CN113272932A - 用于在带电粒子装置中进行光学测量的装置 - Google Patents

Abstract

带电粒子检查系统可以包括具有孔径或一个以上孔径的屏蔽板，例如，以允许通过附加仪器进行附加检查，该附加仪器需要到感兴趣区域的视线。诸如窗口元件或凸起边缘的场成形元件被放置在孔径处以防止或减少电场的分量。

Description

用于在带电粒子装置中进行光学测量的装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月31日提交的美国申请62/786,905的优先权，并且该申请通过引用以其整体并入本文。

技术领域

本文提供的实施例涉及利用一个或多个带电粒子束的带电粒子装置，诸如利用一个或多个电子束的电子显微镜装置。

背景技术

通过在晶片(也被称为衬底)上创建图案来制造集成电路。晶片被支撑在设备中的晶片台上以用于创建图案。制造集成电路的过程的一个部分涉及查看或“检查”晶片和/或晶片台的部分。这可以利用扫描电子显微镜来完成。即使利用扫描电子显微镜，在某些情况下也期望能够例如利用光学显微镜，来光学地(即基于光)检查晶片和/或晶片台的部分。

然而，扫描电子显微镜可以具有稍微在晶片台上方的金属板，以与安装在晶片台上的围绕和/或覆盖下面的晶片的导电板或表面相结合，来平滑被检查区域周围的电场。该屏蔽件在防止由于晶片台上的上述导电区域边缘周围的高电场引起的放电方面也有用。为了利用光学显微镜对晶片和平台进行视觉检查和对齐，光学显微镜被定位在大金属平板上方，并且通过该板中的孔向下看。板中的孔破坏了板旨在平滑的电场的平滑度，导致不希望的放电。

发明内容

为了提供对实施例的基本理解，以下呈现了一个或多个实施例的简化概述。该概述不是所有预期实施例的广泛概述，并且不旨在标识所有实施例的关键或重要要素，也不旨在描绘任何或所有实施例的范围。其唯一目的是以简化形式呈现一个或多个实施例的一些概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。

根据实施例的一方面，公开了一种制品，包括：基本平坦的板，包括导电材料和限定贯通孔径的结构；以及场成形元件。场成形元件可以包括被定位在贯通孔径处的窗口元件，该窗口元件导电并且透光。窗口元件可以包括对可见光或近可见光中的光谱部分透射的导电材料，例如，可见光的波长在大约300nm至大约1100nm的范围内。窗口元件可以包括透明金属氧化物，其可以是氧化铟锡。窗口元件可以包括石墨烯。窗口元件可以包括碳纳米管。窗口元件可以包括无定形材料。窗口元件可以包括掺杂的透明半导体。窗口元件可以包括导电聚合物。

窗口元件可以包括主体，该主体包括透明材料、和导电材料的涂层。导电材料的涂层可以包括金。导电材料的涂层可以包括铝。导电材料的涂层可以包括钛。导电材料的涂层可以包括铬。涂层可以具有在大约10nm至大约10μm范围内的厚度。

窗口元件可以包括被配置为导电并且透射可见光的筛网。筛网可以包括网。网可以包括金属丝。网可以至少30％敞开。筛网可以是非编织的，诸如网格，并且可以至少30％敞开。

窗口元件可以被定位在孔径中，以便不延伸超过板的表面，例如，以便凹进板的表面下方。板的与孔径相邻的区域可以凸起，例如，使得孔径的高度基本等于孔径的宽度。孔径可以是圆形的，在这种情况下，孔径的宽度是孔径的直径。

场成形元件还可以或备选地包括板的与孔径相邻的区域，该区域凸起以限定凸起边缘，例如，使得边缘的高度基本等于或大于孔径的宽度。孔径可以是圆形的，在该情况下，孔径的宽度是孔径的直径。

根据实施例的另一方面，公开了一种检查工具，包括：平台，被布置成支撑要被检查的制品，并且将制品连接到电压源；基本平坦的板，包括导电材料，并且平行于平台布置并且通过间隙与平台分离，并且用于调节间隙中的电场，板还包括限定贯通孔径的结构；以及场成形元件。场成形元件可以包括被定位在贯通孔径中的窗口元件，窗口元件导电并且透光。窗口元件的构造和放置以及孔径的特性可以是如上所述的那样。在这里和其他地方，“调节”具有其通常的控制含义，包括使场更均匀和控制场的幅度和/或梯度，特别是使其为零。

根据实施例的另一方面，公开了一种检查工具，包括：平台，被布置成支撑要被检查的制品，并且将制品连接到电压源；基本平坦的板，包括导电材料，并且平行于平台布置并且通过间隙与平台分离，并且用于调节间隙中的电场，板还包括限定贯通孔径的结构；窗口元件，被定位在贯通孔径中，窗口元件导电并且透光；以及光学测量设备，被布置成通过窗口元件察看平台。窗口元件的构造和放置以及孔径的特性可以是如上所述的那样。

