CN113228310A - 一种半导体发光元件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种LED芯片及其制作方法，通过激光减薄LED芯片的衬底，然后进行隐形切割将芯片分离开。所述LED芯片的衬底背面具有激光减薄衬底过程中形成的粗化结构。本发明可解决现有化学机械研磨工艺减薄透明衬底厚度至小于80μm时出现的翘曲严重，边缘崩边引起的破片问题；同时所述LED芯片的衬底表面具有激光减薄衬底过程形成的粗化结构，可增强出光，提升发光亮度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体发光二极管领域，具体涉及一种LED芯片的制作方法及其产品。
背景技术
Mini LED芯片的尺寸一般小于5mil*9mil，与常规的LED产品相比，Mini LED的尺寸更微小化。在应用于背光时，相比于常规LED芯片，采用Mini LED背光可以进行更细致的局部调光，呈现出高对比，高亮度均匀性，优异色彩表现度；当应用于显示时，Mini LED制作的显示器可以进一步缩小LED间距，提高显示器的分辨率，提升显示器的视觉效果。
Mini LED芯片的小型化需要减小显示屏拼接处的光阻挡和提升显示效果，从而要求小尺寸的LED芯片的厚度越来越薄，因此LED基板减薄化也是Mini LED所要解决的重要问题之一。
目前透明衬底的减薄作业通常使用化学机械研磨（chemical mechanicalpolishing）方式进行制作LED芯片，由于衬底和外延结构的应力，当衬底厚度研磨减薄到80um以下时，晶圆会有明显的翘曲，晶圆外边缘龟裂崩边，造成后续的晶圆被破坏，以致晶圆片破裂，导致制程良率低等问题。
因此，现有制备技术对于衬底减薄到80um以下的工艺，目前尚没有特别有效的办法，使得开发超薄的MiniLED芯片成为一大技术难题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种LED芯片的制作方法，以解决现有技术中使用化学机械研磨（chemical mechanical polishing）方式减薄衬底引起的翘曲严重、崩边破片的问题，同时通过激光减薄工艺的控制，可使衬底的背面具有不平整的结构，可增强出光，提升发光亮度。
本发明提出一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底，所述衬底具有相对的正面和背面；所述衬底的正面具有芯片单元，其特征在于：所述衬底的厚度为80μm以下，所述衬底的背面具有粗化结构，所述粗化结构的粗糙度为0.5~1μm。
优选地，所述衬底的厚度为50~60μm。
优选地，所述LED芯片的水平尺寸范围为3mil*5mil ~5mil*9mil。
优选地，所述衬底为蓝宝石衬底；所述芯片单元通过外延生长或者键合的方式设置于所述衬底的正面之上。
本发明还提出一种LED芯片的制作方法，其特征在于：提供一衬底，所述衬底具有相对的正面和背面，在衬底的正面设置有芯片单元；在衬底的背面上形成粗化结构，所述粗化结构为激光减薄衬底过程中形成的。
优选地，所述LED芯片的制作方法包括以下步骤：
S1.提供LED晶圆，所述LED晶圆包括衬底以及位于所述衬底之上的多个芯片单元；
S2.对所述衬底的背面进行激光减薄，衬底厚度减薄至目标厚度D1，所述衬底的背面具有激光减薄过程中形成的粗化结构。
优选地，所述LED芯片的制作方法还包括步骤S3：在减薄后的衬底内进行隐形切割，以在衬底中形成多条激光划痕，所述激光划痕位于相邻两芯片单元之间，以定义出各LED芯片的尺寸。
优选地，所述LED芯片的制作方法还包含步骤S4：利用所述衬底上的激光划痕，通过扩膜或者劈裂的方式裂片，使得所述LED晶圆分离为多颗LED芯片。
优选地，所述LED芯片的制作方法还包含步骤S4：利用所述衬底上的激光划痕，通过激光划裂的方式，使得所述LED晶圆分离为多颗LED芯片。
优选地，步骤S2中所述衬底的目标厚度D1为80μm以下。
优选地，步骤S2中所述衬底的目标厚度D1为50~60μm。
