CN113302334A - 形成湿气和氧气阻挡涂层的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的多个实施方式一般涉及在基板上形成湿气和氧气阻挡膜的方法。使用原子层沉积在原子层沉积腔室中在基板上沉积阻挡层以减小所述基板的水蒸汽透过率和氧气透过率。所述阻挡层在1atm下并且在低于所述基板的熔点的约25摄氏度至约5摄氏度之间的温度下沉积。可以在沉积所述阻挡层之前可选地等离子体处理所述基板以增强所述阻挡层对所述基板的粘附力。可以在所述阻挡层上沉积一个或多个附加层，诸如包含聚合物的层，以进一步降低所述水蒸汽透过率和/或所述氧气透过率。
Description
背景
技术领域
本公开内容的多个实施方式一般涉及在基板上形成湿气和氧气阻挡膜的方法。
背景技术
许多行业使用基板作为流体或液体容纳容器(containing vessel)。这样的流体或液体容纳容器是对湿气敏感的产品或装置，必须被封装以免于暴露于环境湿气。已经提出将薄保形(conformal)材料层作为减小穿过封装层的水蒸汽透过率(water vaportransmission rate,WVTR)和氧气透过率(oxygen transmission rate,OTR)的手段。当前，在商业上存在完成此目的的许多方式。正在考虑使用原子层沉积(ALD)工艺以覆盖对湿气敏感的产品或装置，以确定这些涂层的保形性质是否可以提供比其他涂层更有效的湿气阻挡。
ALD是基于原子层外延(ALE)的并且使用化学吸附技术来以连续的循环在基板表面上传递前驱物分子。循环将基板表面暴露于第一前驱物并且随后暴露于第二前驱物。可选地，可以在数次引入前驱物的步骤之间引入净化气体。第一前驱物与第二前驱物反应以在基板表面上形成呈膜形式的产品化合物。重复循环以将层形成到所要厚度。
然而，许多被涂覆有ALD膜的对湿气敏感的基板具有极低的熔点，从而限制基板能够经受的处理。因而，很难以充分减小水蒸汽透过率和/或氧气透过率的方式有效地涂覆对湿气敏感的基板。
因此，需要改进在对湿气敏感的基板上的ALD膜的沉积。
发明内容
本公开内容的多个实施方式一般涉及在基板上形成湿气和氧气阻挡膜的方法。使用原子层沉积在原子层沉积腔室中在基板上沉积阻挡层以减小基板的水蒸汽透过率和氧气透过率。在1atm下并且在低于基板熔点的约25摄氏度至约5摄氏度之间的温度下沉积阻挡层。可以可选地在沉积阻挡层之前等离子体处理(plasma treat)基板以增强阻挡层对基板的粘附力。可以在阻挡层上沉积一个或多个附加层，诸如包含聚合物的层，以进一步减小水蒸汽透过率和/或氧气透过率。
在一个实施方式中，一种涂覆基板的方法包括：在基板上沉积阻挡层。使用原子层沉积在1atm下并且在低于基板熔点的约25摄氏度至约5摄氏度之间的温度下沉积阻挡层。
在另一实施方式中，一种涂覆基板的方法包括：在基板上沉积阻挡层。基板包含低密度聚乙烯(LDPE)。使用原子层沉积在1atm下并且在低于LDPE熔点的约25摄氏度至约5摄氏度之间的温度下沉积阻挡层。
在又一实施方式中，一种涂覆基板的方法包括：在基板的第一表面上沉积阻挡层。使用原子层沉积在1atm下并且在低于基板熔点的约25摄氏度至约5摄氏度之间的温度下沉积阻挡层。基板是流体或液体容纳容器(fluid or liquid containing vessel)。流体或液体与基板的与第一表面相对的第二表面接触。
附图说明
为了以详细的方式理解本公开内容的上述特征，可参考多个实施方式来得到以上简要概述的本公开内容的更特定描述，在附图中描绘了一些所述的实施方式。然而，应注意，附图仅描绘了多个示例性实施方式，并且因此不应视为对本公开内容范围的限制，并且可允许其他多个等效实施方式。
图1描绘根据本公开内容的某些方面的示例性处理系统。
图2A是示出根据本文中描述的多个实施方式的说明性ALD处理腔室的剖面侧视图。
图2B是从图2A中示出的视图旋转90度的处理腔室的剖面侧视图。
图3是根据一个实施方式的一种用于涂覆基板的方法的流程图。
