始BEN信号前端，时间宽度为T的高脉冲信号，此高脉冲信号用来对前导码的背光电流进行采样。

实际应用中，T为正数。

请参阅图4，突发光功率采样保持模块包括跨阻放大电路、运算缓冲电路和采样保持电路。

跨阻放大电路用于将背光电流转化为电压，其包括跨阻放大器A1和负反馈电路。

跨阻放大器A1设有正引脚、负引脚和输出引脚，负引脚与背光探测器PIN及负反馈电路的输出端连接；正引脚与基准电压VREF及TX_SD信号发射模块的输入引脚IN1连接；输出引脚与负反馈电路的输入端及TX_SD信号发射模块的输入引脚IN2连接。

负反馈电路包电阻R5、电阻R5’、二极管D5、二极管D6和电容C4，其中，二极管D6的正极与负反馈电路的输出端连接，负极与二极管D5的正极连接，二极管D5的负极与电阻R5连接，构成串联电路，该串联电路与电阻R5’、电容C4并联，构成负反馈电路。

本实施例中，跨组放大电路的负反馈电路由二极管D5、二极管D6利用低导通压降压缩跨阻放大器A1的输出电压动态范围，以适应0.1毫安~1毫安的背光电流范围。

实际应用中，跨阻放大器A1可以采用高速运算放大器，以满足快速响应的要求。

运算缓冲电路用于降低采样保持期间的运放输出的不稳定特性。该运算缓冲电路包括运算放大器A2和电阻R4；

电阻R4设于运算放大器A2的输出引脚连接与模拟开关SPDT2的端口1之间，运算放大器A2的负引脚与输出引脚连接，正引脚与跨阻放大器A1的输出引脚连接。

实际应中，运算缓冲电路可以采用带容性负载能力强的运算放大器，以实现降低采样保持期间的运放输出的不稳定特性的目的。

采样保持电路用于对背光电流进行采样保持。采样保持电路包括模拟开关SPDT2、保持电容C5和运算放大器A3。

模拟开关SPDT2设有三个端口：端口1与突发光功率采样脉冲模块连接，用于接收采样脉冲信号；端口2与运算缓冲电路连接；端口3与保持电容C5及运算放大器A3的正引脚连接，运算放大器A3的负引脚与输出引脚连接，其中，端口3为公共端，保持电容C5接地。

实际应用中，运算放大器A3可以采用COM工艺的放大器。

本实的施例中，在采样脉冲信号高电平期间，模拟开关SPDT2导通端口3与端口2，使采样保持电路对背光电流进行采样，此时，运算缓冲电路对保持电容C5充电；采样脉冲信号变低之后，模拟开关断开端口3与端口2，保持电容保C5持电压，运算放大器A3对此电压进行缓冲，并将缓冲后的电压TX_POWER送至光模块MCU（Microcontroller Unit，微控单元）的ADC（Analog-to-Digital Converter，模数转换器），以使MCU在程序轮询期间完成ADC测量。

继续参阅图4，TX_SD信号发射模块用于根据采样保持电路输出的电压生成突发发射TX_SD信号。

TX_SD信号发射模块包括反向比较器A4和电阻R6、电阻R8、电阻R9。

反向比较器A4的正引脚与TX_SD信号发射模块的输入引脚IN2连接，负引脚与电阻R8、电阻R6连接，电阻R9连接反向比较器A4的负引脚与输出引脚，其中，电阻R8接地，电阻R6与TX_SD信号发射模块的输入引脚IN1连接。

实际应用中，反向比较器A4可以采样不对称阈值的反向比较器，通过电阻R6、电阻R8和R9设定反向比较器A4的门限和阈值，其输入引脚与跨阻放大电路连接，通过对跨阻放大电路的输出电压的判断来实现对背光电流强度的判断，从而完成突发发射TX_SD信号的发射。