场成形元件还可以或备选地包括板的与孔径相邻的区域，该区域凸起以限定凸起边缘，例如，使得边缘的高度基本等于或大于孔径的宽度。孔径可以是圆形的，在该情况下，孔径的宽度是孔径的直径。

下面参考附图详细描述本发明的另外的特征和优点，以及本发明的各个实施例的结构和操作。注意，本发明不限于本文描述的具体实施例。这种实施例在本文中仅出于说明的目的而被呈现。基于本文包含的教导，附加实施例对于相关领域的技术人员将是明显的。

附图说明

并入本文并且形成说明书的一部分的附图图示了本发明，并且与说明书一起进一步用于说明本发明的原理，并且使相关领域的技术人员能够制造和使用本发明。

图1是图示与本公开的实施例一致的示例性电子束检查系统的示意图。

图2是图示与本公开的实施例一致的示例性电子束检查系统的附加方面的示意图。

图3是图示与本公开的实施例一致的示例性电子束检查系统的附加方面的侧视图。

图4是图示根据实施例的一方面的示例性电子束检查系统的方面的侧视图。

图5是图示根据实施例的一方面的示例性电子束检查系统的方面的侧视图。

图6是图示根据实施例的一方面的示例性电子束检查系统的方面的侧视图。

图7是图示根据实施例的一方面的示例性电子束检查系统的方面的侧视图。

图8是图示根据实施例的一方面的示例性电子束检查系统的方面的侧视图。

具体实施方式

现在将详细参考示例性实施例，其示例在附图中被示出。以下描述参考附图，其中除非另外表示，否则不同附图中的相同数字表示相同或相似的元素。在示例性实施例的以下描述中阐述的实现并不代表与本发明一致的所有实现。相反，它们仅是与如所附权利要求中所述的与本发明有关的方面一致的系统、装置和方法的示例。为清楚起见，可以夸大图中组件的相对尺寸。

电子设备由形成在被称为衬底的硅片上的电路构成。很多电路可以一起形成在同一硅片上，并且被称为集成电路或IC。这些电路的尺寸已经大大减小使得其中的更多电路可以安装在衬底上。例如，智能电话中的IC芯片可以小到拇指指甲，但是可以包括超过20亿个晶体管，每个晶体管的尺寸小于人发尺寸的1/1000。

制造这些极小的IC是复杂、耗时且昂贵的过程，通常涉及数百个个体步骤。即使是一个步骤中的错误，也有可能导致成品IC中的缺陷，从而使成品IC无用。因此，制造过程的一个目标是避免这样的缺陷，以使在该过程中制造的功能IC的数目最大化，即，提高该过程的整体良品率。

提高良品率的一个组成部分是监测芯片制造过程，以确保其生产足够数目的功能集成电路。监测该过程的一种方法是在芯片电路结构形成的各个阶段对其进行检查。检查可以使用扫描电子显微镜SEM来实施。可以使用SEM对这些非常小的结构进行成像，实际上是对结构进行“拍照”。图像可以用于确定结构是否正确形成、以及是否形成在正确的位置。如果结构有缺陷，则可以调节过程以使缺陷不太可能再次发生。

顾名思义，SEM使用电子束，因为这种束可以用于观察太小而不能被光学显微镜(即，使用光的显微镜)观察到的结构。在这里和本文的其他地方，术语“光”不仅用于表示可见光，而且还表示具有在可见的波长之外的波长的光。电子的路径可能受到在电子行进到衬底时遇到的电场和磁场的影响。这意味着需要控制这些场。控制场的一种方式是使用金属屏蔽板。然而，在某些情况下，期望不仅能够利用SEM，而且还能够利用光学显微镜来检查衬底。提供该能力可以涉及在金属屏蔽板上放置一个或多个孔，光学显微镜可以通过这些孔看到衬底。然而，孔的存在可能会干扰金属屏蔽板控制场的能力。

一些实施例解决的技术挑战的示例是，在不损害屏蔽板控制电场的能力的情况下，向光学显微镜提供到衬底的视线。这些实施例中的一些实施例通过例如在孔中或孔附近使用场成形元件来解决该挑战。场成形元件可以是被放置在孔中的窗口元件，其既对光学显微镜使用的光透明，又导电。因为窗口导电，因此屏蔽板对于电场看起来是完整且未中断的，因此屏蔽板控制电场的能力不被减弱。场成形元件可以是靠近孔径的导电材料的凸起部分。凸起部分对场进行成形，以便屏蔽板控制场的能力不被减弱。这些场成形元件可以被单独使用或一起使用。

在不限制本公开的范围的情况下，可以示例性地将实施例的描述和附图称为使用电子束。但是，这些实施例不用于将本发明限制为特定带电粒子。例如，可以将用于束形成的系统和方法应用于光子、x射线和离子等。此外，术语“束”可以是指初级电子束、初级电子束波、次级电子束或次级电子束波等。