图4A到图4C描绘根据一个实施方式的在图3的方法的各种阶段期间的涂覆基板的示意性截面图。
为了便于理解，已经尽可能地使用相同附图标记标示各图共有的相同元件。应考虑，一个实施方式的元件和特征可有益地并入其他多个实施方式，而无需进一步叙述。
具体实施方式
本发明的多个实施方式一般涉及在基板上形成湿气和氧气阻挡膜的方法。使用原子层沉积在原子层沉积腔室中在基板上沉积阻挡层以减小基板的水蒸汽透过率和氧气透过率。在1atm下并且在低于基板熔点的约25摄氏度至约5摄氏度之间的温度下沉积阻挡层。可以可选地在沉积阻挡层之前等离子体处理基板以增强阻挡层对基板的粘附力。可以在阻挡层上沉积一个或多个附加层，诸如包含聚合物的层，以进一步减小水蒸汽透过率和/或氧气透过率。
图1是示出根据本公开内容的一个实施方式的说明性处理系统100的截面俯视图。示出示例性基板102相邻于处理系统100和在处理系统100内部。处理系统100包括装载锁定腔室104、传送腔室106、在传送腔室106内的传送(例如，工具和材料处理)机械手108、ALD处理腔室116、一个或多个附加处理腔室110、112、114和掩模腔室118。一个或多个附加处理腔室110、112、114可以是化学气相沉积(CVD)腔室、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔室或ALD腔室。例如，一个或多个附加处理腔室110、112、114、ALD处理腔室116和每个腔室的关联硬件优选地由一种或多种与工艺兼容的材料形成，诸如铝、阳极化铝、镀镍铝、碳钢、不锈钢、石英和它们的组合和合金。如待涂覆的基板的形状和其他处理需求所要求的那样，一个或多个附加处理腔室110、112、114和ALD处理腔室116可以是圆形、矩形或另一形状。
传送腔室106包括侧壁中的狭缝阀或传送端口开口121、123、125、127、129，这些侧壁与装载锁定腔室104、一个或多个附加处理腔室110、112、114、ALD处理腔室116和掩模腔室118相邻。传送机械手108被定位和构造成能够经由传送端口开口121、123、125、127、129的每个开口插入一个或多个工具(例如，基板处理叶片)并且进入到相邻腔室中。也就是说，传送机械手能够经由传送腔室106的与其他腔室每一个腔室相邻的壁中的传送端口开口121、123、125、127、129将工具插入到装载锁定腔室104、一个或多个附加处理腔室110、112、114、ALD处理腔室116和掩模腔室118中。选择性地用传送端口阀120、122、124、126、128或狭缝阀打开和关闭传送端口开口121、123、125、127、129或狭缝开口，以允许当要将基板、掩模、工具或其他物品插入相邻腔室中的一个腔室或从相邻腔室中的一个腔室中去除时能够进入相邻腔室的内部。
传送腔室106、装载锁定腔室104、一个或多个附加处理腔室110、112、114、ALD处理腔室116和掩模腔室118包括与真空系统(例如，真空泵)流体连通的一个或多个孔(未示出)。所述孔为各种腔室内部的气体提供出口。在一些实施方式中，腔室各自连接至单独且独立的真空系统。在另外的多个实施方式中，腔室中的一些腔室共用真空系统，而其他腔室具有单独且独立的真空系统。真空系统可以包括真空泵(未示出)和节流阀(未示出)以调节穿过各种腔室的气体流动。
放置在一个或多个附加处理腔室110、112、114和ALD处理腔室116内的除基板以外的掩模、掩模片和其他物品可以称为“工艺配件”。可以将工艺配件物品从处理腔室去除以用于清洁或替换。传送腔室106、掩模腔室118、一个或多个附加处理腔室110、112、114和ALD处理腔室116的尺寸和形状被设计成允许在它们之间传送掩模、掩模片和其他工艺配件物品。也就是说，传送腔室106、掩模腔室118、一个或多个附加处理腔室110、112、114和ALD处理腔室116的尺寸和形状使得任何工艺配件物品能够被完全地容纳在它们中的任一个腔室的内部，所有的传送端口开口121、123、125、127、129由各传送端口开口121、123、125、127、129的对应阀120、122、124、126、128关闭。