本实施例的光模块突发发射耦合电路设有突发发射控制模块、突发光功率采样脉冲模块、突发光功率采样保持模块和TX_SD信号发射模块，突发发射控制模块采用三极管实现DFB驱动芯片（如CDR&驱动器）输出到25G DFB之间的直流耦合突发发射功能，同时，通过突发光功率采样脉冲模块、突发光功率采样保持模块和TX_SD信号发射模块实现了突发发射的功率监控和TX_SD信号的输出，并且能够应用到各种25G突发上行发射的ONU光模块产品中。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连；可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征 “上”或“下”，可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”，可以是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”，可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度低于第二特征。

在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“实施例”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述，是指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行改动、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种光模块突发发射耦合电路，适用于激光器驱动芯片输出到DFB之间的直流耦合突发发射，其特征在于，所述光模块突发发射直流耦合电路包括突发发射控制模块；

所述突发发射控制模块包括射频三极管Q14、射频三极管Q14’、和双路单刀双掷开关；

所述双路单刀双掷开关设有公共端、第一端口和第二端口；

所述射频三极管Q14、射频三极管Q14’的发射极与所述DFB的负极和激光驱动芯片的芯片输出级的DOUT引脚连接，所述射频三极管Q14、射频三极管Q14’的集电极均与所述DFB的正极、所述芯片输出级的TOUT引脚连接，两个射频三极管Q14、射频三极管Q14’的基极均与所述双路单刀双掷开关的公共端、电源电压以及所述芯片输出级的VCCT引脚连接；

所述双路单刀双掷开关的第一端口与所述激光驱动芯片输出级的VOUT引脚连接，所述第二端口悬空，所述双路单刀双掷开关用于在突发BEN信号的作用下控制所述DFB突发发射输出调制光信号或不发光，包括：在BEN信号高电平期间连通所述第一端口和所述公共端，使所述DFB突发发射输出调制光信号；在所述BEN信号低电平期间，断开所述第一端口和所述公共端，使所述DFB不发光；

其中，所述激光驱动芯片输出级的VOUT引脚与LC1引脚之间通过电感L3连接，VCCT引脚与LC2引脚之间通过电感L4连接。

2.如权利要求1所述的光模块突发发射耦合电路，其特征在于，所述射频三极管Q14的基极与所述双路单刀双掷开关的公共端和第一RC并联电路的一端连接，所述第一RC并联电路的另一端与所述VCCT引脚及电源电压连接，其中，所述第一RC并联电路由并联的R1和C3组成；

所述射频三极管Q14’的基极与所述双路单刀双掷开关的公共端和第二RC并联电路的一端连接，所述第二RC并联电路的另一端与所述VCCT引脚及所述电源电压连接，其中，所述第二RC并联电路由并联的R2和C1组成。

3.如权利要求1所述的光模块突发发射耦合电路，其特征在于，所述射频三极管Q14的集电极与电感L5连接，并通过所述电感L5与所述TOUT引脚以及所述DFB的正极连接；

所述射频三极管Q14’的集电极与电感L6连接，并通过所述电感L6与所述TOUT引脚以及所述DFB的正极连接。

4.如权利要求1所述的光模块突发发射耦合电路，其特征在于，所述光模块突发发射耦合电路还包括突发光功率采样脉冲模块、突发光功率采样保持模块和TX_SD信号发射模块；

所述突发光功率采样脉冲模块用于根据所述BEN信号输出采样脉冲信号，所述采样脉冲信号包括用于对前导码的背光电流进行采样的高脉冲信号；

所述突发光功率采样保持模块与背光探测器PIN连接，用于将所述背光探测器PIN输出的所述背光电流转化为电压输出给所述TX_SD信号发射模块，并根据所述采样脉冲信号对所述背光电流进行采样保持；

所述TX_SD信号发射模块用于根据所述突发光功率采样保持模块输出的电压生成突发发射TX_SD信号。

5.如权利要求4所述的光模块突发发射耦合电路，其特征在于，所述突发光功率采样脉冲模块包括BEN脉冲延迟电路、异或门和与门；

所述BEN脉冲延迟电路的输入端用于接收初始BEN信号，输出端与所述异或门的输入引脚A连接并向所述输入引脚A输出延迟BEN信号；

所述异或门的输入引脚B与所述与门的输入引脚B连接，并接收所述初始BEN信号，所述异或门的输出引脚Y与所述与门的输入引脚A连接；

所述与门的输出引脚Y与所述突发光功率采样保持模块连接，用于向所述突发光功率采样保持模块输出所述采样脉冲信号。

6.如权利要求5所述的光模块突发发射耦合电路，其特征在于，所述突发光功率采样保持模块包括跨阻放大电路、运算缓冲电路和采样保持电路；

所述跨阻放大电路用于将所述背光探测器PIN的背光电流转化为电压；

所述运算缓冲电路用于降低所述采样保持电路在采样保持期间的运放输出的不稳定特性；

所述采样保持电路用于根据所述采样脉冲信号对所述背光电流进行采样保持；

其中，所述采样保持电路设有模拟开关，所述模拟开关用于接收所述采样脉冲信号并与所述运算缓冲电路连接；所述跨阻放大电路与所述背光探测器PIN、所述TX_SD信号发射模块及所述运算缓冲电路连接。

7.如权利要求6所述的光模块突发发射耦合电路，其特征在于，所述跨阻放大电路包括跨阻放大器A1和负反馈电路；

所述跨阻放大器A1设有正引脚、负引脚和输出引脚，所述负引脚与所述背光探测器PIN及所述负反馈电路的输出端连接，所述正引脚与基准电压VREF及所述TX_SD信号发射模块的输入引脚IN1连接，所述输出引脚与所述负反馈电路的输入端及所述TX_SD信号发射模块的输入引脚IN2连接；

所述负反馈电路包电阻R5、电阻R5’、二极管D5、二极管D6和电容C4，其中，所述二极管D6的正极与所述负反馈电路的输出端连接，负极与所述二极管D5的正极连接，所述二极管D5的负极与所述电阻R5连接，构成串联电路，所述串联电路与所述电阻R5’、电容C4并联。

8.如权利要求7所述的光模块突发发射耦合电路，其特征在于，所述运算缓冲电路包括运算放大器A2和电阻R4；

所述电阻R4连接所述运算放大器A2的输出引脚连接与所述模拟开关连接，所述运算放大器A2的负引脚与输出引脚连接，所述运算放大器A2的正引脚与所述跨阻放大器A1的输出引脚连接。

9.如权利要求8所述的光模块突发发射耦合电路，其特征在于，所述采样保持电路还包括保持电容C5和运算放大器A3；

所述运算放大器A3的负引脚与输出引脚连接；

所述模拟开关设有3个端口，端口1与所述与门的输出引脚Y连接，端口2与所述电阻R4连接，端口3与所述运算放大器A3的正引脚及保持电容C5连接；

所述保持电容C5接地；

其中，所述模拟开关用于在所述采样脉冲信号高电平期间导通所述端口3与所述端口2，此时所述采样保持电路对所述背光电流进行采样；在所述采样脉冲信号低电平期间断开所述端口3与所述端口2，此时所述采样保持电路保持采样时的电压对所述电压进行缓冲，将缓冲后的电压发送至光模块微控单元MCU的模数转换器ADC。

10.如权利要求7所述的光模块突发发射耦合电路，其特征在于，所述TX_SD信号发射模块包括反向比较器A4和电阻R6、电阻R8、电阻R9；

所述反向比较器A4的正引脚与所述TX_SD信号发射模块的输入引脚IN2连接，负引脚与所述电阻R8、电阻R6连接，所述电阻R9连接所述反向比较器A4的负引脚与输出引脚；

其中，所述电阻R8接地，所述电阻R6与所述TX_SD信号发射模块的输入引脚IN1连接。

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