CN113265644A - 一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备 - Google Patents

一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备 Download PDF

Info

Publication number
CN113265644A
CN113265644A CN202110364280.4A CN202110364280A CN113265644A CN 113265644 A CN113265644 A CN 113265644A CN 202110364280 A CN202110364280 A CN 202110364280A CN 113265644 A CN113265644 A CN 113265644A
Authority
CN
China
Prior art keywords
rod
vapor deposition
chemical vapor
fixedly connected
block
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110364280.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113265644B (zh
Inventor
不公告发明人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Huangcan New Material Technology Co ltd
Original Assignee
Shanghai Shangxiang Information Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Shangxiang Information Technology Co ltd filed Critical Shanghai Shangxiang Information Technology Co ltd
Priority to CN202110364280.4A priority Critical patent/CN113265644B/zh
Publication of CN113265644A publication Critical patent/CN113265644A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113265644B publication Critical patent/CN113265644B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及化学气相淀积技术领域，且公开了一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备，包括沉淀箱，所述沉淀箱的内部设置有反应板，所述反应板的底部固定连接有发热块，所述连动杆的侧面固定连接有斜杆，所述斜杆远离连动杆的一侧转动连接有限位块，两个所述限位块相对的一侧滑动连接有阻挡块，所述金属球的侧面滑动连接有导电杆，所述金属球的底部固定连接有惯性齿杆，所述惯性齿杆的侧面啮合连接有水平螺杆，所述沉淀箱的底部开设有通气腔，所述通气腔的内部设置有竖直螺杆。该基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备，通过支撑弹簧磁板的配合使用，从而达到了在对基底覆膜时，确保基底覆膜厚度与所需厚度相同的效果。