因此，可以在不破坏处理系统的真空的情况下去除和替换工艺配件物品，因为掩模腔室118充当气闸，从而允许能够在不破坏除了掩模腔室以外的任何腔室中的真空的情况下从处理系统去除工艺配件物品。此外，在传送腔室106与掩模腔室118之间的狭缝阀开口129、在传送腔室106与一个或多个附加处理腔室110、112、114之间的狭缝阀开口123、125、121，和在传送腔室106与ALD处理腔室116之间的狭缝阀开口127的尺寸和形状全部允许在传送腔室106与掩模腔室118、一个或多个附加处理腔室110、112、114和ALD处理腔室116之间传送工艺配件物品。
掩模腔室118具有门130和门道131，门130和门道131在掩模腔室118的与传送腔室106的狭缝阀开口129相对的那侧上。门道131的尺寸和形状允许传送掩模和其他工艺工具出入掩模腔室118。当门130被关闭时，门130能够对整个门道131形成气密密封。掩模腔室118的尺寸和形状使得当门130关闭并且通向传送腔室106的狭缝阀128关闭时，掩模腔室118允许任何工艺配件物品能够被完全地容纳在掩模腔室118内部。也就是说，掩模腔室118的尺寸和形状使得在掩模腔室118的门130未打开的情况下，任何工艺配件物品都能够被从传送腔室106移动到掩模腔室118内，并且能够关闭狭缝阀128。
图2A是示出根据本文中描述的多个实施方式的说明性ALD处理腔室200的剖面侧视图。图2B是从图2A中示出的视图旋转90度的处理腔室200的剖面侧视图。图2A和图2B中示出的ALD处理腔室200与图1中示出的ALD处理腔室116类似。
处理腔室200包括腔室主体204、盖组件206、和基座或基板支承组件208。盖组件206设置在腔室主体204的上端处，并且基板支承组件208至少部分地设置在腔室主体204内部。图2A中示出的处理腔室200的基板支承组件208处于传送位置，而图2B中示出的处理腔室200的基板支承组件208处于处理位置。
盖组件206包括第一通道235A和第二通道235B(两者都在图2B中示出)。第一通道235A和第二通道235B都耦接至气体源210、净化气体/载气源234和泵212。泵212是真空系统220的一部分。气体源210、净化气体/载气源234和泵212每一个都被阀244控制。盖组件206还包括多通道喷头218和背板242。
真空系统220包括泵212以及泵222。泵222与阀224耦接。通过工艺控制器控制真空系统220以维持ALD处理腔室内部的适合于ALD工艺的压强。真空系统220可以用于维持处理腔室200的内部空间228中的第一压强。真空系统220还可以用于维持限定在多通道喷头218与背板242之间的空间230内部的第二压强。在本公开内容的一个实施方式中，第一压强可以小于第二压强。
盖组件206还包括吊架组件260(在图2A中最佳地示出)，所述吊架组件将多通道喷头218悬吊在处理腔室200中。吊架组件260实质上围绕电介质裙262。电介质裙262由聚合材料制成，诸如含氟聚合物，电介质裙262将盖组件206的各部分与腔室主体204电绝缘。在背板242与腔室主体204的界面处提供密封件264，诸如O形环密封件。电介质裙262的一部分定位在这些密封件264之间。陶瓷覆盖物266被定位成向内延伸以至少部分地覆盖多通道喷头218。
腔室主体204包括形成在腔室主体204侧壁中的狭缝阀开口214以提供进出处理腔室200内部的入口。如上文参考图1所描述，选择性地打开和关闭狭缝阀开口214以允许通过传送机械手(参见图1)进出腔室主体204内部。盖组件206还包括在背板242内的中心通道236。使用中心通道236以从气体源241递送清洁气体和/或净化气体/载气。在一些实施方式中，使清洁气体流过远程等离子体源245，远程等离子体源245在清洁气体进入空间230内之前激发清洁气体。盖组件206还包括射频(RF)电源252，射频(RF)电源252形成RF路径(由图2B中的箭头所示)以激发在基板102与多通道喷头218之间的处理空间254中的前驱物气体。在其他多个实施方式中，气体源241包括经由多通道喷头218直接流动到处理空间254的氧气。气体源241中的气体可以称为第一气体或连续气体。气体源210(上文讨论的)可以称为第二气体或脉冲气体。
