CN113270791B - 一种半导体激光电源驱动系统 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种半导体激光电源驱动系统，包括：调试模组、集成可调电源、转接模组，所述集成可调电源与所述调试模组及所述转接模组电连接，提供电能，所述调试模组与所述转接模组电连接，所述转接模组的输出端形成与待驱动半导体激光器连接的驱动输出端，所述调试模组能够控制所述集成可调电源调整输出电压及输出电流，所述转接模组限制能够输入半导体激光器的电流。本发明采用以集成可调电源为基础设计外围转接模组，并采用带保护的开关电路及能够调节驱动电流大小，使用调试模组调节驱动电流；能够有效保护半导体激光器的同时满足半导体激光器对不同电流的需求；方便配置输出电流，并且安全可靠。

Description

一种半导体激光电源驱动系统

技术领域

本发明涉及半导体激光技术领域，特别是涉及一种半导体激光电源驱动系统。

背景技术

半导体激光器是最重要的激光器种类广泛用于医疗美容行业，它是以半导体材料为工作物质的激光器。

例如810nm半导体激光利用光的热解性原理，黑色素吸收光能并转化为热能，使毛囊温度升高，达到一定程度时，其结构发生不可逆的损害，毛囊变性、萎缩不再生长，从而达到永久性的脱毛效果。1470nm半导体激光处在氧和血红蛋白及水的较高吸收阈值非常适合肿瘤切除，外科手术，腹腔镜手术等微创手术。

半导体激光器是电流注入型半导体PN结光发射器件。半导体激光器的光功率是指在规定驱动电流条件下输出的光功率，该指标直接与工作电流对应，这体现了半导体的电流驱动特性。半导体激光器的斜率效率是指PN曲线的斜率，单位为W/A，表征激光器注入单位电流转换为光功率的能力，通常我们驱动半导体激光器利用其V-I曲线，给与合适的驱动电压使其工作在合适的电流并输出对应的功率。

其V-I曲线类似二极管的V-I曲线当其驱动电流增大时其电压微小增大，其功率随电流的增大而迅速增大。对半导体激光器进行控制，通常采用自动控制方法，包括恒流控制，恒功率控制，电压恒定控制等。半导体激光器驱动电源及其方法直接影响半导体输出功率的稳定性，影响激光器的质量及寿命。在医疗器械中使用的半导体激光器对输出功率更是有着比较严格的要求。目前的实现方式是使用一个开关电源给一组超级电容充电充到需要的电压，以超级电容作为电源，接一组MOS管串联上负载电路，然后通过一组MOS管的开关管控制栅极导通电压控制负载上的电流，从而控制激光功率。这种方法是通过负反馈不断调整栅极电压以稳定在所需要的的电压，但当MOS管发生故障时无法对激光器进行保护，并且整个系统体积大，可靠性差。传统的驱动方式有还有一种采用DC-DC模块电源，需要根据激光器V-I曲线选择合适的型号DC-DC模块输出合适的电压以及恒流范围，将220V经过AC-DC整流电路电源转换成直流300V电源然后设计AM80A的转接板，接着根据半导体激光器设计并联的模式确定并联DC-DC模块数量，以达到满足较大的驱动电流；其稳定性差并且不能限流，当具有浪涌电流过大会造成电源损坏，也可导致激光器损坏，并且其体积大每个模块都需要很大的铝制散热片功耗大。

发明内容

本发明的目的是针对克服现有技术中可靠性差的缺点，提供一种半导体激光电源驱动系统。

本发明采用的技术方案为：一种半导体激光电源驱动系统，包括：调试模组、集成可调电源、转接模组，所述集成可调电源与所述调试模组及所述转接模组电连接，提供电能，所述调试模组与所述转接模组电连接，所述转接模组的输出端形成与待驱动半导体激光器连接的驱动输出端，所述调试模组能够控制所述集成可调电源调整输出电压及输出电流，所述转接模组限制能够输入半导体激光器的电流。

进一步的，所述调试模组包括电平转换电路、调试处理电路、数模转换电路及模数转换电路，所述电平转换电路与所述调试处理电路连接，所述数模转换电路与所述调试处理电路电连接，所述模数转换电路与所述调试处理电路及所述转接模组电连接，所述数模转换电路与所述调试处理电路及所述集成可调电源电连接；所述转接模组包括电流采样电路、开关比较电路，所述电流采样电路与所述开关比较电路及所述模数转换电路电连接，所述开关比较电路与半导体激光器电连接，所述电流采样电路用于感应电流产生发送给所述模数转换电路的信号，所述模数转换电路用于生成发送给所述调试处理电路的数字信号，所述调试处理电路能够根据所述数字信号驱动所述集成可调电源输出电流大小，所述开关比较电路用于限制能够输入半导体激光器的电流。

进一步的，所述电平转换电路包括电平转换芯片U10、极性电容C18、极性电容C19、极性电容C20、极性电容C21、极性电容C22，所述电平转换芯片U10的C1+引脚与所述极性电容C18的阳极电连接，所述极性电容C18的阴极与所述电平转换芯片U10的C1-引脚电连接，所述电平转换芯片U10的C2+引脚与所述极性电容C19的阳极电连接，所述电平转换芯片U10的C2-引脚与所述极性电容C19的阴极电连接；所述电平转换芯片U10的V-引脚与所述极性电容C20的阴极电连接，所述极性电容C20的阳极接地，所述极性电容C21的阳极与所述电平转换芯片U10的V-引脚连接，所述极性电容C21的阴极与所述电平转换芯片U10的VCC引脚电及所述极性电容C22的阳极电连接，所述极性电容C22的阴极、所述电平转换芯片U10的GND引脚接地，所述电平转换芯片U10的R1 OUT引脚、T1 IN引脚与所述调试处理电路电连接。

进一步的，所述调试处理电路包括处理芯片U6、电阻R13、电阻R14、极性电容C14、极性电容C18、极性电容C19、极性电容C20、极性电容C21、极性电容C22及晶振Y1，所述电阻R13一端接所述电平转换电路，所述电阻R13另一端与所述处理芯片U6的EA/VP引脚电连接，所述极性电容C14的阳极与所述电平转换电路电连接，所述极性电容C14的阴极与所述电阻R14一端及所述处理芯片U6的RESET引脚电连接，所述电阻R14另一端接地，所述晶振Y1与所述处理芯片U6的X1、X2引脚电连接；所述处理芯片U6的P10引脚、P11引脚及P12引脚与所述数模转换电路电连接；所述处理芯片U6的P3.0引脚、P3.1引脚与所述电平转换芯片U10的R1OUT引脚、T1 IN引脚电连接。

进一步的，所述数模转换电路包括D/A转换芯片U1、电阻R3、极性电容C4、极性电容C5、电容C8、基准二极管D1及触摸屏排线接口J1，所述极性电容C4的阳极与所述D/A转换芯片U1的VCC引脚及所述电阻R3一端电连接，所述电阻R3另一端与所述D/A转换芯片U1的REFIN引脚、所述极性电容C5的阳极、所述电容C8的一端、所述基准二极管D1的阴极电连接，所述极性电容C4的阴极、所述极性电容C4的阴极、所述电容C8的另一端及所述基准二极管D1的阳极接地。

进一步的，所述模数转换电路包括模数转换芯片U5、电阻R6、二极管D2及电容C13，所述模数转换芯片U5的EOC引脚、CLOCK引脚、DIN引脚、DOUT引脚与所述调试处理电路电连接，所述电阻R6一端接12V电源，所述电阻R6另一端与所述模数转换芯片U5的REF+引脚、所述二极管D2的阴极及所述电容C13的一端电连接，所述二极管D2的阳极及所述电容C13的另一端接地，所述模数转换芯片U5的AIN0引脚与所述电流采样电路电连接。

进一步的，所述开关比较电路包括MOS管QP1、三极管Q2、三极管Q3、运算放大器U4B、电阻R21、电阻R22、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻RG6、电阻RH6、电位器RP1，所述MOS管QP1的源极、所述电阻R21的一端与半导体激光器电连接，所述所述MOS管QP1的栅极、所述电阻R21的另一端与所述电阻R22一端电连接，所述电阻R22另一端所述三极管Q3的集电极电连接，所述三极管Q3的发射极接地，所述三极管Q3的基极与所述电阻R24一端电连接，所述电阻R24另一端、所述电阻R25一端与所述三极管Q2的的集电极电连接，所述三极管Q2的集电极电连接，所述三极管Q2的发射极与所述电阻R26一端电连接，所述电阻R26另一端与所述运算放大器U4B的输出端电连接，所述电阻RH6一端与所述电位器RP1一端、所述电阻RG6一端电连接，所述电位器RP1另一端接地，所述电阻RG6另一端与所述运算放大器U4B负相输入端电连接，所述运算放大器U4B的正向输入端与所述电流采样电路电连接。

进一步的，所述电流采样电路包括霍尔传感器U11及电阻RWB2，所述霍尔传感器U11的IP-引脚与所述运算放大器U4B的正向输入端电连接，所述霍尔传感器U11的VOUT引脚与所述模数转换电路电连接，所述电阻RWB2一端与所述霍尔传感器U11的IP-引脚电连接，所述电阻RWB2另一端接地。

进一步的，所述降压芯片U4具体型号为7805，所述电平转换芯片U10具体型号为MAX232，所述处理芯片U6具体型号为SST89E516；所述电平转换芯片U10具体型号为MAX232，所述D/A转换芯片U1具体型号为所述TLC5618。

进一步的，所述MOS管QP1具体型号为IXTH76P10T，所述MOS管QP1的具体型号为OPA2350，所述三极管Q2、所述三极管Q3的具体型号为9013，所述霍尔传感器41的具体型号为ACS758。

本发明采用以集成可调电源为基础设计外围转接模组，并采用带保护的开关电路及能够调节驱动电流大小，使用调试模组调节驱动电流；能够有效保护半导体激光器的同时满足半导体激光器对不同电流的需求；方便配置输出电流，并且安全可靠。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1所示为本发明提供的一种半导体激光电源驱动系统的模块图；

图2所示为图1中触摸屏接口电路的电路图；

图3所示为图1中电平转换电路及调试处理电路的电路图；

图4所示为图1中数模转换电路的电路图；

图5所示为图1中模数转换电路的电路图；

图6所示为图1中转接模组的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“或/及”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

实施例1

下面结合附图介绍本发明提供的半导体激光电源驱动系统：

请参阅图1，为本发明提供的一种半导体激光电源驱动系统，包括：触摸屏1、调试模组2、集成可调电源3、转接模组4，所述集成可调电源3与所述触摸屏1、所述调试模组2及所述转接模组4电连接，提供电能，所述调试模组2与所述触摸屏1及所述转接模组4电连接，所述转接模组4的输出端形成与待驱动半导体激光器连接的驱动输出端。

具体的，所述触摸屏1包括触摸屏主体、串口通讯接口11及电源接口12，所述触摸屏主体与所述串口通讯接口11及所述电源接口12电连接，所述串口通讯接口11与所述调试模组2电连接，所述触摸屏主体通过所述串口通讯接口11与所述调试模组2通讯，所述电源接口12与所述集成可调电源3电连接。

具体的，所述调试模组2包括触摸屏接口电路21、电平转换电路22、调试处理电路23、数模转换电路24及模数转换电路25，所述触摸屏接口电路21与所述集成可调电源3及所述调试处理电路23电连接，所述电平转换电路22与所述调试处理电路23及所述触摸屏1电连接，所述数模转换电路24与所述调试处理电路23电连接，所述模数转换电路25与所述调试处理电路23及所述转接模组4电连接。

具体的，所述触摸屏接口电路21包括降压芯片U4、极性电容C9、电容C10、电容C12，所述降压芯片U4的Vin引脚、所述极性电容C9的阳极、所述电容C10的一端与所述集成可调电源3电连接；所述极性电容C9的阴极、所述电容C10的另一端、所述降压芯片U4的GND引脚及所述电容C12的一端接地，所述电容C12另一端、所述降压芯片U4的Vout引脚形成5V电压输出端。

于本实施例中，所述降压芯片U4具体型号为7805。

具体的，所述电平转换电路22包括电平转换芯片U10、极性电容C18、极性电容C19、极性电容C20、极性电容C21、极性电容C22，所述电平转换芯片U10的C1+引脚与所述极性电容C18的阳极电连接，所述极性电容C18的阴极与所述电平转换芯片U10的C1-引脚电连接，所述电平转换芯片U10的C2+引脚与所述极性电容C19的阳极电连接，所述电平转换芯片U10的C2-引脚与所述极性电容C19的阴极电连接；所述电平转换芯片U10的V-引脚与所述极性电容C20的阴极电连接，所述极性电容C20的阳极接地，所述极性电容C21的阳极与所述电平转换芯片U10的V-引脚连接，所述极性电容C21的阴极与所述电平转换芯片U10的VCC引脚电及所述极性电容C22的阳极电连接，所述极性电容C22的阴极、所述电平转换芯片U10的GND引脚接地，所述电平转换芯片U10的R1 OUT引脚、T1 IN引脚与所述调试处理电路23电连接。

于本实施例中，所述电平转换芯片U10具体型号为MAX232。

具体的，所述调试处理电路23包括处理芯片U6、电阻R13、电阻R14、极性电容C14、极性电容C18、极性电容C19、极性电容C20、极性电容C21、极性电容C22及晶振Y1，所述电阻R13一端接所述电平转换电路22，所述电阻R13另一端与所述处理芯片U6的EA/VP引脚电连接，所述极性电容C14的阳极与所述电平转换电路22电连接，所述极性电容C14的阴极与所述电阻R14一端及所述处理芯片U6的RESET引脚电连接，所述电阻R14另一端接地，所述晶振Y1与所述处理芯片U6的X1、X2引脚电连接；所述处理芯片U6的P10引脚、P11引脚及P12引脚与所述数模转换电路24电连接；所述处理芯片U6的P3.0引脚、P3.1引脚与所述电平转换芯片U10的R1 OUT引脚、T1 IN引脚电连接。

于本实施例中，所述处理芯片U6具体型号为SST89E516；所述电平转换芯片U10具体型号为MAX232。

具体的，所述数模转换电路24包括D/A转换芯片U1、电阻R3、极性电容C4、极性电容C5、电容C8、基准二极管D1及触摸屏排线接口J1，所述极性电容C4的阳极与所述D/A转换芯片U1的VCC引脚及所述电阻R3一端电连接，所述电阻R3另一端与所述D/A转换芯片U1的REFIN引脚、所述极性电容C5的阳极、所述电容C8的一端、所述基准二极管D1的阴极电连接，所述极性电容C4的阴极、所述极性电容C4的阴极、所述电容C8的另一端及所述基准二极管D1的阳极接地。

于本实施例中，所述D/A转换芯片U1具体型号为所述TLC5618。

具体的，所述模数转换电路25包括模数转换芯片U5、电阻R6、二极管D2及电容C13，所述模数转换芯片U5的EOC引脚、CLOCK引脚、D I N引脚、DOUT引脚与所述调试处理电路23电连接，所述电阻R6一端接12V电源，所述电阻R6另一端与所述模数转换芯片U5的REF+引脚、所述二极管D2的阴极及所述电容C13的一端电连接，所述二极管D2的阳极及所述电容C13的另一端接地，所述模数转换芯片U5的AI N0引脚与所述电流采样电路41电连接。

于本实施例中，所述模数转换芯片U5具体型号为TLC2543CN，所述二极管D2具体型号为LM336。

具体的，所述集成可调电源3与所述调试模组2、所述转接模组4电连接，所述集成可调电源3的输出电压及输出电流可调，所述调试模组2能够控制所述集成可调电源3调整输出电压及输出电流。

具体的，所述转接模组4包括电流采样电路41、开关比较电路42，所述电流采样电路41与所述开关比较电路42及所述模数转换电路26电连接，所述开关比较电路42与半导体激光器电连接，所述电流采样电路41感应产生信号发送给所述模数转换电路26进行模数转换后，生成发送给所述调试处理电路23的数字信号，所述调试处理电路23根据所述数字信号驱动所述集成可调电源3输出电流大小，所述开关比较电路42用于当电流过大时截止，保护半导体激光器。

具体的，所述开关比较电路42包括MOS管QP1、三极管Q2、三极管Q3、运算放大器U4B、电阻R21、电阻R22、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻RG6、电阻RH6、电位器RP1，所述MOS管QP1的源极、所述电阻R21的一端与半导体激光器电连接，所述所述MOS管QP1的栅极、所述电阻R21的另一端与所述电阻R22一端电连接，所述电阻R22另一端所述三极管Q3的集电极电连接，所述三极管Q3的发射极接地，所述三极管Q3的基极与所述电阻R24一端电连接，所述电阻R24另一端、所述电阻R25一端与所述三极管Q2的的集电极电连接，所述三极管Q2的集电极电连接，所述三极管Q2的发射极与所述电阻R26一端电连接，所述电阻R26另一端与所述运算放大器U4B的输出端电连接，所述电阻RH6一端与所述电位器RP1一端、所述电阻RG6一端电连接，所述电位器RP1另一端接地，所述电阻RG6另一端与所述运算放大器U4B负相输入端电连接，所述运算放大器U4B的正向输入端与所述电流采样电路41电连接。

