CN113296364A - 光刻控制方法、装置及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种光刻控制方法、装置及存储介质,属于微纳加工技术领域,该方法包括:获取光刻任务;对光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点;对每层光刻网点进行区域划分,得到区域内的光刻网点数据;按照每层每个区域内的光刻网点数据进行光刻,直至完成光刻任务;判断是否还有下一个光刻任务,若无,则结束;若有则再次执行光刻任务;可以解决拼接平台自身的定位精度误差无法消除,导致光刻后的目标出现周期暗纹、区域不均的现象的问题;由于不同层光刻网点所属的层区域存在交集,因此,对于需要拼接光刻的部分通过不同层的交集部分可以重新进行振镜扫描,实现拼接部分的过渡,减少平台自身定位精度带来的误差影响。
Description
技术领域
本申请涉及光刻控制方法、装置及存储介质,属于微纳加工技术领域。
背景技术
激光直写技术是一种无需光刻掩模板的光刻技术。采用强度可变的激光直接照射样品表面,在计算机的控制下有规律地移动样片或改变激光照射位置,在样片表面形成纳米构造;广泛应用于加工二维光学元件、微机电系统、高精度印制电路板、半导体掩模、导光板模仁等。
以激光直写技术应用于光刻导光板模仁为例,典型的实现方式为采用脉冲激光结合振镜在金属钢板上直接光刻微结构。
然而,由于振镜的视场大小有限,因此需要多次拼接光刻才能完成整个导光板面的模仁制作。而拼接平台存在自身的定位精度误差,如果该误差不能消除,那么光刻模仁会出现周期暗纹、导致区域不均的现象。
发明内容
本申请提供了一种光刻控制方法、装置及存储介质,可以解决拼接平台自身的定位精度误差无法消除,导致光刻后的目标出现周期暗纹、区域不均的现象的问题。本申请提供如下技术方案:
第一方面,提供了一种光刻控制方法,所述方法包括:
S1:获取光刻任务;
S2:对所述光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点;不同层光刻网点所属的层区域存在交集,且所述n层光刻网点的并集为所述所有光刻网点;所述n为大于1的整数;
S3:对每层光刻网点进行区域划分,得到区域内的光刻网点数据;
S4:按照每层中每个区域内的光刻网点数据进行光刻,直至完成所述光刻任务;
S5:判断是否还有下一个光刻任务,若无,则结束;如有则重复步骤S1-S5。
可选地,所述步骤S2包括:
从所述光刻任务中的所有光刻网点中确定需要抽取的光刻网点个数x,所述x为正整数;
采用随机抽取的方式,从所有光刻网点中抽取x个光刻网点放入第1层中,重复抽取n-1次,放入对应层中。
可选地,不同层光刻网点中光刻网点的数量相同或不同。
可选地,不同层光刻网点中光刻网点的位置不同。
可选地,所述步骤S3包括:
对于每个区域内的光刻网点数据,确定所述区域内的区域中心位置以及区域内部的各个网点位置。
可选地,所述步骤S4包括:
对于每个区域,将平台定位到所述区域的区域中心位置并读取所述区域内的各个网点位置;
控制激光与振镜按照所述各个网点位置进行点阵打标光刻。
可选地,所述步骤S1之前还包括:
读取校正文件,所述校正文件包括校正点阵数据;
控制激光与振镜按照所述校正点阵数据进行点阵打标光刻;
在光刻所述校正点阵之后,控制平台控制组件移动以使所述校正点阵中的各个网点依次位于相机镜头的中心坐标位置,得到各个网点对应的光刻平台的实际平台位置;
基于所述光刻平台的实际平台位置确定所述校正点阵的实际光刻位置;
使用校正算法基于所述实际光刻位置和所述校正点阵数据中的理论光刻位置进行振镜的畸变校正。
第二方面,提供了一种光刻控制装置,所述装置包括:
任务管理模块,用于载入或删除光刻任务;
层级划分模块,用于对所述光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点;不同层光刻网点所属的层区域存在交集,且所述n层光刻网点的并集为所述所有光刻网点;所述n为大于1的整数;
区域划分模块,用于对每层光刻网点进行区域划分,得到区域光刻网点;
网点光刻模块,用于按照每层中每个区域内的光刻网点数据进行光刻,直至完成所述光刻任务。