在基板支承组件208上方，掩模框架243由支承构件238支承。支承构件238也可以充当用于掩模框架243的对准和/或定位装置。图示基板102由可移动地设置在基板支承组件208中的升降杆239支承。图2A中示出基板102处于传送位置以使得机械手处理叶片(未示出)可以够到基板102的与基板支承组件208相对的表面。在图2B中所示的处理位置中，基板102可以被基板支承组件208升高到与掩模框架243相邻的位置。具体地说，基板102适合于接触或接近耦接于掩模框架243的掩模片232。
图3描绘根据一个实施方式的一种涂覆基板的方法300的流程图。图4A到图4C描绘在图3的方法300的不同阶段期间的被涂覆的基板400的示意性截面图。为清晰起见，将参考图4A到图4C描述方法300。如下文进一步描述，可以用图1的系统100来应用方法300。
方法300可以从操作302开始，如图4A中所示，在操作302可选地用等离子体408处理基板402。基板402可以是图1的基板102。基板402可以包含第一聚合物，诸如低密度聚乙烯(LDPE)，或可以是硅晶片。在一个实施方式中，基板402是流体或液体容纳容器。在这样一个实施方式中，流体或液体接触基板402的第一表面402A，而基板402的与第一表面402A相对的第二表面402B被等离子体处理。基板402的厚度在约50μm至约0.5mm之间。
图1的系统100和ALD处理腔室116可以用于等离子体408处理。可以使用氧气或氮气对基板402进行等离子体408处理。可以在约13.56MHz的频率、约50sccm的流量和约200W的功率下执行等离子体408处理工艺约10到30秒的持续时间。对基板402进行等离子体处理可以改进附加层在基板402上的粘附力。
在操作304中，如图4B中所示，在基板402上沉积阻挡层404。阻挡层404可以包括形成阻挡层的一个或多个层。阻挡层404可以是湿气阻挡层和/或氧气阻挡层。在一个实施方式中，在ALD腔室，诸如图1的ALD处理腔室116或图2A到图2B的ALD处理腔室200中使用ALD来沉积阻挡层404。下文参考图1、图3和图4A到图4C描述示例性阻挡层404ALD工艺。在另一实施方式中，通过浸渍涂覆(dip coating)沉积阻挡层404。
如果基板402是流体或液体容纳容器，那么流体或液体接触基板402的第一表面402A，而阻挡层404被沉积在基板402的与第一表面402A相对的第二表面402B上。或者，如果基板402在操作302中被等离子体408处理，那么阻挡层404被沉积在基板402的被等离子体处理的表面402B上。在一个实施方式中，在约1atm的压强下沉积阻挡层404。在另一实施方式中，在真空环境中沉积阻挡层404。在低于基板402的熔点的约25摄氏度(即，室温)至约5摄氏度之间的温度下沉积阻挡层404。在基板402包含LDPE的实施方式中，在约25摄氏度至约77摄氏度之间的温度下沉积阻挡层404。
阻挡层404包含选自由氧化铝、二氧化硅、氮化硅和第二聚合物组成的群组的材料。第二聚合物可以是包含氯的聚合物或包含氟的聚合物。阻挡层404的第二聚合物可以不同于基板402的第一聚合物。当阻挡层404包含氧化铝(Al2O3)、二氧化硅或氮化硅时，阻挡层404的厚度在约10nm至约200nm之间。