于本实施例中，所述MOS管QP1具体型号为IXTH76P10T，所述MOS管QP1的具体型号为OPA2350，所述三极管Q2、所述三极管Q3的具体型号为9013。

具体的，所述电流采样电路41包括霍尔传感器U11及电阻RWB2，所述霍尔传感器U11的IP-引脚与所述运算放大器U4B的正向输入端电连接，所述霍尔传感器U11的VOUT引脚与所述模数转换电路26电连接，所述电阻RWB2一端与所述霍尔传感器U11的IP-引脚电连接，所述电阻RWB2另一端接地。

所述霍尔传感器41的具体型号为ACS758。

请见图6，模块电源并联输出作为电源正极经所述MOS管QP1，串接激光器负载，然后串接ACS758电流采样经电阻RWB2转换成电压信号S412，S412和S413电压作比较，S414控制二极管Q2，S415经二极管Q3转换成S416控制MOS管QP1的栅极。VOUT电压S411即为电流大小。通过调节电位器RP1可调节S413的电压值，即可限定最大电流值。当采集电压值S412大于S413时，所述MOS管QP1截止从而保护半导体激光器，限定了通过半导体激光器的最大电流。

所述霍尔传感器41采集电流，输出电源通过所述开关比较电路42接半导体激光器，所述开关比较电路42通过微小电阻采样转换成电压与给定的电压值作比较并控制所述MOS管QP1的栅极，实现截止，来保护激光器。

本发明采用以集成可调电源为基础设计外围转接模组，并采用带保护的开关电路及能够调节驱动电流大小，使用调试模组调节驱动电流；能够有效保护半导体激光器的同时满足半导体激光器对不同电流的需求；方便配置输出电流，并且安全可靠。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种半导体激光电源驱动系统，其特征在于，包括：

调试模组、集成可调电源、转接模组，所述集成可调电源与所述调试模组及所述转接模组电连接，提供电能，所述调试模组与所述转接模组电连接，所述转接模组的输出端形成与待驱动半导体激光器连接的驱动输出端，所述调试模组能够控制所述集成可调电源调整输出电压及输出电流，所述转接模组限制能够输入半导体激光器的电流；

所述转接模组包括电流采样电路、开关比较电路，所述电流采样电路与所述开关比较电路及调试模组的模数转换电路电连接，所述开关比较电路与半导体激光器电连接，所述电流采样电路用于感应电流产生发送给调试模组的模数转换电路的信号，所述开关比较电路用于限制能够输入半导体激光器的电流；

所述开关比较电路包括MOS管QP1、三极管Q2、三极管Q3、运算放大器U4B、电阻R21、电阻R22、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻RG6、电阻RH6、电位器RP1，所述MOS管QP1的源极、所述电阻R21的一端与半导体激光器电连接，所述MOS管QP1的栅极、所述电阻R21的另一端与所述电阻R22一端电连接，所述电阻R22另一端所述三极管Q3的集电极电连接，所述三极管Q3的发射极接地，所述三极管Q3的基极与所述电阻R24一端电连接，所述电阻R24另一端、所述电阻R25一端与所述三极管Q2的集电极电连接，所述三极管Q2的集电极电连接，所述三极管Q2的发射极与所述电阻R26一端电连接，所述电阻R26另一端与所述运算放大器U4B的输出端电连接，所述电阻RH6一端与所述电位器RP1一端、所述电阻RG6一端电连接，所述电位器RP1另一端接地，所述电阻RG6另一端与所述运算放大器U4B负相输入端电连接，所述运算放大器U4B的正向输入端与所述电流采样电路电连接。

2.如权利要求1所述的半导体激光电源驱动系统，其特征在于，

所述调试模组包括电平转换电路、调试处理电路、数模转换电路及模数转换电路，所述电平转换电路与所述调试处理电路连接，所述数模转换电路与所述调试处理电路电连接，所述模数转换电路与所述调试处理电路及所述转接模组电连接，所述数模转换电路与所述调试处理电路及所述集成可调电源电连接；所述电流采样电路与所述模数转换电路电连接，所述模数转换电路用于接收所述电流采样电路发送的信号，并生成发送给所述调试处理电路的数字信号，所述调试处理电路能够根据所述数字信号驱动所述集成可调电源输出电流大小。

3.如权利要求2所述的半导体激光电源驱动系统，其特征在于，所述电平转换电路包括电平转换芯片U10、极性电容C18、极性电容C19、极性电容C20、极性电容C21、极性电容C22，所述电平转换芯片U10的C1+引脚与所述极性电容C18的阳极电连接，所述极性电容C18的阴极与所述电平转换芯片U10的C1-引脚电连接，所述电平转换芯片U10的C2+引脚与所述极性电容C19的阳极电连接，所述电平转换芯片U10的C2-引脚与所述极性电容C19的阴极电连接；所述电平转换芯片U10的V-引脚与所述极性电容C20的阴极电连接，所述极性电容C20的阳极接地，所述极性电容C21的阳极与所述电平转换芯片U10的V-引脚连接，所述极性电容C21的阴极与所述电平转换芯片U10的VCC引脚电及所述极性电容C22的阳极电连接，所述极性电容C22的阴极、所述电平转换芯片U10的GND引脚接地，所述电平转换芯片U10的R1 OUT引脚、T1 IN引脚与所述调试处理电路电连接。

4.如权利要求3所述的半导体激光电源驱动系统，其特征在于，所述调试处理电路包括处理芯片U6、电阻R13、电阻R14、极性电容C14、极性电容C18、极性电容C19、极性电容C20、极性电容C21、极性电容C22及晶振Y1，所述电阻R13一端接所述电平转换电路，所述电阻R13另一端与所述处理芯片U6的EA/VP引脚电连接，所述极性电容C14的阳极与所述电平转换电路电连接，所述极性电容C14的阴极与所述电阻R14一端及所述处理芯片U6的RESET引脚电连接，所述电阻R14另一端接地，所述晶振Y1与所述处理芯片U6的X1、X2引脚电连接；所述处理芯片U6的P10引脚、P11引脚及P12引脚与所述数模转换电路电连接；所述处理芯片U6的P3.0引脚、P3.1引脚与所述电平转换芯片U10的R1 OUT引脚、T1 IN引脚电连接。

5.如权利要求4所述的半导体激光电源驱动系统，其特征在于，所述数模转换电路包括D/A转换芯片U1、电阻R3、极性电容C4、极性电容C5、电容C8、基准二极管D1及触摸屏排线接口J1，所述极性电容C4的阳极与所述D/A转换芯片U1的VCC引脚及所述电阻R3一端电连接，所述电阻R3另一端与所述D/A转换芯片U1的REFIN引脚、所述极性电容C5的阳极、所述电容C8的一端、所述基准二极管D1的阴极电连接，所述极性电容C4的阴极、所述电容C8的另一端及所述基准二极管D1的阳极接地。

6.如权利要求5所述的半导体激光电源驱动系统，其特征在于，所述模数转换电路包括模数转换芯片U5、电阻R6、二极管D2及电容C13，所述模数转换芯片U5的EOC引脚、CLOCK引脚、DIN引脚、DOUT引脚与所述调试处理电路电连接，所述电阻R6一端接12V电源，所述电阻R6另一端与所述模数转换芯片U5的REF+引脚、所述二极管D2的阴极及所述电容C13的一端电连接，所述二极管D2的阳极及所述电容C13的另一端接地，所述模数转换芯片U5的AIN0引脚与所述电流采样电路电连接。

7.如权利要求2所述的半导体激光电源驱动系统，其特征在于，所述电流采样电路包括霍尔传感器U11及电阻RWB2，所述霍尔传感器U11的IP-引脚与所述运算放大器U4B的正向输入端电连接，所述霍尔传感器U11的VOUT引脚与所述模数转换电路电连接，所述电阻RWB2一端与所述霍尔传感器U11的IP-引脚电连接，所述电阻RWB2另一端接地。

8.如权利要求5所述的半导体激光电源驱动系统，其特征在于，所述处理芯片U6具体型号为SST89E516；所述电平转换芯片U10具体型号为MAX232，所述D/A转换芯片U1具体型号为TLC5618。

9.如权利要求7所述的半导体激光电源驱动系统，其特征在于，所述MOS管QP1具体型号为IXTH76P10T，所述三极管Q2、所述三极管Q3的具体型号为9013，所述霍尔传感器U11的具体型号为ACS758。

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