CN113295546A - 一种fpc微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备 - Google Patents
一种fpc微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113295546A CN113295546A CN202110503284.6A CN202110503284A CN113295546A CN 113295546 A CN113295546 A CN 113295546A CN 202110503284 A CN202110503284 A CN 202110503284A CN 113295546 A CN113295546 A CN 113295546A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fpc
- microcircuit
- temperature
- damaged
- bending radius
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005452 bending Methods 0.000 title claims abstract description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000012795 verification Methods 0.000 title claims description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 46
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 34
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 25
- 238000001931 thermography Methods 0.000 claims description 9
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 8
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 7
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 4
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 claims description 3
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N3/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N3/20—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress by applying steady bending forces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
- G01N25/72—Investigating presence of flaws
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N3/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N3/02—Details
- G01N3/06—Special adaptations of indicating or recording means
- G01N3/066—Special adaptations of indicating or recording means with electrical indicating or recording means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N3/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N3/02—Details
- G01N3/06—Special adaptations of indicating or recording means
- G01N3/068—Special adaptations of indicating or recording means with optical indicating or recording means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2203/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N2203/0001—Type of application of the stress
- G01N2203/0003—Steady
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2203/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N2203/0014—Type of force applied
- G01N2203/0023—Bending
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2203/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N2203/0058—Kind of property studied
