CN113228413B - 连续介电常数适配天线罩设计 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种天线罩,所述天线罩可以包括芯体和覆盖在所述芯体的外表面上的外介电常数(ODC)适配部件。所述天线罩可以具有从所述ODC适配部件的外表面穿过所述ODC适配部件到所述芯体的外表面的有效介电常数变化曲线。ODC适配部件的有效介电常数变化曲线可以是连续单调函数DC(ot),其中DC(ot)是ODC适配部件在值ot处的介电常数,其中ot是比值OTL/OTT,OTL是从ODC变化部件的外表面测得的ODC变化部件内的位置,并且OTT是ODC适配的总厚度。
Description
技术领域
本公开涉及天线罩结构,并且更具体地涉及使用介电常数适配部件来最小化天线罩对电磁波造成的电磁退化。
背景技术
机载卫星通信天线罩通常是放置在飞机顶部的卫星天线的保护罩。这种天线罩通常包括至少一个介电叠堆,所述至少一个介电叠堆设计成优化天线罩的射频透明度。介电叠堆是一系列高介电指数材料和低介电指数材料,并且可以选择这些层的厚度以最小化天线罩在特定入射角和特定频率下的传输损耗。优化的介电叠堆会在无任何吸收或反射的情况下传输整个范围的入射电磁波。此外,随着宽带天线在卫星通信频率范围(即1-40GHz)和雷达系统范围(即40-100GHz)方面的发展,对宽带天线罩设计的需求也在增长。
发明内容
根据第一方面,天线罩可以包括芯体和覆盖在芯体的外表面上的外介电常数(ODC)适配部件。天线罩可以具有从ODC适配部件的外表面穿过ODC适配部件到芯体的外表面的有效介电常数变化曲线。ODC适配部件的有效介电常数变化曲线可以是连续单调函数DC(ot),其中DC(ot)是ODC适配部件在值ot处的介电常数,其中ot是比值OTL/OTT,OTL是从ODC变化部件的外表面测得的ODC变化部件内的位置,并且OTT是ODC适配的总厚度。
根据又一些方面,天线罩可以包括芯体和覆盖在芯体的外表面上的外介电常数(ODC)适配部件。ODC适配部件可以包括具有N个介电层的外介电叠堆,其中N个介电层具有变化的介电常数ODC(N)。根据连续单调函数ODC(N),从最外介电层到接触芯体的外表面的介电层的每个连续层的介电常数ODC(N)可以从空气介电常数ODC(A)增加到芯体介电常数ODC(C),其中ODC(N)是给定的第N个介电层的介电常数,其中N是从ODC适配部件的外部向内计数的介电层数。
根据再一些方面,天线罩可以包括芯体和覆盖在芯体的外表面上的外介电常数(ODC)适配部件。ODC适配部件可以包括芯体的纹理化外表面。纹理化外表面可以包括具有周期p和高度h的金字塔形曲线。纹理化外表面可以经配置产生有效介电常数变化曲线。由纹理化外表面产生的有效介电常数变化曲线可能是连续单调函数DC(ot),其中DC(ot)是ODC适配部件在值ot处的介电常数,其中ot是比值OTL/OTT,OTL是从ODC变化部件的外表面测得的ODC变化部件内的位置,并且OTT是ODC适配的总厚度。
附图说明
实施例以举例的方式示出,并且不受附图的限制。
图1a包括根据本文所述的一个实施例的天线罩结构的图示;
图1b包括根据本文所述的另一实施例的天线罩结构的图示;
图2a包括根据本文所述的另一实施例的天线罩结构的图示;
图2b包括根据本文所述的另一实施例的天线罩结构的图示;
图3a包括根据本文所述的另一实施例的天线罩结构的图示;
图3b包括根据本文所述的另一实施例的天线罩结构的图示;
图4a包括根据本文所述的另一实施例的天线罩结构的图示;
图4b包括根据本文所述的另一实施例的天线罩结构的图示;
图5a包括根据本文所述的另一实施例的天线罩结构的图示;并且
图5b包括根据本文所述的另一实施例的天线罩结构的图示。
本领域的技术人员应当认识到,为简单和清楚起见,图中示出的各元件并不一定按比例绘制。
具体实施方式
以下论述将集中于本教导内容的具体实施方式和实施例。提供具体实施方式是为了帮助描述某些实施例,并且不应该被解释为是对本公开内容或教导内容的范围或适用性的限制。应当理解,基于本文所提供的公开内容和教导内容,可使用其他实施例。
术语″由...构成″、″包括″、″包含″、″具有″、″有″或它们的任何其他变型旨在涵盖非排他性的包含之意。例如,包含特征列表的方法、制品或装置不一定仅限于那些特征,而是可以包括未明确列出的或这种方法、制品或装置固有的其他特征。另外,除非另有明确说明,否则″或″是指包括性的″或″而非排他性的″或″。例如,以下任何一项均可满足条件A或B:A为真(或存在的)而B为假(或不存在的)、A为假(或不存在的)而B为真(或存在的),以及A和B两者都为真(或存在的)。
而且,使用″一个″或″一种″来描述本文所述的元件和部件。这样做仅是为了方便并且给出本发明范围的一般性意义。除非很明显地另指他意,否则这种描述应被理解为包括一个、至少一个,或单数也包括复数,或反之亦然。例如,当在本文描述单个项时,可以使用多于一个项来代替单个项。类似地,在本文描述了多于一个项的情况下,单个项可以取代多于一个项。
本文所述的实施例一般涉及具有变化的折射率适配的天线罩,该适配使反射最小化并且允许宽频率范围和宽入射角范围内的最大传输。特别地,本文所述的实施例一般涉及一种天线罩,该天线罩包括芯体和覆盖在芯体的外表面上的至少一个外介电常数(ODC)适配部件。根据某些实施例,ODC适配部件经配置以产生从ODC适配部件的外表面移动到ODC适配部件与芯体的外表面之间交点的大致平滑或连续的有效介电常数变化曲线。
应当理解,为了本文所述的实施例的目的,短语″有效介电常数变化曲线″是穿过ODC适配部件厚度的介电常数的有效变化的数学描述。还应当理解,穿过ODC适配部件厚度的介电常数的有效变化可以对应于构成ODC适配部件的材料层的介电常数的实际变化(即层材料成分或厚度的变化),或者穿过ODC适配部件厚度的介电常数的有效变化可以对应于ODC适配部件的表面纹理,其表现(即对穿过天线罩的传输产生相同影响)与具有构成ODC适配部件的材料层的介电常数的实际变化的部件一样。
出于说明的目的,图1a包括根据本文所述实施例的天线罩100的图示。如图1a所示,天线罩100可以包括具有外表面114的芯体110和覆盖在芯体110的外表面114上的外介电常数(ODC)适配部件120。根据某些实施例,ODC适配部件120可以具有外表面124。根据另一些实施例,ODC适配部件120可以具有从ODC适配部件120的外表面124到芯体110的外表面114的有效介电常数变化曲线。
根据某些实施例,ODC适配部件120的有效介电常数变化曲线可以是连续单调函数DC(ot),其中DC(ot)是ODC适配部件在值ot处的介电常数,其中ot是比值OTL/OTT,OTL是从ODC变化部件的外表面测得的ODC变化部件内的位置,并且OTT是ODC适配的总厚度。
根据特定实施例,天线罩100可具有根据RTCA DO-213在0°与60°之间的入射角范围测量的特定入射角反射损耗。例如,天线罩100可具有不大于约3dB,诸如不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或甚至不大于约1.0dB的入射角反射损耗。
根据又一些实施例,天线罩100可具有根据RTCA DO-213在40GHz频率范围测量的特定频率范围反射损耗。例如,天线罩100可具有不大于约3dB,诸如不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或甚至不大于约1.0dB的频率范围反射损耗。
根据另一些实施例,连续单调函数DC(ot)可以在小于0.5*c/f的距离OTL内具有阶跃变化,其中c是光速,f是系统的最大工作频率。
根据又一些实施例,连续单调函数DC(ot)可以在特定距离OTL内具有阶跃变化。例如,连续单调函数DC(ot)可在不大于约3.0mm、或不大于约2.9mm、或不大于约2.8mm、或不大于约2.7mm、或不大于约2.6mm、或不大于约2.5mm、或不大于约2.4mm、或不大于约2.3mm、或不大于约2.2mm、或不大于约2.1mm、或不大于约2.0mm、或不大于约1.9mm、或不大于约1.8mm、或不大于约1.7mm、或不大于约1.6mm、或不大于约1.5mm、或不大于约1.4mm、或不大于约1.3mm,诸如不大于约1.2mm、或不大于约1.1mm、或不大于约1.0mm、或不大于约0.9mm、或不大于约0.8mm、或不大于约0.7mm、或不大于约0.6mm、或不大于约0.5mm、或不大于约0.4mm、或不大于约0.3mm、或不大于约0.2mm、或甚至不大于约0.1mm的距离OTL内具有阶跃变化。根据另一些实施例,连续单调函数DC(ot)可在至少约0.001mm的距离OTL内具有阶跃变化,诸如至少约0.005mm、或至少约0.01mm、或甚至至少约0.05mm。应当理解,连续单调函数DC(ot)可以在介于上述任何最小值和最大值之间的范围内的距离OTL内具有阶跃变化。应当进一步理解,连续单调函数DC(ot)可以在介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的距离OTL内具有阶跃变化。
根据又一些实施例,连续单调函数DC(ot)可以是函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1 /2)·ot]2,其中DCs是芯体的介电常数,并且DC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据另一些实施例,连续单调函数DC(ot)是函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(A·ot+B·ot2+C·ot3)]2,A+B+C=1,其中DCs是芯体的介电常数,并且DC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据又一些实施例,连续单调函数DC(ot)是函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(D·ot3+E·ot4+F·ot5)]2,D+E+F=1,其中DCs是芯体的介电常数,并且DC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据某些实施例,ODC适配部件120可以包括覆盖在芯体110的外表面114上的外介电叠堆。根据特定实施例,外介电叠堆可以经配置以遵循ODC适配部件120的有效介电常数变化曲线。
根据又一实施例,ODC适配部件120可以包括芯体110的纹理化外表面114。根据特定实施例,纹理化外表面114可以经配置以产生ODC适配部件120的有效介电常数变化曲线。
根据又一实施例,本文一般描述的天线罩可以包括芯体、覆盖芯体的外表面的外介电常数(ODC)适配部件和覆盖芯体的内表面的内介电常数(IDC)适配部件。根据某些实施例,IDC适配部件经配置以产生从IDC适配部件的外表面移动到IDC适配部件与芯体的内表面之间交点的大致平滑或连续的有效介电常数变化曲线。根据另一些实施例,IDC适配部件经配置以生成从芯体的内表面与IDC适配部件之间交点移动到IDC适配部件的外表面的大致平滑或连续的有效介电常数变化曲线。
出于说明的目的,图1b包括根据本文所述实施例的天线罩101的图示。如图1b所示,天线罩101可以包括具有外表面114和内表面118的芯体110、覆盖在芯体110的外表面114上的外介电常数(ODC)适配部件120和覆盖在芯体110的内表面118上的内介电常数(IDC)适配部件130。ODC适配部件120可以具有外表面124,并且IDC适配部件130可以具有内表面138。ODC适配部件120可以具有从外表面124到芯体110的外表面114的有效介电常数变化曲线。IDC适配部件130可以具有从芯体110的内表面118到IDC适配部件130的内表面138的有效介电常数变化曲线。
应当理解,图1b所示的天线罩101和参考天线罩101所描述的所有部件可具有本文参考图1a所示对应部件所述的任何特性。特别地,图1b所示天线罩101、芯体110、外表面114、ODC适配部件120和外表面124的特性可以具有本文参考图1a所示天线罩101、芯体110、外表面114、ODC适配部件120和外表面124所述的任何对应特性。
根据某些实施例,IDC适配部件130的有效介电常数变化曲线可以是连续单调函数DC(it),其中DC(it)是IDC适配部件在值it处的介电常数,其中it是比值ITL/ITT,ITL是从IDC变化部件的内表面测得的IDC变化部件内的位置,并且ITT是IDC适配的总厚度。
根据特定实施例,天线罩101可具有根据ASTM#RTCA DO-213在0°与60°之间的入射角范围测量的特定入射角反射损耗。例如,天线罩100可具有不大于约3dB,诸如不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或甚至不大于约1.0dB的入射角反射损耗。
根据又一些实施例,天线罩101可具有根据RTCA DO-213在40GHz频率范围测量的特定频率范围反射损耗。例如,天线罩100可具有不大于约3dB,诸如不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或甚至不大于约1.0dB的频率范围反射损耗。
根据另一些实施例,连续单调函数DC(it)可以在小于0.5*c/f的距离ITL内具有阶跃变化,其中c是光速,f是系统的最大工作频率。
根据又一些实施例,连续单调函数DC(It)可以在特定距离ITL内具有阶跃变化。例如,连续单调函数DC(it)可在不大于约3.0mm、或不大于约2.9mm、或不大于约2.8mm、或不大于约2.7mm、或不大于约2.6mm、或不大于约2.5mm、或不大于约2.4mm、或不大于约2.3mm、或不大于约2.2mm、或不大于约2.1mm、或不大于约2.0mm、或不大于约1.9mm、或不大于约1.8mm、或不大于约1.7mm、或不大于约1.6mm、或不大于约1.5mm、或不大于约1.4mm、或不大于约1.3mm,诸如不大于约1.2mm、或不大于约1.1mm、或不大于约1.0mm、或不大于约0.9mm、或不大于约0.8mm、或不大于约0.7mm、或不大于约0.6mm、或不大于约0.5mm、或不大于约0.4mm、或不大于约0.3mm、或不大于约0.2mm、或甚至不大于约0.1mm的距离ITL内具有阶跃变化。根据另一些实施例,连续单调函数DC(it)可在至少约0.001mm的距离ITL内具有阶跃变化,诸如至少约0.005mm、或至少约0.01mm、或甚至至少约0.05mm。应当理解,连续单调函数DC(it)可以在介于上述任何最小值和最大值之间的范围内的距离ITL内具有阶跃变化。应当进一步理解,连续单调函数DC(it)可以在介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的距离ITL内具有阶跃变化。
根据又一些实施例,连续单调函数DC(it)可以是函数DC(it)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1 /2)·it]2,其中DCs是芯体的介电常数,并且DC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据另一些实施例,连续单调函数DC(it)是函数DC(it)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(A·it+B·it2+C·it3)]2,A+B+C=1,其中DCs是芯体的介电常数,并且DC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据又一些实施例,连续单调函数DC(ot)是函数DC(it)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(D·it3+E·it4+F·it5)]2,D+E+F=1,其中DCs是芯体的介电常数,并且DC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据某些实施例,IDC适配部件130可以包括覆盖在芯体110的内表面上的内介电叠堆。根据特定实施例,内介电叠堆可以经配置以遵循IDC适配部件的有效介电常数变化曲线。
根据又一实施例,IDC适配部件130可以包括芯体110的纹理化内表面。根据特定实施例,纹理化内表面可以经配置以产生IDC适配部件的有效介电常数变化曲线。
根据又一实施例,本文一般描述的天线罩可以包括芯体和覆盖在芯体的外表面上的外介电常数(ODC)适配部件。根据某些实施例,ODC适配部件可以包括具有N个介电层的外介电叠堆,其中N是指从ODC适配部件的外部向内计数到ODC适配部件与芯体外表面之间交点的层数。
出于说明的目的,图2a包括根据本文所述实施例的天线罩200的图示。如图2a所示,天线罩200可以包括具有外表面214的芯体210和覆盖在芯体210的外表面214上的外介电常数(ODC)适配部件220。根据某些实施例,ODC适配部件220可以具有外表面224。根据另一些实施例,ODC适配部件220可以包括具有N个介电层的外介电叠堆225,其中N是指从ODC适配部件220的外表面224向内计数到ODC适配部件220与芯体210的外表面214之间交点的层数。
根据特定实施例,外介电层叠堆225的每个连续介电层可具有介电常数ODC(N)。根据另一些实施例,从最外介电层N1到接触芯体210的外表面214的介电层NN的每个连续层的介电常数ODC(N)可以根据连续单调函数ODC(N)从包含天线罩的介质(即空气、水等)的介电常数ODC(M)增加到芯体210的介电常数ODC(C),其中ODC(N)是第N个介电层的介电常数。
根据特定实施例,天线罩200可具有根据RTCA DO-213在0°与60°之间的入射角范围测量的特定入射角反射损耗。例如,天线罩200可具有不大于约3dB,诸如不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或甚至不大于约1.0dB的入射角反射损耗。
根据又一些实施例,天线罩200可具有根据RTCA DO-213在40GHz频率范围测量的特定频率范围反射损耗。例如,天线罩200可具有不大于约3dB,诸如不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或甚至不大于约1.0dB的频率范围反射损耗。
根据另一些实施例,连续单调函数ODC(N)可以在小于0.5*c/f的距离OTL内具有阶跃变化,其中c是光速,f是系统的最大工作频率。
根据又一些实施例,连续单调函数ODC(N)可以在特定距离OTL内具有阶跃变化。例如,连续单调函数ODC(N)可以在不大于约3.0mm、或不大于约2.9mm、或不大于约2.8mm、或不大于约2.7mm、或不大于约2.6mm、或不大于约2.5mm、或不大于约2.4mm、或不大于约2.3mm、或不大于约2.2mm、或不大于约2.1mm、或不大于约2.0mm、或不大于约1.9mm、或不大于约1.8mm、或不大于约1.7mm、或不大于约1.6mm、或不大于约1.5mm、或不大于约1.4mm、或不大于约1.3mm,诸如不大于约1.2mm、或不大于约1.1mm、或不大于约1.0mm、或不大于约0.9mm、或不大于约0.8mm、或不大于约0.7mm、或不大于约0.6mm、或不大于约0.5mm、或不大于约0.4mm、或不大于约0.3mm、或不大于约0.2mm、或甚至不大于约0.1mm的距离OTL内具有阶跃变化。根据另一些实施例,连续单调函数ODC(N)可在至少约0.001mm的距离OTL内具有阶跃变化,诸如至少约0.005mm、或至少约0.01mm、或甚至至少约0.05mm。应当理解,连续单调函数ODC(N)可以在上述任何最小值和最大值之间的范围内的距离OTL内具有阶跃变化。应当进一步理解,连续单调函数ODC(N)可以在介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的距离OTL内具有阶跃变化。
根据又一些实施例,连续单调函数ODC(N)可以是函数ODC(N)=[ODC0 1/2+(ODCS 1/2-ODC0 1/2)·2]2,其中ODCs是芯体的介电常数,并且ODC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据另一些实施例,连续单调函数ODC(N)可以是函数ODC(N)=[ODC0 1/2+(ODCS 1/2-ODC0 1/2)·(A·N+B·N2+C·N3)]2,A+B+C=1,其中ODCs是芯体的介电常数,并且ODC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据又一些实施例,连续单调函数ODC(N)可以是函数ODC(N)=[ODC0 1/2+(ODCS 1/2-ODC0 1/2)·(D·N3+E·N4+F·N5)]2,D+E+F=1,其中ODCs是芯体的介电常数,并且ODC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据又一实施例,本文一般描述的天线罩可以包括芯体、覆盖芯体的外表面的外介电常数(ODC)适配部件和覆盖芯体的内表面的内介电常数(IDC)适配部件。根据某些实施例,ODC适配部件可以包括具有N个介电层的外介电叠堆,其中N是指从ODC适配部件的外部向内计数到ODC适配部件与芯体外表面之间交点的层数。根据另一些实施例,IDC适配部件可以包括具有N个介电层的内介电叠堆,其中N是指从芯体的内表面向内计数到IDC适配部件的内表面的层数。
出于说明的目的,图2b包括根据本文所述实施例的天线罩201的图示。如图2b所示,天线罩201可以包括具有外表面214和内表面218的芯体210、覆盖在芯体210的外表面214上的外介电常数(ODC)适配部件220和覆盖在芯体210的内表面218上的内介电常数(IDC)适配部件230。根据某些实施例,ODC适配部件220可以具有外表面224。根据另一些实施例,ODC适配部件220可以包括具有N个介电层的外介电叠堆225,其中N是指从ODC适配部件220的外表面224向内计数到ODC适配部件220与芯体210的外表面214之间交点的层数。根据某些实施例,IDC适配部件230可具有内表面238。根据另一些实施例,IDC适配部件230可以包括具有N个介电层的内介电叠堆235,其中N是指从芯体210的内表面218向内计数到IDC适配部件230的内表面238的层数。
应当理解,图2b所示的天线罩201和参考天线罩201所描述的所有部件可具有本文参考图2a所示对应部件所述的任何特性。特别地,图2b所示天线罩201、芯体210、外表面214、ODC适配部件220、外表面224和外介电叠堆225的特性可以具有本文参考图1a所示天线罩200、芯体210、外表面214、ODC适配部件220、外表面224和外介电叠堆225所述的任何对应特性。
根据特定实施例,内介电层叠堆235的每个连续介电层可具有介电常数IDC(N)。根据另一些实施例,从最内介电层N1到接触芯体210的内表面218的介电层NN的每个连续层的介电常数IDC(N)可以根据连续单调函数IDC(N)从芯体210的介电常数IDC(C)增加到包含天线罩的介质(即空气、水等)的介电常数IDC(M),其中IDC(N)为第N个介电层的介电常数。
根据特定实施例,天线罩201可具有根据RTCA DO-213在0°与60°之间的入射角范围测量的特定入射角反射损耗。例如,天线罩201可具有不大于约3dB,诸如不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或甚至不大于约1.0dB的入射角反射损耗。
根据又一些实施例,天线罩201可具有根据RTCA DO-213在40GHz频率范围测量的特定频率范围反射损耗。例如,天线罩200可具有不大于约3dB,诸如不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或甚至不大于约1.0dB的频率范围反射损耗。
根据另一些实施例,连续单调函数IDC(N)可以在小于0.5*c/f的距离ITL内具有阶跃变化,其中c是光速,f是系统的最大工作频率。
根据又一些实施例,连续单调函数IDC(N)可以在特定距离ITL内具有阶跃变化。例如,连续单调函数IDC(N)可以在不大于约3.0mm、或不大于约2.9mm、或不大于约2.8mm、或不大于约2.7mm、或不大于约2.6mm、或不大于约2.5mm、或不大于约2.4mm、或不大于约2.3mm、或不大于约2.2mm、或不大于约2.1mm、或不大于约2.0mm、或不大于约1.9mm、或不大于约1.8mm、或不大于约1.7mm、或不大于约1.6mm、或不大于约1.5mm、或不大于约1.4mm、或不大于约1.3mm,诸如不大于约1.2mm、或不大于约1.1mm、或不大于约1.0mm、或不大于约0.9mm、或不大于约0.8mm、或不大于约0.7mm、或不大于约0.6mm、或不大于约0.5mm、或不大于约0.4mm、或不大于约0.3mm、或不大于约0.2mm、或甚至不大于约0.1mm的距离ITL内具有阶跃变化。根据另一些实施例,连续单调函数IDC(N)可在至少约0.001mm的距离ITL内具有阶跃变化,诸如至少约0.005mm、或至少约0.01mm、或甚至至少约0.05mm。应当理解,连续单调函数IDC(N)可以在上述任何最小值和最大值之间的范围内的距离ITL内具有阶跃变化。应当进一步理解,连续单调函数IDC(N)可以在介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的距离ITL内具有阶跃变化。
根据又一些实施例,连续单调函数IDC(N)可以是函数IDC(N)=[IDC0 1/2+(IDCS 1/2-IDC0 1/2)·N]2,其中IDCs是芯体的介电常数,并且IDC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据另一些实施例,连续单调函数IDC(N)可以是函数IDC(N)=[IDC0 1/2+(IDCS 1/2-IDC0 1/2)·(A·N+B·N2+C·N3)]2,A+B+C=1,其中IDCs是芯体的介电常数,并且IDC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据又一些实施例,连续单调函数ODC(N)可以是函数IDC(N)=[IDC0 1/2+(IDCS 1/2-IDC0 1/2)·(D·N3+E·N4+F·N5)]2,D+E+F=1,其中IDCs是芯体的介电常数,并且ODC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据再一实施例,本文一般描述的天线罩可以包括芯体和覆盖在芯体的外表面上的外介电常数(ODC)适配部件。根据某些实施例,ODC适配部件可以包括纹理化外表面。
出于说明的目的,图3a包括根据本文所述实施例的天线罩300的图示。如图3a所示,天线罩300可以包括具有外表面314的芯体310和覆盖在芯体310的外表面314上的外介电常数(ODC)适配部件320。根据某些实施例,ODC适配部件320可以具有纹理化外表面324。
根据特定实施例,ODC适配部件320的纹理化外表面324可以包括具有周期p和高度h的金字塔形曲线。根据又一些实施例,纹理化外表面324的金字塔形曲线可以经配置以遵循ODC适配部件的有效介电常数变化曲线。根据另一些实施例,ODC适配部件320的有效介电常数变化曲线可以是连续单调函数DC(ot),其中DC(ot)是ODC适配部件在值ot处的介电常数,其中ot是比值OTL/OTT,OTL是从ODC变化部件的外表面测得的ODC变化部件内的位置,并且OTT是ODC适配的总厚度。
根据特定实施例,天线罩300可具有根据RTCA DO-213在0°与60°之间的入射角范围测量的特定入射角反射损耗。例如,天线罩300可具有不大于约3dB,诸如不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或甚至不大于约1.0dB的入射角反射损耗。
根据又一些实施例,天线罩300可具有根据RTCA DO-213在40GHz频率范围测量的特定频率范围反射损耗。例如,天线罩300可具有不大于约3dB,诸如不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或甚至不大于约1.0dB的频率范围反射损耗。
根据另一些实施例,连续单调函数DC(ot)可以在小于0.5*c/f的距离OTL内具有阶跃变化,其中c是光速,f是系统的最大工作频率。
根据又一些实施例,连续单调函数DC(ot)可以在特定距离OTL内具有阶跃变化。例如,连续单调函数DC(ot)可在不大于约3.0mm、或不大于约2.9mm、或不大于约2.8mm、或不大于约2.7mm、或不大于约2.6mm、或不大于约2.5mm、或不大于约2.4mm、或不大于约2.3mm、或不大于约2.2mm、或不大于约2.1mm、或不大于约2.0mm、或不大于约1.9mm、或不大于约1.8mm、或不大于约1.7mm、或不大于约1.6mm、或不大于约1.5mm、或不大于约1.4mm、或不大于约1.3mm,诸如不大于约1.2mm、或不大于约1.1mm、或不大于约1.0mm、或不大于约0.9mm、或不大于约0.8mm、或不大于约0.7mm、或不大于约0.6mm、或不大于约0.5mm、或不大于约0.4mm、或不大于约0.3mm、或不大于约0.2mm、或甚至不大于约0.1mm的距离OTL内具有阶跃变化。根据另一些实施例,连续单调函数DC(ot)可在至少约0.001mm的距离OTL内具有阶跃变化,诸如至少约0.005mm、或至少约0.01mm、或甚至至少约0.05mm。应当理解,连续单调函数DC(ot)可以在介于上述任何最小值和最大值之间的范围内的距离OTL内具有阶跃变化。应当进一步理解,连续单调函数DC(ot)可以在介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的距离OTL内具有阶跃变化。
根据又一些实施例,连续单调函数DC(ot)可以是函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1 /2)·ot]2,其中DCs是芯体的介电常数,并且DC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据另一些实施例,连续单调函数DC(ot)是函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(A·ot+B·ot2+C·ot3)]2,A+B+C=1,其中DCs是芯体的介电常数,并且DC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据又一些实施例,连续单调函数DC(ot)是函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(D·ot3+E·ot4+F·ot5)]2,D+E+F=1,其中DCs是芯体的介电常数,并且DC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据又一实施例,本文一般描述的天线罩可以包括芯体、覆盖芯体的外表面的外介电常数(ODC)适配部件和覆盖芯体的内表面的内介电常数(IDC)适配部件。根据某些实施例,ODC适配部件可以包括纹理化外表面。根据另一些实施例,IDC适配部件可以包括纹理化内表面。
出于说明的目的,图3b包括根据本文所述实施例的天线罩301的图示。如图3b所示,天线罩301可以包括具有外表面314和内表面318的芯体310、覆盖在芯体310的外表面314上的外介电常数(ODC)适配部件320和覆盖在芯体310的内表面318上的内介电常数(IDC)适配部件330。根据某些实施例,ODC适配部件320可以具有纹理化外表面324。根据其他实施例,IDC适配部件320可以具有纹理化内表面338。
应当理解,图3b所示的天线罩301和参考天线罩301所描述的所有部件可具有本文参考图3a所示对应部件所述的任何特性。特别地,图3b所示天线罩301、芯体310、外表面114、ODC适配部件320和纹理化外表面324的特性可以具有本文参考图3a所示天线罩300、芯体310、外表面314、ODC适配部件320和纹理化外表面324所述的任何对应特性。
根据特定实施例,IDC适配部件330的纹理化内表面338可以包括具有周期p和高度h的金字塔形曲线。根据又一些实施例,纹理化内表面338的金字塔形曲线可以经配置以遵循IDC适配部件330的有效介电常数变化曲线。根据另一些实施例,IDC适配部件330的有效介电常数变化曲线可以是连续单调函数DC(it),其中DC(It)是IDC适配部件在值it处的介电常数,其中it是比值ITL/ITT,ITL是从IDC变化部件的内表面测得的IDC变化部件内的位置,并且ITT是IDC适配的总厚度。
根据特定实施例,天线罩301可具有根据RTCA DO-213在0°与60°之间的入射角范围测量的特定入射角反射损耗。例如,天线罩301可具有不大于约3dB,诸如不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或甚至不大于约1.0dB的入射角反射损耗。
根据又一些实施例,天线罩301可具有根据RTCA DO-213在40GHz频率范围测量的特定频率范围反射损耗。例如,天线罩300可具有不大于约3dB,诸如不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或甚至不大于约1.0dB的频率范围反射损耗。
根据另一些实施例,连续单调函数DC(it)可以在小于0.5*c/f的距离ITL内具有阶跃变化,其中c是光速,f是系统的最大工作频率。
根据又一些实施例,连续单调函数DC(It)可以在特定距离ITL内具有阶跃变化。例如,连续单调函数DC(it)可在不大于约3.0mm、或不大于约2.9mm、或不大于约2.8mm、或不大于约2.7mm、或不大于约2.6mm、或不大于约2.5mm、或不大于约2.4mm、或不大于约2.3mm、或不大于约2.2mm、或不大于约2.1mm、或不大于约2.0mm、或不大于约1.9mm、或不大于约1.8mm、或不大于约1.7mm、或不大于约1.6mm、或不大于约1.5mm、或不大于约1.4mm、或不大于约1.3mm,诸如不大于约1.2mm、或不大于约1.1mm、或不大于约1.0mm、或不大于约0.9mm、或不大于约0.8mm、或不大于约0.7mm、或不大于约0.6mm、或不大于约0.5mm、或不大于约0.4mm、或不大于约0.3mm、或不大于约0.2mm、或甚至不大于约0.1mm的距离ITL内具有阶跃变化。根据另一些实施例,连续单调函数DC(it)可在至少约0.001mm的距离ITL内具有阶跃变化,诸如至少约0.005mm、或至少约0.01mm、或甚至至少约0.05mm。应当理解,连续单调函数DC(it)可以在介于上述任何最小值和最大值之间的范围内的距离ITL内具有阶跃变化。应当进一步理解,连续单调函数DC(it)可以在介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的距离ITL内具有阶跃变化。
根据又一些实施例,连续单调函数DC(it)可以是函数DC(it)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1 /2)·it]2,其中DCs是芯体的介电常数,并且DC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据另一些实施例,连续单调函数DC(it)是函数DC(it)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(A·it+B·it2+C·it3)]2,A+B+C=1,其中DCs是芯体的介电常数,并且DC0是包含天线罩的介质的介电常数。
根据又一些实施例,连续单调函数DC(ot)是函数DC(it)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(D·it3+E·it4+F·it5)]2,D+E+F=1,其中DCs是芯体的介电常数,并且DC0是包含天线罩的介质的介电常数。
许多不同的方面和实施例都是可能的。本文描述了这些方面和实施例中的一些。在阅读本说明书之后,本领域的技术人员会理解,那些方面和实施例仅是说明性的,并不限制本发明的范围。实施例可以根据下面列出的任何一个或多个实施例。
实施例1.一种天线罩,其包括:芯体和覆盖在所述芯体的外表面上的外介电常数(ODC)适配部件,其中所述ODC适配部件具有从所述ODC适配部件的外表面穿过所述ODC适配部件到芯体的外表面的有效介电常数变化曲线;其中所述ODC适配部件的所述有效介电常数变化曲线是连续单调函数DC(ot),其中DC(ot)是所述ODC适配部件在值ot处的介电常数,其中ot是比值OTL/OTT,OTL是从ODC变化部件的外表面测得的所述ODC变化部件内的位置,并且OTT是ODC适配的总厚度。
实施例2.根据实施例1所述的天线罩,其中所述天线罩在0°与60°之间的入射角范围测量的入射角反射损耗不大于约3dB、不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或不大于约1.0dB。
实施例3.根据实施例1所述的天线罩,其中所述天线罩在40GHz频率范围测量的频率范围反射损耗不大于约3dB、不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或不大于约1.0dB。
实施例4.根据实施例1所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(ot)在小于0.5*c/f的距离OTL内具有阶跃变化,其中c是光速,f是系统的最大工作频率。
实施例5.根据实施例1所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(ot)在不大于约3.0mm、或不大于约2.9mm、或不大于约2.8mm、或不大于约2.7mm、或不大于约2.6mm、或不大于约2.5mm、或不大于约2.4mm、或不大于约2.3mm、或不大于约2.2mm、或不大于约2.1mm、或不大于约2.0mm、或不大于约1.9mm、或不大于约1.8mm、或不大于约1.7mm、或不大于约1.6mm、或不大于约1.5mm、或不大于约1.4mm、或不大于约1.3mm、或不大于约1.2mm、或不大于约1.1mm、或不大于约1.0mm、或不大于约0.9mm、或不大于约0.8mm、或不大于约0.7mm、或不大于约0.6mm、或不大于约0.5mm、或不大于约0.4mm、或不大于约0.3mm、或不大于约0.2mm、或不大于约0.1mm的距离OTL内具有阶跃变化。
实施例6.根据实施例1所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(ot)是函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·ot]2,其中DCs是所述芯体的介电常数,并且DC0是包含所述天线罩的介质的介电常数。
实施例7.根据实施例1所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(ot)是函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(A·ot+B·ot2+C·ot3)]2,A+B+C=1,其中DCs是所述芯体的介电常数,并且DC0是包含所述天线罩的介质的介电常数。
实施例8.根据实施例1所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(ot)是函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(D·ot3+E·ot4+F·ot5)]2,D+E+F=1,其中DCs是所述芯体的介电常数,并且DC0是包含所述天线罩的介质的介电常数。
实施例9.根据实施例1所述的天线罩,其中所述ODC适配部件包括覆盖在所述芯体的外表面上的外介电叠堆。
实施例10.根据实施例9所述的天线罩,其中所述外介电叠堆经配置以产生所述ODC适配部件的有效介电常数变化曲线。
实施例11.根据实施例1所述的天线罩,其中所述ODC适配部件是所述芯体的纹理化外表面。
实施例12.根据实施例11所述的天线罩,其中所述芯体的所述纹理化外表面经配置以生成所述ODC适配部件的有效介电常数变化曲线。
实施例13.根据实施例1所述的天线罩,其中所述天线罩进一步包括:覆盖在所述芯体的内表面上的内介电常数(IDC)适配部件;其中所述ODC适配部件具有从所述IDC适配部件的内表面穿过所述IDC适配部件到芯体的内表面的有效介电常数变化曲线;其中所述ODC适配部件的所述有效介电常数变化曲线是连续单调函数DC(it),其中DC(it)是所述IDC适配部件在值it处的介电常数,其中it是比值ITL/ITT,ITL是从IDC变化部件的内表面测得的所述IDC变化部件内的位置,并且ITT是IDC适配的总厚度。
实施例14.根据实施例13所述的天线罩,其中所述天线罩在0°和60°之间的入射角范围测量的入射角反射损耗不大于约3dB、不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或不大于约1.0dB。
实施例15.根据实施例13所述的天线罩,其中所述天线罩在40GHz频率范围测量的频率范围反射损耗不大于约3dB、不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或不大于约1.0dB。
实施例16.根据实施例13所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(it)在小于0.5*c/f的距离ITL内具有阶跃变化,其中c是光速,f是系统的最大工作频率。
实施例17.根据实施例13所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(it)在不大于约3.0mm、或不大于约2.9mm、或不大于约2.8mm、或不大于约2.7mm、或不大于约2.6mm、或不大于约2.5mm、或不大于约2.4mm、或不大于约2.3mm、或不大于约2.2mm、或不大于约2.1mm、或不大于约2.0mm、或不大于约1.9mm、或不大于约1.8mm、或不大于约1.7mm、或不大于约1.6mm、或不大于约1.5mm、或不大于约1.4mm、或不大于约1.3mm、或不大于约1.2mm、或不大于约1.1mm、或不大于约1.0mm、或不大于约0.9mm、或不大于约0.8mm、或不大于约0.7mm、或不大于约0.6mm、或不大于约0.5mm、或不大于约0.4mm、或不大于约0.3mm、或不大于约0.2mm、或不大于约0.1mm的距离ITL内具有阶跃变化。
实施例18.根据实施例13所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(it)是函数DC(it)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·it]2,其中DCs是所述芯体的介电常数,并且DC0是包含所述天线罩的介质的介电常数。
实施例19.根据实施例13所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(it)是函数DC(it)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(A·it+B·it2+C·it3)]2,A+B+C=1,其中DCs是所述芯体的介电常数,并且DC0是包含所述天线罩的介质的介电常数。
实施例20.根据实施例13所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(it)是函数DC(it)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(D·it3+E·it4+F·it5)]2,D+E+F=1,其中DCs是所述芯体的介电常数,并且DC0是包含所述天线罩的介质的介电常数。
实施例21.根据实施例13所述的天线罩,其中所述IDC适配部件包括覆盖在所述芯体的内表面上的内介电叠堆。
实施例22.根据实施例21所述的天线罩,其中所述内介电叠堆经配置以产生所述IDC适配部件的有效介电常数变化曲线。
实施例23.根据实施例13所述的天线罩,其中所述IDC适配部件是所述芯体的纹理化内表面。
实施例24.根据实施例23所述的天线罩,其中所述芯体的所述纹理化内表面经配置以产生所述IDC适配部件的有效介电常数变化曲线。
实施例25.一种天线罩包括:具有介电常数ODC(C)的芯体和覆盖在芯体的外表面上的外介电常数(ODC)适配部件,其中所述ODC适配部件包括具有N个介电层的外介电叠堆,所述N个介电层具有变化的介电常数ODC(N),其中从最外介电层到接触所述芯体的外表面的介电层的每个连续层的介电常数ODC(N)根据连续单调函数ODC(N)从空气的介电常数ODC(A)增加到ODC(C),其中ODC(N)是第N个介电层的介电常数,其中N是从所述ODC适配部件的外部向内计数的介电层数。
实施例26.根据实施例25所述的天线罩,其中所述天线罩在0°和60°之间的入射角范围测量的入射角反射损耗不大于约3dB、不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或不大于约1.0dB。
实施例27.根据实施例25所述的天线罩,其中所述天线罩在40GHz频率范围测量的频率范围反射损耗不大于约3dB、不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或不大于约1.0dB。
实施例28.根据实施例25所述的天线罩,其中所述连续单调函数ODC(N)在小于0.5*c/f的距离内具有阶跃变化,其中c是光速,并且f是系统的最大工作频率。
实施例29.根据实施例25所述的天线罩,其中所述连续单调函数ODC(N)在不大于约3.0mm、或不大于约2.9mm、或不大于约2.8mm、或不大于约2.7mm、或不大于约2.6mm、或不大于约2.5mm、或不大于约2.4mm、或不大于约2.3mm、或不大于约2.2mm、或不大于约2.1mm、或不大于约2.0mm、或不大于约1.9mm、或不大于约1.8mm、或不大于约1.7mm、或不大于约1.6mm、或不大于约1.5mm、或不大于约1.4mm、或不大于约1.3mm、或不大于约1.2mm、或不大于约1.1mm、或不大于约1.0mm、或不大于约0.9mm、或不大于约0.8mm、或不大于约0.7mm、或不大于约0.6mm、或不大于约0.5mm、或不大于约0.4mm、或不大于约0.3mm、或不大于约0.2mm、或不大于约0.1mm的距离内具有阶跃变化。
实施例30.根据实施例25所述的天线罩,其中所述连续单调函数ODC(N)是函数ODC(N)=[ODC0 1/2+(ODCS 1/2-ODC0 1/2)·N]2,其中ODCs是所述芯体的介电常数,并且ODC0是包含所述天线罩的介质的介电常数。
实施例31.根据实施例25所述的天线罩,其中所述连续单调函数ODC(N)是函数ODC(N)=[ODC0 1/2+(ODCS 1/2-ODC0 1/2)·(A·N+B·N2+C·N3)]2,A+B+C=1,其中ODCs是所述芯体的介电常数,并且ODC0是包含所述天线罩的所述介质的介电常数。
实施例32.根据实施例25所述的天线罩,其中所述连续单调函数ODC(N)是函数ODC(N)=[ODC0 1/2+(ODCS 1/2-ODC0 1/2)·(D·N3+E·N4+F·N5)]2,D+E+F=1,其中ODCs是所述芯体的介电常数,并且ODC0是包含所述天线罩的所述介质的介电常数。
实施例33.根据实施例25所述的天线罩,其中所述天线罩进一步包括覆盖在所述芯体的内表面上的内介电常数(IDC)适配部件;其中IDC适配部件包括具有N个介电层的内介电叠堆,所述N个介电层具有变化的介电常数IDC(N);其中从最外介电层到接触所述芯体的外表面的介电层的每个连续层的介电常数IDC(N)根据连续单调函数IDC(N)从空气的介电常数IDC(A)增加到IDC(C),其中IDC(N)是第N个介电层的介电常数,其中N是从所述芯体的内表面向内计数到所述IDC适配部件的内表面的介电层数。
实施例34.根据实施例33所述的天线罩,其中所述天线罩在0°和60°之间的入射角范围测量的入射角反射损耗不大于约3dB、不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或不大于约1.0dB。
实施例35.根据实施例33所述的天线罩,其中所述天线罩在40GHz频率范围测量的频率范围反射损耗不大于约3dB、不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或不大于约1.0dB。
实施例36.根据实施例33所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(it)在小于0.5*c/f的距离ITL内具有阶跃变化,其中c是光速,f是系统的最大工作频率。
实施例37.根据实施例33所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(it)在不大于约3.0mm、或不大于约2.9mm、或不大于约2.8mm、或不大于约2.7mm、或不大于约2.6mm、或不大于约2.5mm、或不大于约2.4mm、或不大于约2.3mm、或不大于约2.2mm、或不大于约2.1mm、或不大于约2.0mm、或不大于约1.9mm、或不大于约1.8mm、或不大于约1.7mm、或不大于约1.6mm、或不大于约1.5mm、或不大于约1.4mm、或不大于约1.3mm、或不大于约1.2mm、或不大于约1.1mm、或不大于约1.0mm、或不大于约0.9mm、或不大于约0.8mm、或不大于约0.7mm、或不大于约0.6mm、或不大于约0.5mm、或不大于约0.4mm、或不大于约0.3mm、或不大于约0.2mm、或不大于约0.1mm的距离ITL内具有阶跃变化。
实施例38.根据实施例33所述的天线罩,其中所述连续单调函数IDC(N)是函数IDC(N)=[IDC0 1/2+(IDCS 1/2-IDC0 1/2)·N]2,其中IDCs是所述芯体的介电常数,并且IDC0是包含所述天线罩的介质的介电常数。
实施例39.根据实施例33所述的天线罩,其中所述连续单调函数IDC(N)是函数IDC(N)=[IDC0 1/2+(IDCS 1/2-IDC0 1/2)·(A·N+B·N2+C·N3)]2,A+B+C=1,其中IDCs是所述芯体的介电常数,并且IDC0是包含所述天线罩的所述介质的介电常数。
实施例40.根据实施例33所述的天线罩,其中所述连续单调函数ODC(N)是函数IDC(N)=[IDC0 1/2+(IDCS 1/2-IDC0 1/2)·(D·N3+E·N4+F·N5)]2,D+E+F=1,其中IDCs是所述芯体的介电常数,并且ODC0是包含所述天线罩的所述介质的介电常数。
实施例41.一种天线罩包括:具有介电常数ODC(C)的芯体和覆盖在所述芯体的外表面上的外介电常数(ODC)适配部件,其中ODC适配部件包括所述芯体的纹理化外表面;其中所述纹理化外表面包括具有周期p和高度h的金字塔形曲线,并且经配置以产生所述ODC适配部件的有效介电常数变化曲线,所述有效介电常数变化曲线是连续单调函数DC(ot),其中DC(ot)是ODC适配部件在值ot处的介电常数,其中ot是比值OTL/OTT,OTL是从ODC变化部件的外表面测得的所述ODC变化部件内的位置,并且OTT是ODC适配的总厚度。
实施例42.根据实施例41所述的天线罩,其中所述天线罩在0°和60°之间的入射角范围测量的入射角反射损耗不大于约3dB、不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或不大于约1.0dB。
实施例43.根据实施例41所述的天线罩,其中所述天线罩在40GHz频率范围测量的频率范围反射损耗不大于约3dB、不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或不大于约1.0dB。
实施例44.根据实施例41所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(ot)在小于0.5*c/f的距离内具有阶跃变化,其中c是光速,f是系统的最大工作频率。
实施例45.根据实施例41所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(ot)在不大于约3.0mm、或不大于约2.9mm、或不大于约2.8mm、或不大于约2.7mm、或不大于约2.6mm、或不大于约2.5mm、或不大于约2.4mm、或不大于约2.3mm、或不大于约2.2mm、或不大于约2.1mm、或不大于约2.0mm、或不大于约1.9mm、或不大于约1.8mm、或不大于约1.7mm、或不大于约1.6mm、或不大于约1.5mm、或不大于约1.4mm、或不大于约1.3mm、或不大于约1.2mm、或不大于约1.1mm、或不大于约1.0mm、或不大于约0.9mm、或不大于约0.8mm、或不大于约0.7mm、或不大于约0.6mm、或不大于约0.5mm、或不大于约0.4mm、或不大于约0.3mm、或不大于约0.2mm、或不大于约0.1mm的距离OTL内具有阶跃变化。
实施例46.根据实施例41所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(ot)是函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·ot]2,其中DCs是所述芯体的介电常数,并且DC0是包含所述天线罩的介质的介电常数。
实施例47.根据实施例41所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(ot)是函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(A·ot+B·ot2+C·ot3)]2,A+B+C=1,其中DCs是所述芯体的介电常数,并且DC0是包含所述天线罩的所述介质的介电常数。
实施例48.根据实施例41所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(ot)是函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(D·ot3+E·ot4+F·ot5)]2,D+E+F=1,其中DCs是所述芯体的介电常数,并且DC0是包含所述天线罩的所述介质的介电常数。
实施例49.根据实施例41所述的天线罩,其中所述天线罩进一步包括覆盖在所述芯体的外表面上的内介电常数(IDC)适配部件;其中IDC适配部件包括所述芯体的纹理化内表面;其中所述纹理化内表面包括具有周期p和高度h并且基于连续单调函数DC(it)定义的金字塔形曲线,其中DC(it)是IDC适配部件在值it处的介电常数,其中it是比值ITL/ITT,ITL是从IDC变化部件的内表面测得的所述IDC变化部件内的位置,并且ITT是IDC适配的总厚度。
实施例50.根据实施例49所述的天线罩,其中所述天线罩在0°和60°之间的入射角范围测量的入射角反射损耗不大于约3dB、不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或不大于约1.0dB。
实施例51.根据实施例49所述的天线罩,其中所述天线罩在40GHz频率范围测量的频率范围反射损耗不大于约3dB、不大于约2.9dB、或不大于约2.8dB、或不大于约2.7dB、或不大于约2.6dB、或不大于约2.5dB、或不大于约2.4dB、或不大于约2.3dB、或不大于约2.2dB、或不大于约2.1dB、或不大于约2.0dB、或不大于约1.9dB、或不大于约1.8dB、或不大于约1.7dB、或不大于约1.6dB、或不大于约1.5dB、或不大于约1.4dB、或不大于约1.3dB、或不大于约1.2dB、或不大于约1.1dB、或不大于约1.0dB。
实施例52.根据实施例49所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(it)在小于0.5*c/f的距离ITL内具有阶跃变化,其中c是光速,f是系统的最大工作频率。
实施例53.根据实施例49所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(it)在不大于约3.0mm、或不大于约2.9mm、或不大于约2.8mm、或不大于约2.7mm、或不大于约2.6mm、或不大于约2.5mm、或不大于约2.4mm、或不大于约2.3mm、或不大于约2.2mm、或不大于约2.1mm、或不大于约2.0mm、或不大于约1.9mm、或不大于约1.8mm、或不大于约1.7mm、或不大于约1.6mm、或不大于约1.5mm、或不大于约1.4mm、或不大于约1.3mm、或不大于约1.2mm、或不大于约1.1mm、或不大于约1.0mm、或不大于约0.9mm、或不大于约0.8mm、或不大于约0.7mm、或不大于约0.6mm、或不大于约0.5mm、或不大于约0.4mm、或不大于约0.3mm、或不大于约0.2mm、或不大于约0.1mm的距离ITL内具有阶跃变化。
实施例54.根据实施例49所述的天线罩,其中连续单调函数DC(it)是函数DC(it)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·it]2,其中DCs是所述芯体的介电常数,并且DC0是包含所述天线罩的介质的介电常数。
实施例55.根据实施例49所述的天线罩,其中连续单调函数DC(it)是函数DC(it)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(A·it+B·it2+C·it3)]2,A+B+C=1,其中DCs是所述芯体的介电常数,并且DC0是包含所述天线罩的所述介质的介电常数。
实施例56.根据实施例49所述的天线罩,其中连续单调函数DC(it)是函数DC(it)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(D·it3+E·it4+F·it5)]2,D+E+F=1,其中DCs是所述芯体的介电常数,并且DC0是包含所述天线罩的所述介质的介电常数。
实例
本文描述的概念将在以下实例中进一步描述,这些实例不限制权利要求所述的本发明的范围。
实例1
使用基本天线罩模拟根据本文所述实施例设计的示例天线罩S1。示例天线罩S1包括芯体和ODC适配部件。ODC适配部件包括多层介电叠堆,该多层介电叠堆含20个具有变化的介电常数的层。ODC适配部件的多层介电叠堆的总高度为12mm,并且该多层介电叠堆的每一层具有0.6mm的恒定厚度。该叠堆的每个层的介电常数根据连续单调函数ODC(N)=[ODC0 1 /2+(ODCS 1/2-ODC0 1/2)·(D·N3+E·N4+F·N5)]2从ODC适配的外部到芯体的外表面是变化的,D+E+F=1,其中ODCs是芯体的介电常数,并且ODC0是包含天线罩的介质的介电常数,在这种情况下该介质是空气。
图4包括示例天线罩S1的配置的图示。
ODC适配部件的介电叠堆中的每一层的介电常数总结在下表1中。
表1:示例天线罩S2的ODC适配的介电常数汇总
对示例天线罩S1的天线罩设计进行了模拟,以评估其在传输损耗方面的性能。表2总结了模拟结果。
表2:示例S1的传输损耗汇总
实例2
使用基本天线罩模拟根据本文所述实施例设计的示例天线罩S2。示例天线罩S2包括芯体、ODC适配部件和IDC适配部件。ODC适配部件和IDC适配部件都包括多层介电叠堆,该多层介电叠堆含20个具有变化的介电常数的层。ODC适配部件和IDC适配部件的多层介电叠堆具有12mm的总高度,多层介电叠堆的每个层具有0.6mm的恒定厚度。该叠堆的每个层的介电常数分别根据连续单调函数ODC(N)=[ODC0 1/2+(ODCS 1/2-ODC0 1/2)·(D·N3+E·N4+F·N5)]2从IDC适配部件的ODC适配部件的外部到芯体的外表面或内表面变化,D+E+F=1,其中ODCs是芯体的介电常数,并且ODC0是包含天线罩的介质的介电常数,在这种情况下该介质是空气。
图4b包括示例天线罩S2的配置的图示。
ODC适配部件和IDC适配部件的介电叠堆中的每一层的介电常数总结在下表3中。
表3:示例天线罩S2的ODC适配和IDC适配部件的介电常数汇总
层数(N) | 介电常数 |
20 | 1 |
19 | 1.001 |
18 | 1.003 |
17 | 1.01 |
16 | 1.022 |
15 | 1.041 |
14 | 1.069 |
13 | 1.106 |
12 | 1.153 |
11 | 1.209 |
10 | 1.273 |
9 | 1.342 |
8 | 1.416 |
7 | 1.49 |
6 | 1.562 |
5 | 1.63 |
4 | 1.693 |
3 | 1.746 |
2 | 1.792 |
1 | 1.839 |
对示例天线罩S2的天线罩设计进行了模拟,以评估其在传输损耗方面的性能。表4总结了模拟结果。
表4:示例S1的传输损耗汇总
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实例3
使用基本天线罩模拟根据本文所述实施例设计的示例天线罩S3。示例天线罩S3包括芯体和ODC适配部件。ODC适配部件包括纹理化表面,其纹理高度h为12mm、纹理周期p为2.5mm。ODC适配部件的纹理化表面设计为遵循具有连续单调函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(D·ot3+E·ot4+F·ot5)]2的有效介电常数变化曲线,D+E+F=1,其中DCs是芯体的介电常数,并且DC0是包含天线罩的介质的介电常数。
图5a包括示例天线罩S3的配置的图示。
对示例天线罩S3的天线罩设计进行了模拟,以评估其在传输损耗方面的性能。表5总结了模拟结果。
表5:示例S5的传输损耗汇总
实例4
使用基本天线罩模拟根据本文所述实施例设计的示例天线罩S4。示例天线罩S4包括芯体、ODC适配部件和IDC适配部件。ODC适配部件和IDC适配部件都包括纹理化表面,其纹理高度h为12mm、纹理周期p为2.5mm。ODC适配部件和IDC适配部件的纹理化表面设计为遵循具有连续单调函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCS 1/2-DC0 1/2)·(D·ot3+E·ot4+F·ot5)]2的有效介电常数变化曲线,D+E+F=1,其中DCs是芯体的介电常数,并且DC0是包含天线罩的介质的介电常数。
图5b包括示例天线罩S4的配置的图示。
对示例天线罩S4的天线罩设计进行了模拟,以评估其在传输损耗方面的性能。表6总结了模拟结果。
表6:示例S6的传输损耗汇总
实例5
为了进行比较,还使用基本天线罩形状模拟了额外的比较天线罩设计CS1。比较天线罩CS1具有如下表7中总结的结构。
表7:CS1结构汇总
对示例天线罩S4的天线罩设计进行了模拟,以评估其在传输损耗方面的性能。表8总结了模拟结果。
表8:示例S6的传输损耗汇总
需注意,并非所有上述一般说明或实例中的行为都是必需的,可能不一定需要具体行为的一部分,并且除描述的那些行为外,还可执行一个或多个进一步的行为。此外,所列行为的次序不一定是执行它们的次序。
上面已经参考具体实施例描述了益处、其他优点及问题的解决方案。然而,益处、优点、问题的解决方案及可使任何益处、优点或解决方案被想到或变得更加显著的任何特征都不被认为是任何或所有权利要求的关键、所需或必要的特征。
本文所述的实施例的说明书和图示旨在提供对各种实施例的结构的一般理解。说明书和图示并不旨在用作对使用了本文所述的结构或方法的装置和系统的所有元件和特征的详尽和全面的描述。单独的实施例也可在单个实施例中以组合的方式来提供,并且相反地,为简明起见而在单个实施例的上下文中描述的各种特征也可单独地提供或以任何子组合的方式来提供。此外,对以范围表示的值的引用包括该范围内的每个值和所有各值。只有在阅读本说明书之后,许多其他实施例对于技术人员才是显而易见的。通过本公开内容可以利用和得到其他实施例,使得可在不脱离本公开的范围的情况下进行结构替换、逻辑替换或其他改变。因此,本公开应被视为说明性的而非限制性的。
Claims (12)
1.一种天线罩,所述天线罩包括:
芯体,和
覆盖在所述芯体的外表面上的外介电常数ODC适配部件,
其中所述ODC适配部件具有从所述ODC适配部件的外表面穿过所述ODC适配部件到所述芯体的外表面的有效介电常数变化曲线;
其中所述ODC适配部件的所述有效介电常数变化曲线是连续单调函数DC(ot),其中DC(ot)是所述ODC适配部件在值ot处的介电常数,其中ot是比值OTL/OTT,OTL是从ODC变化部件的外表面测得的所述ODC变化部件内的位置,并且OTT是ODC适配的总厚度,
其中所述连续单调函数DC(ot)是函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCs 1/2-DC0 1/2)·ot]2,或
其中所述连续单调函数DC(ot)是函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCs 1/2-DC0 1/2)·(A·ot+B·ot2+C·ot3)]2,A+B+C=1,或
其中所述连续单调函数DC(ot)是函数DC(ot)=[DC0 1/2+(DCs 1/2-DC0 1/2)·(D·ot3+E·ot4+F·ot5)]2,D+E+F=1,
其中DCs是所述芯体的介电常数,并且DC0是包含所述天线罩的介质的介电常数。
2.根据权利要求1所述的天线罩,其中所述天线罩具有在0°与60°之间的入射角范围测量的不大于3dB的入射角反射损耗。
3.根据权利要求1所述的天线罩,其中所述天线罩具有在40GHz频率范围测量的不大于3dB的频率范围反射损耗。
4.根据权利要求1所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(ot)在小于0.5*c/f的距离OTL内具有阶跃变化,其中c是光速,并且f是系统的最大工作频率。
5.根据权利要求1所述的天线罩,其中所述连续单调函数DC(ot)在不大于3.0mm的距离OTL内具有阶跃变化。
6.根据权利要求1所述的天线罩,其中所述ODC适配部件包括覆盖在所述芯体的外表面上的外介电叠堆。
7.根据权利要求6所述的天线罩,其中所述外介电叠堆经配置以产生所述ODC适配部件的有效介电常数变化曲线。
8.根据权利要求1所述的天线罩,其中所述ODC适配部件是所述芯体的纹理化外表面。
9.根据权利要求8所述的天线罩,其中所述芯体的纹理化外表面经配置以产生所述ODC适配部件的有效介电常数变化曲线。
10.根据权利要求1所述的天线罩,其中所述天线罩进一步包括:
覆盖在所述芯体的内表面上的内介电常数IDC适配部件;
其中所述ODC适配部件具有从IDC适配部件的内表面穿过所述IDC适配部件到所述芯体的内表面的有效介电常数变化曲线;
其中所述ODC适配部件的有效介电常数变化曲线是连续单调函数DC(it),其中DC(it)是IDC适配部件在值it处的介电常数,其中it是比值ITL/ITT,ITL是从IDC变化部件的内表面测量的所述IDC变化部件内的位置,并且ITT是IDC适配的总厚度。
11.根据权利要求1所述的天线罩,
其中所述ODC适配部件包括所述芯体的纹理化外表面;
其中所述纹理化外表面包括具有周期p和高度h的金字塔形曲线并经配置以产生所述ODC适配部件的所述有效介电常数变化曲线。
12.一种天线罩,所述天线罩包括:
具有介电常数ODC(C)的芯体,和
覆盖在所述芯体的外表面上的外介电常数ODC适配部件,
其中所述ODC适配部件包括具有N个介电层的外介电叠堆,所述N个介电层具有变化的介电常数ODC(N);
其中根据连续单调函数ODC(N),从最外介电层到接触所述芯体的外表面的介电层的每个连续层的所述介电常数ODC(N)从空气介电常数ODC(A)增加到ODC(C),其中ODC(N)是第N个介电层的介电常数,其中N是从所述ODC适配部件的外部向内计数的介电层数,
其中所述连续单调函数ODC(N)是函数ODC(N)=[ODC0 1/2+(ODCs 1/2-ODC0 1/2)·N]2,或其中所述连续单调函数ODC(N)是函数ODC(N)=[ODC0 1/2+(ODCs 1/2-ODC0 1/2)·(A·N+B·N2+C·N3)]2,A+B+C=1,或
其中所述连续单调函数ODC(N)是函数ODC(N)=[ODC0 1/2+(ODCs 1/2-ODC0 1/2)·(D·N3+E·N4+F·N5)]2,D+E+F=1,
其中ODCs是所述芯体的介电常数,并且ODC0是包含所述天线罩的介质的介电常数。
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---|---|---|---|---|
WO2021138037A1 (en) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Radome design |
US11417951B2 (en) * | 2020-09-01 | 2022-08-16 | Apple Inc. | Electronic devices having antennas that radiate through three-dimensionally curved cover layers |
EP3985793A1 (en) * | 2020-10-19 | 2022-04-20 | Nokia Shanghai Bell Co., Ltd. | A radome with reduced wind load |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2659884A (en) * | 1949-08-03 | 1953-11-17 | Mcmillan | Dielectric wall for transmission of centimetric radiation |
US4677443A (en) * | 1979-01-26 | 1987-06-30 | The Boeing Company | Broadband high temperature radome apparatus |
US4725475A (en) * | 1986-08-25 | 1988-02-16 | General Dynamics Electronics Division | Multi-octave thick dielectric radome wall |
WO1992012550A1 (en) * | 1991-01-14 | 1992-07-23 | Norton Company | Radome wall design having broadband and mm-wave characteristics |
CN101390253A (zh) * | 2004-10-01 | 2009-03-18 | L.皮尔·德罗什蒙 | 陶瓷天线模块及其制造方法 |
CN105071037A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-11-18 | 东南大学 | 基于渐变折射率超材料的天线罩 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5483741A (en) * | 1977-12-16 | 1979-07-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Broad-band antenna radome |
US5017939A (en) * | 1989-09-26 | 1991-05-21 | Hughes Aircraft Company | Two layer matching dielectrics for radomes and lenses for wide angles of incidence |
JPH0479403A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-12 | Murata Mfg Co Ltd | レンズアンテナ形成方法 |
JP3779812B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2006-05-31 | 大阪瓦斯株式会社 | 地中推進工法における探査装置 |
US6483481B1 (en) | 2000-11-14 | 2002-11-19 | Hrl Laboratories, Llc | Textured surface having high electromagnetic impedance in multiple frequency bands |
US7154451B1 (en) | 2004-09-17 | 2006-12-26 | Hrl Laboratories, Llc | Large aperture rectenna based on planar lens structures |
US7071888B2 (en) | 2003-05-12 | 2006-07-04 | Hrl Laboratories, Llc | Steerable leaky wave antenna capable of both forward and backward radiation |
JP2005005796A (ja) | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | レドーム |
US6897819B2 (en) * | 2003-09-23 | 2005-05-24 | Delphi Technologies, Inc. | Apparatus for shaping the radiation pattern of a planar antenna near-field radar system |
US8111206B2 (en) * | 2009-08-31 | 2012-02-07 | Chung-Shan Institute Of Science And Technology, Armaments Bureau, Ministry Of National Defense | High electromagnetic transmission composite structure |
KR101155510B1 (ko) * | 2010-09-14 | 2012-06-18 | 한국과학기술원 | 위상 배열 안테나의 삽입 위상 지연 보상을 위한 레이돔-안테나 조립체 및 이를 이용한 삽입 위상 지연 보상 방법 |
US9257743B2 (en) * | 2012-02-16 | 2016-02-09 | Lockheed Martin Corporation | System and method for providing a frequency selective radome |
US9123998B1 (en) * | 2014-03-04 | 2015-09-01 | The Boeing Company | Lightning protected radome system |
US10122078B2 (en) | 2015-07-17 | 2018-11-06 | L-3 Communications Corporation | Surface wave antenna using graded dielectric material |
CN108292807B (zh) * | 2015-11-24 | 2021-02-02 | 株式会社村田制作所 | 伦伯透镜天线装置 |
DE102016101583B4 (de) * | 2016-01-29 | 2017-09-07 | Lisa Dräxlmaier GmbH | Radom |
US10128566B2 (en) * | 2016-04-20 | 2018-11-13 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Advanced radome designs with tailorable reinforcement and methods of manufacturing the same |
US10754026B2 (en) * | 2017-06-05 | 2020-08-25 | Veoneer Us, Inc. | Surface treatment patterns to reduce radar reflection and related assemblies and methods |
WO2020139569A1 (en) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Wideband radome design |
-
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-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2659884A (en) * | 1949-08-03 | 1953-11-17 | Mcmillan | Dielectric wall for transmission of centimetric radiation |
US4677443A (en) * | 1979-01-26 | 1987-06-30 | The Boeing Company | Broadband high temperature radome apparatus |
US4725475A (en) * | 1986-08-25 | 1988-02-16 | General Dynamics Electronics Division | Multi-octave thick dielectric radome wall |
WO1992012550A1 (en) * | 1991-01-14 | 1992-07-23 | Norton Company | Radome wall design having broadband and mm-wave characteristics |
CN101390253A (zh) * | 2004-10-01 | 2009-03-18 | L.皮尔·德罗什蒙 | 陶瓷天线模块及其制造方法 |
CN105071037A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-11-18 | 东南大学 | 基于渐变折射率超材料的天线罩 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
Research on pulse control and optimal frequency match design for radome tangential grinding;Peng Wen等;《:2011 International Conference on Consumer Electronics, Communications and Networks》;1-5 * |
一种壁厚渐变蜂窝宽带透波结构;张云祥等;《微波学报》;第31卷(第6期);35-38 * |
阻抗匹配技术在天线罩结构设计中的应用;蔡汝峰等;《宇航材料工艺》(第4期);16-18 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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