CN113278910B - 覆铜陶瓷的制造方法及其复合板 - Google Patents

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Abstract

本发明有关一种覆铜陶瓷的制造方法及其复合板,包括:a.铜箔单面热氧化步骤,将铜箔平贴于制程载板送入可控制含氧量的氧化热处理炉中,氧化热处理前半段在含氧量0ppm的高温环境中,致使铜箔因软化而贴紧制程载板,氧化热处理后半段在含氧量200ppm至500ppm的高温环境中,让铜箔的顶面因裸露在高温含氧的环境而形成均匀氧化铜薄层,铜箔的底面则因贴紧制程载板而不会接触到氧气,使得铜箔底面在高温环境中也不会热氧化;b.陶瓷覆铜步骤,使用两片步骤a所制备的铜箔,而将两片铜箔的氧化铜薄层平贴于一陶瓷板的两表面,并于1063℃至1083℃的温度下进行接合热处理,而将两片铜箔结合于陶瓷板的两表面。如此,具有陶瓷板可双面同时覆铜而予以复合。

Description

覆铜陶瓷的制造方法及其复合板
技术领域
本发明涉及一种覆铜陶瓷的制造方法及其复合板,尤指一种利用控制含氧量致使铜箔仅单一表面具有氧化铜薄层,再将仅单一表面具有氧化铜薄层的铜箔复合于陶瓷板的设计者。
背景技术
使用直接铜接合技术(Direct Bonded Copper,简称DBC)所制造的覆铜陶瓷基板,是将一块已有一层薄氧化铜的铜箔与陶瓷板密贴,并于1063℃至1083℃的温度下进行接合热处理,而将铜箔结合于陶瓷板表面。
再按,现有使铜箔表面形成氧化铜薄层的氧化热处理过程,除非经过繁杂的制程,否则并不容易仅使铜箔的单一表面氧化,使得一般氧化热处理后的铜箔双面都会形成氧化铜薄层;然而,由于进行接合热处理时,用于承载铜箔与陶瓷板的烧结载台也为陶瓷材质,当陶瓷板双面都要结合铜箔时,为避免氧化热处理后的铜箔与烧结载台接合,则必须采用单面铜箔的DBC烧结,但由于铜箔与陶瓷板热膨胀率的差异,完成单面铜箔DBC烧结后的半成品会形成严重翘曲状况,因此第二面铜箔的DBC烧结,需要使用特殊治具才能进行。
发明内容
本发明的主要目的,欲解决仅使铜箔单一表面氧化的背景技术制程繁杂的问题,而具有仅使铜箔单一表面氧化的制程简单的功效。
本发明的另一目的,则具有陶瓷板可双面同时覆铜而予以复合的功效。
本发明的又一目的,乃具有不需使用特殊治具即可进行制造双面覆铜陶瓷基板的功效。
为达上述功效,本发明提供:
一种单面热氧化铜箔的方法,其特征在于:将铜箔平贴于制程载板送入可控制含氧量的氧化热处理炉中,氧化热处理前半段在含氧量0ppm的高温环境中,致使铜箔因软化而贴紧制程载板,氧化热处理后半段在含氧量200ppm至500ppm的高温环境中,让铜箔的顶面因裸露在高温含氧的环境而形成均匀氧化铜薄层,铜箔的底面则因贴紧制程载板而不会接触到氧气,使得铜箔底面在高温环境中也不会热氧化。
所述的单面热氧化铜箔的方法,其中,制程载板材质选用氧化活性大于或等于铜的材质。
所述的单面热氧化铜箔的方法,其中,制程载板材质为铝或铁。
所述的单面热氧化铜箔的方法,其中,氧化热处理前半段进行5~30分钟,而使温度由室温逐渐增温至600~900℃,并在600~900℃恒温维持2~15分钟;氧化热处理后半段进行5~30分钟,而先在600~900℃恒温维持2~15分钟,再使温度由600~900℃逐渐降温至室温。
一种双面覆铜陶瓷基板的制造方法,其特征在于,包括:
a.铜箔单面热氧化步骤,将铜箔平贴于制程载板送入可控制含氧量的氧化热处理炉中,氧化热处理前半段在含氧量0ppm的高温环境中,致使铜箔因软化而贴紧制程载板,氧化热处理后半段在含氧量200ppm至500ppm的高温环境中,让铜箔的顶面因裸露在高温含氧的环境而形成均匀氧化铜薄层,铜箔的底面则因贴紧制程载板而不会接触到氧气,使得铜箔底面在高温环境中也不会热氧化;以及
b.陶瓷覆铜步骤,使用两片步骤a所制备的铜箔,而将两片铜箔的氧化铜薄层平贴于一陶瓷板的两表面,并于1063℃至1083℃的温度下进行接合热处理,而将两片铜箔结合于陶瓷板的两表面。
所述双面覆铜陶瓷基板的制造方法,其中,制程载板材质选用氧化活性大于或等于铜的材质。
所述双面覆铜陶瓷基板的制造方法,其中,制程载板材质为铝或铁。
所述双面覆铜陶瓷基板的制造方法,其中,氧化热处理前半段进行5~30分钟,而使温度由室温逐渐增温至600~900℃,并在600~900℃恒温维持2~15分钟;氧化热处理后半段进行5~30分钟,而先在600~900℃恒温维持2~15分钟,再使温度由600~900℃逐渐降温至室温。
一种双面覆铜陶瓷基板,其特征在于,使用前述方法予以制造,包括:
两片铜箔,先在含氧量0ppm的高温环境中,致使铜箔底面因软化而贴紧于制程载板,再于含氧量200ppm至500ppm的高温环境中,让铜箔仅有顶面因裸露在高温含氧的环境而形成均匀氧化铜薄层;以及
一片陶瓷板,将两片铜箔的氧化铜薄层平贴于两表面,并于1063℃至1083℃的温度下进行接合热处理,使得两片铜箔结合于陶瓷板的两表面。
如此,利用控制含氧量的简单方法,先让铜箔先在高温无氧的环境中,因软化而贴紧于制程载板,再使铜箔在高温含氧的环境中,而仅将其顶面形成均匀氧化铜薄层,制造出仅单一表面具有氧化铜薄层的铜箔。
附图说明
图1是本发明单面热氧化铜箔的方法的加热曲线图。
图2是本发明单面热氧化的铜箔的结构示意图。
图3是本发明双面覆铜陶瓷基板的结构示意图。
附图标记说明:10铜箔;11氧化铜薄层;20制程载板;30陶瓷板。
具体实施方式
首先,请参阅图1所示,本发明将铜箔单面热氧化的方法,是将铜箔平贴于铝材质或铁材质的制程载板,送入可控制含氧量的氧化热处理炉中进行氧化热处理,氧化热处理前半段在含氧量0ppm的高温环境中进行5~30分钟,让温度由室温逐渐增温至600~900℃,并在600~900℃恒温维持2~15分钟,致使铜箔因软化而贴紧制程载板;氧化热处理后半段在含氧量200ppm至500ppm的高温环境中进行5~30分钟,而先在600~900℃恒温维持2~15分钟,再使温度由600~900℃逐渐降温至室温,让铜箔的顶面因裸露在高温含氧的环境而形成均匀氧化铜薄层,铜箔的底面则因贴紧制程载板而不会接触到氧气,使得铜箔底面在高温环境中也不会热氧化。
接着,请参阅图2所示,使用上述方法让铜箔10先在含氧量0ppm的高温环境中,致使铜箔10底面因软化而贴紧于制程载板20,再于含氧量200ppm至500ppm的高温环境中,让铜箔顶面因裸露在高温含氧的环境而形成均匀氧化铜薄层11,以制造出仅单一表面具有氧化铜薄层11的铜箔10。
再者,请参阅图3所示,使用两片上述单一表面具有氧化铜薄层11的铜箔10,而将两片铜箔10的氧化铜薄层11平贴于一陶瓷板30的两表面,并于1063℃至1083℃的温度下进行接合热处理,而将两片铜箔10结合于陶瓷板30的两表面,以制造出覆铜陶瓷基板。
基于如是的技术,本发明先让铜箔10先在高温无氧的环境中,因软化而贴紧于制程载板20,再使铜箔10在高温含氧的环境中,仅将其顶面形成均匀氧化铜薄层11,利用控制含氧量的简单方法,即可制造出仅单一表面具有氧化铜薄层11的铜箔10,具有仅使铜箔的单一表面氧化的制程简单的功效;然而,单一表面氧化的铜箔10用于制造双面覆铜陶瓷基板时,具有陶瓷板可双面同时覆铜进行制造的功效,或是不需使用特殊治具即可进行制造的功效。
以上说明对本发明而言只是说明性的,而非限制性的,本领域普通技术人员理解,在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下,可作出许多修改、变化或等效,但都将落入本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种单面热氧化铜箔的方法,其特征在于:将铜箔平贴于制程载板送入可控制含氧量的氧化热处理炉中,氧化热处理前半段在含氧量0ppm的高温环境中进行5~30分钟,而使温度由室温逐渐增温至600~900℃,并在600~900℃恒温维持2~15分钟,致使铜箔因软化而贴紧制程载板,氧化热处理后半段在含氧量200ppm至500ppm的高温环境中进行5~30分钟,而先在600~900℃恒温维持2~15分钟,再使温度由600~900℃逐渐降温至室温,让铜箔的顶面因裸露在高温含氧的环境而形成均匀氧化铜薄层,铜箔的底面则因贴紧制程载板而不会接触到氧气,使得铜箔底面在高温环境中也不会热氧化。
2.根据权利要求1所述的单面热氧化铜箔的方法,其特征在于,制程载板材质选用氧化活性大于或等于铜的材质。
3.根据权利要求2所述的单面热氧化铜箔的方法,其特征在于,制程载板材质为铁。
4.一种双面覆铜陶瓷基板的制造方法,其特征在于,包括:
a.铜箔单面热氧化步骤,将铜箔平贴于制程载板送入可控制含氧量的氧化热处理炉中,氧化热处理前半段在含氧量0ppm的高温环境中进行5~30分钟,而使温度由室温逐渐增温至600~900℃,并在600~900℃恒温维持2~15分钟,致使铜箔因软化而贴紧制程载板,氧化热处理后半段在含氧量200ppm至500ppm的高温环境中进行5~30分钟,而先在600~900℃恒温维持2~15分钟,再使温度由600~900℃逐渐降温至室温,让铜箔的顶面因裸露在高温含氧的环境而形成均匀氧化铜薄层,铜箔的底面则因贴紧制程载板而不会接触到氧气,使得铜箔底面在高温环境中也不会热氧化;以及
b.陶瓷覆铜步骤,使用两片步骤a所制备的铜箔,而将两片铜箔的氧化铜薄层平贴于一陶瓷板的两表面,并于1063℃至1083℃的温度下进行接合热处理,而将两片铜箔结合于陶瓷板的两表面。
5.根据权利要求4所述双面覆铜陶瓷基板的制造方法,其特征在于,制程载板材质选用氧化活性大于或等于铜的材质。
6.根据权利要求5所述双面覆铜陶瓷基板的制造方法,其特征在于,制程载板材质为铁。
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