如本文中使用的，除非另有明确说明，否则术语“或”涵盖所有可能的组合，除非不可行。例如，如果声明组件可以包括A或B，则除非另有明确说明或不可行，否则该组件可以包括A或B、或A和B。作为第二示例，如果声明组件可以包括A、B或C，则除非另有明确说明或不可行，否则该组件可以包括A或B或C、或A和B、或A和C、或B和C、或A和B和C。

在说明书和权利要求中，可以采用术语“向上”、“向下”、“顶部”、“底部”、“垂直”、“水平”等。除非另有指示，否则这些术语旨在仅示出相对取向而不是任何绝对取向，诸如相对于重力的取向。类似地，诸如左、右、前、后等术语旨在仅给出相对取向。

现在参考图1，图1图示了根据本公开的实施例的示例性电子束检查(EBI)系统10。如图1所示，EBI系统10包括主腔室11、装载/锁定室20、电子束工具100和设备前端模块(EFEM)30。电子束工具100位于主腔室11内。

EFEM 30包括第一装载端口30a和第二装载端口30b。EFEM 30可以包括附加装载端口。第一装载端口30a和第二装载端口30b例如可以容纳晶片前开式传送盒(FOUP)，该FOUP容置有待检查的晶片(例如，半导体晶片或由其他材料制成的晶片)或样品(晶片和样品在下文中可以统称为“晶片”)。EFEM 30中的一个或多个机械臂(未示出)可以将晶片运送到装载/锁定室20。

装载/锁定室20被连接到装载/锁定真空泵系统(未示出)，该系统去除装载/锁定室20中的气体分子以达到低于大气压的第一压力。在达到第一压力之后，一个或多个机械臂(未示出)可以将晶片从装载/锁定室20传输到主腔室11。主腔室11连接到主腔室真空泵系统(未示出)，该系统去除主腔室11中的气体分子以达到低于第一压力的第二压力。在达到第二压力之后，通过电子束工具100对晶片进行检查。电子束工具100可以是单束系统或多束系统。控制器19电连接到电子束工具100。尽管控制器19在图1中被示出为在包括主腔室11、装载/锁定室20和EFEM 30的结构的外部，但是应当理解的是，控制器19可以是该结构的一部分。

尽管本公开提供了容纳电子束检查系统的主腔室11的示例，但是应当注意，本公开的各个方面在其最广泛的意义上并不限于容纳电子束检查系统的腔室。相反，应当理解的是，本文中说明的原理也可以被应用于在第二压力下操作的其他工具。

图2图示了可以是图1的EBI系统的一部分的示例性电子束工具100A。电子束工具100A(在本文中也被称为“装置100A”)包括电子源101、枪孔径板171、聚光透镜110、源转换单元120、初级投影光学系统130、次级成像系统150和电子检测设备140M。初级投影光学系统130可以包括物镜131。具有样品表面7的样品1可以设置在可移动的台(未示出)上。电子检测设备140M可以包括多个检测元件140_1、140_2和140_3。束分离器160和偏转扫描单元132可以放置在初级投影光学系统130内部。

电子源101、枪孔径板171、聚光透镜110、源转换单元120、束分离器160、偏转扫描单元132和初级投影光学系统130可以与装置100A的主光轴100_1对齐。次级成像系统150和电子检测设备140M可以与装置100A的辅光轴150_1对齐。

电子源101可以包括阴极(未示出)和提取器或阳极(未示出)，其中在操作期间，电子源101被配置为从阴极发射初级电子，并且初级电子通过提取器或阳极被提取或加速以形成初级电子束102，初级电子束102形成初级束交叉点(虚拟或真实)101s。初级电子束102可以可视化为从初级束交叉点101s发射。

源转换单元120可以包括图像形成元件阵列(图2中未示出)和束限制孔径阵列(图2中未示出)。图像形成元件阵列可以包括多个微偏转器或微透镜，其可以影响初级电子束102的多个初级束波102_1、102_2、102_3并且形成初级束交叉点101s的多个平行图像(虚拟或真实)，初级束波102_1、201_2、102_3中的每个初级束波有一个平行图像。束限制孔径阵列可以被配置为限制个体初级束波102_1、102_2和102_3的直径。图2作为示例示出了三个初级束波102_1、102_2和102_3，并且应当理解的是，源转换单元120可以被配置为形成任何数目的初级束波。例如，源转换单元120可以被配置为形成初级束波的3×3阵列。源转换单元120还可以包括被配置为补偿探测点102_1S、102_2S和102_3S的像差的像差补偿器阵列。在一些实施例中，像差补偿器阵列可以包括具有微透镜的场弯曲补偿器阵列，该微透镜被配置为分别补偿探测点102_1S、102_2S和102_3S的场弯曲像差。在一些实施例中，像差补偿器阵列可以包括具有微散光器的像散补偿器阵列，该微散光器被配置为分别补偿探测点102_1S、102_2S和102_3S的散光像差。在一些实施例中，图像形成元件阵列、场弯曲补偿器阵列和像散补偿器阵列可以分别包括多层微偏转器、微透镜和微像散校正器。

