CN113257967A - 微型发光元件、微型发光结构及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种微型发光元件、微型发光结构及显示装置，该微型发光元件包含一微型发光芯片及一缓冲件；其中该微型发光芯片包含二相对的第一表面及第二表面与多个外壁面，而该缓冲件则设置在该微型发光芯片的外壁面或第一表面；又该缓冲件具有一内侧面及一外侧面，其中该内侧面与该第一表面或该第一表面的延伸面形成一夹角，且该夹角大于等于90度且小于等于180度；如此，当该微型发光芯片于转移制程中以第一表面朝下掉落时，其上的缓冲件能保护该第一表面减少撞碰损伤。

Description

微型发光元件、微型发光结构及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种微型发光元件、微型发光结构及显示装置。

背景技术

未来平面显示器的发展趋势以微型发光二极管显示器(Micro LED display)的功耗、对比度、色域、显示寿命等特性表现尤佳。

上述微型发光二极管显示器的显示面板包含大量的微型发光二极管芯片，且各个微型发光二极管芯片尺寸为微米等级；因此在显示面板制造过程中，必须将大量微型发光二极管芯片有效地、准确地排列在面板上，并且避免该些微型发光二极管芯片损坏。

以图15所示的一种微型发光二极管芯片的转移制程为例；在制程中，一玻璃载板50的底面设置有一解离层51，供多个微型发光二极管芯片52分别固定在该解离层51上，再于该玻璃载板50的顶面对准各该微型发光二极管芯片52发出一激光L，其中被照射的解离层51的部分511会被解离，使其上的微型发光二极管芯片52脱离该解离层51，并向下掉落至一承载基板60上。

由前述说明可知，该微型发光二极管芯片52朝向该承载基板60的表面很容易在掉落后撞伤而损坏，故而有必要使用掉落型转移制程的微型发光二极管芯片52进一步提供防护。

发明内容

有鉴于上述微型发光二极管芯片易于掉落型转移制程中损伤，本发明的主要目的在于提供一种具有防护功效的微型发光元件、使用微型发光元件的微型发光结构及显示装置。

为了实现上述目的，本发明提供一种微型发光元件，其包含有：

一微型发光芯片，包含一第一表面、一第二表面及多个外壁面；其中该些外壁面连接相对的该第一表面及该第二表面；以及

一缓冲件，设置在该微型发光芯片的外壁面或第一表面上，并包含一内侧面及一外侧面；其中该内侧面与该微型发光芯片的第一表面或该第一表面的延伸面形成一夹角，且该夹角大于等于90度且小于等于180度。

由上述说明可知，本发明微型发光元件主要在微型发光芯片的外壁面或第一表面上设置缓冲件，而且缓冲件的内侧面与该第一表面或该第一表面的延伸面形成一大于等于90度且小于等于180度的夹角；如此，当该微型发光芯片的第一表面朝下并掉落时，该第一表面即受到该缓冲件的保护，减少掉落时因碰撞而损伤。

为了实现上述目的，本发明还提供一种微型发光结构，其包含有：

一基板；以及

一微型发光元件，设置在该基板上，并包含有：

一微型发光芯片，包含一第一表面、一第二表面及多个外壁面；其中该些外壁面连接相对的该第一表面及该第二表面；以及

一缓冲件，设置在该微型发光芯片的该外壁面或该第一表面上，并包含一内侧面及一外侧面；其中该内侧面与该微型发光芯片的该第一表面或该第一表面的延伸面形成一夹角，该夹角大于等于90度且小于等于180度。

由上述说明可知，本发明微型发光结构主要对其微型发光元件的微型发光芯片的外壁面或第一表面上设置缓冲件，而且缓冲件的内侧面与该第一表面或该第一表面的延伸面形成一大于等于90度且小于等于180度的夹角；如此，当该微型发光芯片第一表面朝下并掉落固定在该基板时，该第一表面即受到该缓冲件的保护，减少掉落时因碰撞而损伤。

为了实现上述目的，本发明还提供一种显示装置，其包含有：

一线路基板，包含二接垫；以及

一微型发光元件，与该线路基板电性连接，并包含有：

一微型发光芯片，包含一第一表面、一第二表面及多个外壁面；其中该第一表面远离该基板，该第二表面形成有多个电极，以电性连接该线路基板上的对应接垫，该些外壁面连接相对的该第一表面及该第二表面；以及

一缓冲件，设置在该微型发光芯片的该外壁面或该第一表面上，并包含一内侧面及一外侧面，其中该内侧面与该微型发光芯片的第一表面形成一夹角，该夹角大于等于90度且小于180度，并构成一容置空间。

由上述说明可知，本发明显示装置主要对其微型发光元件的微型发光芯片的外壁面或第一表面上设置缓冲件，而且缓冲件的内侧面与该第一表面或该第一表面的延伸面形成一大于等于90度且小于等于180度的夹角；如此，当该微型发光芯片于转移制程中，令其第一表面朝下并掉落时，该第一表面即受到该缓冲件的保护，减少掉落时因碰撞而损伤；此外，当该微型发光芯片设置于该线路基板上，由于该第一表面远离该线路基板，故该缓冲件亦可作为量子点波长转换层的堤墙用。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1A：本发明微型发光元件的第一实施例的一立体外观图。

图1B：图1A的一俯视平面图。

图1C：图1A的一侧视平面图。

图1D：图1A的A－A割面线的一部分侧视剖面图。

图2A：本发明微型发光元件的第二实施例的一侧视平面图。

图2B：本发明微型发光元件的第三实施例的一侧视平面图。

图2C：本发明微型发光元件的第四实施例的一侧视平面图。

图3A：本发明微型发光元件的第五实施例的一俯视平面图。

图3B：图3A的一侧视平面图。

图4A：本发明微型发光元件的第六实施例的一侧视平面图。

图4B：本发明微型发光元件的第七实施例的一侧视平面图。

图5A：本发明微型发光元件的第八实施例的一俯视平面图。

图5B：图5A的一侧视平面图。

图6A：本发明微型发光元件的第九实施例的一侧视平面图。

图6B：图6A的一仰视平面图。

图7A：本发明微型发光元件的第十实施例的一仰视平面图。

图7B：本发明微型发光元件的第十一实施例的一仰视平面图。

图8：本发明微型发光元件的第十二实施例的一侧视平面图。

图9A：本发明微型发光元件的第十三实施例的一仰视平面图。

图9B：本发明微型发光元件的第十四实施例的一仰视平面图。

图9C：本发明微型发光元件的第十五实施例的一仰视平面图。

图9D：本发明微型发光元件的第十六实施例的一仰视平面图。

图10：本发明微型发光元件的第十七实施例的一仰视平面图。

图11：本发明微型发光元件的第十八实施例的一侧视平面图。

图12A：本发明微型发光元件的第十九实施例的一侧视平面图。

图12B：图12A的一仰视平面图。

图13A：本发明微型发光元件于转移制程中的一动作示意图。

图13B：本发明微型发光结构的一侧视剖面图。

图14：本发明显示装置的一侧视剖面图。

图15：既有一种转移发光二极管芯片的一动作示意图。

其中，附图标记：

1、1’、1a～1s:微型发光元件

2:微型发光结构

3:显示装置

10、10’:微型发光芯片

11:第一表面

12:第二表面

13:外壁面

14:磊晶层

14a:第一型磊晶半导体层

14b:发光层

14c:第二型磊晶半导体层

141:上表面

142:外壁面

143:下表面

15:绝缘层

16、17:电极

20、20a～20s:缓冲件

201、201’:外倾斜板

201a、201b、201c:子缓冲件

21:内侧面

22:外侧面

23:穿孔

24:子缓冲件

25:子缓冲件

26:支撑柱

27:覆盖部

30:基板

32:接垫

40:波长转换材料层

50:载板

51:解离层

511:部分

52:微型发光二极管芯片

60:承载基板

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：

本发明提出一种新的微型发光元件、微型发光结构及显示设备，以下举多个实施例并配合图式详细说明本发明技术内容。

首先请参阅图1A至图1D所示，为本发明微型发光元件1的第一实施例，其包含有一微型发光芯片10及一缓冲件20。

上述微型发光芯片10系包含二相对的第一表面11及第二表面12与多个外壁面13，其中该些外壁面13连接该第一及第二表面11、12；于本实施例，该微型发光芯片10为长方体，而包含有四个外壁面13，但不以此为限。又该微型发光芯片10于一平行该第一表面11的平面上具有一正投影面积S5，其高度H1(即该第一表面11与第二表面12之间的一第一距离，也就是微型发光芯片10的最大垂直距离)，而各该外壁面13的面积为S1；又该微型发光芯片10为一微型发光二极管芯片，其最大宽度W1小于等于50μm，而高度H1可小于等于6μm，但不以此为限。另外，本实施例的微型发光二极管为一覆晶式结构(Flip-chip structure)，如图1D所示，其包含一磊晶层14、一绝缘层15及二电极16、17；其中该绝缘层15包覆该磊晶层14的上表面141及多个外壁面142，该二电极16、17形成在该上表面141，且自该绝缘层15外露。又该磊晶层14包括一第一型磊晶半导体层14a、一发光层14b和一第二型磊晶磊晶半导体层14c，其中具第一型电性的电极16和具第二型电性的电极17分别与该磊晶层14的第一型磊晶半导体层14a和第二型磊晶半导体层14c电性连接。

上述缓冲件20设置在该微型发光芯片10的该些外壁面13，并突出该微型发光芯片10的该第一表面11，且该缓冲件20包含有一内侧面21及一外侧面22；如图1D所示，该内侧面21与该第一表面11形成一夹角θ1，且该夹角θ1大于等于90度且小于等于180度(90°≦θ1≦180°)。于本实施例，该缓冲件20包含多个子缓冲件201，各子缓冲件201的一端固定于对应的外壁面13，相对另一端则突出该第一表面11，且相邻的子缓冲件一体连接；又该该缓冲件20的内侧面21与该第一表面11之间的夹角θ1大于90度且小于180度(90°<θ1<180°)。具体而言，该缓冲件20设置在包覆于磊晶层14的外壁面141的绝缘层15部分；其中，该缓冲件20的杨氏模量可小于或等于该绝缘层15的杨氏模量，若选择杨氏模量小于该绝缘层15的杨氏模量的材料制作缓冲件20，则有助于后续制程中以压碎方式去除该缓冲件20，且避免损坏绝缘层15；亦或是选择使用蚀刻率较绝缘层15高的材料制作该缓冲件20，使该缓冲件20的蚀刻率高于该绝缘层的蚀刻率，即可于后续制程中以蚀刻制程除去该缓冲件20，且避免损坏绝缘层15。

于本实施例，如图1D所示，自该微型发光芯片10的其中一外壁面13至该缓冲件20远离该外壁面13的最外端的水平距离W2，该水平距离W2对该微型发光芯片10的宽度W1的比值落在0.2～0.8之间(W2/W1＝0.2～0.8)，若比值小于0.2，则该缓冲件20的缓冲效率不佳；反之，若比值大于0.8则又会占据过大的空间，反而减少该微型发光芯片10的利用率。较佳地，该水平距离W2可为2μm～15μm中任一数值，但不以此为限。又该微型发光芯片10的宽度W1对该微型发光元件1的最大宽度W3的比值落在0.5～0.9之间(W1/W3＝0.5～0.9)，但均不以此为限。

于本实施例，如图1D所示，该微型发光芯片10的第二表面12至第一表面11之间的第一垂直距离H1(即微型发光芯片高度)小于该第二表面12至该缓冲件20远离该外壁面13的最外端的第二垂直距离H2；较佳地，该第二垂直距离H2对第一垂直距离H1的比值系落在1.2～2之间(H2/H1＝1.2～2)，又该第二垂直距离H2为2μm～15μm中任一数值，使该缓冲件20可兼具缓冲效果及与该微型发光芯片10之间结合的稳固性，但不以此为限；此外，当微型发光芯片10焊接于线路基板31上，如图13B所示，该缓冲件20亦具有防止焊接溢流于其他颗微型发光芯片10的功效。

于本实施例，如图1A所示，该微型发光芯片10的各外壁面13的面积为S1，该缓冲件20接合于其中一外壁面13的面积为S2，该面积S2小于该面积S1(S2<S1)；较佳地，该面积S2对该外壁面13的面积S1比值大于等于0.01且小于等于0.7(0.01≦S2/S1≦0.7)；又该缓冲件20远离该微型发光芯片10的最外端的面积S3则可小于或等于该面积S2(S3≦S2)；且如图1C所示，该缓冲件20及该微型发光芯片10于平行该第一表面11的平面上分别具有一正投影面积S4、S5，其中该正投影面积S4小于3倍的投影面积S5(S4＜3*S5)，过大会占据过多的空间，但均不以此为限。

请参阅图13A所示，前揭多个微型发光元件1以其微型发光芯片10的第二表面12通过解离层51黏着于一临时载板上50上，当以激光L照射待解离的微型发光元件1，该微型发光元件1会朝向一基板30掉落，可于掉落过程中由其缓冲件20提供掉落时的减速用，达到缓冲效果，且本实施例的缓冲件20的投影面积大，可确保该微型发光元件1掉落后不易翻转。临时载板上50例如为一无线路的基板，如玻璃基板或蓝宝石基板，其具有较佳的平整度，供转移过程中暂时承载至少一个微型发光元件1。

请参阅图2A所示，为本发明微型发光元件1a的第二实施例的侧视平面图，其与图1D所示的第一实施例同样包含有一微型发光芯片10及一缓冲件20a，且该缓冲件20a包含多个子缓冲件201a，各该子缓冲件201a的一端固定于对应的外壁面13；惟于第二实施例，该缓冲件20a的各该子缓冲件201a系固定在该微型发光芯片10的该些外壁面13的中间位置，且各该子缓冲件201a的相对另一端与该第一表面11齐平，以缩小该缓冲件20a的横向尺寸，但该缓冲件20a的内侧面21仍与该微型发光芯片10的第一表面11的延伸面(水平虚线)之间仍形成有一介于大于90度且小于等于180度的夹角θ1。

请参阅图2B所示，为本发明微型发光元件1b的第三实施例的侧视平面图，其与图2A所示的第二实施例同样包含有一微型发光芯片10及一缓冲件20b；惟于本实施例，该缓冲件20a包含多个子缓冲件201b，各该子缓冲件201b的一端固定于对应的外壁面13，相对另一端则远离对应的外壁面13，且该缓冲件20b的内侧面21与该微型发光芯片10的第一表面11之间夹角θ2等于180度。于本实施例，该缓冲件20b的内侧面21与该第一表面11齐平，但不以此为限。

请参阅图2C所示，为本发明微型发光元件1c的第四实施例的侧视平面图，其与图2A所示的第三实施例同样包含有一微型发光芯片10及一缓冲件20c；惟本实施例该缓冲件20c系包含多个子缓冲件201c，各该子缓冲件201c的一侧壁固定于对应的外壁面13，相对另一侧壁则远离对应的外壁面13。本实施例的该缓冲件20c的内侧面21与该微型发光芯片10的第一表面11之间夹角θ3等于90度，且该缓冲件20c突出于该微型发光芯片10的第一表面11。

请参阅图3A及图3B所示，为本发明微型发光元件1d的第五实施例的俯视及侧视平面图，其与图1A及图1C所示的第一实施例同样包含有一微型发光芯片10及一缓冲件20d；惟于本实施例，该缓冲件20d进一步形成有贯穿外侧面22及内侧面21的多个穿孔23，相对图1A及图1C实施例，结构强度较弱，有助于后续制程中以压碎方式去除之，其中穿孔23所开的面积与缓冲件20d的面积比值为0.1～0.5，过小需较大力压碎，过大无缓冲力。

请参阅图4A所示，为本发明微型发光元件1e的第六实施例的俯视平面图，其与图1A所示的第一实施例同样包含有一微型发光芯片10及一缓冲件20e；惟于本实施例，该缓冲件20e包含二子缓冲件24，并分别设置在该微型发光芯片10的二相对短外壁面13a上；亦或如图4B所示，于本发明微型发光元件1f的第七实施例，其二子缓冲件24可分别设置在该微型发光芯片10的二相对长外壁面13b上。再请配合参阅图1D及2A至2C所示，此两侧板的内侧面21与第一表面11或第一表面11的延伸面之间的夹角可分别为第一至第四实施例所示的任一夹角。

请参阅图5A及图5B所示，为本发明微型发光元件1g的第八实施例的仰视及侧视平面图，其与图1A所示的第一实施例同样包含有一微型发光芯片10及一缓冲件20g；惟于本实施例，该缓冲件20g包含四个子缓冲件25，各该子缓冲件25设置在该微型发光芯片10的二相邻外壁面13相接的角落，并突出于该微型发光芯片10的第一表面11。于本实施例，各子缓冲件25的自由端呈尖端，可兼具支撑性和后续易被压碎，但不以此为限。

请参阅图6A及6B所示，为本发明微型发光元件1h的第九实施例的侧视及仰视平面图，其与图1A及1D所示的第一实施例同样包含有一微型发光芯片10及一缓冲件20h；惟于本实施例，同样包含有多个子缓冲件201的缓冲件20h设置在该微型发光芯片的该第一表面11上，其最外端突出于该些外壁面13。于本实施例，该缓冲件20h的内侧面21与该第一表面11之间夹角θ1同样为大于90度且小于180度(90°<θ1<180°)。由于本实施例的缓冲件20h同样呈一方形锥状，故该微型发光芯片10与该缓冲件20h的第一及第二垂直距离H1、H2的比值与该微型发光芯片10的宽度W1与其间水平距离W2的比值可一并参考图1D的实施例说明内容。

请参阅图7A所示，为本发明微型发光元件1i的第十实施例的仰视平面图，其与图6A及6B所示的第九实施例同样包含有一微型发光芯片10及一缓冲件20i；惟于本实施例，该缓冲件20i包含二子缓冲件24，并设置在该微型发光芯片10的第一表面11上，且突出于二相对短外壁面13a；或如图7B所示，于本发明微型发光元件1j的第十一实施例，其二子缓冲件24可设置在该微型发光芯片10的第一表面11上，并突出于二相对长外壁面13b上。再请配合参阅图1D、2A及2B所示，此两侧板的内侧面21与第一表面11或第一表面11的延伸面之间的夹角可分别为第一至第三实施例所示的任一夹角。

请参阅图8所示，为本发明微型发光元件1k的第十二实施例的侧视平面图，其与图6A及6B所示的第九实施例同样包含有一微型发光芯片10及一缓冲件20k；惟于本实施例，该缓冲件20k包含多个子缓冲件201c，各该子缓冲件201c的一端固定于该微型发光芯片10的第一表面11上，并靠近该些外壁面13，而相对另一端则远离该第一表面11；又该缓冲件20k的内侧面21与该第一表面11的夹角θ3为90度。于本实施例，该缓冲件20k的外侧面22与对应该微型发光芯片10的外壁面13齐平可平均芯片重量具有较佳支撑力，或可如图9A所示，为本发明微型发光元件ll的第十三实施例，其缓冲件20l的各外侧面22内容于第一表面11的范围内，均不与该微型发光芯片10的对应外壁面13齐平。

请参阅图9B所示，为本发明微型发光元件1m的第十四实施例的仰视平面图，其与图9A所示的第十三实施例同样包含有一微型发光芯片10及一缓冲件20m；惟于本实施例，该缓冲件20m包含二子缓冲件24，并设置在该微型发光芯片10的第一表面11上，且靠近二相对短外壁面13a；或如图9C所示，为本发明微型发光元件1n的第十五实施例，其二侧板24设置在该微型发光芯片10的第一表面11上，且靠近二相对长外壁面13b。

请参阅图9D所示，为本发明微型发光元件1o的第十六实施例的仰视平面图，其与图9A所示的第十三实施例同样包含有一微型发光芯片10及一缓冲件20o；惟于本实施例，该缓冲件20o包含至少二子缓冲件26，并对称设置在该微型发光芯片10的第一表面11上，此处该缓冲件20o包含四个子缓冲件26，并设置在该微型发光芯片10的第一表面11上，且靠近该第一表面11的四个角落；或如图10所示，于本发明微型发光元件1p的第十七实施例，其子缓冲件26可设置在该微型发光芯片10的第一表面11上，且靠近该第一表面11的中间区域；如此，当微型发光元件1p掉落时，该些子缓冲件26可提供较佳的平冲作用。

请参阅图11所示，为本发明微型发光元件1q的第十八实施例的仰视平面图，其与图4A所示的第六实施例同样包含有一微型发光芯片10及一缓冲件20q，且该缓冲件20q包含至少有二子缓冲件24；惟于本实施例，各该子缓冲件24除了设置在该微型发光芯片10的对应外壁面13，再延伸设置在与该外壁面13相接的该第一表面11部分；换言之，各该子缓冲件24系设置在该微型发光芯片10的对应外壁面13与该外壁面13相接的该第一表面11部分，以提高缓冲件20q与该微型发光芯片10的接合稳固性。

再请参阅图12A及图12B所示，为本发明微型发光元件1r的第十九实施例的仰视平面图，其与图4A所示的第六实施例同样包含有一微型发光芯片10及一缓冲件20r，且该缓冲件20r包含至少有二子缓冲件24；惟于本实施例，该缓冲件20r进一步包含有一覆盖部27，该覆盖部27覆盖该第一表面11并与该二子缓冲件24的内侧面21连接；于本实施例，该覆盖部27全面覆盖该第一表面11，亦可以将覆盖部27图案化配置以增加出光，但不以此为限。

以上为本发明微型发光元件的各种实施例的说明，以下进一步介绍本发明微型发光经转移后的微型发光结构及显示装置。

请参阅图13B所示，为本发明微型发光结构2的一实施例的结构示意图，其包含一基板30，其上承载至少一个微型发光元件1’。于本实施例，该微型发光结构2包含一基板30。该微型发光元件1’与图1D所示的该微型发光元件1大致相同，惟该发光晶10’的绝缘层15形成在磊晶层14的下表面143及外壁面141，而电极16、17形成在该下表面143，并自该绝缘层15外露。于掉落型转移制程中，该微型发光元件1’的第一表面11及该缓冲件20的内侧面21会朝向该板30，且其电极16、17会对准该基板30的接垫32；接着该微型发光元件1’以该第一表面11朝该基板30掉落后，该微型发光元件1’的电极16会直接与对应的接垫32接合。又于掉落过程中，图1D所示该缓冲件20会减缓该微型发光元件1’掉落的速度，并于掉落至该基板30的瞬间，该缓冲件20会提供缓冲作用，避免微型发光芯片10’撞伤；又如图1A所示，该缓冲件20的正投影面积S5大于微型发光芯片10的正投影面积S4，可辅助该微型发光元件1’在掉落过程中不易翻转，提高接合准确度。此处，基板30可以是一个线路基板，上面亦可以配置包含有多个接垫32，如图13B所示，于掉落型转移制程中，该微型发光元件1’的第一表面11及该缓冲件20的内侧面21会朝向该基板30，且其电极16、17会对准该基板30的接垫32，缓冲件20的内侧面21朝下，以与该基板30构成一容置空间，在接合时该缓冲件20亦具有防止焊接溢流的功效。于未绘示出的实施例中，基板例如为一无线路的基板，如玻璃基板或蓝宝石基板，其具有较佳的平整度，供转移过程中暂时承载至少一个微型发光元件。

因此，前揭该微型发光元件的第一至第十一实施例与第十八至第二十实施例均可减缓该微型发光元件掉落的速度，并辅助掉落时不易翻转；而第一实施例与第四至二十实施例均可提供碰撞缓冲作用；因此，可视不同载板或线路基板的需求选用适合的微型发光元件。

再请参阅图14所示，为本发明显示元件3的一实施例的结构示意图，其包含一基板30及至少一微型发光元件1；其中该基板30包含有多个接垫32，而该微型发光元件1即如图4A所示，其该二电极16外露于该第二表面12，并电性连接于该基板30上的对应接垫32。于本实施例，该微型发光元件1的第一表面11对应该磊晶层14的上表面141，故其缓冲件20的内侧面21朝上，以与该第一表面11构成一容置空间，可形成波长转换材料层40于其中；其中波长转换材料的材求例如为一量子点。因此，该缓冲件20可作为该显示元件3的波长转换材料层40的堤墙用，不必破坏移除。特别说明的是，于未绘示出的实施例中，微型发光元件在转移前于临时基板上时，微型发光元件通过临时基板上的解离层黏着于临时基板上，且第一表面朝向临时基板，以供后续转移至线路基板时可以与后续线路基板形成一容置空间，如图14所示。

综上所述，本发明微型发光元件主要在微型发光芯片的外壁面或第一表面上设置缓冲件，而且缓冲件的内侧面与该第一表面或该第一表面的延伸面形成一大于等于90度且小于等于180度的夹角；如此，再如上述本发明微型发光结构所述，当该微型发光芯片的第一表面朝下并掉落时，该第一表面即受到该缓冲件的保护，减少掉落时因碰撞而损伤。此外，当本发明的微型发光元件以第二表面的电极与线路基板的接垫电性连接而构成显示元件时，该缓冲件的内侧面会朝上，可作为量子点层的堤墙用，不必加以移除。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (20)

1.一种微型发光元件，其特征在于，包括：

一微型发光芯片，包含一第一表面、一第二表面及多个外壁面；其中该些外壁面连接相对的该第一表面及该第二表面；以及

一缓冲件，设置在该微型发光芯片的外壁面或第一表面上，并包含一内侧面及一外侧面；其中该内侧面与该微型发光芯片的第一表面或该第一表面的延伸面形成一夹角，且该夹角大于等于90度且小于等于180度。

2.如权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于：

该微型发光芯片具有一第一宽度；以及

设置在该微型发光芯片的该些外壁面的该缓冲件具有一第二宽度；其中该第二宽度为其中一外壁面至该缓冲件远离该外壁面的最外端的水平距离，且该第二宽度对该第一宽度的比值为0.2～0.8。

3.如权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，该微型发光芯片具有一第一宽度，该第一宽度对该微型发光元件的最大宽度的比值为0.5～0.9。

4.如权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，该缓冲件突出该微型发光芯片的该第一表面，且该第二表面与突出该第一表面的该缓冲件的最外端之间的第二垂直距离对该微型发光芯片的该第二表面与该第一表面之间的第一垂直距离的比值为1.2～2。

5.如权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于：

该微型发光芯片的各该外壁面具有一第一面积；以及

该缓冲件与该微型发光芯片的第一表面或其中一外壁面接合处具有一第二面积；其中该第二面积小于该第一面积。

6.如权利要求5所述的微型发光元件，其特征在于，该第二面积对该第一面积的比值为大于等于0.01且小于等于0.7。

7.如权利要求6所述的微型发光元件，其特征在于，该缓冲件远离该微型发光芯片的最外端具有一第三面积；其中该第三面积小于或等于该第二面积。

8.如权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于：

该微型发光芯片于一与该第一表面平行的平面上具有一第一正投影面积；以及

该缓冲件于该平面上具有一第二正投影面积；其中该第二正投影面积小于三倍的该第一正投影面积。

9.如权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，该缓冲件的一端连接于对应的外壁面，另一相对端则与该第一表面齐平。

10.如权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，该缓冲件的内侧面与该第一表面齐平。

11.如权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，该缓冲件形成多个贯穿该外侧面及该内侧面的穿孔。

12.如权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，该缓冲件进一步延伸设置在该外壁面和与该外壁面相接的该第一表面部分。

13.如权利要求12所述的微型发光元件，其特征在于，该缓冲件进一步包含一覆盖部，该覆盖部覆盖该第一表面并与该内侧面连接。

14.如权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，该缓冲件包含至少二子缓冲件并对称设置在该微型发光芯片的第一表面上。

15.如权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，该微型发光芯片包含：

一磊晶层；以及

一绝缘层，系包覆该磊晶层的上表面及多个外壁面。

16.如权利要求15所述的微型发光元件，其特征在于，该缓冲件的杨氏模量小于或等于该绝缘层的杨氏模量。

17.如权利要求15所述的微型发光元件，其特征在于，该缓冲件的蚀刻率较该绝缘层的蚀刻率高。

18.一种微型发光结构，其特征在于，包括：

一基板；以及

一微型发光元件，设置在该基板上，并包含有：

一微型发光芯片，包含一第一表面、一第二表面及多个外壁面；其中该些外壁面连接相对的该第一表面及该第二表面；以及

一缓冲件，设置在该微型发光芯片的该外壁面或该第一表面上，并包含一内侧面及一外侧面；其中该内侧面与该微型发光芯片的该第一表面或该第一表面的延伸面形成一夹角，该夹角大于等于90度且小于等于180度。

19.一种显示装置，其特征在于，包括：

一线路基板，包含二接垫；以及

一微型发光元件，与该线路基板电性连接，并包含有：

一微型发光芯片，包含一第一表面、一第二表面及多个外壁面；其中该第一表面远离该基板，该第二表面形成有多个电极，以电性连接该线路基板上的对应接垫，该些外壁面连接相对的该第一表面及该第二表面；以及

一缓冲件，设置在该微型发光芯片的该外壁面或该第一表面上，并包含一内侧面及一外侧面，其中该内侧面与该微型发光芯片的第一表面形成一夹角，该夹角大于等于90度且小于180度，并构成一容置空间。

20.如权利要求19所述的显示装置，其特征在于，该容置空间内具有一波长转换材料层。

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