优选地，步骤S3中在所述衬底内部进行隐形切割的位置与所述衬底的正面的垂直距离为L1，20μm ≤L1≤80μm。
优选地，所述粗化结构的粗糙度为0.5~1μm。
本发明提出一种LED芯片的制作方法，通过激光减薄衬底，可解决现有化学机械研磨工艺减薄透明衬底厚度至小于80μm时出现的翘曲严重，边缘崩边引起的破片问题；同时激光减薄后的衬底背面具有粗化结构，可增强出光，提升发光亮度。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
虽然在下文中将结合一些示例性实施及使用方法来描述本发明，但本领域技术人员应当理解，并不旨在将本发明限制于这些实施例。反之，旨在覆盖包含在所附的权利要求书所定义的本发明的精神与范围内的所有替代品、修正及等效物。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
图1为实施例1中所提及的LED芯片的制作方法的流程示意图。
图2为实施例1中所提及的衬底及其表面上的外延叠层结构的剖面示意图。
图3为实施例1中所提及的在外延叠层结构10上形成电极后的晶圆（wafer）的剖面结构示意图。
图4为实施例1中所提及的经过步骤S2后的衬底及其表面结构的剖面结构的示意图。
图5为实施例1中所提及的衬底经过激光减薄后远离外延叠层结构的衬底的背面的AFM图。
图6为实施例1中所提及的经过步骤S3后的衬底及其表面结构的剖面结构示意图。
图7为实施例1中经过步骤S4裂片后形成的单颗LED芯片的剖面结构示意图。
图8为实施例3中所提及的砷化镓衬底及其表面上的外延叠层结构的剖面示意图。
图9为实施例3中所提及的将蓝宝石衬底键合至外延叠层结构上，去除砷化镓衬底后的表面结构的剖面示意图。
图中元件标号说明：101/201：衬底；1:砷化镓衬底；102/202：第一导电型半导体层；103/203：活性层；104/204：第二导电型半导体层；205：键合层；10：外延叠层结构；a1：衬底的正面；a2：衬底的背面；105：电流扩展层；106：DBR反射层；107：DBR反射层的第一开口；108：DBR反射层的第二开口；109：第一电极；110：第二电极；111：隐形切割形成的激光划痕；D1：衬底的目标厚度；L1:隐形切割的位置与衬底的正面的垂直距离。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本发明中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例1
本实施例提供一种LED芯片的制作方法，如图1所示，包括以下步骤：
S1：提供LED晶圆，所述LED晶圆包括衬底101以及位于所述衬底101上的多个芯片单元，所述芯片单元至少包括外延叠层结构10和位于所述外延叠层结构10之上的电极，如图3所示。
衬底101可为绝缘性基板或导电性基板。衬底101可以为外延叠层结构10外延生长的生长基板，也可以通过键合层将外延叠层结构10键合至所述衬底上。所述衬底101材料可以为蓝宝石(Al2O3)或尖晶石(MgA12O4)的绝缘性基板；或者碳化硅(SiC)、ZnS、ZnO、Si、GaAs、金刚石等材料；或者与氮化物半导体晶格匹配的铌酸锂、镓酸铌等氧化物基板。衬底101包括正面a1和与其相对的背面a2。在本实施例中，所述衬底101优选蓝宝石基板。
图2为所述衬底101及其正面a1上的外延叠层结构10的剖面示意图，所述外延叠层结构10至少包括依次形成于衬底101的正面a1之上的第一导电型半导体层102、活性层103和第二导电型半导体层104。
第一导电型半导体层102可以由III-V族或II-VI族化合物半导体组成，并且可以掺杂有第一掺杂剂。第一导电型半导体层102可以由具有化学式InX1AlY1Ga1-X1-Y1N（0≤X1≤1,0≤Y1≤1，0≤X1+Y1≤1）的半导体材料组成，例如GaN，AlGaN，InGaN，InAlGaN等，或选自AlGaAs，GaP，GaAs，GaAsP和AlGaInP的材料。另外，第一掺杂剂可以是n型掺杂剂，例如Si，Ge，Sn，Se和Te。当第一掺杂剂是n型掺杂剂时，掺杂有第一掺杂剂的第一导电型半导体层为n型半导体层。本实施例中，优选第一导电型半导体层102为掺杂n型掺杂剂的n型半导体。
活性层103设置在第一导电型半导体层102和第二导电型半导体层104之间。活性层103为提供电子和空穴复合提供光辐射的区域，根据发光波长的不同可选择不同的材料，活性层103可以是单量子阱或多量子阱的周期性结构。活性层103包含阱层和垒层，其中垒层具有比阱层更大的带隙。通过调整活性层103中半导体材料的组成比，以期望辐射出不同波长的光。
第二导电型半导体层104形成在活性层103上，并且可以由III-V族或II-VI族化合物半导体组成。第二导电型半导体层104可以掺杂第二掺杂剂。第二导电型半导体层104可由具有化学式InX2AlY2Ga1-X2-Y2N（0≤X2≤1，0≤Y2≤1，0≤X2+Y2≤1）的半导体材料组成，或选自AlGaAs，GaP，GaAs，GaAsP和AlGaInP的材料。当第二掺杂剂为p型掺杂剂，例如Mg，Zn，Ca，Sr和Ba时，掺杂第二掺杂剂的第二导电型半导体层为p型半导体层。本实施例中，优选第二导电型半导体层为掺杂p型掺杂剂的p型半导体。
外延叠层结构10还可以包括其它层材料，如电流扩展层、窗口层或欧姆接触层等，根据掺杂浓度或组分含量不同进行设置为不同的多层。外延叠层结构10可以通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)、外延生长(Epitaxy Growth Technology)和原子束沉积 (Atomic LayerDeposition，ALD)等方式形成在衬底101上。
如图3所示，图3为经过芯片端前段制程在外延叠层结构10上形成电极后的晶圆（wafer）的剖面结构示意图。所示晶圆至少包括依次堆叠在衬底101表面的N型半导体层102、活性层103、P型半导体层104、电流扩展层105、DBR反射层106，其中DBR反射层具有第一开口107和第二开口108，以及位于N型半导体层102之上的第一电极109和位于第二导电型半导体层104之上的第二电极110。由于在外延叠层结构10上完成芯片端前段制程，以获得多个芯片单元的具体过程为本领域技术人员所熟知，本申请在此不做赘述。
S2：对所述衬底背面a2进行激光减薄，以使衬底的厚度减薄至目标厚度D1。
本实施例中的衬底厚度通过激光减薄实现，将激光于衬底背面a2入射并定焦至一特定的深度，通过激光的来回扫描，激光切割可将衬底分离成两部分，使所保留的衬底减薄至目标厚度D1。
可根据实际制程需要保留的衬底的目标厚度D1，设定激光定焦的深度。
在一些可选的实施例中，所述衬底的目标厚度为150μm以下；
在一些可选的实施例中，所述衬底的目标厚度为80μm以下；
在一些其他的可选的实施例中，所述衬底的目标厚度为60um以下。更优选的是，所述衬底的目标厚度D1为50~60μm。
如图4所示，经过步骤S2后的衬底及其表面结构的剖面结构的示意图，经过激光减薄的工艺方法，可将衬底的厚度达到目标厚度D1，同时经过激光减薄衬底后，衬底远离外延叠层结构10的背面a2具有粗化结构。图5为衬底经过激光减薄后远离外延叠层结构的衬底的背面a2的AFM（Atomic Force Microscope）图。如图5所示，经过减薄后，衬底的背面具有粗化结构，优选所述粗化结构的粗糙度为0.5~1μm。
由于激光减薄衬底为非接触式的，激光减薄不会产生通过化学机械研磨方式减薄衬底厚度至较低厚度时，出现的晶圆翘曲的问题，尤其可以实现衬底厚度减薄至60μm以下的目标，从而可降低制备Mini LED的晶圆的破片率，提升制程的良率。
经过激光减薄后，远离外延叠层结构10的衬底的背面a2具有粗化结构。由于远离外延叠层结构10的衬底的背面a2为出光面，通过对出光面进行粗化，可提升芯片的出光效率，提升LED芯片的发光亮度。
S3：在所述减薄后的衬底内进行隐形切割，以在衬底中形成多条激光划痕，所述激光划痕位于相邻两芯片单元之间，以定义出各LED芯片的尺寸。
优选地，在衬底101内部进行隐形切割的位置与所述衬底的正面a2的垂直距离L1不小于20μm，此时激光蚀刻衬底内部形成的裂纹绝大部分不会延伸至衬底的第一表面a1，可以避免激光蚀刻损坏外延叠层结构10。优选地，在衬底101内部进行隐形切割的位置与所述衬底的正面a2的垂直距离L1小于等于80μm。在本实施例中，在衬底101内部进行隐形切割的位置是指激光在衬底内部聚焦打点的位置。
隐形切割是指通过控制激光发射器，按照特定的频率向衬底内发射一定功率、波长及焦距的激光脉冲，以在衬底内的预设位置形成变质层结构，变质层结构一般为材料结构松弛的腔体或空腔（即激光划痕）。隐形切割时，激光进入衬底内，并在衬底中形成激光划痕，所述激光划痕为纵向直线通道和横向直线通道构成的网络结构。所述激光划痕位于相邻的芯片单元之间，定义出芯片的尺寸。本实施例中，隐形切割过程中对激光的频率、功率未做限定，其可根据实际情况而定。
如图6所示，图6为经过步骤S3后的衬底及其表面结构的剖面结构示意图。图中标号111表示隐形切割形成的激光划痕。
S4:利用所述衬底上的多条激光划痕，通过扩膜或者劈裂的方式裂片，使得所述LED晶圆分离为多颗LED芯片。
所述劈工艺可以采用现有技术中的正裂或者背裂的方式来实现，正裂或者背裂的具体过程为本领域技术人员所熟知，本申请在此不做赘述。在一变形实施例中，也可以通过扩膜的方式，将衬底沿激光划痕的位置裂开，从而形成多个LED芯片。
如图7所示，图7为经过步骤S4后形成的单颗LED芯片的剖面结构示意图，所述单颗LED芯片包括衬底101以及形成在所述衬底上的外延叠层结构10及其电极，其中所述衬底101的厚度优选为60μm以下。更优选的是，所述衬底的目标厚度D1为50~60μm。优选所述LED芯片的水平尺寸为3mil*5mil ~5mil*9mil。
本实施例公开LED芯片的制作方法，衬底通过激光减薄，可将衬底厚度减薄至80μm以下，可解决现有技术中通过化学机械研磨（chemical mechanical polishing）方式减薄衬底厚度至80μm时出现的晶圆翘曲的问题，从而可降低晶圆的破片率，提升制程的良率。同时经过激光减薄后，远离外延叠层结构10的衬底的背面a2具有粗化结构。由于远离外延叠层结构10的衬底的背面a2为出光面，通过对出光面进行粗化，可提升芯片的出光效率，提升LED芯片的发光亮度。
本发明提出的激光减薄衬底的工艺方法也适用于正装芯片中，可用于减薄衬底，得到不同衬底厚度需求的芯片中。
实施例2
本实施例也提供了一种LED芯片的制作方法，包括以下步骤：
S1.提供LED晶圆，所述LED晶圆包括衬底以及位于所述衬底之上的多个外延单元；
S2.对所述衬底背离外延单元的一侧进行激光减薄，以使所述衬底的厚度减薄至目标厚度D1；
S3.在减薄后的衬底内进行隐形切割，以在衬底中形成多条激光划痕，所述激光划痕位于相邻两芯片单元之间，以定义出各LED芯片的尺寸；
S4：利用所述衬底上的激光划痕，通过激光划裂的方式，使得所述LED晶圆分离为多颗LED芯片。
上述步骤S1、S2和S3与实施例1中的方法相同，可通过激光减薄的工艺方法使衬底达到所需的目标厚度。与实施例1的区别在于，实施例1中通过扩膜或者劈裂的方式进行裂片，本实施例通过利用所述衬底上的激光划痕，通过激光划裂的方式，使得所述LED晶圆分离为多颗LED芯片。因减薄后的衬底受到激光划裂内应力的作用，产生崩裂而实现裂片，因而无需实施例1中的裂片工艺。
本实施例提供的制备方法将激光减薄与划裂工艺相结合，其不仅解决了现有技术中使用机械化学研磨方法引起的晶圆翘曲、晶圆崩边破片的问题，而且无需实施例1中使用劈刀来进行劈裂的工艺，简化了芯片制程，降低了小尺寸芯片裂片的难度。该工艺方法尤其适用于小尺寸超薄芯片的制作。
实施例3
本实施例也提供一种LED芯片的制作方法，该制作方法与实施例1~实施例2的制作方法大致相同，其区别在于：实施例1~2中的外延结构为InAlGaN系材料，其直接通过外延生长的方式生长于蓝宝石衬底的第一表面之上。而本实施例中的外延结构为AlGaInP系，所述AlGaInP系外延结构先通过外延生长于砷化镓衬底1上，然后通过转移的方式将所述AlGaInP系外延结构转移至蓝宝石衬底之上。
如图8所示，图8为砷化镓衬底1及其表面上的AlGaInP系外延叠层结构10，所述AlGaInP系外延叠层结构10至少包括依次形成于砷化镓衬底表面1的N型半导体层202，有源层203和P型半导体层204。
如图9所示，图9为将AlGaInP系外延叠层结构通过键合层205键合至蓝宝石衬底201上，同时去除砷化镓衬底1后的剖面结构示意图。所述外延叠层结构10通过晶圆键合（wafer bonding）的方式键合固定在蓝宝石衬底201上，通过研磨、抛光蚀刻等方式去除砷化镓衬底1上。
然后通过芯片前段制程在AlGaInP系结构上形成电极，并通过实施1或者实施例2中的制作方法来实现薄的衬底，从而使得所述AlGaInP系LED芯片的衬底厚度不超过80μm。由于AlGaInP系的芯片前段制程为现有技术，因而在此不再进行赘述。
实施例4
本实施例提供一种LED芯片，参考图7，所述LED芯片为倒装结构的LED芯片，包括衬底101，所述衬底101具有相对的正面a1和背面a2，所述衬底的正面a1上具有芯片单元；所述衬底的背面a2为出光面。
所述衬底101可为绝缘性基板或导电性基板。衬底101可以为外延叠层结构10外延生长的生长基板，也可以通过键合层将外延叠层结构10键合至所述衬底上。所述衬底101材料可以为蓝宝石(Al2O3)或尖晶石(MgA12O4)的绝缘性基板；或者碳化硅(SiC)、ZnS、ZnO、Si、GaAs、金刚石等材料；或者与氮化物半导体晶格匹配的铌酸锂、镓酸铌等氧化物基板。在本实施例中，所述衬底101优选蓝宝石基板。
所述芯片单元至少包括外延叠层结构10以及位于外延叠层结构之上的电极。如图2所示，所述外延叠层结构10至少包括依次形成于衬底101的正面a1之上的第一导电型半导体层102、活性层103和第二导电型半导体层104。
第一导电型半导体层102可以由III-V族或II-VI族化合物半导体组成，并且可以掺杂有第一掺杂剂。第一导电型半导体层102可以由具有化学式InX1AlY1Ga1-X1-Y1N（0≤X1≤1,0≤Y1≤1，0≤X1+Y1≤1）的半导体材料组成，例如GaN，AlGaN，InGaN，InAlGaN等，或选自AlGaAs，GaP，GaAs，GaAsP和AlGaInP的材料。另外，第一掺杂剂可以是n型掺杂剂，例如Si，Ge，Sn，Se和Te。当第一掺杂剂是n型掺杂剂时，掺杂有第一掺杂剂的第一导电型半导体层为n型半导体层。本实施例中，优选第一导电型半导体层102为掺杂n型掺杂剂的n型半导体。
活性层103设置在第一导电型半导体层102和第二导电型半导体层104之间。活性层103为提供电子和空穴复合提供光辐射的区域，根据发光波长的不同可选择不同的材料，活性层103可以是单量子阱或多量子阱的周期性结构。活性层103包含阱层和垒层，其中垒层具有比阱层更大的带隙。通过调整活性层103中半导体材料的组成比，以期望辐射出不同波长的光。
第二导电型半导体层104形成在活性层103上，并且可以由III-V族或II-VI族化合物半导体组成。第二导电型半导体层104可以掺杂第二掺杂剂。第二导电型半导体层104可由具有化学式InX2AlY2Ga1-X2-Y2N（0≤X2≤1，0≤Y2≤1，0≤X2+Y2≤1）的半导体材料组成，或选自AlGaAs，GaP，GaAs，GaAsP和AlGaInP的材料。当第二掺杂剂为p型掺杂剂，例如Mg，Zn，Ca，Sr和Ba时，掺杂第二掺杂剂的第二导电型半导体层为p型半导体层。本实施例中，优选第二导电型半导体层为掺杂p型掺杂剂的p型半导体。
所述外延叠层结构10还可以包括其它层材料，如电流扩展层、窗口层或欧姆接触层等，根据掺杂浓度或组分含量不同进行设置为不同的多层。外延叠层结构 10可以通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)、化学气相沉积 (Chemical VaporDeposition，CVD)、外延生长(Epitaxy Growth Technology)和原子束沉积 (Atomic LayerDeposition，ALD)等方式形成在衬底101上。
如图7所示，所述芯片至少包括依次堆叠在衬底101表面的N型半导体层102、活性层103、P型半导体层104、电流扩展层105、DBR反射层106，其中所述DBR反射层具有第一开口107和第二开口108，以及位于N型半导体层102之上的第一电极109和位于第二导电型半导体层104之上的第二电极110。
所述衬底101的厚度为80μ以下，在一些实施例中，优选所述衬底的厚度为50~60μm。所述LED芯片的水平尺寸为3mil*5mil ~5mil*9mil。所述衬底的背面a2上具有粗化结构，所述粗化结构为激光减薄衬底过程中形成的。优选所述粗化结构的粗糙度为0.5~1μm。由于所述衬底的背面a2为出光面，所述衬底背面的粗化结构可以提升出光效率，提升LED芯片的发光亮度。
本发明提出一种LED芯片的制作方法，通过激光减薄衬底，可解决现有化学机械研磨工艺减薄透明衬底厚度至小于80μm时出现的翘曲严重，边缘崩边引起的破片问题；同时激光减薄后的衬底背面具有粗化结构，可增强出光，提升发光亮度。
需要说明的是，以上实施方式仅用于说明本发明，而并非用于限定本发明，本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明做出各种修饰和变动，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应视权利要求书范围限定。
Claims (13)
1.一种LED芯片，包括衬底，所述衬底具有相对的正面和背面；所述衬底的正面具有芯片单元，其特征在于：所述衬底的厚度为80μm以下，所述衬底的背面具有粗化结构，所述粗化结构的粗糙度为0.5~1μm。
2.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述衬底的厚度为50~60μm。
3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片的水平尺寸范围为3mil*5mil ~5mil*9mil。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，所述衬底为蓝宝石衬底；所述芯片单元通过外延生长或者键合的方式设置于所述衬底的正面之上。
5.一种LED芯片的制作方法，其特征在于：
提供一衬底，所述衬底具有相对的正面和背面，在衬底的正面设置有芯片单元；
在衬底的背面上形成粗化结构，所述粗化结构为激光减薄衬底过程中形成的。
6.根据权利要求5所述的一种LED芯片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1.提供LED晶圆，所述LED晶圆包括衬底以及位于所述衬底之上的多个芯片单元；
S2.对所述衬底的背面进行激光减薄，衬底厚度减薄至目标厚度D1，所述衬底的背面具有激光减薄过程中形成的粗化结构。
7.根据权利要求6所述的一种LED芯片的制作方法，其特征在于：还包括步骤S3：在减薄后的衬底内进行隐形切割，以在衬底中形成多条激光划痕，所述激光划痕位于相邻两芯片单元之间，以定义出各LED芯片的尺寸。
8.根据权利要求7所述的一种LED芯片的制作方法，其特征在于：还包含步骤S4：利用所述衬底上的激光划痕，通过扩膜或者劈裂的方式裂片，使得所述LED晶圆分离为多颗LED芯片。
9.根据权利要求7所述的一种LED芯片的制作方法，其特征在于：还包含步骤S4：利用所述衬底上的激光划痕，通过激光划裂的方式，使得所述LED晶圆分离为多颗LED芯片。
10.根据权利要求6所述的一种LED芯片的制作方法，其特征在于：步骤S2中所述衬底的目标厚度D1为80μm以下。
11.根据权利要求6所述的一种LED芯片的制作方法，其特征在于：步骤S2中所述衬底的目标厚度D1为50μm~60μm。
12.根据权利要求7所述的一种LED芯片的制作方法，其特征在于：步骤S3中在所述衬底内部进行隐形切割的位置与所述衬底的正面的垂直距离为L1，20μm ≤L1≤80μm。
13.根据权利要求5述的一种LED芯片的制作方法，其特征在于：所述粗化结构的粗糙度为0.5~1μm。
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