聚光透镜110被配置为聚焦初级电子束102。聚光透镜110还可以被配置为通过改变聚光透镜110的聚焦能力来调节源转换单元120下游的初级束波102_1、102_2和102_3的电流。因此，束波102_1、102_2和102_3可以具有可以由聚光透镜110改变的聚焦状态。替代地，可以通过改变束限制孔径阵列内的与个体初级束波相对应的束限制孔径的径向尺寸来改变电流。因此，束波的电流在沿束波的轨迹的不同位置可以不同。可以调节束波电流使得束波在样品表面上的电流(例如，探测点电流)被设置为期望的量。

聚光透镜110可以是可移动的聚光透镜，其可以被配置为使得其第一主平面的位置可移动。可移动的聚光透镜可以被配置为磁性的、或静电的或电磁的(例如，复合的)。可移动的聚光透镜在美国专利号9,922,799和美国专利申请公开号2017/0025243中有进一步描述，这两者的全部内容通过引用合并于此。在一些实施例中，聚光透镜可以是防旋转透镜，其可以在改变束波的电流的同时保持离轴束波的旋转角不变。在一些实施例中，聚光透镜110可以是可移动的防旋转聚光透镜，其包括具有可移动的第一主平面的防旋转透镜。防旋转或可移动的防旋转聚光透镜在国际申请号PCT/EP2017/084429中进一步被描述，该申请通过引用以其整体并入于此。

物镜131可以被配置为将束波102_1、102_2和102_3聚焦到样品1上以进行检查，并且在当前实施例中，可以在表面7上形成三个探测点102_1S、102_2S和102_3S。在操作中，枪孔径板171被配置为阻挡初级电子束102的外围电子以减小库仑效应。库仑效应可能会增大初级束波102_1、102_2、102_3的每个探测点102_1S、102_2S和102_3S的尺寸，因此使检查分辨率劣化。

束分离器160可以例如是维恩滤波器，其包括生成静电偶极场E1和磁偶极场B1的静电偏转器。束分离器160可以利用洛伦兹力来影响穿过其中的电子。束分离器160可以被激活以生成静电偶极场E1和磁偶极场B1。在操作中，束分离器160可以被配置为通过静电偶极场E1在初级束波102_1、102_2和102_3的个体电子上施加静电力。静电力的大小可以与束分离器160的磁偶极子场B1对个体电子施加的磁力的量值相等，但方向相反。初级束波102_1、102_2和102_3可以基本笔直地穿过束分离器160。

在操作中，偏转扫描单元132被配置为使初级束波102_1、102_2和102_3偏转，以跨越表面7的一部分中的个体扫描区域上扫描探测点102_1S、102_2S和102_3S。响应于在探测点102_1S、102_2S和102_3S处通过初级束波102_1、102_2和102_3对样品1的照射，次级电子从样品1发出并且形成三个次级电子束102_1se、102_2se和102_3se，在操作中，这些次级电子束从样品1发射。次级电子束102_1se、102_2se和102_3se中的每个次级电子束通常包括具有不同能量的电子，这些电子包括次级电子(电子能量≤50eV)和反向散射电子(具有在50eV与初级束波102_1、102_2和102_3的着陆能量之间的电子能量)。束分离器160被配置为使次级电子束102_1se、102_2se和102_3se朝向次级成像系统150偏转。次级成像系统150随后将次级电子束102_1se、102_2se和102_3se聚焦到电子检测设备140M的检测元件140_1、140_2和140_3上。检测元件140_1、140_2和140_3被布置为：检测对应的次级电子束102_1se、102_2se和102_3se、并且生成可以被发送给信号处理单元(未示出)以例如构造样品1的对应扫描区域的图像的对应信号。

如图3中所示，EBI可以包括被定位在晶片台310稍上方的平坦金属板300。晶片台310支撑诸如要被检查的晶片320的制品，并且相对于金属板300移动晶片。在图3的示例中，晶片320被导电表面330围绕，导电表面330是晶片台310的一部分。晶片台310连接到与晶片320相同的电压，以在晶片台310的横向运动范围内的所有位置(包括检查区域周围)产生均匀电场。然而，通常在制品周围存在导电表面330的边缘。在该边缘处，电场不应当具有切向分量，换言之，等势面应当尽可能平行于导电表面330。

换言之，板300可以被布置成使得板300和晶片台310之间的电场具有平行于台处的导电表面的最小分量。这也是为了防止由于晶片台310边缘周围的高电场引起的放电，在该边缘处，晶片台310上的导电涂层330终止。