在阻挡层404包含第二聚合物的实施方式中，第二聚合物包含选自由聚偏二氯乙烯(polyvinylidene dichloride,PVDC)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚三氟氯乙烯(polychlorotrifluoroethylene,PCTFE)、聚丙烯(PP)、高密度PP、双向拉伸(biaxialoriented)PP、LDPE、聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(poly(ethylene terephthalate),PET)、双向拉伸PET、乙烯-乙烯醇(ethylene-vinyl alcohol,EVAL G-L)、硬聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、双向拉伸尼龙6(PA6)和聚碳酸酯(PC)组成的群组的材料。可以用官能团，诸如环氧、醚或酯类组分(0到10％)略微地改变相同的聚合物以达成增大的粘附力或改进那些聚合物的制备/处理。可以通过浸渍涂覆、喷涂、喷墨或基于溶剂的涂覆工艺来进行聚合物的阻挡涂覆。聚合物的浓度和涂覆的速度可以确定阻挡层404的厚度。在阻挡层404包含第二聚合物的这样一个实施方式中，阻挡层404的厚度在约0.1μm至约30μm之间。如果阻挡层404包含第二聚合物，那么阻挡层404的第二聚合物和基板402的第一聚合物可以是不同的聚合物。例如，如果基板402包含LDPE，那么阻挡层404可以包含PVDC、PTFE、PC或PVC之一。
在阻挡层404包含Al2O3的实施方式中，沉积阻挡层404可以包括使作为第一前驱物的三甲基铝(CH3)3Al(TMA)的脉冲(pulses)和作为第二前驱物的水的脉冲交替。Al2O3的小核(small nuclei)在基板402的第二表面402B上生长，最终结合以形成均匀、致密和保形(conformal)的Al2O3膜。在另一实施方式中，臭氧可以代替水用作氧化剂(即第二前驱物)。
在操作306中，如图4C中所示，可选地在阻挡层404上沉积一个或多个层406。尽管只示出一个层406，但是可以沉积多个层406。在一个实施方式中，可以沉积多达十个的附加层406。可以通过浸渍涂覆沉积一个或多个层406。在阻挡层上沉积一个或多个层406可以进一步减小水蒸汽透过率和/或氧气透过率。一个或多个层中的每一层都可以包含一种或多种第三聚合物，一种或多种第三聚合物不同于基板402的第一聚合物。
一个或多个层406中的每一层都可以包含相同的材料，或一个或多个层406中的每一层都可以单独地包含不同的材料。在一个实施方式中，一个或多个层406包含选自由PVDC、PTFE、PCTFE、PP、PC、LDPE、PET、EVAL G-L、PVC、PS和PA6组成的群组的至少一种聚合物。可以用官能团，诸如环氧、醚或酯类组分(0到10％)略微地改变相同的聚合物。使用方法300用阻挡层404和可选地用一个或多个层406涂覆基板402导致基板402具有约0.35g/m2/24h至约0.70g/m2/24h的WVTR。
为简单和易于描述起见，现在将描述使用方法300的操作302到操作306并且在处理系统100内部执行的基板402的详细示例性涂覆工艺。该示例性涂覆工艺由过程控制器控制，该过程控制器可以是计算机或计算机系统，计算机或计算机系统可以位于一个或多个附加处理腔室110、112、114之一中，诸如位于处理腔室114中。
参考图1，基板402的示例性涂覆处理可选地以传送机械手108从掩模腔室118取回掩模并且将掩模放置在ALD处理腔室116中开始。将掩模放置在ALD处理腔室116中是可选的，因为之前的处理可能将掩模留在ALD处理腔室116中，并且可以在处理多个基板402中使用同一掩模。在将掩模放置在ALD处理腔室116中时，在腔室之间的狭缝阀126可以打开和关闭。
然后，传送机械手108从装载锁定腔室104取回基板402并且将基板402放置在ALD处理腔室116中。过程控制器控制阀、致动器和处理腔室的其他部件以执行ALD处理。过程控制器使狭缝阀126被关闭，从而将ALD处理腔室116与传送腔室106隔离。过程控制器还使基板支承构件或基座定位基板402以用于ALD处理。如果掩模未被传送机械手放置到正确的处理位置中，那么过程控制器可以激活一个或多个致动器以定位掩模。要么或另外，基座可以定位掩模以用于处理。掩模用来掩掉(mask off)基板的某些区域并且防止沉积发生在基板的那些区域上。
过程控制器随后激活阀以使前驱物和其他气体开始流动到ALD处理腔室116中。所用的特定气体或多种气体取决于待执行的这一种工艺或多种工艺。气体可以包含TMA、氮气(N2)和氧气(O2)，然而，气体不受严格限制并且可以包含一种或多种前驱物、还原剂、催化剂、载剂、净化气体、清洁气体或它们的任何混合物或组合。气体可以从一侧被引入到ALD处理腔室116中并且流经基板402。根据处理系统的要求，过程控制器可以控制阀以使得在任何特定时刻仅一种气体被引入到ALD处理腔室中。
如在方法300的操作302中所描述并且如图4A中所示，过程控制器还控制电源，在使得用于形成阻挡层404的前驱物和其他气体开始流动之前，电源能够将气体激发成反应物质并且维持反应物质的等离子体408以使反应物质与基板402反应并且涂覆基板402。例如，可以使用基于射频(RF)或微波(MW)的电源放电技术。还可以通过基于热的技术、气体击穿技术、高强度光源(例如，UV能量)或暴露于x射线源来产生激发。在执行操作302的示例性工艺中，氧气被激发成等离子体408，并且等离子体408与基板402反应并且在基板402上沉积氧气层。
如在操作304中所描述的那样，过程控制器随后使TMA例如流经基板402，以在基板402上形成氧化铝阻挡层404，如图4B中所示。在可选地执行操作302的多个实施方式中，TMA可以与基板402上的氧气层反应。沉积阻挡层404可以包括使作为第一前驱物的TMA的脉冲和作为第二前驱物的水的脉冲交替。Al2O3的小核在基板402的表面上生长，最终结合成均匀、致密和保形的Al2O3膜。在另一实施方式中，臭氧或氧等离子体可以代替水用作氧化剂(即第二前驱物)。可以使用等离子体处理来使疏水聚合物亲水。
如在方法300的操作306中所描述并且如在图4C中所示，在沉积阻挡层404之后，可以沉积一个或多个层406。ALD腔室116可以用于沉积一个或多个层406，或一个或多个层406可以在附加处理腔室110、112、114之一中被沉积。例如，如果一个或多个层406在一个附加处理腔室110、112、114中被沉积，那么当ALD处理腔室116中的ALD工艺完成时，过程控制器使ALD处理腔室116撤出并且控制基座将基板402下降到传送位置。过程控制器还使ALD处理腔室116与传送腔室106之间的狭缝阀126被打开，并且指引传送机械手108从ALD处理腔室116取回基板402。过程控制器随后使ALD处理腔室116与传送腔室106之间的狭缝阀126被关闭。
然后，过程控制器使传送腔室106与一个或多个附加处理腔室110、112、114之一(诸如附加处理腔室112)之间的狭缝阀124被打开。传送机械手108将基板402放置在附加处理腔室112中，并且过程控制器使传送腔室106与附加处理腔室112之间的狭缝阀124被关闭。随后可以使用附加处理腔室112来沉积一个或多个层406。
使用上文描述的方法，可以使基板被涂覆有减小水蒸汽透过率和氧气透过率的阻挡层。例如，使用方法300给基板402涂覆有阻挡层404并且可选地涂覆有一个或多个层406导致具有约0.35g/m2/24h至约0.70g/m2/24h的WVTR的基板402。另外，可以在低温下沉积阻挡层404和一个或多个层406以使得每个层404、406都均匀、保形并且致密。
尽管前述内容涉及本公开内容的多个实施方式，但在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可以设想本公开内容的其他和进一步实施方式，并且本公开内容的范围由随附权利要求书确定。
Claims (15)
1.一种涂覆基板的方法，包括：
在所述基板上沉积阻挡层，其中使用原子层沉积在1atm下并且在低于所述基板的熔点的约25摄氏度至约5摄氏度之间的温度下沉积所述阻挡层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层包含选自由氧化铝、二氧化硅、氮化硅和聚合物组成的群组的材料，并且其中所述基板是流体或液体容纳容器。
3.根据权利要求2所述的方法，其中当所述阻挡层包含聚合物时，所述阻挡层的厚度在约0.1μm至约30μm之间，并且其中当所述阻挡层包含氧化铝、二氧化硅或氮化硅时，所述阻挡层的厚度在约10nm至约200nm之间。
4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
在沉积所述阻挡层之前等离子体处理所述基板。
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
在所述阻挡层上沉积一个或多个层，
其中通过浸渍涂覆沉积所述一个或多个层，
其中所述基板包含第一聚合物，
其中所述阻挡层包含第二聚合物，所述第二聚合物不同于所述第一聚合物，并且
其中所述一个或多个层中的每一个层包含一种或多种第三聚合物，所述一种或多种第三聚合物不同于所述第一聚合物。
6.一种涂覆基板的方法，包括：
在所述基板上沉积阻挡层，所述基板包含低密度聚乙烯(LDPE)，其中使用原子层沉积在1atm下并且在低于所述LDPE的熔点的约25摄氏度至约5摄氏度之间的温度下沉积所述阻挡层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述阻挡层包含选自由氧化铝、二氧化硅、氮化硅和聚合物组成的群组的材料，并且其中所述基板是流体或液体容纳容器。
8.根据权利要求7所述的方法，其中当所述阻挡层包含氧化铝、二氧化硅或氮化硅时，所述阻挡层的厚度在约10nm至约200nm之间，并且其中当所述阻挡层包含聚合物时，所述阻挡层的厚度在约0.1μm至约30μm之间。
9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：
在沉积所述阻挡层之前等离子体处理所述基板。
10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：
在所述阻挡层上沉积一个或多个层，
其中通过浸渍涂覆沉积所述一个或多个层，
其中所述一个或多个层包含一种或多种聚合物，并且
其中所述一个或多个层中的每一个层包含与所述基板不同的材料。
11.一种涂覆基板的方法，包括：
在所述基板的第一表面上沉积阻挡层，其中使用原子层沉积在1atm下并且在低于所述基板的熔点的约25摄氏度至约5摄氏度之间的温度下沉积所述阻挡层，并且其中所述基板是流体或液体容纳容器，所述流体或液体与所述基板的与所述第一表面相对的第二表面接触。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述阻挡层包含选自由氧化铝、二氧化硅、氮化硅和聚合物组成的群组的材料，并且其中当所述阻挡层包含氧化铝、二氧化硅或氮化硅时，所述阻挡层的厚度在约10nm至约200nm之间。
13.根据权利要求11所述的方法，其中当所述阻挡层包含聚合物时，所述阻挡层的厚度在约0.1μm至约30μm之间。
14.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：
在沉积所述阻挡层之前等离子体处理所述基板。
15.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：
在所述阻挡层上沉积一个或多个层，
其中通过浸渍涂覆沉积所述一个或多个层，
其中所述基板包含第一聚合物，
其中所述阻挡层包含第二聚合物，所述第二聚合物不同于所述第一聚合物，并且
其中所述一个或多个层中的每一个层包含一种或多种第三聚合物，所述一种或多种第三聚合物不同于所述第一聚合物。
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