Description

一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备
技术领域
本发明涉及化学气相淀积技术领域，具体为一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备。
背景技术
化学气相淀积指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程，在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备，另外，敏感元件的制造也会通过这种方法。
现有对敏感元件基底的化学气相淀积是使含有待淀积物质的化合物升华成气体，与另一种气体化合物在反应室内加热进行化学反应，生成固态淀积物，淀积在基底上而生成薄膜，但由于设备对化学反应速率的控制不够精确，使得基底的覆膜厚度存在差异，对基底覆膜不利。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备，具备在对基底覆膜时，确保基底覆膜厚度与所需厚度相同等优点，解决了现有基底的覆膜厚度存在差异，对基底覆膜不利的问题。
(二)技术方案
为实现上述在对基底覆膜时，确保基底覆膜厚度与所需厚度相同等的目的，本发明提供如下技术方案：一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备，包括沉淀箱，所述沉淀箱的内部设置有反应板，所述反应板的底部固定连接有发热块，所述发热块的下方设置有基底，所述基底的两侧设置有挤压块，所述挤压块的侧面固定连接有磁性环，所述挤压块的侧面通过连杆转动连接有支撑弹簧，所述磁性环的下方设置有磁板，所述磁板的底部固定连接有连动杆，所述连动杆的侧面固定连接有斜杆，所述斜杆远离连动杆的一侧转动连接有限位块，两个所述限位块相对的一侧滑动连接有阻挡块，所述斜杆的底部固定连接有金属球，所述金属球的侧面滑动连接有导电杆，所述金属球的底部固定连接有惯性齿杆，所述惯性齿杆的侧面啮合连接有水平螺杆，所述沉淀箱的底部开设有通气腔，所述通气腔的内部设置有竖直螺杆。
优选的，所述导电杆与控制发热块的电源连接，随着导电杆断路控制发热块停止发热。
优选的，所述限位块存在弹性形变，在斜杆向下移动时避免卡死，同时蓄力。
优选的，所述限位块的上方设置有限位板，且与斜杆的侧面固定连接，在限位块向下移动时卡住限位块避免其偏转，而在上移时则不会。
优选的，所述竖直螺杆的顶部设置有抽气扇，随着竖直螺杆转动而转动，在沉淀箱内部产生抽力。
优选的，所述水平螺杆与竖直螺杆连接的区域设置有斜螺纹，使得水平螺杆能够与竖直螺杆啮合传动。
优选的，所述水平螺杆与惯性齿杆局部啮合，使得惯性齿杆移动后不会卡住水平螺杆转动。
优选的，所述通气腔的内部设置有单向阀，且阀口向下。
(三)有益效果
与现有技术相比，本发明提供了一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备，具备以下有益效果：
1、该基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备，通过支撑弹簧磁板的配合使用，在对基底进行覆膜时，启动电机，挤压块带动基底匀速转动，随着发热块的发热，反应板表面物质升华与沉淀箱内部气体产生化学反应，产生的沉淀附着造基底表面，当厚度达到要求时，发热块会自动停止发热，故反应板表面物质不再升华，基底表面不再出现沉淀，从而达到了在对基底覆膜时，确保基底覆膜厚度与所需厚度相同的效果。
2、该基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备，通过通气腔与竖直螺杆的配合使用，在金属球快速向下移动时，其底部的惯性齿杆会短暂的与水平螺杆进行啮合传动，水平螺杆之后会在惯性的作用下持续转动，带动与之啮合的竖直螺杆持续转动，竖直螺杆带动顶部的抽气扇在通气腔内部转动，将沉淀箱内部残留的充入气体抽出，避免这部分气体与反应板表面物质反应，从而达到了在结束覆膜时自动抽出沉淀箱残留气体，避免与反应板表面物质反应造成污染的效果。
附图说明
图1为本发明结构整体剖视示意图；
图2为本发明结构沉淀箱剖视示意图；
图3为本发明结构图2中A部分放大示意图；
图4为本发明结构图2中B部分放大示意图。
图5为本发明结构图2中C部分放大示意图。
图中：1、沉淀箱；2、反应板；3、发热块；4、基底；5、挤压块；6、磁性环；7、支撑弹簧；8、磁板；9、连动杆；10、斜杆；11、限位块；12、金属球；13、导电杆；14、惯性齿杆；15、水平螺杆；16、竖直螺杆；17、通气腔；18、阻挡块。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-5，一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备，包括沉淀箱1，沉淀箱1的内部设置有反应板2，反应板2的底部固定连接有发热块3，发热块3的下方设置有基底4，基底4的两侧设置有挤压块5，挤压块5的侧面固定连接有磁性环6，挤压块5的侧面通过连杆转动连接有支撑弹簧7，磁性环6的下方设置有磁板8，磁板8的底部固定连接有连动杆9，连动杆9的侧面固定连接有斜杆10，斜杆10远离连动杆9的一侧转动连接有限位块11，限位块11存在弹性形变，在斜杆10向下移动时避免卡死，同时蓄力，两个限位块11相对的一侧滑动连接有阻挡块18，斜杆10的底部固定连接有金属球12，金属球12的侧面滑动连接有导电杆13，导电杆13与控制发热块3的电源连接，随着导电杆13断路控制发热块3停止发热，金属球12的底部固定连接有惯性齿杆14，惯性齿杆14的侧面啮合连接有水平螺杆15，水平螺杆15与惯性齿杆14局部啮合，使得惯性齿杆14移动后不会卡住水平螺杆15转动，水平螺杆15与竖直螺杆16连接的区域设置有斜螺纹，使得水平螺杆15能够与竖直螺杆16啮合传动，沉淀箱1的底部开设有通气腔17，通气腔17的内部设置有单向阀，且阀口向下，通气腔17的内部设置有竖直螺杆16，竖直螺杆16的顶部设置有抽气扇，随着竖直螺杆16转动而转动，在沉淀箱1内部产生抽力。
工作原理:在对基底4进行覆膜时，启动电机，挤压块5带动基底4匀速转动，同时发热块3发热对顶部反应板2进行加热，反应板2表面化学物质升华到沉淀箱1内部，与沉淀箱1内部充入的反应气体进行化学反应，产生的沉淀均匀附着在转动基底4的表面，随着覆膜的进行，基底4的重量逐渐增大，导致支撑弹簧7逐渐被拉伸，挤压块5侧面的磁性环6逐渐向下移动，由于磁性环6与磁板8相互排斥，故随着磁性环6向下移动，磁板8带动底部的连动杆9向下移动，连动杆9带动侧面的斜杆10同步向下移动，在初始时，斜杆10顶部的限位块11被阻挡块18阻挡，其顶部的阻挡板使得限位块11无法偏转，故限位块11弯曲，当其弯曲越过阻挡块18时，斜杆10会带动底部的金属球12快速向下移动，金属球12脱离导电杆13，使得与发热块3连接的电源断电，故发热块3不再发热，反应板2表面的物质不再升华与反应气体产生沉淀附着在基底4表面，因此基底4覆膜停止，这种根据覆膜质量自动停止覆膜的设备，确保覆膜精准，从而达到了在对基底4覆膜时，确保基底4覆膜厚度与所需厚度相同的效果。
在金属球12快速向下移动时，其底部的惯性齿杆14会短暂的与水平螺杆15进行啮合传动，水平螺杆15之后会在惯性的作用下持续转动，带动与之啮合的竖直螺杆16持续转动，竖直螺杆16带动顶部的抽气扇在通气腔17内部转动，将沉淀箱1内部残留的充入气体抽出，避免这部分气体与反应板2表面物质反应，从而达到了在结束覆膜时自动抽出沉淀箱1残留气体，避免与反应板2表面物质反应造成污染的效果。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (8)