然而，为了晶片320和平台310的视觉检查和对齐，诸如光学显微镜的光学测量设备340也被包括。光学测量设备340可以是任何光学对齐或检查装置，包括需要视线的使用例如干涉、莫尔图案或相位改变光栅的仪器。光学测量设备340被布置成通过板300中的孔径350向下看(朝向晶片320和平台310)，并且晶片台310移动晶片320，以使得能够对位于孔径350下方的晶片320上的位置进行视觉检查。孔径350可以具有任何形状，例如，它可以是圆形。此外，其他光学装置以及其他一般装置也可能需要板300中的孔径。

如本文所使用的，术语“光”不限于可见光，而是足够宽泛以涵盖不可见的电磁波谱的部分。根据实施例的一方面，使用对可见光(具有大约380nm至大约700nm范围内的波长)敏感的光学测量设备，但是可以使用其他光学测量设备，诸如对红外或近UV敏感的那些光学测量设备。一般而言，光的波长将在大约300nm至大约1100nm的范围内。

孔径350导致板300和晶片台310或晶片320之间的空间中的电势的局部偏差。当平台310横向平移时，晶片台310的边缘和晶片台310的其他特征可以在这些孔径350下方通过。如果没有采取措施来防止它，则孔径350下方的区域可能会受到电场的切向分量的影响，如由线360所示。这可能通过引起放电和/或电弧，而损坏平台310上的导电涂层330的边缘。放电可能导致不希望的粒子和污染以及局部气压增加，这反过来又会导致电击穿。放电也可能出现在晶片320的其他部分附近并且可能损坏它们。

根据实施例的一方面，提供导电窗口元件以防止电场与平台相切的分量。屏蔽板300中的孔径的位置处的电势偏差减少，因此由场发射引起的放电也减少。

窗口元件是被定位在孔径中或孔径处的导电但光学透明的元件。例如，该元件可以是本身导电和透明的散装材料。它也可以是具有导电膜的透明材料。它也可以是筛网。

图4示出了由既透明又导电的材料制成的窗口元件400。该材料可以是例如像ITO(氧化铟锡)的导电材料，其对光谱的由光学测量设备使用的至少该部分透明。该材料可以是另一种透明导电氧化物或石墨烯。可以使用碳纳米管。掺杂的透明半导体也将满足导电性要求。可以使用结晶材料，或可以使用无定形材料，诸如导电聚合物。这些是示例，并且也可以使用其他材料。

图5示出了具有导电膜430的窗口元件410的示例，窗口元件410由透明但不一定导电的第一材料420制成。例如，窗口元件410可以是涂覆有薄导电膜430的玻璃体420，薄导电膜430由例如金或铝制成。可以使用诸如钛和铬的其他金属。可以通过气相沉积或任何其他合适的技术来施加膜430。

具有高于阈值(诸如大约10nm)的厚度的涂层430将足够厚以提供所需的导电性。具有小于阈值(诸如大约1μm)的厚度的涂层430将提供足够的光透射。通常，这种涂层430可以具有在大约10nm至大约10μm的范围内的厚度。在图5中所示的具体实施例中，导电涂层430被示为在第一材料的顶表面上，但是对于本领域技术人员明显的是，涂层430可以在第一材料的仅顶表面、仅底表面或顶表面和底表面两者上。

如图6中所示，备选地，窗口元件可以由导电筛网440组成，其被放置在聚焦范围之外的光学轴线上的位置处，例如，在光学器件的光瞳平面中，使得它不会干扰成像功能。筛网440可以是编织的(例如，金属线或纳米线的网)或非编织的(网格)，并且具有足够敞开以允许感兴趣波长的光通过的网结构。例如，筛网440可以具有使其表面积的至少三分之一敞开以允许光通过的结构。

窗口元件的厚度和垂直(板厚度的方向)定位可以被选择，以使窗口元件不突出超过板300的上表面或下表面。因此，窗口元件可以具有大约等于或小于板300的厚度的厚度。如果窗口元件的厚度小于板300的厚度，则窗口元件的表面从板300的表面中的一个表面凹进。

如图7中所示，根据实施例的另一方面，对于一些应用，在板300的上侧上的孔径350周围的边缘具有凸起部分500。凸起部分500可以与板300一体地形成，或者可以通过诸如焊接的过程被添加到板300。凸起边缘500由导电材料制成。凸起部分500可以具有一高度，使得孔径的高度与其宽度大约相同或大于其宽度，例如，如果孔径是圆形，则宽度为直径，否则宽度为其最长线性尺寸。凸起边缘500使电场成形，以提供另一种措施来防止电场在晶片台310的表面处的切向分量。此外，凸起边缘或区域500允许孔径350的横向尺寸更大。

对于一些应用，凸起边缘本身可以充分地使电场成形，从而不需要分开的窗口元件。这种布置在图8中被示出。同样，凸起部分500可以与板300一体形成，或者可以通过诸如焊接的过程被添加到板300。凸起边缘500由导电材料制成。凸起部分500可以具有一高度，使得孔径的高度与其宽度大约相同或大于其宽度，例如，如果孔径是圆形，则宽度为直径，否则宽度为其最长线性尺寸。凸起边缘500使电场成形，以防止电场在晶片台310的表面处的切向分量。此外，凸起边缘或区域500允许孔径350的横向尺寸更大。