- G01N2203/006—Crack, flaws, fracture or rupture
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2203/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N2203/02—Details not specific for a particular testing method
- G01N2203/06—Indicating or recording means; Sensing means
- G01N2203/0617—Electrical or magnetic indicating, recording or sensing means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2203/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N2203/02—Details not specific for a particular testing method
- G01N2203/06—Indicating or recording means; Sensing means
- G01N2203/0641—Indicating or recording means; Sensing means using optical, X-ray, ultraviolet, infrared or similar detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2203/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N2203/02—Details not specific for a particular testing method
- G01N2203/06—Indicating or recording means; Sensing means
- G01N2203/067—Parameter measured for estimating the property
- G01N2203/0694—Temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
本发明公开了一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备。该方法包括当检测到FPC微电路在弯曲状态下通电时，采集FPC微电路的局部红外图像；基于局部红外图像，计算FPC微电路在各弯曲半径下的测量位置的温度参数；比对相同弯曲半径处的各温度参数，将温度变化异常的温度参数对应的测量位置确定为受损位置。本发明实现了在模拟FPC微电路实际使用中弯曲的情形下，通过对弯曲的FPC微电路通以工作电流，来捕获不同弯曲半径位置的发热差异图像，进而实现对微电路的受损程度和受损位置的准确检定。
Description
技术领域
本申请涉及FPC微电路测试技术领域，具体而言，涉及一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备。
背景技术
电子行业FPC微电路应用极为广泛，对FPC微电路的检测要求也越来越高。FPC微电路设计时必须确定使用过程中弯曲部位微电路的性能变化，以此来对FPC微电路设计进行改良，因而制出FPC微电路样本后需进行弯曲引致微电路性能弯化的检定。而在对FPC微电路性能弯化检定中，由于微电路弯曲后容易受损，因此对FPC微电路弯曲受损程度的检测是其中重要的一环。单一通电阻值法，只能检定参数变化量，无法确定发生变化的位置，且由于弯曲时同一位置的电阻即使没有受损也会发生变化，故这种方式很难对受损程度进行判断。而肉眼或基于通用显微镜的方式要检视FPC微电路内部的变化亦难以胜任，且通过这种方式来检测微电路的受损花费的时间较长，效率低下。
发明内容
为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备。
第一方面，本申请实施例提供了一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法，所述方法包括：
当检测到FPC微电路在弯曲状态下通电时，在当前弯曲半径下，采集至少一张所述FPC微电路的局部红外图像；
基于所述局部红外图像，计算所述FPC微电路在所述当前弯曲半径下的温度参数；
基于所述温度参数，判断所述当前弯曲半径下所述FPC微电路的受损程度。
优选的，所述在当前弯曲半径下，采集至少一张所述FPC微电路的局部红外图像，包括：
在当前弯曲半径下，采集所述FPC微电路在不同位置的局部红外图像；
所述基于所述温度参数，判断所述当前弯曲半径下所述FPC微电路的受损程度，包括：
比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置；
确定每个所述受损位置的受损程度。
优选的，所述将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置之后，还包括：
根据各所述局部红外图像构建三维坐标系，计算所述受损位置在所述三维坐标系中的三维坐标；
基于所述三维坐标对所述局部红外图像进行受损位置标记，生成并得到受损标记图像。
优选的，所述生成并得到受损标记图像之后，还包括：
获取所述受损位置的弯曲半径数值以及所述温度参数，基于所述弯曲半径数值、温度参数、受损标记图像生成打包文件；
得到所有所述打包文件后，将各所述打包文件发送至预设终端。
