CN113261205A - 电荷前置放大器设备和包括该设备的辐射检测装置 - Google Patents
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Abstract
描述了集成在半导体材料芯片(200)中的电荷前置放大器设备(100)，包括：用于输入信号(iIN)的输入(IN)和用于输出信号(vOUT)的输出(OUT)；根据第一类导电性掺杂的半导体材料衬底(202)；置于所述衬底(202)上的电绝缘层(204)；反馈电容器(Cf)，集成在芯片(200)中，并且包括连接到输入(IN)的第一电极(3)和连接到输出(OUT)的第二电极(2)。第二电极(2)由掺杂导电区域(205)形成，掺杂导电区域(205)具有与第一类导电性相反的第二类导电性，并且第二电极(2)集成在衬底(202)中以面对第一电极(3)。
Description
技术领域
本发明涉及电荷前置放大器和使用电荷前置放大器的辐射检测装置。
背景技术
众所周知，电荷放大器(又名电荷敏感放大器，Charge Sensitive Amplifier，CSA)可以看作是一种在放大器本身的输入和输出之间具有反馈电容的低噪声运算放大器，并以此作为其输入处电流信号的积分器工作。
在常规应用中，电荷放大器用于辐射测量装置中，因此，由辐射传感器生成的电流信号在输入端馈入。当辐射穿过这种传感器时，它会产生与被吸收的辐射能量成比例的电荷信号。通常，由这些传感器(例如X射线传感器)产生的电荷量受到很大限制(从数百个电子到几万个电子)。电荷前置放大器在其输入端被馈入电荷信号，并将该电荷信号转换为电压信号。这种电压信号用于进一步的处理阶段，以便产生，例如，能谱和/或时间辐射分布。
可以看出，运算放大器产生的噪声在输入端表示为电压或电流等效噪声发生器，产生等效噪声电荷(ENC)，与前置放大器输入端的总电容成比例，该总电容中包括：前置放大器的输入电容Cin本身。
在这方面，文献E.Gatti，PFManfredi,M.Sampietro,V.Speziali,“Suboptimalfiltering of 1/f-noise in detector charge measurements”,Nuclear Instrumentsand Methods in Physics Research Section A:Accelerators,Spectrometers,Detectors and Associated Equipment”；volume 297,3rd Edition 1990,pp.467-478,ISSN 0168-9002,https://doi.org/10.1016/0168-9002(90)91331-5描述了电荷探测器中的一些噪声处理模式。
因此，电荷前置放大器的输入电容Cin的减小致使ENC减小，并因此改善测量装置的信噪比以及能量或时间分辨率。
在更复杂的配置中，电荷前置放大器是在(“p”或“n”掺杂的)半导体衬底上制成的集成电路(IC)。前置放大器的输入通过键合线连接到传感器的输出。键合线通过导电焊盘连接到前置放大器的输入，该导电焊盘应足够大以能够进行互连操作并确保机械夹持强度。因此，这种导电焊盘通过特定的敷金属直接或间接地连接到放大器输入，由(金属或多晶硅的)导电板形成的反馈电容的第一电极连接到该敷金属。
反馈电容的第二电极由置于在第一电极附近并通过绝缘膜与衬底绝缘的第二导电板组成。通过金属连接，第二电极连接到放大器输出，以获得电容反馈。参考现有技术，例如在文献US-A-2018/0006613(图3)中描述了这种类型的实施方式。
在这种常规结构中，输入焊盘还在放大器的输入处形成寄生电容Cpad的第一电极，其第二电极由集成电路的衬底构成。由于寄生电容Cpad是前置放大器的输入电容Cin的重要组成部分，因此为了降低ENC应减小该寄生电容Cpad。
现有技术的以下文献讨论了与CMOS技术电荷前置放大器中的噪声有关的问题：
-P.O’Connor,G.Gramegna,P.Rehak,F.Corsi,C.Marzocca,“CMOS Preamplifierwith High Linearity and Ultra Low Noise for X-Ray Spectroscopy”,IEEETrans.Nucl.Sci.,vol.44,pp.318-325,June 1997.
-G.Bertuccio,S.Caccia,“Noise Minimization of MOSFET Input ChargeAmplifiers based onΔN andΔμ1/f Models”,IEEE Transactions on NuclearScience,Vol.56,no.3,2009,pp.1511-1520.
另外，文献US-A-2018/0006613描述了一种集成电荷前置放大器，具有置于输入焊盘(或其一部分)下方的导电层，用于做成反馈电容的一个电极。为了保持放大器输出与衬底之间的电绝缘，这种导电层形成在位于衬底上的绝缘层上方。
申请人注意到，关于减小寄生电容并由此减小等效噪声电荷ENC，该解决方案似乎并不令人满意。
文献US6484054描述了在可植入医疗设备中采用的具有反向偏置二极管的深沟槽半导体电容器。
文献US4211941描述了一种包括低漏电容的集成电路。
文献WO2012/156748中的电荷前置放大器包括场效应晶体管。
发明内容
本发明解决了提供一种电荷前置放大器的问题，该电荷前置放大器集成在半导体材料的芯片中，其类型不同于已知的类型，并且根据特定方面，该电荷前置放大器的输入电容小于根据上述现有技术的解决方案可获得的输入电容，因此等效噪声电荷ENC得到了改善。
申请人注意到，可以通过制造包括电极的反馈电容器来获得集成在半导体材料芯片中的电荷前置放大器，来替代已知的电荷前置放大器，其中，电极连接到前置放大器设备的输出，由集成在半导体芯片衬底中并且导电性与衬底的导电性相反的掺杂导电阱形成。实现反馈电容的电极的这种方式使得能够获得(如果这样的阱至少部分地面向输入焊盘)输入电容小于现有技术的设备的电荷前置放大器。
根据一个方面，本发明的目的是如权利要求1所述的一种集成在半导体材料的芯片中的电荷前置放大器，并且其优选实施例如权利要求2至13所述。
本发明的目的还在于如权利要求14所述的检测装置，以及在权利要求15中限定的它的特定实施例。
附图说明
下面将参考附图以示例性和非限制性的方式具体描述本发明，其中：
-图1示出了包括运算放大器和反馈电容的电荷前置放大器的电路图；
-图2示出了集成了所述电荷前置放大器的半导体材料芯片的横截面；
-图3示意性地示出了包括辐射传感器和所述电荷前置放大器的检测装置。
具体实施方式
尽管本发明可以通过多种替代的变型和布置来实施，但是它的一些特定的实施例在附图中示出并且将在下文中进行具体描述。在本说明书中，相似或相同的元件或组件将在图中由相同的标识符号指示。
根据示例，图1示出了包括运算放大器1和反馈电容器Cf的电荷前置放大器100的电路方案。根据示出的示例，运算放大器1是低噪声运算放大器，并且包括连接到节点N的输入IN，节点N又连接到运算放大器1的输入端(例如：相对反相端“-”)和输出端OUT。运算放大器1具有另一个输入端，例如，连接到接地端GND的同相端“+”。
反馈电容器Cf连接在输出端OUT与连接到输入端IN的节点N之间。并联连接到反馈电容器的反馈电阻Rf代表，例如，连续复位架构中的反馈电容器的放电路径，或者代表脉冲复位架构中的复位开关的等效电阻。特别地，电容器Cf具有通过节点N连接到输入IN的第一电极3和连接到输出OUT的第二电极2。
电荷前置放大器100用作积分器，通过在输出OUT处提供具有与输入IN处的电荷成比例的波幅的电压信号vOUT，该积分器能够对输入IN处存在的电流信号iIN进行积分。
可以根据CMOS(Complementary-Metal-Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)技术、或根据BiCMOS(Bipolar Complementary Metal-Oxide Semiconductor，双极互补金属氧化物半导体)技术、或根据BCD(Bipolar-CMOS-DMOS，双极CMOS-DMOS)技术，在半导体材料芯片中实现电荷前置放大器100。DMOS技术包括垂直扩散MOS(VDMOS)和横向扩散MOS(LDMOS)技术。
图2示出(具有垂直横截面)半导体材料芯片200，其中集成了放大器100。特别地，在芯片200的第一部分201中，集成(通过CMOS技术)了放大器100的一些组件，其中集成了反馈电容器Cf。放大器1被集成在芯片200的第二部分209中，在图2中，该第二部分209仅示意性地示出，因为它的实施方式是本领域技术人员已知的，并且它的实施方式可以根据应用要求而变化。
芯片200包括以第一类导电性掺杂的半导体材料衬底202。例如，衬底202由硅制成，并且具有p型导电性并且限定了内表面203。
在硅衬底202的内部制成阱205，该阱205以与第一类导电性相反的第二类导电性掺杂。根据该示例，制成了n型阱。阱205从衬底202的内部延伸，并且限定位于内表面203层面处的另一表面211。从电路的角度来看，阱205是反馈电容器Cf的第二电极2。阱205的典型的掺杂在1014和1016cm-3之间。
电绝缘材料的层204，例如SiO2层，被置于衬底202的内表面203上和阱205上。
例如，SiO2层204具有在1μm和10μm之间的厚度。
可以看到阱205连接于放大器1的输出OUT。特别地，由金属材料或多晶硅制成的第一互连层206设置在SiO2层的内部。第一互连层206的一端通过第一接触元件208连接到阱205的侧区207。该第一接触元件208包括，例如，掺杂有n型导电性材料的区域，该区域沿与半导体材料衬底202所限定的方向正交的方向从第一互连层206延伸至阱205。互连层206的另一端连接到前置放大器100的输出OUT。特别地，第一互连层206具有线状形状(具有正方形或矩形的横截面)，并且，例如，具有等于大约1μm的宽度(沿着正交于由图2的平面限定的方向的方向)。
另外，芯片200在前置放大器100的输入端IN处设置有连接导电焊盘212，该连接导电焊盘212靠近电绝缘层204的芯片211(例如，钝化层)的表面制成，并与接触半导体衬底202的表面相对。该焊盘212至少部分地集成在绝缘材料层204中，并且连接至可以形成前置放大器的输入IN的导体213(例如，键合线)。作为键合线的替代，可以使用凸点键合连接。优选地，键合线213焊接到焊盘212。
焊盘212包括至少一个第一导电层214(例如，金属)，但是如图所示，还可以设置有第二导电层215，该第二导电层215通过由导电材料(通常是金属)制成的第二接触元件(也称为通孔或孔)216电连接至第一导电层214。第二导电层215在电绝缘层204内部，尺寸与第一导电层214的尺寸相同或相近，并且面向第一导电层214。而且，焊盘212可以包括多于两个的彼此面对并连接的导电层215。
此外，芯片200包括至少一个第二互连层210，特别地，该第二互连层210由诸如铝或其他金属材料的导电材料制成。第二互连层210具有连接到焊盘212的部分，以及连接到放大器1的反相端“-”的另一部分。特别地，第二互连层210连接到第二导电层215(例如，是同一敷金属层的一部分)，并且平行于后者延伸，但是具有类似于第一互连层206的线状形状。
可以制成集成在芯片200中的电荷前置放大器100，例如，以便具有类似于文献US2018-A-0006613的图5所示的平面图。
在操作中，由(p型)半导体衬底202和(n型)阱205形成的结在输出电压vOUT保持大于或等于半导体衬底202的电压的条件下反向偏置。在该反向结中(在图2中由p-n二极管219示意性地示出)，由于在p-n结处形成凹陷区域，在衬底202和连接到放大器1的输出OUT的阱205之间形成电绝缘。
根据优选实施例，焊盘212面对阱205并平行于该阱延伸。有利地，阱205限定表面211，该表面211大于或等于焊盘212的衬底202上的正投影区域的面积。特别地，阱205的尺寸等于或略大于焊盘212的尺寸，例如，大于第一导电层214的尺寸。换句话说，阱205包括焊盘212在衬底202上的投影区域。焊盘212与阱205间隔开，并且通过形成介电材料的电绝缘层204的材料与阱本身分开。根据该优选实施例，反馈电容器Cf由第一电极3(由焊盘212制成)、第二电极2(由阱205制成)以及介于它们之间的电绝缘层204的部分形成。
优选地，反馈电容Cf的值例如在从1fF到10pF的范围内。
例如，阱205和焊盘212的下表面之间的距离在1μm和10μm之间。
可以观察到，上述反馈电容器Cf具有包括与焊盘212面积成比例的电容分量C1(在图2中由电容器C1示意性地示出)的电容(也由Cf表示)，该电容分量C1由存在于焊盘212和阱205之间的电场的正交分量产生。
根据特定实施例，阱205在衬底202中制成，使得其延伸焊盘212在衬底202本身上的正投影之外(也如图2所示)，并具有足够截断边缘电场线的面积，该边缘电场线从焊盘212的边缘出发，形成了焊盘212的寄生电容的周边分量。
因此，反馈电容器Cf的电容还包括第二分量C2(在图2中由电容器C2示意性表示)，该第二分量C2与焊盘212的周长成比例，并且由存在于焊盘212和阱205之间的电场的边缘分量产生。因此，在这种情况下，反馈电容器Cf具有由第一分量C1与第二分量C2相加而给出的电容。
因此，虽然在根据传统技术制造的电荷前置放大器中，与输入焊盘相关的电容是引起等效噪声电荷的寄生电容，但是在以上给出的描述中，与焊盘212相关的电容用于获得反馈电容Cf。
可以看出，相对于在文献US2018-A-0006613的设备中实施的实施例，以上参考图1和图2描述的实施例也是有益的。实际上，如上所述，文献US2018-A-0006613的设备具有放置在输入焊盘(或其一部分)下方的导电层，用于获得反馈电容。为了在放大器的输出和衬底之间保持电绝缘，这样的导电层在置于芯片衬底上方或在芯片衬底内部制成的绝缘层上方制成。现有技术的这种配置的主要缺点在于在衬底上方沉积绝缘层和导电层，这决定了比常规器件中的焊盘所产生的寄生电容更高的反馈电容。
实际上，电容与包含电场的导电板之间的距离成反比，并且在文献US2018-A-0006613中所示的配置中，绝缘层和导电层的存在不可避免地减小了这种距离，随之而来的是焊盘寄生电容的增加(转换为反馈电容)，因此前置放大器的输入节点处的总电容也增加了。
相反，在关于图1和2的所描述的解决方案中，由于阱205的布置防止包围电场的两个电极2和3彼此接近，所以焊盘212的寄生电容没有增加。这使得能够最小化放大器1的输入电容，从而改善性能。
另外，可见对于相同尺寸的焊盘，本文描述的解决方案能够获得小于根据上述现有技术文献可获得的反馈电容Cf的值。由于前置放大器100的变换增益(定义为输入IN注入的电荷与输出OUT的电压vOUT之比)反比于反馈电容Cf，电容Cf的减小必然导致这种增益的增加，从而使信号处理链后续各阶段所产生的噪声得到更大程度的降低。
本解决方案提供的另一个优点是，对于相同的反馈电容，输入焊盘212的尺寸可以大于上述给定文献中的输入焊盘的尺寸，因此，增加了键合线213到焊盘212的连接的可靠性以及焊盘本身的机械阻力。
申请人对根据芯片200所描述的电荷前置放大器100进行了仿真。通过CAD并通过Cadence“QRC场求解器”软件(通过CMOS 0.35μm技术对电路上的电磁场进行电磁仿真)以数字方式提取寄生电容的值进行的这种操作仿真已经显示出，相对于上述现有技术文献中引入的解决方案，100x100μm的标准焊盘的总电容减小(在某些情况下，减小到40％)。
可以看出，电荷前置放大器100可以由具有n型衬底202的半导体材料芯片200制成，换言之，其具有与以上参照图2描述的导电性相反的导电性。在这种情况下，在操作中，n型衬底202偏置到芯片200的高电压。根据该实施方式，阱205由p型掺杂制成，并且具有与根据n型阱描述的位置和功能相同的位置和功能。p型阱205和第二互连层210之间的电接触可以通过第一接触元件208实现，该第一接触元件208包括，例如，掺杂材料并且具有p型导电性。在这种情况下，只要偏置n型衬底202偏置到比p型阱高的电压，就可以保持p型阱205与n型衬底202之间的电绝缘。
此外，除了上文参考图2描述的变型之外，第一种可能的变型是指面向焊盘212的阱205的表面211的面积小于焊盘212的面积。换句话说，阱205被包括在衬底202上的焊盘212的投影区域中，但却仅占据一部分。该解决方案使得能够获得等于焊盘212寄生电容的几分之一的反馈电容Cf。。
根据第二变体，可以将阱205完全或部分地设置在焊盘212在衬底202上的投影区域之外。在这种情况下，阱205是为了(至少部分地)面对第二互连层210而制成，第二互连层210继而形成反馈电容器Cf的第一电极3。例如，如果期望的反馈电容Cf具有与第二互连层210中存在的寄生电容相同的值(例如，具有不大于2fF的值)，则可以使用这种第二变体。
图3示出了包括辐射传感器301(RAD-DET)和电荷前置放大器100的检测装置300。辐射传感器301的传感器输出302连接到电荷前置放大器100的输入IN，继而连接到图2所示的键合线213。
辐射传感器301如果被电磁辐射击中，则产生与所吸收的辐射的能量成比例的电荷信号SCH。电荷前置放大器100在输入端IN处接收该电荷信号SCH并将其转换为电压信号vOUT。这样的电压信号vOUT可以被其他处理阶段使用，以便产生，例如，能谱和/或辐射时间分布。
作为示例，辐射传感器301可以是半导体(或硅)漂移探测器(SDD)类型或像素探测器类型的探测器。这种类型的探测器需要具有非常低输入电容的电荷前置放大器，以便在信噪比、响应速度和时间稳定性方面具有最佳性能。通常，探测器产生的电荷量(例如，对于X射线或伽马射线)非常有限(从几百个电子到几万个电子)。由于所提供的性能使得能够增加检测装置本身的能量或时间分辨率，因此上述电荷前置放大器100特别适于在检测装置200中使用。
检测装置300可以用于科学类的应用，例如：核物理和粒子仪器(同步加速器，加速器等)；天体物理仪器；用于射线照相和光谱学的医学和化学仪器。此外，检测装置300还可用于工业类的应用，例如：控制食品生产以识别污染物；爆炸物和爆炸物前体的检测安全和控制；X射线荧光(XRF)材料分析。
令人记住的是，与现有技术相反，电荷前置放大器100能够增加焊盘212上的用于将其连接至键合线的可用面积，还能够实现由多条键合线形成的连接，并且，除了增加检测装置300的可靠性和使用寿命，还使其能够在受到强烈机械振动的环境中运行。这种改进在天体物理学和空间应用中特别有用，在这些应用中，发射卫星和探测器(可能还有降落漫游车)的步骤会使科学仪器经受强烈的振动和机械应力。
正如已经部分提到的那样，可以看到，所描述的电荷前置放大器100能够获得以下优点：
-作为输入电容Cin减小的结果，减小了前置放大器100的等效噪声电荷(ENC)，并进而改善了前置放大器所插入的测量系统的能量或时间分辨率；
-增加了前置放大器100的反馈环路增益，并进而增加变换增益的时间稳定性；
-对于相同的反馈电容Cf，增加了前置放大器100的响应速度，以减少作为对输入信号的响应的前置放大器自身的上升/下降时间；
-对于相同尺寸的输入焊盘212，增加了前置放大器100的闭环变换增益，并进而降低了由处理链的后续阶段产生的噪声；
-对于相同的反馈电容Cf，增加了输入焊盘212的敷金属的面积或数量，并且进而提高了固定在焊盘212上的键合线212的可靠性，并且提高了焊盘自身的机械强度。
由于由阱205提供的屏蔽，由放大器1的低输出阻抗引导，减小了由衬底自身的电压波动向前置放大器100的输入IN注入的噪声(通过焊盘212朝向衬底212的寄生电容)。
附图中的编号列表
-电荷前置放大器 100
-运算放大器 1
-反馈电容器 Cf
-输入 IN
-节点 N
-反相端“-”
-输出端 OUT
-同相端“+”
-接地端 GND
-反馈电阻 Rf
-第二电极 2
-第一电极 3
-电流信号 iIN
-电压信号 vOUT
-半导体材料芯片 200
-第一部分 201
-第二部分 209
-半导体材料衬底 202
-内表面 203
-阱 205
-电绝缘材料层 204
-第一互连层 206
-侧区 207
-第一接触元件 208
-第二互连层 210
-另一表面 211
-导电焊盘 212
-导体 213
-第一导电层 214
-第二导电层 215
-第二接触元件 216
-芯片表面 217
-二极管 219
-检测装置 300
-辐射传感器 301
-传感器输出 302
Claims (15)
1.集成在半导体材料芯片(200)中的电荷前置放大器设备(100)，其特征在于，包括：
输入信号(iIN)的输入(IN)和输出信号(vOUT)的输出(OUT)；
根据第一类导电性掺杂的半导体材料的衬底(202)；
置于所述衬底(202)上的电绝缘层(204)；
反馈电容器(Cf)，所述反馈电容器(Cf)集成在所述芯片(200)中，并且包括连接到所述输入(IN)的第一电极(3)和连接到所述输出(OUT)的第二电极(2)，
所述第二电极(2)由掺杂导电区域(205)形成，所述掺杂导电区域(205)具有与所述第一类导电性相反的第二类导电性，并且所述第二电极(2)集成在所述衬底(202)中以面对所述第一电极(3)。
2.根据权利要求1所述的设备(100)，其特征在于，所述第一电极(3)包括焊盘(212)，所述焊盘(212)连接至所述输入(IN)并且集成在所述电绝缘层(204)中；所述焊盘面对所述掺杂导电区域(205)，并通过所述电绝缘层的插入部分与所述掺杂导电区域(205)分开。
3.根据权利要求2所述的设备(100)，其特征在于，所述掺杂导电区域(205)在所述衬底(202)中制成，以便包括由所述焊盘(212)在所述衬底(202)上的正交投影限定的投影区域，并且以便延展到所述投影区域之外。
4.根据权利要求1所述的设备(100)，其特征在于，还包括：运算放大器(1)，所述运算放大器(1)集成在所述半导体材料芯片(200)中，并且具有：连接到所述输出(OUT)的输出端、电连接到所述第一电极(3)的第一输入端(“-”)和第二输入端(“+”)。
5.根据权利要求1所述的设备(100)，其特征在于，还包括：
第一互连层(206)，所述第一互连层(206)集成在所述电绝缘层(204)中，并且具有连接到所述掺杂导电区域(205)的第一部分和连接到所述输出(OUT)的第二部分；
第一电接触元件(208)，所述第一电接触元件(208)插入在所述第一互连层(206)的所述第一部分和所述掺杂导电区域(205)之间。
6.根据权利要求2和4所述的设备(100)，其特征在于，还包括：第二互连层(210)，所述第二互连层(210)集成在所述电绝缘层(204)中，并且具有连接到所述焊盘(212)的一部分和连接到所述运算放大器(1)的所述第一输入端(“-”)的另一部分。
7.根据权利要求2所述的设备(100)，其特征在于，所述焊盘(212)包括至少一个第一导电层(214)，并且所述输入(IN)由键合线(213)或由固定至所述第一导电层的凸点键合制成。
8.根据权利要求7所述的设备(100)，其特征在于，所述焊盘(212)还包括：
第二导电层(215)，所述第二导电层(215)集成在所述电绝缘层(204)中，以面对所述第一导电层；
至少一个第二电接触元件(216)，所述至少一个第二电接触元件(216)将所述第一导电层(214)连接到所述第二导电层(215)。
9.根据权利要求1所述的设备(100)，其特征在于，所述反馈电容器(Cf)具有介于1fF至10pF之间的电容值。
10.根据权利要求1所述的设备(100)，其特征在于，所述放大器是根据选自以下技术中的一个制成的：CMOS技术、BiCMOS技术、BCD技术。
11.根据权利要求2所述的设备(100)，其特征在于，被制造为使得，根据正交于所述衬底(202)的方向评估的从所述焊盘(212)到所述掺杂导电区域(205)的距离为1μm至10μm之间。
12.根据权利要求2所述的设备(100)，其特征在于，所述掺杂导电区域(205)具有面对所述焊盘(212)的相应表面(211)，所述相应表面(211)的面积小于所述焊盘(212)的对应面积。
13.根据权利要求4所述的设备(100)，其特征在于，所述掺杂导电区域(205)在所述衬底(202)中制成，以便至少部分地面对集成在所述电绝缘层(204)中的互连层(210)，所述互连层(210)具有连接到所述设备的所述输入(IN)的一部分以及连接到所述运算放大器(1)的所述第一输入端(“-”)的另一部分。
14.传感装置(300)，其特征在于，包括：
辐射传感器(301)，所述辐射传感器(301)被配置为将电磁辐射转换为电荷信号(SCH)，以提供给所述辐射传感器的相关输出；
电荷前置放大器设备(100)，所述电荷前置放大器设备(100)连接到所述辐射传感器(301)的输出，用于接收所述电荷信号(SCH)并供应与所述电荷信号(SCH)相关的电压信号(vOUT)；
所述电荷放大设备(100)是根据前述权利要求中的至少一项制造的。
15.根据权利要求14所述的传感装置(300)，其特征在于，所述辐射传感器是选自以下的传感器：半导体漂移检测器、像素检测器。
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