可以使用以下条款进一步描述实施例：

1.一种制品，包括：

基本平坦的板，包括导电材料和限定贯通孔径的结构；以及

场成形元件，被定位在所述贯通孔径处，所述场成形元件被配置为抵消所述贯通孔径对所述基本平坦的板附近的电场的影响。

2.根据条款1所述的制品，其中所述场成形元件包括被定位在所述贯通孔径处的窗口元件，所述窗口元件导电并且透光。

3.根据条款2所述的制品，其中所述窗口元件包括透射可见光的导电材料，所述可见光的波长在大约300nm至大约1100nm的范围内。

4.根据条款2或3中任一项所述的制品，其中所述窗口元件包括透明金属氧化物。

5.根据条款2至4中任一项所述的制品，其中所述窗口元件包括氧化铟锡。

6.根据条款2或3中任一项所述的制品，其中所述窗口元件包括石墨烯。

7.根据条款2或3中任一项所述的制品，其中所述窗口元件包括碳纳米管。

8.根据条款2或3中任一项所述的制品，其中所述窗口元件包括无定形材料。

9.根据条款2或3中任一项所述的制品，其中所述窗口元件包括掺杂的透明半导体。

10.根据条款2或3中任一项所述的制品，其中所述窗口元件包括导电聚合物。

11.根据条款2所述的制品，其中所述窗口元件包括主体，所述主体包括透明材料、和导电材料的涂层。

12.根据条款11所述的制品，其中所述导电材料的涂层包括金。

13.根据条款11所述的制品，其中所述导电材料的涂层包括铝。

14.根据条款11所述的制品，其中所述导电材料的涂层包括钛。

15.根据条款11所述的制品，其中所述导电材料的涂层包括铬。

16.根据条款11至15中任一项所述的制品，其中所述涂层具有在大约10nm至大约10μm的范围内的厚度。

17.根据条款2所述的制品，其中所述窗口元件包括被配置为导电并且透射可见光的筛网。

18.根据条款17所述的制品，其中所述筛网包括网。

19.根据条款18所述的制品，其中所述网包括金属丝。

20.根据条款18或19中任一项所述的制品，其中所述网至少30％敞开。

21.根据条款17所述的制品，其中所述筛网是非编织的。

22.根据条款21所述的制品，其中所述筛网是网格。

23.根据条款22所述的制品，其中所述网格至少30％敞开。

24.根据条款2所述的制品，其中所述窗口元件被定位在所述孔径中，以便不延伸超过所述板的表面。

25.根据条款24所述的制品，其中所述窗口元件被定位在所述孔径中，以便凹进到所述板的表面下方。

26.根据条款2所述的制品，其中所述板的邻近所述孔径的区域凸起，以限定至少部分地围绕所述孔径的凸起边缘。

27.根据条款26所述的制品，其中所述凸起边缘与所述板是一体的。

28.根据条款26或27所述的制品，其中所述凸起边缘的高度使得所述孔径的高度连同所述凸起边缘的所述高度基本等于所述孔径的宽度。

29.根据条款26至28中任一项所述的制品，其中所述孔径是圆形的并且所述孔径的所述宽度是所述孔径的直径。

30.根据条款1所述的制品，其中所述场成形元件包括所述板的与所述孔径相邻的区域，所述区域凸起以限定至少部分地围绕所述孔径的凸起边缘，所述凸起边缘包括导电材料。

31.根据条款30所述的制品，其中所述凸起边缘与所述板是一体的。

32.根据条款30或31所述的制品，其中所述凸起边缘的高度使得所述孔径的高度连同所述凸起边缘的所述高度基本等于或大于所述孔径的宽度。

33.根据条款30至32中任一项所述的制品，其中所述孔径是圆形的并且所述孔径的所述宽度是所述孔径的直径。

34.一种检查工具，包括：