优选的，所述比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置，包括：
获取各弯曲半径处的弯曲角度，基于电阻与弯曲角度的对应变化关系计算各所述弯曲半径处的理论电阻变化以及所述理论电阻变化对应的理论温度变化；
在相同弯曲半径下，计算各所述温度参数与所述理论温度变化的第一差值，将超过第一阈值的所述第一差值对应的温度参数确认为温度变化异常；
将温度变化异常的所述温度参数对应的测量位置确定为受损位置。
优选的，所述比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置，包括：
获取相同弯曲半径处的所有所述温度参数，筛选出至少与一个其他温度参数的第二差值小于第二阈值的所述温度参数；
将筛选出的各所述温度参数取平均值，得到平均温度变化；
分别计算各所述温度参数与所述平均温度变化的第三差值，将超过第三阈值的所述第三差值对应的温度参数确认为温度变化异常；
将温度变化异常的所述温度参数对应的测量位置确定为受损位置。
优选的，所述确定每个所述受损位置的受损程度，包括：
根据预设的多个温度差异阈值对所述FPC微电路的受损程度进行分级；
计算所述受损位置的温度参数所对应的级别，确定所述受损位置的受损程度。
第二方面，本申请实施例提供了一种FPC微电路弯曲受损程度检定装置，所述装置包括：
基架、安装在所述基架上的传感器升降结构、安装在所述基架上的纵横平移台、安装在所述纵横平移台上的治具角度调节载台、设置在所述治具角度调节载台上的可旋转曲面治具以及安装在所述传感器升降结构上的红外线热成像传感器；
所述可旋转曲面治具用以通过外接真空源将FPC微电路吸附于治具曲面上，使所述FPC微电路弯曲；
所述红外线热成像传感器用以捕获所述可旋转曲面治具的治具曲面上任一区域的局部红外图像。
第三方面，本发明实施例提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第一方面或第一方面的任意一种可能的实现方式提供的方法的步骤。
第四方面，本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如第一方面或第一方面的任意一种可能的实现方式提供的方法。
本发明的有益效果为：在模拟FPC微电路实际使用中弯曲的情形下，通过对弯曲的FPC微电路通以工作电流，来捕获不同弯曲半径下测量位置的发热差异图像，进而实现对微电路的受损程度和受损位置的准确检定。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法的流程示意图；
图2为本申请实施例提供的一种FPC微电路弯曲受损程度检定装置的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
在下述介绍中，术语“第一”、“第二”仅为用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。下述介绍提供了本发明的多个实施例，不同实施例之间可以替换或者合并组合，因此本发明也可认为包含所记载的相同和/或不同实施例的所有可能组合。因而，如果一个实施例包含特征A、B、C，另一个实施例包含特征B、D，那么本发明也应视为包括含有A、B、C、D的一个或多个所有其他可能的组合的实施例，尽管该实施例可能并未在以下内容中有明确的文字记载。
下面的描述提供了示例，并且不对权利要求书中阐述的范围、适用性或示例进行限制。可以在不脱离本发明内容的范围的情况下，对描述的元素的功能和布置做出改变。各个示例可以适当省略、替代或添加各种过程或组件。例如所描述的方法可以以所描述的顺序不同的顺序来执行，并且可以添加、省略或组合各种步骤。此外，可以将关于一些示例描述的特征组合到其他示例中。
参见图1，图1为本申请实施例提供的一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法的流程示意图。在本申请实施例中，所述方法包括：
S101、当检测到FPC微电路在弯曲状态下通电时，在当前弯曲半径下，采集至少一张所述FPC微电路的局部红外图像。
所述FPC微电路在本申请实施例中可以理解为具有高密度等效电路元件和（或）部件，并可作为独立件的柔性微电子器件。
所述局部红外图像在本申请实施例中可以理解为红外线热成像传感器从某一角度所捕获的FPC微电路在通电状态下的部分红外图像。
在本申请实施例中，检测到FPC微电路在弯曲状态下并且FPC微电路上通过有工作电流时，即认为开始对FPC微电路进行受损程度检定，故首先将采集FPC微电路的局部红外图像。由于红外线热成像传感器一般为显微相机，其每次取像的范围较小，故红外线热成像传感器可能无法通过一次取像来得到整个FPC微电路的红外发热图像，因此将采集多张局部图像来确保得到FPC微电路所有部分的红外发热图像。
S102、基于所述局部红外图像，计算所述FPC微电路在所述当前弯曲半径下的温度参数。
所述温度参数在本申请实施例中可以理解为在通电和弯曲的作用下发热所产生的温度变化数值。
在本申请实施例中，根据获取的局部红外图像，能够直接计算出FPC微电路的各弯曲半径的温度参数，一个弯曲半径可以只取一个位置进行温度参数检测作为代表。
S103、基于所述温度参数，判断所述当前弯曲半径下所述FPC微电路的受损程度。
在本申请实施例中，计算出微电路在当前弯曲半径下的温度参数后，便能够根据温度参数所表征的FPC微电路板温度变化来对其受损程度进行判断，以此实现检测不同半径受损程度的目的。
在一种可实施方式中，所述在当前弯曲半径下，采集至少一张所述FPC微电路的局部红外图像，包括：
在当前弯曲半径下，采集所述FPC微电路在不同位置的局部红外图像；
所述基于所述温度参数，判断所述当前弯曲半径下所述FPC微电路的受损程度，包括：
比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置；
确定每个所述受损位置的受损程度。
所述测量位置在本申请实施例中可以理解为对所述FPC微电路进行受损检测的位置。
在本申请实施例中，由于FPC微电路在单位时间内只可能沿一个平面方向上弯曲，例如，竖直放立的FPC微电路板在受到水平方向的力而弯曲时，任意竖直方向上的各位置的弯曲半径是相同的。故根据采集到的局部红外图像，便能够计算出各弯曲半径下的不同测量位置的温度参数，以此来比对判断是否有位置受损以及在该半径下受损的具体位置。而相同弯曲半径处的各测量位置的温度变化应该趋于相同，而电路板若出现损伤，则会出现经过该处的电流变大而热量变高的情况。故通过比对各温度参数，可以确定出温度变化异常的温度参数，进而将其对应的测量位置确定为受损位置。
在一种可实施方式中，所述将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置之后，还包括：
根据各所述局部红外图像构建三维坐标系，计算所述受损位置在所述三维坐标系中的三维坐标；
基于所述三维坐标对所述局部红外图像进行受损位置标记，生成并得到受损标记图像。
在本申请实施例中，确定了受损位置后，为了便于工作人员清晰直接的了解到其在FPC微电路的具体位置，可以基于采集到的局部红外图像来构建三维坐标系，在三维坐标系中来计算出该受损位置的三维坐标。得到三维坐标后，将根据该三维坐标来对局部红外图像本身进行受损位置的标记，并以此生成得到便于工作人员查看的受损标记图像。此外，由于是根据各个局部红外图像构建的三维坐标系，基于该三维坐标系还能得构建出FPC微电路的红外三维模型，以便观察。
在一种可实施方式中，所述生成并得到受损标记图像之后，还包括：：
获取所述受损位置的弯曲半径数值以及所述温度参数，基于所述弯曲半径数值、温度参数、受损标记图像生成打包文件；
得到所有所述打包文件后，将各所述打包文件发送至预设终端。
在本申请实施例中，得到受损标记图像之后，将获取此处受损位置的具体弯曲半径数值以及该位置的温度参数，将上述二者与受损标记图像一同生成打包文件并将其发送至工作人员所对应的预设终端，便于工作人员能够同时了解到FPC微电路在何种弯曲半径数值下在何处出现受损，以及受损时异常的温度参数，利于工作人员对FPC微电路进行设计改良。
在一种可实施方式中，所述比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置，包括：
获取各弯曲半径处的弯曲角度，基于电阻与弯曲角度的对应变化关系计算各所述弯曲半径处的理论电阻变化以及所述理论电阻变化对应的理论温度变化；
在相同弯曲半径下，计算各所述温度参数与所述理论温度变化的第一差值，将超过第一阈值的所述第一差值对应的温度参数确认为温度变化异常；
将温度变化异常的所述温度参数对应的测量位置确定为受损位置。
在本申请实施例中，温度参数的一种比对方式可以是，通过电阻与弯曲角度的对应变化关系计算得到，即在不同的弯曲角度下，电阻的阻值会相应产生变化，进而使得该处发热而产生温度变化，若该处出现受损，则该处的温度变化会与其余部分出现明显差异，以此来判断受损。
具体的，由于电阻与弯曲角度的对应变化关系为本领域技术人员已知的，基于该对应变化关系，可以计算出不同弯曲角度下FPC微电路的理论电阻变化，并以此进一步计算出该理论电阻变化对应的理论温度变化。在确定了各个弯曲角度下的理论温度变化后，将以其作为比对标准，计算相同弯曲半径下各温度参数与理论温度变化的第一差值，对于超过预设的第一阈值的第一差值，即认为其温度变化异常，并将其对应的测量位置确定为受损位置。
在一种可实施方式中，所述比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置，包括：
获取相同弯曲半径处的所有所述温度参数，筛选出至少与一个其他温度参数的第二差值小于第二阈值的所述温度参数；
将筛选出的各所述温度参数取平均值，得到平均温度变化；
分别计算各所述温度参数与所述平均温度变化的第三差值，将超过第三阈值的所述第三差值对应的温度参数确认为温度变化异常；
将温度变化异常的所述温度参数对应的测量位置确定为受损位置。
在本申请实施例中，温度参数的另一种比对方式可以是，通过各参数的取得的平均值为标准进行比对。由于FPC微电路较为精密，实际测量中，正常的温度变化可能与计算出的理论数值有较大偏差。为了防止误判，可以基于实际采集到的参数的平均值来作为判断是否温度变化异常的标准。
具体的，获取相同弯曲半径处的所有温度参数后，从其中筛选出至少与一个其他温度参数的第二差值小于第二阈值的温度参数，以此排除掉与其余参数均有明显较大差异的数值，避免其对计算出的平均温度变化的准确性造成影响。对筛选出的参数进行取平均值计算来得到平均温度变化后，再重新分别计算每个温度参数与平均温度变化的第三差值，再以第三阈值作为最终的判断标准来确定温度参数是否温度变化异常。
在一种可实施方式中，所述确定每个所述受损位置的受损程度，包括：
根据预设的多个温度差异阈值对所述FPC微电路的受损程度进行分级；
计算所述受损位置的温度参数所对应的级别，确定所述受损位置的受损程度。
在本申请实施例中，为了能够确定各受损位置的具体受损程度，由于受损越严重，该位置的发热程度会越严重，故可以根据预先设置的多个温度差异阈值来FPC微电路的受损程度进行分级，在确定了受损位置后，计算该受损位置对应的温度参数所属的温度差异阈值范围，即其对应的级别，进而以此确定其受损程度。
下面将结合附图2，对本发明实施例提供的FPC微电路弯曲受损程度检定装置进行详细介绍。需要说明的是，附图2所示的FPC微电路弯曲受损程度检定装置，用于执行本发明图1所示实施例的方法，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分，具体技术细节未揭示的，请参考本发明图1所示的实施例。