1.一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备，包括沉淀箱(1)，其特征在于：所述沉淀箱(1)的内部设置有反应板(2)，所述反应板(2)的底部固定连接有发热块(3)，所述发热块(3)的下方设置有基底(4)，所述基底(4)的两侧设置有挤压块(5)，所述挤压块(5)的侧面固定连接有磁性环(6)，所述挤压块(5)的侧面通过连杆转动连接有支撑弹簧(7)，所述磁性环(6)的下方设置有磁板(8)，所述磁板(8)的底部固定连接有连动杆(9)，所述连动杆(9)的侧面固定连接有斜杆(10)，所述斜杆(10)远离连动杆(9)的一侧转动连接有限位块(11)，两个所述限位块(11)相对的一侧滑动连接有阻挡块(18)，所述斜杆(10)的底部固定连接有金属球(12)，所述金属球(12)的侧面滑动连接有导电杆(13)，所述金属球(12)的底部固定连接有惯性齿杆(14)，所述惯性齿杆(14)的侧面啮合连接有水平螺杆(15)，所述沉淀箱(1)的底部开设有通气腔(17)，所述通气腔(17)的内部设置有竖直螺杆(16)。
2.根据权利要求1所述的一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备，其特征在于：所述导电杆(13)与控制发热块(3)的电源连接。
3.根据权利要求1所述的一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备，其特征在于：所述限位块(11)存在弹性形变。
4.根据权利要求1所述的一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备，其特征在于：所述限位块(11)的上方设置有限位板，且与斜杆(10)的侧面固定连接。
5.根据权利要求1所述的一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备，其特征在于：所述竖直螺杆(16)的顶部设置有抽气扇。
6.根据权利要求1所述的一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备，其特征在于：所述水平螺杆(15)与竖直螺杆(16)连接的区域设置有斜螺纹。
7.根据权利要求1所述的一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备，其特征在于：所述水平螺杆(15)与惯性齿杆(14)局部啮合。
8.根据权利要求1所述的一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备，其特征在于：所述通气腔(17)的内部设置有单向阀，且阀口向下。
CN202110364280.4A 2021-04-04 2021-04-04 一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备 Active CN113265644B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110364280.4A CN113265644B (zh) 2021-04-04 2021-04-04 一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110364280.4A CN113265644B (zh) 2021-04-04 2021-04-04 一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113265644A true CN113265644A (zh) 2021-08-17
CN113265644B CN113265644B (zh) 2022-12-06

Family

ID=77228433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110364280.4A Active CN113265644B (zh) 2021-04-04 2021-04-04 一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113265644B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003031320A1 (fr) * 2001-10-02 2003-04-17 Nec Corporation Element structurel en film mince, procede de fabrication dudit element et element de commutation utilisant cet element
WO2007029735A1 (ja) * 2005-09-06 2007-03-15 Waseda University 蒸着装置、蒸着方法、光学素子及びキラルセンサ
CN102477543A (zh) * 2010-11-23 2012-05-30 英作纳米科技（北京）有限公司 旋转式空间隔离化学气相淀积方法及其设备
CN205152330U (zh) * 2015-10-20 2016-04-13 北京普拉斯马科技有限公司 一种全自动型等离子体化学气相淀积台
CN107888110A (zh) * 2017-12-25 2018-04-06 新昌县盈启自动化设备有限公司 一种能快速停止带自锁功能的电机
CN108359961A (zh) * 2018-05-18 2018-08-03 合肥微睿光电科技有限公司 一种适用于化学气相淀积过程中的基座