平台，被布置成支撑要被检查的制品并且将所述制品连接到电压源；

基本平坦的板，包括导电材料，并且平行于所述平台布置并且通过间隙与所述平台分离，并且用于调节所述间隙中的电场，所述板还包括限定贯通孔径的结构；以及

场成形元件，被定位在所述贯通孔径处，所述场成形元件被配置为抵消所述贯通孔径对所述基本平坦的板附近的电场的影响。

35.根据条款34所述的检查工具，其中所述场成形元件包括被定位在所述贯通孔径处的窗口元件，所述窗口元件导电并且透光。

36.根据条款35所述的检查工具，其中所述窗口元件包括透射可见光的导电材料，所述可见光的波长在大约300nm至大约1100nm的范围内。

37.根据条款35或36所述的检查工具，其中所述窗口元件包括透明金属氧化物。

38.根据条款35至37中任一项所述的检查工具，其中所述窗口元件包括氧化铟锡。

39.根据条款35至36中任一项所述的检查工具，其中所述窗口元件包括石墨烯。

40.根据条款35至36中任一项所述的检查工具，其中所述窗口元件包括碳纳米管。

41.根据条款35至36中任一项所述的检查工具，其中所述窗口元件包括无定形材料。

42.根据条款35至36中任一项所述的检查工具，其中所述窗口元件包括掺杂的透明半导体。

43.根据条款35至36中任一项所述的检查工具，其中所述窗口元件包括导电聚合物。

44.根据条款35至36中任一项所述的检查工具，其中所述窗口元件包括主体，所述主体包括透明材料、和导电材料的涂层。

45.根据条款44所述的检查工具，其中所述导电材料的涂层包括金。

46.根据条款44所述的检查工具，其中所述导电材料的涂层包括铝。

47.根据条款44所述的检查工具，其中所述导电材料的涂层包括钛。

48.根据条款44所述的检查工具，其中所述导电材料的涂层包括铬。

49.根据条款44至48中任一项所述的检查工具，其中所述涂层具有在大约10nm至大约10μm范围内的厚度。

50.根据条款35所述的检查工具，其中所述窗口元件包括筛网，所述筛网被配置为导电并且透射可见光。

51.根据条款50所述的检查工具，其中所述筛网包括网。

52.根据条款51所述的检查工具，其中所述网包括金属丝。

53.根据条款51或52所述的检查工具，其中所述网至少30％敞开。

54.根据条款50所述的检查工具，其中所述筛网是非编织的。

55.根据条款54所述的检查工具，其中所述筛网是网格。

56.根据条款55所述的检查工具，其中所述网格至少30％敞开。

57.根据条款35所述的检查工具，其中所述窗口元件被定位在所述孔径中，以便不延伸超过所述板的表面。

58.根据条款35或57所述的检查工具，其中所述窗口元件被定位在所述孔径中，以便凹进到所述板的表面下方。

59.根据条款35至58中任一项所述的检查工具，其中所述板的与所述孔径相邻的区域凸起，以限定至少部分地围绕所述孔径的凸起边缘，其中所述凸起边缘包括导电材料。

60.根据条款59所述的检查工具，其中所述凸起边缘与所述板是一体的。

61.根据条款59或60所述的检查工具，其中所述凸起边缘的高度使得所述孔径的高度连同所述凸起边缘的所述高度基本等于所述孔径的宽度。

62.根据条款59至61中任一项所述的检查工具，其中所述孔径是圆形的并且所述孔径的所述宽度是所述孔径的直径。

63.根据条款31所述的检查工具，其中所述场成形元件包括所述板的与所述孔径相邻的区域，所述区域凸起以限定至少部分地围绕所述孔径的凸起边缘，所述凸起边缘包括导电材料。

64.根据条款63所述的检查工具，其中所述凸起边缘与所述板是一体的。

65.根据条款63或64所述的检查工具，其中所述凸起边缘的高度使得所述孔径的高度连同所述凸起边缘的所述高度基本等于或大于所述孔径的宽度。

66.根据条款63至65中任一项所述的检查工具，其中所述孔径是圆形的，并且所述孔径的所述宽度是所述孔径的直径。

67.一种检查工具，包括：

平台，被布置成支撑要被检查的制品，并且将所述制品连接到电压源；

基本平坦的板，包括导电材料，并且平行于所述平台布置并且通过间隙与所述平台分离，并且用于调节所述间隙中的电场，所述板还包括限定贯通孔径的结构；

场成形元件，被定位在所述贯通孔径处，所述场成形元件被配置为抵消所述贯通孔径对所述基本平坦的板附近的电场的影响；以及

光学测量设备，被布置成通过所述窗口元件察看所述平台。

68.根据条款67所述的检查工具，其中所述场成形元件包括被定位在所述贯通孔径处的窗口元件，所述窗口元件导电并且透光。

69.根据条款68所述的检查工具，其中所述窗口元件包括透射可见光的导电材料，所述可见光的波长在大约300nm至大约1100nm的范围内。

70.根据条款68或69所述的检查工具，其中所述窗口元件包括透明金属氧化物。

71.根据条款68至70中任一项所述的检查工具，其中所述窗口元件包括氧化铟锡。

72.根据条款68或69所述的检查工具，其中所述窗口元件包括石墨烯。

73.根据条款68或69所述的检查工具，其中所述窗口元件包括碳纳米管。

74.根据条款68或69所述的检查工具，其中所述窗口元件包括无定形材料。

75.根据条款68或69所述的检查工具，其中所述窗口元件包括掺杂的透明半导体。

76.根据条款68或69所述的检查工具，其中所述窗口元件包括导电聚合物。

77.根据条款68所述的检查工具，其中所述窗口元件包括主体，所述主体包括透明材料、和导电材料的涂层。

78.根据条款77所述的检查工具，其中所述导电材料的涂层包括金。

79.根据条款77所述的检查工具，其中所述导电材料的涂层包括铝。

80.根据条款77所述的检查工具，其中所述导电材料的涂层包括钛。

81.根据条款77所述的检查工具，其中所述导电材料的涂层包括铬。

82.根据条款77至81中任一项所述的检查工具，其中所述涂层具有在大约10nm至大约10μm范围内的厚度。

83.根据条款55所述的检查工具，其中所述窗口元件包括被配置为导电并且透射可见光的筛网。

84.根据条款70所述的检查工具，其中所述筛网包括网。

85.根据条款71所述的检查工具，其中所述网包括金属丝。

86.根据条款71或72所述的检查工具，其中所述网至少30％敞开。

87.根据条款55所述的检查工具，其中所述筛网是非编织的。

88.根据条款83所述的检查工具，其中所述筛网是网格。

89.根据条款88所述的检查工具，其中网格至少30％敞开。

90.根据条款68所述的检查工具，其中所述窗口元件被定位在所述孔径中，以便不延伸超过所述板的表面。

91.根据条款90所述的检查工具，其中所述窗口元件被定位在所述孔径中，以便凹进到所述板的表面下方。

92.根据条款68至91中任一项所述的检查工具，其中所述板的与所述孔径相邻的区域凸起以限定至少部分地围绕所述孔径的凸起边缘，其中所述凸起边缘包括导电材料。

93.根据条款92所述的检查工具，其中所述凸起边缘与所述板是一体的。

94.根据条款92或93所述的检查工具，其中所述凸起边缘的高度使得所述孔径的高度连同所述凸起边缘的所述高度基本等于所述孔径的宽度。

95.根据条款92至94中任一项所述的检查工具，其中所述孔径是圆形的并且所述孔径的所述宽度是所述孔径的直径。

96.根据条款67所述的检查工具，其中所述场成形元件包括所述板的与所述孔径相邻的区域，所述区域凸起以限定至少部分地围绕所述孔径的凸起边缘，所述凸起边缘包括导电材料。

97.根据条款96所述的检查工具，其中所述凸起边缘与所述板是一体的。

98.根据条款96或97所述的检查工具，其中所述凸起边缘的高度使得所述孔径的高度连同所述凸起边缘的所述高度基本等于或大于所述孔径的宽度。

上面已经在功能构建块的帮助下描述了本发明，该功能构建块说明了特定功能及其关系的实现。为便于描述，本文任意限定这些功能构建块的边界。只要指定的功能及其关系被适当执行，就可以限定备选边界。

特定实施例的前述描述将如此充分地揭示本发明的一般性质，以至于在不脱离本发明的一般概念的情况下，其他人通过应用本技术领域内的知识，可以容易地修改和/或适应这些特定实施例的各种应用，而无需过度实验。因此，基于本文中呈现的教导和指导，这种适应和修改旨在在所公开实施例的等效物的含义和范围内。应当理解的是，本文中的措辞或术语是为了描述的目的而非限制，以便本说明书的术语或措辞将由本领域技术人员根据教导和指导来解释。

Claims (15)

1.一种制品，包括：

基本平坦的板，包括导电材料和限定贯通孔径的结构；以及

场成形元件，被定位在所述贯通孔径处，所述场成形元件被配置为：抵消所述贯通孔径对所述基本平坦的板附近的电场的影响，所述场成形元件导电并且透光。

2.根据权利要求1所述的制品，其中所述场成形元件包括被定位在所述贯通孔径处的窗口元件。

3.根据权利要求2所述的制品，其中所述窗口元件包括透射可见光的导电材料，所述可见光的波长在大约300nm至大约1100nm的范围内。

4.根据权利要求2所述的制品，其中所述窗口元件包括透明金属氧化物，并且其中透光的所述窗口元件包括光学透明的所述窗口元件。

5.根据权利要求2所述的制品，其中所述窗口元件包括氧化铟锡。

6.根据权利要求2所述的制品，其中所述窗口元件包括石墨烯。

7.根据权利要求2所述的制品，其中所述窗口元件包括碳纳米管。

8.根据权利要求2所述的制品，其中所述窗口元件包括掺杂的透明半导体。

9.根据权利要求2所述的制品，其中所述窗口元件包括导电聚合物。

10.根据权利要求2所述的制品，其中所述窗口元件包括主体，所述主体包括透明材料、和导电材料的涂层。

11.根据权利要求10所述的制品，其中所述导电材料的涂层包括金。

12.根据权利要求10所述的制品，其中所述导电材料的涂层包括铝。

13.根据权利要求10所述的制品，其中所述导电材料的涂层包括钛。

14.根据权利要求10所述的制品，其中所述导电材料的涂层包括铬。

15.根据权利要求10所述的制品，其中所述涂层的厚度在大约10nm至大约10μm的范围内。

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