CN113327968A - 一种阵列基板及显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阵列基板及显示面板，包括：衬底；像素单元，位于衬底的一侧，包括像素电极；第一像素限定层，位于像素电极远离衬底一侧，包括吸光材料，开设多个第一开口；第二像素限定层，位于第一像素限定层远离衬底一侧，开设多个用于限定像素单元的第二开口，第二开口与第一像素限定层朝向第一开口的侧壁交叠；第一像素限定层朝向第一开口的侧壁包括第一曲面，第一曲面朝向远离衬底的方向凸起，第二像素限定层朝向第二开口的侧壁包括第二曲面，第二曲面朝向远离衬底的方向凸起。本发明提供一种阵列基板及显示面板，外界环境光无法透过第一像素限定层照射到像素电极上，减弱了像素电极对外界环境光的反射作用，提高了显示面板的对比度。

Description

一种阵列基板及显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示器是一种自发光显示器，与LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)相比，OLED显示器不需要背光源，因此OLED显示器更为轻薄，此外OLED显示器还因具有高亮度、低功耗、宽视角、高响应速度、宽使用温度范围等优点而越来越多地被应用于各种高性能显示领域当中。

顶发光的OLED显示器包括反射电极，反射电极具有很高的反射率，反射电极能够将环境光反射到人眼，导致人眼看到该像素单元处的反射光，影响显示器的对比度。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及显示面板，外界环境光无法透过第一像素限定层照射到像素电极上，减弱了像素电极对外界环境光的反射作用，提高了显示面板的对比度。

第一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，包括：

衬底；

像素单元，位于所述衬底的一侧，包括像素电极；

第一像素限定层，位于所述像素电极远离所述衬底一侧，包括吸光材料，开设多个第一开口，垂直于所述衬底的方向上，所述第一开口与所述像素单元一一对应交叠；

第二像素限定层，位于所述第一像素限定层远离所述衬底一侧，开设多个用于限定所述像素单元的第二开口，所述第二开口与所述第一开口连通，垂直于所述衬底的方向上，所述第二开口与所述第一像素限定层朝向所述第一开口的侧壁交叠；

所述第一像素限定层朝向所述第一开口的侧壁包括第一曲面，所述第一曲面朝向远离所述衬底的方向凸起，所述第二像素限定层朝向所述第二开口的侧壁包括第二曲面，所述第二曲面朝向远离所述衬底的方向凸起。

第二方面，本发明实施例提供一种显示面板，包括第一方面所述的阵列基板。

本发明实施例提供一种阵列基板，第二像素限定层开设的第二开口用于限定像素单元，第二开口限定了像素单元的发光面积。在第二像素限定层与像素电极之间还设置有不透光的第一像素限定层，第一像素限定层开设的第一开口小于第二像素限定层开设的第二开口。第一像素限定层包括吸光材料，且形成了相较于第二开口更小的第一开口，从而不透光的第一像素限定层覆盖了原本被第二开口暴露出的像素电极，外界环境光无法透过第一像素限定层照射到像素电极上，减弱了像素电极对外界环境光的反射作用，提高了显示面板的对比度。进一步地，在垂直于衬底的方向上，第一开口与像素单元一一对应交叠，从而第一像素限定层可以覆盖所有像素单元中像素电极的边缘。进一步需要说明的是，由于刻蚀工艺的限制，通过刻蚀的工艺形成第一开口和第二开口后，第一像素限定层侧壁以及第二像素限定层的侧壁很难形成为理想的平面，实际上，第一像素限定层侧壁的第一曲面为凸曲面，第二像素限定层侧壁的第二曲面为凸曲面。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图2为图1中所示阵列基板的部分结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图4为沿图3中AA’的剖面结构示意图；

图5为图4中所示阵列基板的部分结构示意图；

图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；

图7为图6中所示阵列基板的部分结构示意图；

图8为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；

图9为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；

图10为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；

图11为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；

图12为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；

图13为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图，图2为图1中所示阵列基板的部分结构示意图，参考图1和图2，阵列基板包括衬底11、像素单元20、第一像素限定层31和第二像素限定层32。像素单元20位于衬底11的一侧，像素单元20为发光显示单元，可以通过控制多个像素单元20的发光亮度来显示预设图像。像素单元20包括像素电极21。在一实施方式中，像素电极21可以为反射电极，反射电极具有很高的反射率。在其他实施方式中，像素电极21还可以为透明电极，可以理解的是，虽然透明电极的透过率较高，反射率较低，但也具有一定程度的反光作用。第一像素限定层31位于像素电极21远离衬底11一侧，第一像素限定层31包括吸光材料，第一像素限定层31用于将投射其上的光线吸收。第一像素限定层31开设多个第一开口311(图1中以一个第一开口311为例进行示意)。垂直于衬底11的方向上，第一开口311与像素单元20一一对应交叠。第一开口311在衬底11的垂直投影与像素单元20在衬底11的垂直投影交叠。像素单元20的至少部分可以位于第一开口311中。第二像素限定层32位于第一像素限定层31远离衬底11一侧，第二像素限定层32开设多个用于限定像素单元20的第二开口321，第二开口321与第一开口311连通。垂直于衬底11的方向上，第二开口321与第一像素限定层31朝向第一开口311的侧壁交叠。垂直于衬底11的方向上，第二开口321的面积大于第一开口311的面积。第一开口311在衬底11的垂直投影位于第二开口321在衬底11的垂直投影内。第一像素限定层31朝向第一开口311的侧壁包括第一曲面312，第一曲面312朝向远离衬底11的方向凸起，第二像素限定层32朝向第二开口321的侧壁包括第二曲面322，第二曲面322朝向远离衬底11的方向凸起。

本发明实施例提供一种阵列基板，第二像素限定层32开设的第二开口321用于限定像素单元20，第二开口321限定了像素单元20的发光面积。在第二像素限定层32与像素电极21之间还设置有不透光的第一像素限定层31，第一像素限定层31开设的第一开口311小于第二像素限定层32开设的第二开口321。第一像素限定层31包括吸光材料，且形成了相较于第二开口321更小的第一开口311，从而不透光的第一像素限定层31覆盖了原本被第二开口321暴露出的像素电极21，外界环境光无法透过第一像素限定层31照射到像素电极21上，减弱了像素电极21对外界环境光的反射作用，提高了显示面板的对比度。进一步地，在垂直于衬底11的方向上，第一开口311与像素单元20一一对应交叠，从而第一像素限定层31可以覆盖所有像素单元20中像素电极21的边缘。进一步需要说明的是，由于刻蚀工艺的限制，通过刻蚀的工艺形成第一开口311和第二开口321后，第一像素限定层31侧壁以及第二像素限定层32的侧壁很难形成为理想的平面，实际上，第一像素限定层31侧壁的第一曲面312为凸曲面，第二像素限定层32侧壁的第二曲面322为凸曲面。

图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图，图4为沿图3中AA’的剖面结构示意图，图5为图4中所示阵列基板的部分结构示意图，参考图3-图5，多个像素单元20至少包括第一像素单元201和第二像素单元202。在相同的驱动电压或者驱动电流下，第一像素单元201的发光亮度大于第二像素单元202的发光亮度。垂直于衬底11的方向上，第一像素单元201对应的第一像素限定层31的厚度为H1，即，垂直于衬底11的方向上，与第一像素单元201交叠的第一像素限定层31的厚度为H1。垂直于衬底11的方向上，第二像素单元202对应的第一像素限定层31的厚度为H2，即，垂直于衬底11的方向上，与第二像素单元202交叠的第一像素限定层31的厚度为H2。H1大于H2。本发明实施例中，在相同的驱动电压或者驱动电流下，第一像素单元201的发光亮度大于第二像素单元202的发光亮度。第一像素单元201对应的第一像素限定层31的厚度大于第二像素单元202对应的第一像素限定层31的厚度，第一像素单元201对应的第一像素限定层31的厚度较大，第二像素单元202对应的第一像素限定层31的厚度较小，第一像素单元201对应的第一像素限定层31对第一像素单元201的遮挡程度大于第二像素单元202对应的第一像素限定层31对第二像素单元202的遮挡程度，从而减小第一像素单元201与第二像素单元202之间的亮度差异。

可选地，参考图3-图5，多个像素单元20还包括第三像素单元203。在相同的驱动电压或者驱动电流下，第二像素单元202的发光亮度大于第三像素单元203的发光亮度。垂直于衬底11的方向上，第三像素单元203对应的第一像素限定层31的厚度为H3。H2大于H3。本发明实施例中，在上述实施例的基础上，在相同的驱动电压或者驱动电流下，第二像素单元202的发光亮度大于第三像素单元203的发光亮度。第二像素单元202对应的第一像素限定层31的厚度大于第三像素单元203对应的第一像素限定层31的厚度，第二像素单元202对应的第一像素限定层31的厚度较大，第三像素单元203对应的第一像素限定层31的厚度较小，第二像素单元202对应的第一像素限定层31对第二像素单元202的遮挡程度大于第三像素单元203对应的第一像素限定层31对第三像素单元203的遮挡程度，从而减小第二像素单元202与第三像素单元203之间的亮度差异。总之，H1大于H2，H2大于H3，从而减小第一像素单元201、第二像素单元202与第三像素单元203中任意两者之间的亮度差异。