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003031320A1 (fr) * 2001-10-02 2003-04-17 Nec Corporation Element structurel en film mince, procede de fabrication dudit element et element de commutation utilisant cet element
WO2007029735A1 (ja) * 2005-09-06 2007-03-15 Waseda University 蒸着装置、蒸着方法、光学素子及びキラルセンサ
CN102477543A (zh) * 2010-11-23 2012-05-30 英作纳米科技（北京）有限公司 旋转式空间隔离化学气相淀积方法及其设备
CN205152330U (zh) * 2015-10-20 2016-04-13 北京普拉斯马科技有限公司 一种全自动型等离子体化学气相淀积台
CN107888110A (zh) * 2017-12-25 2018-04-06 新昌县盈启自动化设备有限公司 一种能快速停止带自锁功能的电机
CN108359961A (zh) * 2018-05-18 2018-08-03 合肥微睿光电科技有限公司 一种适用于化学气相淀积过程中的基座

Also Published As

Publication number Publication date
CN113265644B (zh) 2022-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2322688A1 (en) Method of forming organic polymer thin film and an appartus for forming the organic polymer thin film
JP5594611B2 (ja) スロットダイ塗工方法
Lee et al. Mechanisms for hydrophilic/hydrophobic wetting transitions on cellulose cotton fibers coated using Al2O3 atomic layer deposition
CN108821273B (zh) 真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法
NL8105269A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een bedekkingslaag volgens de meniscustechniek.
CN102645681A (zh) 光学部件、其制造方法以及使用其的光学系统
CN113265644B (zh) 一种基于敏感元件制造的化学气相淀积用设备
CN102527589A (zh) 一种平板式刮膜机及其控制方法
CN211045478U (zh) 钙钛矿薄膜涂布设备
CN108275888B (zh) 水滴模板法结合相分离法制备蜂窝结构TiO2薄膜
CN112809578B (zh) 一种玻璃定位治具及玻璃定位方法
CN109970353A (zh) 一种促进钙钛矿薄膜结晶可控生长的化学吸附自限制辅助方法
WO2011027872A1 (ja) 無機構造物及びその製造方法、並びに無機薄膜の製造方法
US20140363582A1 (en) Method of preparing yttria solution for buffer layer of substrate
KR20130137792A (ko) 유리섬유시트의 수지조성물 도포용 진공함침기
CN1166809C (zh) 合成树脂成型物及其制造方法
KR101225128B1 (ko) 폴리테트라플루오로에틸렌 박막의 형성 방법
CN112720998A (zh) 聚四氟乙烯板材模压模具
JPH05509030A (ja) 構造物を一様にコートするための新規な方法及び装置
CN116752097A (zh) 卧式双蒸发光学镀工艺及设备
Hassan et al. Investigation of Pp Hydrophobic Layer Via Dip Coating Parameters on Pvdf Hollow Fiber Membrane Contactor for Co2 Gas Absorption
CN215964545U (zh) 一种植入性生物传感器生产用涂膜设备
CN219859746U (zh) 一种eva封装胶膜生产的抹平机构
CN112430805B (zh) 一种原子层沉积镀膜机的真空控制系统
RU61716U1 (ru) Ростовой манипулятор вакуумной камеры для выращивания полупроводниковых гетероструктур

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20221115

Address after: 225300 No.96 Wenchang East Road, Taixing high tech Industrial Development Zone, Taizhou City, Jiangsu Province

Applicant after: Jiangsu huangcan New Material Technology Co.,Ltd.

Address before: 201100 Building 2, No. 889, Qishen Road, Minhang District, Minhang District, Shanghai

Applicant before: Shanghai Shangxiang Information Technology Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant