CN113270425A - 阵列基板、阵列基板制备方法及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、阵列基板制备方法及显示面板，阵列基板制备方法包括：在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜，其中，第一表面为基板中背向基底的表面，无机薄膜为无机薄膜或者氮化硅薄膜；在无机薄膜上形成像素定义层，并去除非开口区域中的过孔区域处的像素定义层；通过湿法刻蚀工艺蚀刻过孔区域处的无机薄膜，以使无机薄膜在像素定义层边缘发生侧向侵蚀现象；蒸镀有机发光二极管层；在蒸镀形成有机发光二极管层后，蒸镀阵列基板的阴极。本发明通过工艺将有机发光二极管的阴极与辅助电级接触，实现了辅助阴极，可以改善阴极电压分布不均，以提高显示面板亮度均一性。

Description

阵列基板、阵列基板制备方法及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板制备方法及显示面板。
背景技术
对于顶发光的阵列基板，由于阴极较薄，会导致阴极电阻增加，进而使得阴极电压分布不均，导致显示面板亮度均一性低。
发明内容
本申请的主要目的是提出一种阵列基板、种阵列基板制备方法及显示面板，旨在解决现有技术中，显示面板亮度均一性低的技术问题。
为实现上述目的，本申请提出的一种阵列基板制备方法，所述阵列基板制备方法包括：
在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜，其中，所述第一表面为所述基板中背向基底的表面，所述无机薄膜为二氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜；
在所述无机薄膜上形成像素定义层，并去除所述非开口区域中的过孔区域处的所述像素定义层；
通过湿法刻蚀工艺蚀刻所述过孔区域处的无机薄膜，以使所述无机薄膜在所述像素定义层边缘发生侧向侵蚀现象；
蒸镀有机发光二极管层；
在蒸镀形成所述有机发光二极管层后，蒸镀阵列基板的阴极。
可选地，所述蒸镀有机发光二极管层的步骤包括：
以垂直所述基板的第一表面的方向蒸镀所述机发光二极管层。
可选的，所述蒸镀阵列基板的阴极的步骤包括：
在所述基板的第一表面的上，以预设角度蒸镀所述阵列基板的阴极。
可选的，所述在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜的步骤包括：
在所述基板的第一表面沉积无机薄膜；
去除所述基板的第一表面中的开口区域的无机薄膜，以在所述基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜。
可选的，所述去除所述非开口区域中的过孔区域处的所述像素定义层的步骤包括：
对所述过孔区域处的像素定义层进行图形化处理。
可选的，所述对所述过孔区域处的像素定义层进行图形化处理的步骤包括：
对所述过孔区域处的像素定义层进行涂布、曝光、显影以及刻蚀。
可选的，所述无机薄膜的厚度区间为500～3000埃米。
可选的，所述在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜的步骤之前：
通过薄膜晶体管以及正级制程制备所述基板。
为了实现上述目的，本申请还提供一种阵列基板，所述阵列基板由以上各个步骤制备得到。
为了实现上述目的，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括以上各个步骤制备得到的阵列基板。
本发明提供的阵列基板、制备方法及显示面板，所述阵列基板制备方法包括：在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜，其中，所述第一表面为所述基板中背向基底的表面，所述无机薄膜为二氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜；在所述无机薄膜上形成像素定义层，并去除所述非开口区域中的过孔区域处的所述像素定义层；通过湿法刻蚀工艺蚀刻所述过孔区域处的无机薄膜，以使所述无机薄膜在所述像素定义层边缘发生侧向侵蚀现象；蒸镀有机发光二极管层；在蒸镀形成所述有机发光二极管层后，蒸镀阵列基板的阴极。由于将有机发光二极管的阴极与辅助电级接触，可实现辅助阴极，可以改善阴极电压分布不均，以提高显示面板亮度均一性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本申请阵列基板制备方法第一实施例的流程结构示意图；
图2为本申请基板的结构示意图；
图3为本申请阵列基板的在制备过程中第一状态下的结构示意图；
图4为本申请阵列基板的在制备过程中第二状态下的结构示意图；
图5为本申请阵列基板的在制备过程中第三状态下的结构示意图；
图6为本申请阵列基板的在制备过程中第四状态下的结构示意图；
图7为本申请阵列基板的在制备过程中第五状态下的结构示意图；
图7A为本申请阵列基板的第二侧刻空间的结构示意图；
图8为本申请阵列基板的在制备过程中第六状态下的结构示意图；
图9为本申请阵列基板的在制备过程中第七状态下的结构示意图；
图10为本申请阵列基板的结构示意图。
附图标号说明：
标号 名称 标号 名称
1 基板 2 辅助电级
3 阳极 4 无机薄膜
5 光刻胶 6 第一侧刻空间
7 像素定义层 8 第二侧刻空间
9 有机发光二极管层 10 阴极
A 有机发光二极管层蒸镀方向 B 阴极蒸镀方向
本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
需要说明，若本申请实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，若本申请实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本申请要求的保护范围之内。
本发明的主要解决方案是：在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜，其中，第一表面为基板中背向基底的表面，无机薄膜为无机薄膜或者氮化硅薄膜；在无机薄膜上形成像素定义层，并去除非开口区域中的过孔区域处的像素定义层；通过湿法刻蚀工艺蚀刻过孔区域处的无机薄膜，以使无机薄膜在像素定义层边缘发生侧向侵蚀现象；蒸镀有机发光二极管层；在蒸镀形成有机发光二极管层后，蒸镀阵列基板的阴极。
通过工艺将有机发光二极管的阴极与辅助电级接触，实现了辅助阴极，可以改善阴极电压分布不均，以提高显示面板亮度均一性。
本申请提出一种阵列基板制备方法、阵列基板以及显示面板。
具体参考图1，本申请提出的阵列基板制备方法的第一实施例，所述阵列基板制备方法包括以下步骤：
步骤S10，在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜，其中，所述第一表面为所述基板中背向基底的表面，所述无机薄膜为二氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜。
有机发光二极管(OLED)基板的像素可以分成底部发光(bottom emitting)与上部发光(top emitting)两种。以往阵列基板的像素设计大多采用底部发光设计，其阳极为透明的电极，而阴极则以铝作为有机发光二极管发光的反射层，而光则需透过TFT(薄膜晶体管)数组与玻璃基板才能发射出去。由于发光面积与像素中的薄膜晶体管(TFT)与电容数目和面积有关，因为OLED所发出的光会被TFT与电容中的不透明金属导线所阻挡，因此开口率最大只能到达约40％。顶发光OLED设计则是采用透明或者半透的阴极，而阳极则为不透明的金属，因此即使TFT与电容占去像素中的大部分面积，但因为OLED是往上发光，所以其可发光面积不受像素中的TFT与电容面积影响。但是顶发光阴极金属为了维持透明，需要做的很薄，由于阴极较薄，会导致阴极电阻增加，进而使得阴极电压分布不均，导致显示面板亮度均一性低。
可选的，可通过预设制程来制备上述基板，具体的，上述预设制程包括薄膜晶体管制程以及正级制程制备上述基板。
在本实施例阵列基板的制备过程中，基板1的具体架构可参考图2，所述基板1由TFT器件层、辅助电级2以及阳极3构成，进一步的，上述TFT器件层由Substrate(母基板)、Bottom Shield Metal(底部金属层)、ACT(有源层)、GI(栅极绝缘层)、Gate(栅电极)、SD(源电极和漏电极)、ILD(层间绝缘层)、OC(有机层)组成。
在本实施例阵列基板的制备过程中，上述无机薄膜4可为二氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜，基于图2所示的架构，在基板1的非开口区域沉积无机薄膜4，然后形成如图3所示的架构，其中，基板1上的辅助电级2被无机薄膜4完全覆盖，而阳极3的部分金属走线已经裸露，其中，阳极3的裸露部分的上方所在区域即为开口区域，上述开口区域即为发光区域；而除去开口区域的其他区域为上述非开口区域。
可选的，对于在基板1的非开口区域沉积无机薄膜4的具体步骤，可在所述基板1的第一表面之上沉积无机薄膜4，然后形成如图4所示的架构，其中，在基板1的第一表面中的非开口区域以及开口区域都沉积了无机薄膜4，具体的，基板1上的辅助电级2、阳极3都被无机薄膜4覆盖；进一步的，基于图4所示的架构，对基板1的第一表面中的开口区域进行图案化处理，可使得开口区域上的无机薄膜4被去除，从而得到如图3所示的架构。
可选的，对无机薄膜4进行图案化处理的步骤包括：在无机薄膜4上涂布光刻胶5，然后对光刻胶5进行图形化处理，再对开口区域上的无机薄膜4进行湿法刻蚀，以使得无机薄膜4在光刻胶5的边缘发生侧向侵蚀现象，形成了第一侧刻空间6，具体效果参照图5；在图5的架构基础上剥离光刻胶5，可得到如图3所述的架构，其中，湿法刻蚀的方式为侧刻，优选的，侧刻可保障侧边刻蚀的刻蚀量。
可选的，对光刻胶5进行图形化处理的步骤包括曝光、显影以及刻蚀。
步骤S20，在所述无机薄膜上形成像素定义层，并去除所述非开口区域中的过孔区域处的所述像素定义层。
在本实施例阵列基板的制备过程中，上述像素定义层7为PDL层，基于图3所述的架构，在无机薄膜4上形成像素定义层7，具体的，在无机薄膜4涂布像素定义层7，要注意的是，由于在图5的基础上，无机薄膜4与光刻胶5形成了第一侧刻空间6，因此，在实现无机薄膜4上形成像素定义层7的步骤后，像素定义层7不会对开口区域造成影响，例如：在第一侧刻空间6，像素定义层7实现了对无机薄膜4上方以及侧边的覆盖；然后去除过孔区域处的像素定义层7，然后形成图6所示的架构，其中，上述过孔区域处为非开口区域中部分辅助电级2的正上方，其中，由于过孔区域处上方的像素定义层7被去除，所以，处于过孔区域处下方，与辅助电级2接触的无机薄膜4裸露了出来。
步骤S30，通过湿法刻蚀工艺蚀刻所述过孔区域处的无机薄膜，以使所述无机薄膜在所述像素定义层边缘发生侧向侵蚀现象。
在本实施例阵列基板的制备过程中，基于图6所述的架构，对过孔区域处下方裸露的无机薄膜4进行湿法刻蚀，然后形成如图7所示的架构，其中，由于与过孔区域处接触的无机薄膜4被去除，所以过孔区域处的部分辅助阴极2裸露了出来，并且，形成了第二侧刻空间8，优选的，第二侧刻空间8中的局部图如图7A所示，其中，a优选1-3um。
步骤S40，蒸镀有机发光二极管层。
基于图7得到的架构，先蒸镀形成有机发光二极管层9，形成如图8所示的架构，其中，有机发光二极管层9即为OLED层，具体的，对于有机发光二极管层蒸镀方向A，优选垂直基板1的第一表面的方向，其中，过孔区域处的辅助电极未被有机发光二极管层9完全覆盖，例如：在蒸镀有机发光二极管层9时，OLED离子注入垂直于基板，保证有机发光二极管层9未完全覆盖第二侧刻空间8，以使得后续蒸镀阴极10时，阴极10可在第二侧刻空间8实现与辅助电级2的接触。
步骤S50，在蒸镀形成所述有机发光二极管层后，蒸镀阵列基板的阴极。
在本实施例阵列基板的制备过程中，基于图8所述的架构，蒸镀阵列基板的阴极10，然后形成图9所示的架构，以制备完成发光二极管基板，具体的，对于图9中的阴极蒸镀方向B，可根据预设角度θ的取值确定，在本实施例中，预设角度θ优选30度至89度，以更容易的在第二侧刻空间8中蒸镀阴极10；在蒸镀完成后，即可完成如图10所述的阵列基板的制备，其中，阴极10在第二侧刻空间8实现了与辅助电级2的接触。
可选的，本实施例的无机薄膜4的厚度区间为500～3000埃米。
可选的，对于上述无机薄膜4在所述像素定义层7边缘形成的第二侧刻空间，在基板1的边缘区域同样适用。
在本实施例制备的阵列基板中，无机薄膜4在像素定义层7边缘发生侧向侵蚀现象时，会形成第二侧刻空间8，形成的第二侧刻空间8可视为VSS(辅助阴极走线)过孔，由于本实施例通过工艺将有机发光二极管的阴极10与辅助电级2接触，实现了辅助阴极，可以改善阴极2电压分布不均，提高显示面板亮度均一性；进一步的，无机薄膜4在像素定义层7边缘形成的第二侧刻空间8小于等于6um，对于阵列基板，可以设计更小的像素尺寸，以提高显示屏的PPI(像素密度)。
为了实现上述目的，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括如上所述的阵列基板，由于本显示面板采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法或系统。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。
应当注意的是，在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的部件或步骤。位于部件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的部件。本发明可以借助于包括有若干不同部件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。本领域的技术人员也可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，在不脱离本申请构思的前提下，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述阵列基板制备方法包括：
在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜，其中，所述第一表面为所述基板中背向基底的表面，所述无机薄膜为二氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜；
在所述无机薄膜上形成像素定义层，并去除所述非开口区域中的过孔区域处的所述像素定义层；
通过湿法刻蚀工艺蚀刻所述过孔区域处的无机薄膜，以使所述无机薄膜在所述像素定义层边缘发生侧向侵蚀现象；
蒸镀有机发光二极管层；
在蒸镀形成所述有机发光二极管层后，蒸镀阵列基板的阴极。
2.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述蒸镀有机发光二极管层的步骤包括：
以垂直所述基板的第一表面的方向蒸镀所述机发光二极管层。
3.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述蒸镀阵列基板的阴极的步骤包括：
在所述基板的第一表面的上，以预设角度蒸镀所述阵列基板的阴极。
4.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜的步骤包括：
在所述基板的第一表面沉积无机薄膜；
去除所述基板的第一表面中的开口区域的无机薄膜，以在所述基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜。
5.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述去除所述非开口区域中的过孔区域处的所述像素定义层的步骤包括：
对所述过孔区域处的像素定义层进行图形化处理。
6.如权利要求5所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述对所述过孔区域处的像素定义层进行图形化处理的步骤包括：
对所述过孔区域处的像素定义层进行涂布、曝光、显影以及刻蚀。
7.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述无机薄膜的厚度区间为500～3000埃米。
8.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜的步骤之前：
通过薄膜晶体管以及正级制程制备所述基板。
9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板根据权利要求1-8任一项所述的阵列基板制备方法制备得到。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009032673A (ja) * 2007-07-03 2009-02-12 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
US20140312323A1 (en) * 2013-04-23 2014-10-23 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
CN104681588A (zh) * 2013-11-28 2015-06-03 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置
US20160149156A1 (en) * 2014-11-25 2016-05-26 Lg Display Co., Ltd. See-through organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US20170033166A1 (en) * 2015-07-29 2017-02-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN109360900A (zh) * 2018-09-14 2019-02-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009032673A (ja) * 2007-07-03 2009-02-12 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
US20140312323A1 (en) * 2013-04-23 2014-10-23 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
CN104681588A (zh) * 2013-11-28 2015-06-03 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置
US20160149156A1 (en) * 2014-11-25 2016-05-26 Lg Display Co., Ltd. See-through organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US20170033166A1 (en) * 2015-07-29 2017-02-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN109360900A (zh) * 2018-09-14 2019-02-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法

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