可选地，参考图1和图2，第一曲面312的切面与衬底11的最大夹角为第一倾斜角θ₁，第二曲面322的切面与衬底11的最大夹角为第二倾斜角θ₂。第一倾斜角θ₁小于或者等于第二倾斜角θ₂。可以理解的是，倾斜程度越大，则越陡峭，对光线的阻挡作用越强；倾斜程度越小，则越平缓，对光线的阻挡作用越弱。本发明实施例中，第一倾斜角θ₁小于或者等于第二倾斜角θ₂，第一曲面312的倾斜程度小于或者等于第二曲面322的倾斜程度，相对于第二曲面322而言，将第一曲面312的倾斜程度设置得更小，从而减小第一像素限定层31对像素单元20发射光线的阻挡。可以理解的是，出射角度小于第一倾斜角θ₁的光线不会被第一像素限定层31阻挡，而出射角度大于或者等于第一倾斜角θ₁的光线会被第一像素限定层31阻挡，因此，设置倾斜程度较小的第一曲面312尤其有利于减小对大视角光线的阻挡。

可选地，参考图1和图2，第一倾斜角θ₁小于或者等于20°，第二倾斜角θ₂大于或者等于20°且小于或者等于30°。

可选地，参考图3-图5，多个像素单元20至少包括第一像素单元201和第二像素单元202。在相同的驱动电压或者驱动电流下，第一像素单元201的发光亮度大于第二像素单元202的发光亮度。同一像素单元20对应的第一倾斜角θ₁与第二倾斜角θ₂的比值为倾斜比率，第一像素单元201对应的倾斜比率大于第二像素单元202对应的倾斜比率。

示例性地，参考图5，第一像素单元201对应的第一倾斜角θ₁记为角度θ₁₁，第二像素单元202对应的第一倾斜角θ₁记为角度θ₁₂。第一像素单元201对应的第二倾斜角θ₂记为角度θ₂₁，第二像素单元202对应的第二倾斜角θ₂记为角度θ₂₂。为了便于理解，假定角度θ₂₁等于角度θ₂₂。第一像素单元201对应的倾斜比率大于第二像素单元202对应的倾斜比率，角度θ₁₁大于角度θ₁₂，从而第一像素单元201对应的倾斜程度较大，第二像素单元202对应的倾斜程度较小，第一像素单元201对应的第一像素限定层31对第一像素单元201的遮挡程度大于第二像素单元202对应的第一像素限定层31对第二像素单元202的遮挡程度，从而减小第一像素单元201与第二像素单元202之间的亮度差异。

可选地，参考图3-图5，多个像素单元20还包括第三像素单元203。在相同的驱动电压或者驱动电流下，第二像素单元202的发光亮度大于第三像素单元203的发光亮度。第二像素单元202对应的倾斜比率大于第三像素单元203对应的倾斜比率。

示例性地，参考图5，第三像素单元203对应的第一倾斜角θ₁记为角度θ₁₃，第三像素单元203对应的第二倾斜角θ₂记为角度θ₂₃。为了便于理解，假定角度θ₂₂等于角度θ₂₃。第二像素单元202对应的倾斜比率大于第三像素单元203对应的倾斜比率，角度θ₁₂大于角度θ₁₃，从而第二像素单元202对应的倾斜程度较大，第三像素单元203对应的倾斜程度较小，第二像素单元202对应的第一像素限定层31对第二像素单元202的遮挡程度大于第三像素单元203对应的第一像素限定层31对第三像素单元203的遮挡程度，从而减小第二像素单元202与第三像素单元203之间的亮度差异。总之，第一像素单元201对应的倾斜比率大于第二像素单元202对应的倾斜比率，第二像素单元202对应的倾斜比率大于第三像素单元203对应的倾斜比率，从而减小第一像素单元201、第二像素单元202与第三像素单元203中任意两者之间的亮度差异。需要说明的是，本发明实施例从第一像素限定层31与第二像素限定层32共同对光线的遮挡角度出发，考量第一像素单元201、第二像素单元202和第三像素单元203对应倾斜比率的关系，并不限于角度θ₂₂等于角度θ₂₃，角度θ₂₂还可以大于角度θ₂₃，或者角度θ₂₂还可以小于角度θ₂₃。

可选地，参考图3-图5，第一像素单元201对应的第一倾斜角θ₁大于第二像素单元202对应的第一倾斜角θ₁，第二像素单元202对应的第一倾斜角θ₁大于第三像素单元203对应的第一倾斜角θ₁。

示例性地，参考图5，在相同的驱动电压或者驱动电流下，第一像素单元201的发光亮度大于第二像素单元202的发光亮度，第二像素单元202的发光亮度大于第三像素单元203的发光亮度。角度θ₁₁大于角度θ₁₂，角度θ₁₂大于角度θ₁₃，从而第一像素单元201对应的第一像素限定层31对第一像素单元201的遮挡程度大于第二像素单元202对应的第一像素限定层31对第二像素单元202的遮挡程度，第二像素单元202对应的第一像素限定层31对第二像素单元202的遮挡程度大于第三像素单元203对应的第一像素限定层31对第三像素单元203的遮挡程度，从而减小第一像素单元201、第二像素单元202与第三像素单元203中任意两者之间的亮度差异。

示例性地，参考图3-图5，像素单元20包括像素电极21和发光功能层22，发光功能层22位于像素电极21远离衬底11一侧，发光功能层22填充第一开口311以及至少部分第二开口321。具体地，第一像素单元201包括绿色发光功能层221，绿色发光功能层221发射绿光。第二像素单元202包括红色发光功能层222，红色发光功能层222发射红光。第三像素单元203包括蓝色发光功能层223。蓝色发光功能层223发射蓝光。

图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图，图7为图6中所示阵列基板的部分结构示意图，参考图6和图7，阵列基板还包括第一有机保护层51。第一有机保护层51位于像素单元20远离衬底11一侧，第一有机保护层51开设多个第三开口511。垂直于衬底11的方向上，第三开口511与像素单元20交叠。第三开口511在衬底11的垂直投影与像素单元20在衬底11的垂直投影交叠。第一有机保护层51朝向第三开口511的侧壁包括第三曲面512，第三曲面512朝向远离衬底11的方向凸起，第一开口311与第一有机保护层51朝向第三开口511的侧壁交叠。垂直于衬底11的方向上，第三开口511的面积小于第一开口311的面积，由于第一开口311的面积小于第二开口321的面积，因此，第三开口511的面积也小于第二开口321的面积。垂直于衬底11的方向上，第三开口511在衬底11的垂直投影位于第一开口311在衬底11的垂直投影内，第一开口311在衬底11的垂直投影位于第二开口321在衬底11的垂直投影内。第一有机保护层51延伸覆盖部分第一开口311以及延伸覆盖部分第二开口321，且由于第一有机保护层51侧壁的第三曲面512为凸曲面，第一有机保护层51朝向第三开口511的侧壁相当于凸透镜，通过折射效应，增加了出光效率。

可选地，参考图6和图7，第三曲面512的切面与衬底11的最大夹角为第三倾斜角θ₃。多个像素单元20至少包括第一像素单元201和第二像素单元202。在相同的驱动电压或者驱动电流下，第一像素单元201的发光亮度大于第二像素单元202的发光亮度。第一像素单元201对应的第三倾斜角θ₃大于第二像素单元对应的第三倾斜角θ₃。倾斜程度越大，对光线的折射作用越弱；倾斜程度越小，对光线的折射作用越强。本发明实施例中，第一像素单元201对应的第三曲面512的倾斜程度大于第一像素单元201对应的第三曲面512的倾斜程度，第一像素单元201对应的第一有机保护层51对光线的折射作用比第二像素单元202对应的第一有机保护层51对光线的折射作用弱，从而第一有机保护层51对第一像素单元201的出光效率的提升小于对第二像素单元202的出光效率的提升，从而减小第一像素单元201与第二像素单元202之间的亮度差异。

示例性地，参考图7，第一像素单元201对应的第三倾斜角θ₃记为角度θ₃₁，第二像素单元202对应的第三倾斜角θ₃记为角度θ₃₂。角度θ₃₁大于角度θ₃₂，从而第一像素单元201对应的第一有机保护层51对光线的折射作用比第二像素单元202对应的第一有机保护层51对光线的折射作用弱。

可选地，参考图6和图7，多个像素单元20还包括第三像素单元203。在相同的驱动电压或者驱动电流下，第二像素单元202的发光亮度大于第三像素单元203的发光亮度。第二像素单元202对应的第三倾斜角θ₃大于第三像素单元203对应的第三倾斜角θ₃。本发明实施例中，在上述实施例的基础上，第二像素单元202对应的第三曲面512的倾斜程度大于第三像素单元203对应的第三曲面512的倾斜程度，第二像素单元202对应的第一有机保护层51对光线的折射作用比第三像素单元203对应的第一有机保护层51对光线的折射作用弱，从而第一有机保护层51对第二像素单元202的出光效率的提升小于对第三像素单元203的出光效率的提升。总之，第一像素单元201对应的第三倾斜角θ₃大于第二像素单元202对应的第三倾斜角θ₃，第二像素单元202对应的第三倾斜角θ₃大于第三像素单元203对应的第三倾斜角θ₃，从而减小第一像素单元201、第二像素单元202与第三像素单元203中任意两者之间的亮度差异。

示例性地，参考图7，第三像素单元203对应的第三倾斜角θ₃记为角度θ₃₃。角度θ₃₁大于角度θ₃₂，角度θ₃₂大于角度θ₃₃，第一像素单元201对应的第一有机保护层51对光线的折射作用比第二像素单元202对应的第一有机保护层51对光线的折射作用弱，第二像素单元202对应的第一有机保护层51对光线的折射作用比第三像素单元203对应的第一有机保护层51对光线的折射作用弱，从而减小第一像素单元201、第二像素单元202与第三像素单元203中任意两者之间的亮度差异。

图8为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图，参考图8，阵列基板还包括第二有机保护层52，第二有机保护层52位于第一有机保护层51远离衬底11一侧。第二有机保护层52开设多个第四开口521。垂直于衬底11的方向上，第四开口521与像素单元20交叠。第四开口521在衬底11的垂直投影与像素单元20在衬底11的垂直投影交叠。第二有机保护层52朝向第四开口521的侧壁包括第四曲面522，第四曲面522朝向远离衬底11的方向凸起，第四开口521与第二像素限定层32朝向第二开口321的侧壁交叠。可以理解的是，如果第二有机保护层52未开设第四开口521，像素单元20发射光线穿过第二开口321后，其中的部分光线将被第二有机保护层52远离衬底11一侧的表面反射。本发明实施例中，垂直于衬底11的方向上，第四开口521的面积大于或者等于第二开口321的面积。垂直于衬底11的方向上，第二开口321在衬底11的垂直投影位于第四开口521在衬底11的垂直投影内，从而第二有机保护层52上开设的第四开口521避开了像素单元20发射光线，减少了对像素单元20发射光线的发射，增加了出光效率。

示例性地，参考图8，第一有机保护层51和第二有机保护层52均包括透光材料，第一有机保护层51和第二有机保护层52可以采用同种材料并在同一膜层工艺中形成，此时，第一有机保护层51和第二有机保护层52可以由同一个膜层刻蚀形成。在其他实施方式中，第一有机保护层51和第二有机保护层52还可以采用不同的材料。

示例性地，参考图4和图8，像素单元20还包括公共电极23，公共电极23位于发光功能层22远离衬底11一侧，多个像素单元20共用同一个公共电极23。在垂直于衬底11的方向上，多个像素单元20与同一个公共电极23交叠。阵列基板还可以包括平坦化层12和薄膜封装层40，平坦化层12位于衬底11与像素单元20之间。薄膜封装层40位于像素单元20与第一有机保护层51之间，用于防止水汽以及氧气对像素单元20的侵蚀。

图9为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图，参考图9，薄膜封装层40包括第一有机绝缘层41、无机绝缘层42和第二有机绝缘层43，无机绝缘层42位于第一有机绝缘层41和第二有机绝缘层43之间，第一有机绝缘层41位于无机绝缘层42与公共电极23之间。阵列基板还包括第一触控金属551、第二触控金属552和触控绝缘层53，第一触控金属551位于薄膜封装层40与触控绝缘层53之间，第二触控金属552位于第一有机保护层51与触控绝缘层53之间。在一实施方式中，第一触控金属551可以为触控驱动电极，第二触控金属552可以为触控感测电极，或者，第一触控金属551可以为触控感测电极，第二触控金属552可以为触控驱动电极。在另一实施方式中，第一触控金属551可以为触控电极，第二触控金属552可以为连接相邻触控电极的跨桥，或者，第二触控金属552可以为连接触控电极的触控电极线。阵列基板还可以包括光取出层54，光取出层54位于第二有机保护层52远离衬底11一侧，光取出层54通常采用高折射率材料形成，用于提高光的取出效率，即用于提高出光效率。

可选地，继续参考图1和图2，第二像素限定层32包括透光材料，第二像素限定层32的透光率大于预设值，照射到第二像素限定层32的光线中，存在至少部分光线会穿过第二像素限定层32继续传播。第一像素限定层31远离衬底11一侧表面到像素电极21远离衬底11一侧表面的垂直距离为D2。第二像素限定层32远离衬底11一侧表面到第一像素限定层31远离衬底11一侧表面的垂直距离为D1，D2小于D1。从而第二像素限定层32的厚度大于第一像素限定层31的两倍。可以理解的是，厚度越大，对光线的阻挡作用越强；厚度越小，对光线的阻挡作用越弱。本发明实施例中，D2小于D1，相对于第二像素限定层32而言，将第一像素限定层31的厚度设置得更小，从而减小第一像素限定层31对像素单元20发射光线的阻挡。

可选地，继续参考图1和图2，第二像素限定层32与第一像素限定层31采用同种材料，并在同一膜层工艺中形成。本发明实施例中，第二像素限定层32与第一像素限定层31采用同种材料，第二像素限定层32包括吸光材料。第二像素限定层32与第一像素限定层31可以由同一个膜层刻蚀形成，从而简化了第一像素限定层31和第二像素限定层32的制作工艺，节省了工艺制程。

图10为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图，参考图10，阵列基板还包括支撑柱61，支撑柱61位于第二像素限定层32远离衬底11一侧。垂直于衬底11的方向上，支撑柱61与第二像素限定层32交叠。第一像素限定层31、第二像素限定层32与支撑柱61采用同种材料，并在同一膜层工艺中形成。第二像素限定层32与支撑柱61包括吸光材料。在形成第一像素限定层31时，可以采用同种材料并采用同一工艺形成第二像素限定层32和支撑柱61，从而无需为第二像素限定层32和支撑柱61设置单独的制作工艺，节省了工艺制程。

图11为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图，参考图11，第二像素限定层32包括同层的第一像素限定子层3201和第二像素限定子层3202，第一像素限定子层3201包括透光材料，第二像素限定子层3202包括吸光材料。第二像素限定子层3202与第一像素限定层31可以采用相同的材料。第二像素限定子层3202在衬底11的垂直投影位于相邻像素单元20在衬底11的垂直投影之间，第二像素限定子层3202位于相邻像素单元20之间的间隙中。垂直于衬底11的方向上，第二像素限定子层3202的厚度为D3。垂直于衬底11的方向上，第一像素限定层31的厚度为H，D3大于H。本发明实施例中，在相邻像素单元20之间的间隙中，第二像素限定层32包括不透光的第二像素限定子层3202，第二像素限定子层3202的厚度大于第一像素限定层31的高度，从而第二像素限定子层3202可以对像素单元20发射的大视角光线进行遮挡，防止大视角光线投射至相邻像素单元20中，避免了相邻像素单元20之间的光线串扰。

示例性地，参考图4和图11，第一像素单元201对应的第一像素限定层31的厚度为H1，H1小于D3。第二像素单元202对应的第一像素限定层31的厚度为H2，H2小于D3。第三像素单元203对应的第一像素限定层31的厚度为H3，H3小于D3。

可选地，参考图11，多个像素单元20至少包括第一像素单元201和第二像素单元202。在相同的驱动电压或者驱动电流下，第一像素单元201的发光亮度大于第二像素单元202的发光亮度。第二像素限定子层3202在衬底11的垂直投影位于第一像素单元201在衬底11的垂直投影与第二像素单元202在衬底11的垂直投影之间。第二像素限定子层3202临近第一像素单元201一侧边缘与第一像素单元201临近第二像素限定子层3202一侧边缘之间的距离为W1。第二像素限定子层3202临近第二像素单元302一侧边缘与第二像素单元202临近第二像素限定子层3202一侧边缘之间的距离为W2。W1小于W2。由于像素单元20被第二像素限定层32开设的第二开口321限定，第二像素限定层32朝向第二开口321的侧壁包括第二曲面322，第二开口321临近衬底11一侧的面积小于其远离衬底11一侧的面积，因此，像素单元20的边缘即为第二开口321临近衬底11一侧与第二像素限定层32侧壁的交界线。本发明实施例中，在相同的驱动电压或者驱动电流下，第一像素单元201的发光亮度大于第二像素单元202的发光亮度。第二像素限定子层3202与第一像素单元201的距离小于第二像素限定子层3202与第二像素单元202的距离，第二像素限定子层3202对第一像素单元201发射光线的遮挡程度大于第二像素限定子层3202对第二像素单元202的遮挡程度，从而减小第一像素单元201与第二像素单元202之间的亮度差异。

在另一实施方式中，第二像素限定子层3202在衬底11的垂直投影位于第二像素单元202在衬底11的垂直投影与第三像素单元203在衬底11的垂直投影之间。第二像素限定子层3202临近第二像素单元202一侧边缘与第二像素单元202临近第二像素限定子层3202一侧边缘之间的距离，小于第二像素限定子层3202临近第三像素单元303一侧边缘与第三像素单元203临近第二像素限定子层3202一侧边缘之间的距离。本发明实施例中，在相同的驱动电压或者驱动电流下，第二像素单元202的发光亮度大于第三像素单元203的发光亮度。第二像素限定子层3202与第二像素单元202的距离小于第二像素限定子层3202与第三像素单元203的距离，第二像素限定子层3202对第二像素单元202发射光线的遮挡程度大于第二像素限定子层3202对第三像素单元203的遮挡程度，从而减小第二像素单元202与第三像素单元203之间的亮度差异，进一步地，减小第一像素单元201、第二像素单元202与第三像素单元203中任意两者之间的亮度差异。

图12为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图，参考图12，阵列基板还包括指纹识别单元70，指纹识别单元70位于第二像素限定子层3202临近衬底11一侧。指纹识别单元70在衬底11的垂直投影位于相邻像素单元20在衬底11的垂直投影之间。第二像素限定子层3202还开设指纹识别开口3221。垂直于衬底11的方向上，指纹识别开口3221与指纹识别单元70交叠。本发明实施例中，在不透光的第二像素限定子层3202上开设指纹识别开口3221，利用小孔成像的原理，大角度的指纹反射光投射至第二像素限定子层3202上，从而无法投射至指纹识别单元70，小角度的指纹反射光可以通过指纹识别开口3221并投射至指纹识别单元70，由此避免了多个指纹反射位置反射的指纹反射光投射至同一个指纹识别单元70，避免了指纹识别的光线串扰。

示例性地，参考图12，垂直于衬底11的方向上，第二像素限定子层3202与第一像素限定子层3201可以具有相同的厚度。形成第二像素限定层32的过程可以包括：采用透光材料形成第一原始膜层，刻蚀并去除与像素单元20交叠的第一原始膜层形成第二开口321，以及刻蚀并去除与指纹识别单元70交叠的第一原始膜层形成容纳槽。采用吸光材料填充部分容纳槽，容纳槽中未被填充的部分形成指纹识别开口3221。或者，采用吸光材料填充全部容纳槽，然后通过刻蚀的工艺刻蚀形成指纹识别开口3221。

示例性地，参考图12，阵列基板还包括像素驱动电路，像素驱动电路包括薄膜晶体管62，薄膜晶体管62位于像素单元20与衬底11之间。薄膜晶体管62包括第一极621、第二极624、半导体层623和栅极622。第二极624与像素电极21电连接。其中，第一极621可以为薄膜晶体管62的源极，第二极624可以为薄膜晶体管62的漏极；或者，第一极621可以为薄膜晶体管62的漏极，第二极624可以为薄膜晶体管62的源极。指纹识别单元70与半导体层623同层。在其他实施方式中，指纹识别单元70还可以与半导体层623不同层，本发明对此不作限制。

本发明实施例提供一种显示面板，图13为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，参考图13，显示面板包括上述实施例中的阵列基板。显示面板可以为有机发光显示面板、量子点显示面板或者micro-LED显示面板中的一种。本发明提供的显示面板包括上述实施例中的阵列基板，因此第一像素限定层31覆盖像素电极21的边缘，外界环境光无法透过第一像素限定层31照射到像素电极21上，减弱了像素电极21对外界环境光的反射作用，提高了显示面板的对比度。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (19)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

像素单元，位于所述衬底的一侧，包括像素电极；

第一像素限定层，位于所述像素电极远离所述衬底一侧，包括吸光材料，开设多个第一开口，垂直于所述衬底的方向上，所述第一开口与所述像素单元一一对应交叠；

第二像素限定层，位于所述第一像素限定层远离所述衬底一侧，开设多个用于限定所述像素单元的第二开口，所述第二开口与所述第一开口连通，垂直于所述衬底的方向上，所述第二开口与所述第一像素限定层朝向所述第一开口的侧壁交叠；

所述第一像素限定层朝向所述第一开口的侧壁包括第一曲面，所述第一曲面朝向远离所述衬底的方向凸起，所述第二像素限定层朝向所述第二开口的侧壁包括第二曲面，所述第二曲面朝向远离所述衬底的方向凸起。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个所述像素单元至少包括第一像素单元和第二像素单元，在相同的驱动电压或者驱动电流下，所述第一像素单元的发光亮度大于所述第二像素单元的发光亮度；

垂直于所述衬底的方向上，所述第一像素单元对应的所述第一像素限定层的厚度大于所述第二像素单元对应的所述第一像素限定层的厚度。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，多个所述像素单元还包括第三像素单元，在相同的驱动电压或者驱动电流下，所述第二像素单元的发光亮度大于所述第三像素单元的发光亮度；

垂直于所述衬底的方向上，所述第二像素单元对应的所述第一像素限定层的厚度大于所述第三像素单元对应的所述第一像素限定层的厚度。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一曲面的切面与所述衬底的最大夹角为第一倾斜角，所述第二曲面的切面与所述衬底的最大夹角为第二倾斜角；

所述第一倾斜角小于或者等于所述第二倾斜角。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一倾斜角小于或者等于20°，所述第二倾斜角大于或者等于20°且小于或者等于30°。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，多个所述像素单元至少包括第一像素单元和第二像素单元，在相同的驱动电压或者驱动电流下，所述第一像素单元的发光亮度大于所述第二像素单元的发光亮度；

同一所述像素单元对应的所述第一倾斜角与所述第二倾斜角的比值为倾斜比率，所述第一像素单元对应的所述倾斜比率大于所述第二像素单元对应的所述倾斜比率。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，多个所述像素单元还包括第三像素单元，在相同的驱动电压或者驱动电流下，所述第二像素单元的发光亮度大于所述第三像素单元的发光亮度；

所述第二像素单元对应的所述倾斜比率大于所述第三像素单元对应的所述倾斜比率。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元对应的所述第一倾斜角大于所述第二像素单元对应的所述第一倾斜角，所述第二像素单元对应的所述第一倾斜角大于所述第三像素单元对应的所述第一倾斜角。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括第一有机保护层，所述第一有机保护层位于所述像素单元远离所述衬底一侧，开设多个第三开口，垂直于所述衬底的方向上，所述第三开口与所述像素单元交叠；

所述第一有机保护层朝向所述第三开口的侧壁包括第三曲面，所述第三曲面朝向远离所述衬底的方向凸起，所述第一开口与所述第一有机保护层朝向所述第三开口的侧壁交叠。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第三曲面的切面与所述衬底的最大夹角为第三倾斜角；

多个所述像素单元至少包括第一像素单元和第二像素单元，在相同的驱动电压或者驱动电流下，所述第一像素单元的发光亮度大于所述第二像素单元的发光亮度；

所述第一像素单元对应的所述第三倾斜角大于所述第二像素单元对应的所述第三倾斜角。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，多个所述像素单元还包括第三像素单元，在相同的驱动电压或者驱动电流下，所述第二像素单元的发光亮度大于所述第三像素单元的发光亮度；

所述第二像素单元对应的所述第三倾斜角大于所述第三像素单元对应的所述第三倾斜角。

12.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，还包括第二有机保护层，所述第二有机保护层位于所述第一有机保护层远离所述衬底一侧，开设多个第四开口，垂直于所述衬底的方向上，所述第四开口与所述像素单元交叠；

所述第二有机保护层朝向所述第四开口的侧壁包括第四曲面，所述第四曲面朝向远离所述衬底的方向凸起，所述第四开口与所述第二像素限定层朝向所述第二开口的侧壁交叠。

13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素限定层包括透光材料；

所述第一像素限定层远离所述衬底一侧表面到所述像素电极远离所述衬底一侧表面的垂直距离，小于所述第二像素限定层远离所述衬底一侧表面到所述第一像素限定层远离所述衬底一侧表面的垂直距离。

14.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素限定层与所述第一像素限定层采用同种材料，并在同一膜层工艺中形成。

15.根据权利要求14所述的阵列基板，其特征在于，还包括支撑柱，所述支撑柱位于所述第二像素限定层远离所述衬底一侧；垂直于所述衬底的方向上，所述支撑柱与所述第二像素限定层交叠；

所述第一像素限定层、所述第二像素限定层与所述支撑柱采用同种材料，并在同一膜层工艺中形成。

16.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素限定层包括同层的第一像素限定子层和第二像素限定子层，所述第一像素限定子层包括透光材料，所述第二像素限定子层包括吸光材料；

所述第二像素限定子层在所述衬底的垂直投影位于相邻所述像素单元在所述衬底的垂直投影之间；

垂直于所述衬底的方向上，所述第二像素限定子层的厚度大于所述第一像素限定层的厚度。

17.根据权利要求16所述的阵列基板，其特征在于，多个所述像素单元至少包括第一像素单元和第二像素单元，在相同的驱动电压或者驱动电流下，所述第一像素单元的发光亮度大于所述第二像素单元的发光亮度；

所述第二像素限定子层在所述衬底的垂直投影位于所述第一像素单元在所述衬底的垂直投影与所述第二像素单元在所述衬底的垂直投影之间；

所述第二像素限定子层临近所述第一像素单元一侧边缘与所述第一像素单元临近所述第二像素限定子层一侧边缘之间的距离，小于所述第二像素限定子层临近所述第二像素单元一侧边缘与所述第二像素单元临近所述第二像素限定子层一侧边缘之间的距离。

18.根据权利要求17所述的阵列基板，其特征在于，还包括指纹识别单元，所述指纹识别单元位于所述第二像素限定子层临近所述衬底一侧，在所述衬底的垂直投影位于相邻所述像素单元在所述衬底的垂直投影之间；

所述第二像素限定子层还开设指纹识别开口，垂直于所述衬底的方向上，所述指纹识别开口与所述指纹识别单元交叠。

19.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-18任一项所述的阵列基板。

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