可选地,所述层级划分模块,用于:
从所述光刻任务中的所有光刻网点中确定需要抽取的光刻网点个数x,所述x为正整数;
采用随机抽取的方式,从所有光刻网点中抽取x个光刻网点放入第1层中,重复抽取n-1次,放入对应层中。
可选地,所述区域划分模块,用于:
对于每个区域内的光刻网点数据,确定所述区域内的区域中心位置以及区域内部的各个网点位置;
可选地,所述装置还包括:
运动控制模块,用于对于每个区域,将平台定位到所述区域的区域中心位置并读取所述区域内的各个网点位置;
振镜控制模块,用于控制激光与振镜按照所述各个网点位置进行点阵打标光刻。
可选地,所述装置还包括:
校正模块,用于在光刻任务之前,读取校正文件,预刻校正点阵,测出校正点阵的实际光刻位置,使用校正算法基于所述实际光刻位置和所述校正点阵数据中的理论光刻位置进行振镜的畸变校正。
第三方面,提供一种光刻控制装置,所述装置包括处理器和存储器;所述存储器中存储有程序,所述程序由所述处理器加载并执行以实现第一方面所述的光刻控制方法。
第四方面,提供一种计算机可读存储介质,所述存储介质中存储有程序,所述程序由所述处理器加载并执行以实现第一方面所述的光刻控制方法。
本申请的有益效果在于:对光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点;对每层光刻网点进行区域划分,得到区域内的光刻网点数据;按照每层中每个区域内的光刻网点数据进行光刻,直至完成光刻任务;可以解决拼接平台自身的定位精度误差无法消除,导致光刻后的目标出现周期暗纹、区域不均的现象的问题;由于不同层光刻网点所属的层区域存在交集,因此,对于需要拼接光刻的部分通过不同层的交集部分可以重新进行振镜扫描,实现拼接部分的过渡,使得误差分散化,解决了周期性暗纹、区域不均的现象,提高了光刻的均匀性;减少平台自身定位精度带来的误差影响。
另外,通过校正模块预先对振镜的畸变进行校正,提高了光刻的精度。
另外,由于系统控制组件可以自动检测是否存在未执行的光刻任务,因此,不再需要人工逐个输入光刻任务触发系统控制组件执行光刻任务,提高光刻任务的执行效率,实现连续作业。
上述说明仅是本申请技术方案的概述,为了能够更清楚了解本申请的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本申请的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1是本申请一个实施例提供的光刻控制系统的结构示意图;
图2是本申请一个实施例提供的光刻控制方法的流程图;
图3是本申请一个实施例提供的网点分层的示意图;
图4是本申请一个实施例提供的网点分区域的示意图;
图5是本申请一个实施例提供的振镜校正的示意图;
图6是本申请另一个实施例提供的振镜校正的示意图;
图7是本申请一个实施例提供的光刻控制装置的框图;
图8是本申请一个实施例提供的光刻控制装置的框图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本申请的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本申请,但不用来限制本申请的范围。
图1是本申请一个实施例提供的激光直写系统的结构示意图,如图1所示,该系统至少包括:系统控制组件110、与系统控制组件110分别通信相连的图像采集组件120、光刻组件130和平台组件140。
平台组件140包括放置待光刻产品的光刻平台141和控制该光刻平台141运行的平台控制组件142。
图像采集组件120用于采集光刻平台141上放置的待光刻产品的图像数据。采集到的图像数据用于对光刻组件130发出的激光光束进行监测;对被光刻区域进行精确定位,并对光刻过程进行实时监控。
可选地,图像采集组件120包括图像采集卡(Image Capture Card)121和与图像采集卡121通信相连的相机122。
图像采集卡121用于将图像信号采集到终端中,以数据文件的形式保存在终端的存储介质上。
可选地,相机122为电荷耦合元件(Charge coupled Device,CCD)图像传感器,该相机支持将光学影像转化为数字信号。
系统控制组件110通过与图像采集卡121通信相连,可以从图像采集卡121中获取到的相机122采集到的图像数据。