请参见图2，图2是本发明实施例提供的一种FPC微电路弯曲受损程度检定装置。如图2所示，所述装置包括：
基架1、安装在所述基架1上的传感器升降结构2、安装在所述基架1上的纵横平移台3、安装在所述纵横平移台3上的治具角度调节载台4、设置在所述治具角度调节载台4上的可旋转曲面治具5以及安装在所述传感器升降结构2上的红外线热成像传感器6；
所述可旋转曲面治具5用以通过外接真空源将FPC微电路吸附于治具曲面上，使所述FPC微电路弯曲；
所述红外线热成像传感器6用以捕获所述可旋转曲面治具6的治具曲面上任一区域的局部红外图像。
通过本装置，能够达到模拟实用中弯曲的情形。对弯曲的FPC微电路通以工作电流，将会在不同弯曲半径的位置呈现出电阻变化引致的发热差异，通过红外线热传感器捕获发热差异图像交由计算机进行算法处理就可检定微电路的受损程度。纵横平移台与治具角度设节载台搭配利于捕获曲面上任一区域的图像。
参见图3，其示出了本发明实施例所涉及的一种电子设备的结构示意图，该电子设备可以用于实施图1所示实施例中的方法。如图3所示，电子设备300可以包括：至少一个中央处理器301，至少一个网络接口304，用户接口303，存储器305，至少一个通信总线302。
其中，通信总线302用于实现这些组件之间的连接通信。
其中，用户接口303可以包括显示屏（Display）、摄像头（Camera），可选用户接口303还可以包括标准的有线接口、无线接口。
其中，网络接口304可选的可以包括标准的有线接口、无线接口（如WI-FI接口）。
其中，中央处理器301可以包括一个或者多个处理核心。中央处理器301利用各种接口和线路连接整个电子设备300内的各个部分，通过运行或执行存储在存储器305内的指令、程序、代码集或指令集，以及调用存储在存储器305内的数据，执行电子设备300的各种功能和处理数据。可选的，中央处理器301可以采用数字信号处理（Digital SignalProcessing，DSP）、现场可编程门阵列（Field-Programmable Gate Array，FPGA）、可编程逻辑阵列（Programmable Logic Array，PLA）中的至少一种硬件形式来实现。中央处理器301可集成中央中央处理器（Central Processing Unit，CPU）、图像中央处理器（GraphicsProcessing Unit，GPU）和调制解调器等中的一种或几种的组合。其中，CPU主要处理操作系统、用户界面和应用程序等；GPU用于负责显示屏所需要显示的内容的渲染和绘制；调制解调器用于处理无线通信。可以理解的是，上述调制解调器也可以不集成到中央处理器301中，单独通过一块芯片进行实现。
其中，存储器305可以包括随机存储器（Random Access Memory，RAM），也可以包括只读存储器（Read-Only Memory）。可选的，该存储器305包括非瞬时性计算机可读介质（non-transitory computer-readable storage medium）。存储器305可用于存储指令、程序、代码、代码集或指令集。存储器305可包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储用于实现操作系统的指令、用于至少一个功能的指令（比如触控功能、声音播放功能、图像播放功能等）、用于实现上述各个方法实施例的指令等；存储数据区可存储上面各个方法实施例中涉及到的数据等。存储器305可选的还可以是至少一个位于远离前述中央处理器301的存储装置。如图3所示，作为一种计算机存储介质的存储器305中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及程序指令。
在图3所示的电子设备300中，用户接口303主要用于为用户提供输入的接口，获取用户输入的数据；而中央处理器301可以用于调用存储器305中存储的FPC微电路弯曲受损程度检定应用程序，并具体执行以下操作：
当检测到FPC微电路在弯曲状态下通电时，在当前弯曲半径下，采集至少一张所述FPC微电路的局部红外图像；
基于所述局部红外图像，计算所述FPC微电路在所述当前弯曲半径下的温度参数；
基于所述温度参数，判断所述当前弯曲半径下所述FPC微电路的受损程度。
本发明还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现上述方法的步骤。其中，计算机可读存储介质可以包括但不限于任何类型的盘，包括软盘、光盘、DVD、CD-ROM、微型驱动器以及磁光盘、ROM、RAM、EPROM、EEPROM、DRAM、VRAM、闪速存储器设备、磁卡或光卡、纳米系统（包括分子存储器IC），或适合于存储指令和/或数据的任何类型的媒介或设备。
需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置，可通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些服务接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储器中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储器中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可为个人计算机、服务器或者网络设备等）执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储器包括：U盘、只读存储器（Read-Only Memory， ROM）、随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通进程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储器中，存储器可以包括：闪存盘、只读存储器（Read-Only Memory， ROM）、随机存取器（Random AccessMemory，RAM）、磁盘或光盘等。
以上所述者，仅为本公开的示例性实施例，不能以此限定本公开的范围。即但凡依本公开教导所作的等效变化与修饰，皆仍属本公开涵盖的范围内。本领域技术人员在考虑说明书及实践这里的公开后，将容易想到本公开的其实施方案。本发明旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未记载的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的范围和精神由权利要求限定。
Claims (10)
1.一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法，其特征在于，所述方法包括：
当检测到FPC微电路在弯曲状态下通电时，在当前弯曲半径下，采集至少一张所述FPC微电路的局部红外图像；
基于所述局部红外图像，计算所述FPC微电路在所述当前弯曲半径下的温度参数；
基于所述温度参数，判断所述当前弯曲半径下所述FPC微电路的受损程度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在当前弯曲半径下，采集至少一张所述FPC微电路的局部红外图像，包括：
在当前弯曲半径下，采集所述FPC微电路在不同位置的局部红外图像；
所述基于所述温度参数，判断所述当前弯曲半径下所述FPC微电路的受损程度，包括：
比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置；
确定每个所述受损位置的受损程度。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置之后，还包括：
根据各所述局部红外图像构建三维坐标系，计算所述受损位置在所述三维坐标系中的三维坐标；
基于所述三维坐标对所述局部红外图像进行受损位置标记，生成并得到受损标记图像。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述生成并得到受损标记图像之后，还包括：
获取所述受损位置的弯曲半径数值以及所述温度参数，基于所述弯曲半径数值、温度参数、受损标记图像生成打包文件；
得到所有所述打包文件后，将各所述打包文件发送至预设终端。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置，包括：
获取各弯曲半径处的弯曲角度，基于电阻与弯曲角度的对应变化关系计算各所述弯曲半径处的理论电阻变化以及所述理论电阻变化对应的理论温度变化；
在相同弯曲半径下，计算各所述温度参数与所述理论温度变化的第一差值，将超过第一阈值的所述第一差值对应的温度参数确认为温度变化异常；
将温度变化异常的所述温度参数对应的测量位置确定为受损位置。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置，包括：
获取相同弯曲半径处的所有所述温度参数，筛选出至少与一个其他温度参数的第二差值小于第二阈值的所述温度参数；
将筛选出的各所述温度参数取平均值，得到平均温度变化；
分别计算各所述温度参数与所述平均温度变化的第三差值，将超过第三阈值的所述第三差值对应的温度参数确认为温度变化异常；
将温度变化异常的所述温度参数对应的测量位置确定为受损位置。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定每个所述受损位置的受损程度，包括：
根据预设的多个温度差异阈值对所述FPC微电路的受损程度进行分级；
计算所述受损位置的温度参数所对应的级别，确定所述受损位置的受损程度。
8.一种FPC微电路弯曲受损程度检定装置，其特征在于，应用权利要求1-7所述的方法，所述装置包括：
基架、安装在所述基架上的传感器升降结构、安装在所述基架上的纵横平移台、安装在所述纵横平移台上的治具角度调节载台、设置在所述治具角度调节载台上的可旋转曲面治具以及安装在所述传感器升降结构上的红外线热成像传感器；
所述可旋转曲面治具用以通过外接真空源将FPC微电路吸附于治具曲面上，使所述FPC微电路弯曲；
所述红外线热成像传感器用以捕获所述可旋转曲面治具的治具曲面上任一区域的局部红外图像。
9.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-7任一项所述方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-7任一项所述方法的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110503284.6A CN113295546A (zh) | 2021-05-10 | 2021-05-10 | 一种fpc微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110503284.6A CN113295546A (zh) | 2021-05-10 | 2021-05-10 | 一种fpc微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113295546A true CN113295546A (zh) | 2021-08-24 |
Family
ID=77321122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110503284.6A Pending CN113295546A (zh) | 2021-05-10 | 2021-05-10 | 一种fpc微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113295546A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115684271A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-02-03 | 北京迈思发展科技有限责任公司 | 一种基于图像识别的成型钢筋合格性检测方法 |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080013594A1 (en) * | 2005-02-25 | 2008-01-17 | 3M Innovative Properties Company | Nondestructive Inspection Method For Inspecting Junction Of Flexible Printed Circuit Board |
| CN101806762A (zh) * | 2010-05-31 | 2010-08-18 | 哈尔滨工业大学 | 小温差条件下借助辅助热源识别热工缺陷的方法 |
| CN103018163A (zh) * | 2011-09-21 | 2013-04-03 | 技嘉科技股份有限公司 | 故障检测方法及故障检测装置 |
| CN103344647A (zh) * | 2013-07-05 | 2013-10-09 | 江苏大学 | 一种马铃薯的缺陷检测方法 |
| CN103399248A (zh) * | 2013-07-18 | 2013-11-20 | 江苏物联网研究发展中心 | Pcb电路板缺陷批量检测系统和方法 |
| CN104181454A (zh) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 深圳市海洋王照明工程有限公司 | 柔性电路板抗绕性能的测试方法 |
| CN205120035U (zh) * | 2015-11-14 | 2016-03-30 | 际华三五一五皮革皮鞋有限公司 | 一种三维度电阻式曲面传感器 |
| CN105741687A (zh) * | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 乐金显示有限公司 | 包括弯曲传感器的显示装置 |
| CN106596566A (zh) * | 2017-02-07 | 2017-04-26 | 贵阳学院 | 用红外图像检测及综合评估水果表面隐形损伤的方法 |
| CN106971670A (zh) * | 2015-11-04 | 2017-07-21 | 三星显示有限公司 | 柔性显示设备 |
| CN108538739A (zh) * | 2017-03-06 | 2018-09-14 | 兴城科技股份有限公司 | 薄膜晶体管面板缺陷的检测方法及检测设备 |
| CN208076406U (zh) * | 2018-04-28 | 2018-11-09 | 苏州锶创达智能科技有限公司 | 一种用于柔性印刷线路板视觉检测的视频机 |
| CN109932637A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-06-25 | 凯吉凯精密电子技术开发（苏州）有限公司 | 柔性电路板用笼式检测机构及其检测方法 |
| CN110727561A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-01-24 | Oppo广东移动通信有限公司 | 异常散热的检测方法、装置、终端及存储介质 |
| CN211979065U (zh) * | 2019-11-28 | 2020-11-20 | 无锡科技职业学院 | 一种电缆老化检测系统 |
-
2021
- 2021-05-10 CN CN202110503284.6A patent/CN113295546A/zh active Pending
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080013594A1 (en) * | 2005-02-25 | 2008-01-17 | 3M Innovative Properties Company | Nondestructive Inspection Method For Inspecting Junction Of Flexible Printed Circuit Board |
| CN101806762A (zh) * | 2010-05-31 | 2010-08-18 | 哈尔滨工业大学 | 小温差条件下借助辅助热源识别热工缺陷的方法 |
| CN103018163A (zh) * | 2011-09-21 | 2013-04-03 | 技嘉科技股份有限公司 | 故障检测方法及故障检测装置 |
| CN104181454A (zh) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 深圳市海洋王照明工程有限公司 | 柔性电路板抗绕性能的测试方法 |
| CN103344647A (zh) * | 2013-07-05 | 2013-10-09 | 江苏大学 | 一种马铃薯的缺陷检测方法 |
| CN103399248A (zh) * | 2013-07-18 | 2013-11-20 | 江苏物联网研究发展中心 | Pcb电路板缺陷批量检测系统和方法 |
| CN105741687A (zh) * | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 乐金显示有限公司 | 包括弯曲传感器的显示装置 |
| CN106971670A (zh) * | 2015-11-04 | 2017-07-21 | 三星显示有限公司 | 柔性显示设备 |
| CN205120035U (zh) * | 2015-11-14 | 2016-03-30 | 际华三五一五皮革皮鞋有限公司 | 一种三维度电阻式曲面传感器 |
| CN106596566A (zh) * | 2017-02-07 | 2017-04-26 | 贵阳学院 | 用红外图像检测及综合评估水果表面隐形损伤的方法 |
| CN108538739A (zh) * | 2017-03-06 | 2018-09-14 | 兴城科技股份有限公司 | 薄膜晶体管面板缺陷的检测方法及检测设备 |
| CN208076406U (zh) * | 2018-04-28 | 2018-11-09 | 苏州锶创达智能科技有限公司 | 一种用于柔性印刷线路板视觉检测的视频机 |
| CN109932637A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-06-25 | 凯吉凯精密电子技术开发（苏州）有限公司 | 柔性电路板用笼式检测机构及其检测方法 |
| CN110727561A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-01-24 | Oppo广东移动通信有限公司 | 异常散热的检测方法、装置、终端及存储介质 |
| CN211979065U (zh) * | 2019-11-28 | 2020-11-20 | 无锡科技职业学院 | 一种电缆老化检测系统 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 刘静 等, 上海科学技术出版社 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115684271A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-02-03 | 北京迈思发展科技有限责任公司 | 一种基于图像识别的成型钢筋合格性检测方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN115077425B (zh) | 一种基于结构光三维视觉的产品检测设备及方法 | |
| CN108955901B (zh) | 一种红外测温方法、系统及终端设备 | |
| CN112258507B (zh) | 互联网数据中心的目标对象检测方法、装置和电子设备 | |
| CN111027531A (zh) | 指针式仪表信息识别方法、装置及电子设备 | |
| US20150035541A1 (en) | Signal integrity test apparatus and method for testing signal integrity of electronic product | |
| KR101063565B1 (ko) | 실시간 영상처리를 이용한 진동측정 시스템 및 방법 | |
| JP2014196926A (ja) | 外装材の劣化判定方法および判定装置 | |
| CN117571721B (zh) | 一种电路板焊盘表面缺陷检测方法、装置及存储介质 | |
| CN111445467A (zh) | 亮灯缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质 | |
| CN113295546A (zh) | 一种fpc微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备 | |
| CN111311671A (zh) | 一种工件测量方法、装置、电子设备及存储介质 | |
| CN117471392B (zh) | 探针针尖的检测方法、系统、电子设备及存储介质 | |
| CN114332012A (zh) | 缺陷检测方法、装置、设备及计算机可读存储介质 | |
| CN112330583A (zh) | 产品缺陷检测方法、装置、设备和存储介质 | |
| US20200183632A1 (en) | Method, device, and system for obtaining sensor data, and computer readable storage medium | |
| CN111815552A (zh) | 一种工件检测方法、装置、可读存储介质及终端设备 | |
| CN104267203B (zh) | 一种样品的测试方法及装置 | |
| US11674978B2 (en) | Measurement system and method for operating a measurement system | |
| CN114549453A (zh) | 一种接触线拉出导高值检测方法和系统 | |
| CN111504608B (zh) | 辉度均匀检测系统及辉度均匀检测方法 | |
| CN111640096B (zh) | 电子产品外观的检测方法、装置及终端 | |
| CN111141954A (zh) | 电阻网络的测试文件生成方法、装置及电子设备 | |
| CN106979794B (zh) | 传感器测试方法及装置 | |
| CN115556109B (zh) | 一种测试系统中机械臂的定位方法和装置 | |
| JP2014196927A (ja) | 外装材の劣化判定方法および判定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210824 |