光刻组件130包括光路控制组件131、与光路控制组件131分别通信相连的激光发射组件132和扫描振镜组件134、位于激光发射组件132的出光端的扩束镜133、和位于扫描振镜组件134的出光端的聚焦透镜135。其中,扫描振镜组件134位于扩束镜133的出光端。
可选地,相机122的成像光路与激光刻蚀的初始光路平行(图1所示)或者同轴(图中未示出)。
其中,扩束镜133用于降低激光光束的扩散角,扩束镜133可以实现为倒装望远镜。
可选地,扫描振镜组件134为二维扫描振镜,即包括两个相互正交的扫描振镜。振镜134是一种特殊的摆动电机。振镜134的原理是:输入一个位置信号,摆动电机(振镜)就会按一定电压与角度的转换比例摆动一定角度。由于二维振镜扫描系统存在几何畸变,并且该畸变与扫描角度呈正相关关系,因此,为了避免降低光刻精度,需要预先对该畸变进行校正。
聚焦透镜135用于保证在振镜扫描时不同入射角度所形成的焦斑大小和光束质量尽量一致。
可选地,系统控制组件110可以实现为计算机、平板电脑、手机或者服务器等具有控制能力的电子设备。系统控制组件110用于通过光路控制组件131实现对扫描振镜组件134和激光发射组件132的控制,比如:控制振镜的扫描速度、光束偏转角度等;通过平台控制组件142实现对光刻平台142的旋转和平移进行控制。
可选地,本申请中,系统控制组件110用于:获取光刻任务;对光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点;对每层光刻网点进行区域划分,得到区域内的光刻网点数据;按照每层中每个区域内的光刻网点数据进行光刻,直至完成光刻任务;判断是否还有下一个光刻任务,若无,则结束;如有则再次执行获取光刻任务的步骤。
可选地,n层光刻网点的并集为光刻任务指示的光刻网点;n为大于1的整数。
可选地,光刻后的产品可以是用于生产导光板的光刻后的模仁,当然,也可以是其它产品,本实施例在此不再一一列举。
系统控制组件110在控制光刻组件130按照每个区域光刻网点进行光刻时,由于不同层光刻网点所属的层区域存在交集,因此,对于需要拼接光刻的部分通过不同层的交集部分可以重新进行振镜扫描,实现拼接部分的过渡,使得误差分散化,解决了周期性暗纹、区域不均的现象,提高了光刻的均匀性;减少拼接平台存在自身的定位精度误差。
图2是本申请一个实施例提供的光刻控制方法的流程图,本实施例以该方法应用于图1所示的激光直写系统中,且各个步骤的执行主体为系统控制组件110为例进行说明。该方法至少包括以下几个步骤:
步骤S1,获取光刻任务。
光刻任务预存在系统控制组件中。
可选地,光刻任务包括待光刻的光刻网点,该光刻网点以图像形式保存在系统控制组件中;当然,也可以以数组表示的位置信息的形式保存在系统控制组件中。光刻任务还包括但不限于以下内容中的至少一种:激光发射组件的工作参数和振镜的工作参数等。其中,激光发射组件的工作参数包括但不限于:工作电流、重复频率和脉冲宽度等;振镜的工作参数包括但不限于:扫描速度和点阵脉冲数等。
步骤S2,对光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点。
可选地,不同层光刻网点所属的层区域存在交集,且n层光刻网点的并集为光刻任务指示的所有光刻网点。
其中,n为大于1的整数。
在一个示例中,从光刻任务指示的光刻网点中确定x个光刻网点;将包括x个光刻网点的区域确定为x个光刻网点对应的第m层光刻网点,直至光刻任务指示的光刻网点全部划分至对应的层时停止。换句话说:从光刻任务中的所有光刻网点中确定需要抽取的光刻网点个数x,x为正整数;采用随机抽取的方式,从所有光刻网点中抽取x个光刻网点放入第1层中,重复抽取n-1次,放入对应层中。
其中,x为正整数;1≤m≤n。
可选地,不同层光刻网点中光刻网点的数量相同。当然,不同层光刻网点中光刻网点的数量也可以不同。
可选地,不同层光刻网点中光刻网点的位置不同。
可选地,至少两层的层区域重合。
可选地,各层层区域的形状可以为矩形、圆形等规则图形或者为不规则图形,本实施例不对层区域的形状作限定。
参考图3所示的对光刻任务指示的光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点的过程示意图,图3以n=3,不同层光刻网点中光刻网点的数量相同、各层的层区域重合且均为矩形为例进行说明。对于光刻任务指示的9个光刻网点31,将该9个光刻网点随机划分为3份,每份3个点,将光刻网点1、8、9所属的层区域确定为第一层层区域32,光刻网点1、8、9为第一层光刻网点;将光刻网点2、5、7所属的层区域确定为第二层层区域33,光刻网点2、5、7为第二层光刻网点;将光刻网点3、4、6所属的层区域确定为第三层层区域34,光刻网点3、4、6为第三层光刻网点。第一层光刻网点、第二层光刻网点和第三层光刻网点的并集为光刻任务指示的光刻网点31。
步骤S3,对每层光刻网点进行区域划分,得到区域内的光刻网点数据。
可选地,系统控制组件对每层光刻网点进行区域划分时,随机对每层光刻网点进行区域划分;或者,使用固定尺寸和形状的划分窗口对每层光刻网点进行区域划分。对于每个区域内的光刻网点数据,确定该区域光刻网点的区域中心位置以及区域内部的各个网点位置。
各个区域光刻网点所属区域的形状可以是多边形、圆形等规则形状或者也可以是不规则形状。
参考图4所示的对每层光刻网点进行区域划分的过程,基于图3所得的3层层区域,系统控制组件随机将每层层区域进行划分,得到区域光刻网点41、42和43。
步骤S4,按照每层中每个区域内的光刻网点数据进行光刻,直至完成光刻任务。
可选地,对于每个区域,将平台定位到区域的区域中心位置并读取区域内的各个网点位置;控制激光与振镜按照各个网点位置进行点阵打标光刻。
具体地,系统控制组件读取区域内的光刻网点数据,得到区域光刻网点的区域中心位置;由平台控制组件将光刻平台定位到该区域中心位置;将数据文件中点阵数据发送至光路控制组件,光路控制组件根据点阵数据控制激光发射组件与扫描振镜组件实现点阵打标光刻。完成当前区域光刻网点的光刻之后,继续读取下一区域光刻网点的数据文件,再次执行由平台控制组件将光刻平台定位到该区块中心位置的步骤,直至所有区域光刻网点的光刻完成时停止。
其中,光刻后的目标可以是光刻后的模仁,该模仁用于生产导光板;当然,也可以是其它目标,本实施例不对光刻后的目标的类型作限定。
可选地,在步骤S1之前,对光刻组件中振镜的畸变进行校正。系统控制组件读取校正文件,该校正文件包括校正点阵数据;控制激光与振镜按照校正点阵数据进行点阵打标光刻;在光刻校正点阵之后,控制平台控制组件移动以使各个校正点阵中的各个网点依次位于相机镜头的中心坐标位置,得到各个网点对应的光刻平台的实际平台位置;基于光刻平台的实际平台位置确定校正点阵的实际光刻位置;使用校正算法基于该实际光刻位置和校正点阵数据中的理论光刻位置进行振镜的畸变校正。
其中,校正算法包括但不限于:二次曲线拟合算法、基于平面坐标变换的几何校正算法、角度补偿校正方法等,本实施例不对校正振镜的畸变的方式作限定。
以使用二次曲线拟合算法对光刻组件中振镜的畸变进行校正为例,参考图5所示的算法原理图,其中,虚线表示实际光刻位置,用二次曲线来拟合它偏离原定直线的畸变量,即偏离图5中点划线的畸变量;然后,将此畸变量与扫描得到的畸变图形相加就是校正后的图形(实现表示),即理论光刻位置。
参考图6所示的对光刻组件中振镜的畸变进行校正的示意图,校正文件包括的校正点阵数据为3×3点阵,使用激光直写系统进行光刻后,得到的实际光刻图形为61。光刻之后,控制光刻平台移动以带动光刻图形移动,使光刻图形中每个网点位于相机镜头的中心坐标位置,得到此时对应的实际平台位置(x和y轴坐标),通过各个网点对应的实际平台位置可以间接反映出光刻图形61。系统控制组件基于实际平台位置确定实际光刻位置(即光刻图形61);然后使用校正算法基于实际光刻位置和理论光刻位置62对振镜的畸变进行校正。
步骤S5,判断是否还有下一个光刻任务,若无,则结束;如有则重复步骤S1-S5。
由于系统控制组件可以自动检测是否存在未执行的光刻任务,因此,不再需要人工逐个输入光刻任务触发系统控制组件执行光刻任务,可以提高光刻任务的执行效率。
综上所述,本实施例提供的光刻控制方法,通过获取光刻任务;对光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点;对每层光刻网点进行区域划分,得到区域内的光刻网点数据;按照每层中每个区域内的光刻网点数据进行光刻,直至完成光刻任务;可以解决拼接平台自身的定位精度误差无法消除,导致光刻后的目标出现周期暗纹、区域不均的现象的问题;由于不同层光刻网点所属的层区域存在交集,因此,对于需要拼接光刻的部分通过不同层的交集部分可以重新进行振镜扫描,实现拼接部分的过渡,使得误差分散化,解决了周期性暗纹、区域不均的现象,提高了光刻的均匀性;减少平台自身定位精度带来的误差影响。
另外,由于系统控制组件可以自动检测是否存在未执行的光刻任务,因此,不再需要人工逐个输入光刻任务触发系统控制组件执行光刻任务,提高光刻任务的执行效率。
另外,通过校正模块预先对振镜的畸变进行校正,提高了光刻的精度。
图7是本申请一个实施例提供的光刻控制装置的框图,本实施例以该装置应用于图1所示的光刻控制系统中的管理服务器120为例进行说明。该装置至少包括以下几个模块:任务管理模块710、层级划分模块720、区域划分模块730、网点光刻模块740。
任务管理模块710,用于载入或删除光刻任务;
层级划分模块720,用于对所述光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点;所述n为大于1的整数;
区域划分模块730,用于对每层光刻网点进行区域划分,得到区域光刻网点;
网点光刻模块740,用于按照每层中每个区域内的光刻网点数据进行光刻,直至完成所述光刻任务。
可选地,所述层级划分模块720,用于:
从所述光刻任务中的所有光刻网点中确定需要抽取的光刻网点个数x,所述x为正整数;
采用随机抽取的方式,从所有光刻网点中抽取x个光刻网点放入第1层中,重复抽取n-1次,放入对应层中。
可选地,所述区域划分模块730,用于:
对于每个区域内的光刻网点数据,确定所述区域内的区域中心位置以及区域内部的各个网点位置;
可选地,所述装置还包括:运动控制模块760和振镜控制模块770。
运动控制模块760,用于对于每个区域,将平台定位到所述区域的区域中心位置并读取所述区域内的各个网点位置;
振镜控制模块770,用于控制激光与振镜按照所述各个网点位置进行点阵打标光刻。
可选地,所述装置还包括:校正模块750。
校正模块750,用于在光刻任务之前,读取校正文件,预刻校正点阵,测出校正点阵的实际光刻位置,使用校正算法基于所述实际光刻位置和所述校正点阵数据中的理论光刻位置进行振镜的畸变校正。
相关细节参考上述方法实施例。
需要说明的是:上述实施例中提供的光刻控制装置在进行光刻控制时,仅以上述各功能模块的划分进行举例说明,实际应用中,可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成,即将光刻控制装置的内部结构划分成不同的功能模块,以完成以上描述的全部或者部分功能。另外,上述实施例提供的光刻控制装置与光刻控制方法实施例属于同一构思,其具体实现过程详见方法实施例,这里不再赘述。
图8是本申请一个实施例提供的光刻控制装置的框图,该装置可以是包含图1所示的激光直写系统中的系统控制组件110的装置,比如:智能手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑或服务器。光刻控制装置还可能被称为用户设备、便携式终端、膝上型终端、台式终端、控制终端等,本实施例对此不作限定。该装置至少包括处理器601和存储器602。
处理器601可以包括一个或多个处理核心,比如:4核心处理器、8核心处理器等。处理器601可以采用DSP(Digital Signal Processing,数字信号处理)、FPGA(Field-Programmable Gate Array,现场可编程门阵列)、PLA(Programmable Logic Array,可编程逻辑阵列)中的至少一种硬件形式来实现。处理器601也可以包括主处理器和协处理器,主处理器是用于对在唤醒状态下的数据进行处理的处理器,也称CPU(Central ProcessingUnit,中央处理器);协处理器是用于对在待机状态下的数据进行处理的低功耗处理器。
存储器602可以包括一个或多个计算机可读存储介质,该计算机可读存储介质可以是非暂态的。存储器602还可包括高速随机存取存储器,以及非易失性存储器,比如一个或多个磁盘存储设备、闪存存储设备。在一些实施例中,存储器602中的非暂态的计算机可读存储介质用于存储至少一个指令,该至少一个指令用于被处理器601所执行以实现本申请中方法实施例提供的光刻控制方法。
在一些实施例中,光刻控制装置还可选包括有:外围设备接口和至少一个外围设备。处理器601、存储器602和外围设备接口之间可以通过总线或信号线相连。各个外围设备可以通过总线、信号线或电路板与外围设备接口相连。示意性地,外围设备包括但不限于:射频电路、触摸显示屏、音频电路、和电源等。
当然,光刻控制装置还可以包括更少或更多的组件,本实施例对此不作限定。
可选地,本申请还提供有一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质中存储有程序,所述程序由处理器加载并执行以实现上述方法实施例的光刻控制方法。
可选地,本申请还提供有一种计算机产品,该计算机产品包括计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质中存储有程序,所述程序由处理器加载并执行以实现上述方法实施例的光刻控制方法。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (14)
1.一种光刻控制方法,其特征在于,所述方法包括:
S1:获取光刻任务;
S2:对所述光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点;不同层光刻网点所属的层区域存在交集,且所述n层光刻网点的并集为所述所有光刻网点;所述n为大于1的整数;
S3:对每层光刻网点进行区域划分,得到区域内的光刻网点数据;
S4:按照每层中每个区域内的光刻网点数据进行光刻,直至完成所述光刻任务;
S5:判断是否还有下一个光刻任务,若无,则结束;如有则重复步骤S1-S5。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S2包括:
从所述光刻任务中的所有光刻网点中确定需要抽取的光刻网点个数x,所述x为正整数;
采用随机抽取的方式,从所有光刻网点中抽取x个光刻网点放入第1层中,重复抽取n-1次,放入对应层中。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,不同层光刻网点中光刻网点的数量相同,或者数量不同。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,不同层光刻网点中光刻网点的位置不同。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S3,还包括:
对于每个区域内的光刻网点数据,确定所述区域内的区域中心位置以及区域内部的各个网点位置;
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述步骤S4还包括:
对于每个区域,将平台定位到所述区域的区域中心位置并读取所述区域内的各个网点位置;
控制激光与振镜按照所述各个网点位置进行点阵打标光刻。
7.根据权利要求1至6任一所述的方法,其特征在于,所述步骤S1之前还包括:
读取校正文件,所述校正文件包括校正点阵数据;
控制激光与振镜按照所述校正点阵数据进行点阵打标光刻;
在光刻所述校正点阵之后,控制平台控制组件移动以使所述校正点阵中的各个网点依次位于相机镜头的中心坐标位置,得到各个网点对应的光刻平台的实际平台位置;
基于所述光刻平台的实际平台位置确定所述校正点阵的实际光刻位置;
使用校正算法基于所述实际光刻位置和所述校正点阵数据中的理论光刻位置进行振镜的畸变校正。
8.一种光刻控制装置,其特征在于,所述装置包括:
任务管理模块,用于载入或删除光刻任务;
层级划分模块,用于对所述光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点;不同层光刻网点所属的层区域存在交集,且所述n层光刻网点的并集为所述所有光刻网点;所述n为大于1的整数;
区域划分模块,用于对每层光刻网点进行区域划分,得到区域光刻网点;
网点光刻模块,用于按照每层中每个区域内的光刻网点数据进行光刻,直至完成所述光刻任务。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述层级划分模块,用于:
从所述光刻任务中的所有光刻网点中确定需要抽取的光刻网点个数x,所述x为正整数;
采用随机抽取的方式,从所有光刻网点中抽取x个光刻网点放入第1层中,重复抽取n-1次,放入对应层中。
10.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述区域划分模块,用于:
对于每个区域内的光刻网点数据,确定所述区域内的区域中心位置以及区域内部的各个网点位置;
11.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:
运动控制模块,用于对于每个区域,将平台定位到所述区域的区域中心位置并读取所述区域内的各个网点位置;
振镜控制模块,用于控制激光与振镜按照所述各个网点位置进行点阵打标光刻。
12.根据权利要求8至11任一所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:
校正模块,用于在光刻任务之前,读取校正文件,预刻校正点阵,测出校正点阵的实际光刻位置,使用校正算法基于所述实际光刻位置和所述校正点阵数据中的理论光刻位置进行振镜的畸变校正。
13.一种光刻控制装置,其特征在于,所述装置包括处理器和存储器;所述存储器中存储有程序,所述程序由所述处理器加载并执行以实现如权利要求1至7任一项所述的光刻控制方法。
14.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述存储介质中存储有程序,所述程序被处理器执行时用于实现如权利要求1至7任一项所述的光刻控制方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010113358.0A CN113296364B (zh) | 2020-02-24 | 2020-02-24 | 光刻控制方法、装置及存储介质 |
PCT/CN2020/124353 WO2021169349A1 (zh) | 2020-02-24 | 2020-10-28 | 光刻控制方法、装置及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010113358.0A CN113296364B (zh) | 2020-02-24 | 2020-02-24 | 光刻控制方法、装置及存储介质 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113296364A true CN113296364A (zh) | 2021-08-24 |
CN113296364B CN113296364B (zh) | 2022-07-26 |
Family
ID=77317739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010113358.0A Active CN113296364B (zh) | 2020-02-24 | 2020-02-24 | 光刻控制方法、装置及存储介质 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113296364B (zh) |
WO (1) | WO2021169349A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2020
- 2020-02-24 CN CN202010113358.0A patent/CN113296364B/zh active Active
- 2020-10-28 WO PCT/CN2020/124353 patent/WO2021169349A1/zh active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021169349A1 (zh) | 2021-09-02 |
CN113296364B (zh) | 2022-07-26 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |