CN113227740A - 微机械压力传感器设备和相应的制造方法 - Google Patents

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CN113227740A CN201980085011.5A CN201980085011A CN113227740A CN 113227740 A CN113227740 A CN 113227740A CN 201980085011 A CN201980085011 A CN 201980085011A CN 113227740 A CN113227740 A CN 113227740A
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Abstract

一种微机械压力传感器设备，所述微机械压力传感器设备具有：第一掺杂类型的半导体基础衬底，在所述半导体基础衬底上布置有所述第一掺杂类型的中间层；空腔，所述空腔包括所述半导体基础衬底的部分区域的凹槽和所述中间层的凹槽，其中，所述空腔由第二掺杂类型的密封层封闭并且包含参考压力，其中，所述密封层具有布置在所述空腔的上侧处的膜片区域；所述第二掺杂类型的第一栅格，所述第一栅格在所述空腔内悬挂在所述第二掺杂类型的掩埋连接区域处，其中，所述掩埋连接区域远离所述空腔侧向延伸到所述半导体基础衬底中；所述第二掺杂类型的第二栅格，所述第二栅格布置在所述膜片区域的指向所述空腔的一侧上并且悬挂在所述膜片区域处，其中，所述第一栅格和所述第二栅格彼此电绝缘并且形成电容C，其中，第一连接部经由所述掩埋连接区域与所述第一栅格电连接，并且第二连接部与所述第二栅格电连接，其中，外部压力与所述参考压力之间的压力变化能够通过所述第一连接部与所述第二连接部之间的电容变化来检测。一种相应的制造方法。

Description

微机械压力传感器设备和相应的制造方法
技术领域
本发明涉及一种微机械压力传感器设备和相应的制造方法。
背景技术
多年以来，将微机械压力传感器用于集成在例如安全气囊或智能手机中，因为这些微机械压力传感器由于其小的尺寸而特别适合于此。在此，压力传感器可以划分为几组不同的读取方法，其中的具有压阻式读取方法和电容式读取方法的压力传感器是两个最典型的代表。W.P.Eaton等人的文献《Micromachined Pressure Sensors:Review and RecentDevelopments》(智能材料和结构，卷6，第530至539页，1997年)总结了最重要的结构类型和工作方式。
如此，电容式压力传感器通常包含平板电容器，该平板电容器可以包含带有参考压力的腔
Figure BDA0003123850490000011
并且在该平板电容器中两个电极中的一个形成压力敏感的膜片。在环境压力发生变化时，该膜片变形，由此该平板电容器的电容发生变化。该电容可以借助外部电路转换为电压信号，因此，最终可以检测压力变化。
然而，随着微机械压力传感器的小的尺寸而伴随有要求苛刻的技术挑战。使用不同材料的组合(例如硅与氧化物或氮化物)通常证明是个难题，因为其不同的膨胀系数使温度特性变差并且在材料中产生内部应力，这对测量精度产生影响。
用于制造这种压力敏感的膜片的常见方法是：SOI材料的熔化键合(Fussions-Bonden)与功能层的转移，或者通过穿孔膜片的牺牲层技术和随后的密封。
前者具有单晶硅膜片的优点，但是具有使用昂贵的SOI材料的缺点。在牺牲层技术中，通常使用氧化物。
作为具有类似问题的电容式压力传感器的示例，引用EP 2 994 733B1和EP 2 871456 A1。
发明内容
本发明提出一种根据权利要求1的微机械压力传感器设备和一种根据权利要求12的相应的制造方法。优选的扩展方案是相应的从属权利要求的主题。
本发明的优点
根据权利要求1和12的本发明所基于的思想是，空腔(Kaverne)内由掺杂的硅制成的掩埋栅格用作相对于处于其上的栅格(该处于其上的栅格施加在压力敏感的膜片处)的、压力不敏感的对电极，并且因此能够实现电容式地分析处理的压力传感器的结构。在此，该空腔是借助APSM(英语Advanced Porous Silicon Membrane，高级多孔硅膜片)方法产生的，在该APSM方法中，首先通过阳极氧化形成多孔硅作为牺牲层，该多孔硅在随后的工艺步骤中溶出
Figure BDA0003123850490000021
空腔通过外延生长的单晶密封层进行密封。
通过使用APSM方法而得出的一个特殊的优点是由单晶硅制成的压力敏感的膜片，否则该压力敏感的膜片仅能通过SOI材料的熔化键合来制造，这是一种明显更加昂贵的方法。没有由其他材料制成的其他层的单晶硅膜片特别是由于温度特性方面的相同膨胀系数而是有利的。
如此制造的、完全由硅构成的压力传感器的其他优点包含：避免产生废料，简单地集成不变的参考电容(该参考电容可以通过将支撑部位插入到膜片中来产生)，以及经由扩散和膜片层的厚度来匹配和调节敏感度。
根据一种优选的扩展方案，第二掺杂类型的第一下沉部(Senker)从掩埋连接区域延伸穿过中间层并且将第一连接部与第一栅格电连接。因此，可以建立从悬挂在掩埋层处的第一栅格经由第一下沉部直到表面的电连接，该电连接使得能够将处于空腔内的第一栅格在表面处电连接到连接部。
根据另一优选的扩展方案，第一掺杂类型的第二下沉部从中间层延伸穿过密封层并且将第三连接部与中间层电连接。由此实现，中间层通过第二下沉部与第三连接部电连接，以便因此将参考电位施加到第一掺杂类型的所有区域处。如此，确保第一掺杂类型与第二掺杂类型的区域之间的所有过渡部都具有电阻断效果。
根据另一优选的扩展方案，第一绝缘沟槽绕着膜片区域环绕地布置，该第一绝缘沟槽使第一连接部与第二连接部电绝缘。该绝缘沟槽因此在第一栅格与第二栅格之间产生电容C，通过该电容可以读取外部压力与封闭在空腔中的参考压力之间的压力差。绝缘沟槽优选地通过交替的蚀刻方法和钝化方法制造。
根据另一优选的扩展方案，第一掺杂类型的第三下沉部绕着膜片区域或绕着第二下沉部环绕地布置，该第三下沉部使第一连接部与第二连接部电绝缘。第三下沉部是用于使两个连接部绝缘的绝缘沟槽的替代解决方案。第三下沉部可以绕着压力敏感的膜片或绕着第二下沉部延伸。因此，该扩展方案同样在第一栅格与第二栅格之间产生电容C，通过该电容可以读取压力差。
根据另一优选的扩展方案，第二绝缘沟槽绕着第二下沉部环绕地布置，该第二绝缘沟槽使第一连接部与第二连接部电绝缘。这种布置是第一连接部与第二连接部之间的另一绝缘可能性。该布置可以借助绕着第二下沉部布置的第二绝缘沟槽来实现。因此，该扩展方案同样能够实现第一格栅与第二格栅之间的电容C，通过该电容可以读取压力差。
根据另一优选的扩展方案，保护层布置在密封层上，其中，连接部被引导穿过保护层。该保护层尤其保护膜片区域免受可能导致膜片的污染的环境影响。压力敏感的膜片上的这种污染可能导致失真的测量结果并且使得传感器变得无法使用。连接部的区域中由环境决定的污染可能导致相应连接部之间的短路，因此压力传感器可能变得不适用于工作。
根据另一优选的扩展方案，绝缘层布置在密封层与保护层之间，其中，引导连接部穿过保护层和绝缘层。在此所使用的绝缘层阻止密封层与连接部的边缘之间的可能导致测量结果失真的不希望的电流。
根据另一优选的扩展方案，保护层和绝缘层布置在密封层之上、膜片区域之外。在膜片层上的由环境决定的污染的风险仅为低的情况下可以优选这种扩展方案，因为压力敏感的膜片由此仍然由单晶硅构成。这确保传感器具有有利的温度特性。
根据另一优选的扩展方案，第一下沉部是磷掺杂的，并且掩埋连接区域、第一栅格和第二栅格是锑掺杂或砷掺杂的。这确保，在扩散工艺中，相应的层按照计划扩散。因为掺杂材料的选择导致以下结果：轻的磷原子可以通过扩散来扩散到相应的层中，以便产生连续的下沉部，而掩埋连接区域、第一和第二栅格的锑或砷掺杂原子由于其较大的重量而在扩散时完全不扩散或仅非常少地扩散。
根据另一优选的扩展方案，膜片区域由单晶硅构造。由此确保有利的温度特性，由此压力传感器在很大程度上与其运行温度无关地提供准确的测量值。
根据另一优选的扩展方案，该制造方法具有：将第一下沉部的第一部分注入在连接区域的侧向延伸的部分上；将第一下沉部的第一部分在连接区域内部扩散开(Ausdiffundieren)并且进入到中间层中；将第一下沉部的第二部分注入到第一下沉部的第一部分上方的中间层中；将第一下沉部的第二部分在中间层内扩散开并且进入到密封层中。因此，可以制造在先前的扩展方案中提到的第一下沉部，该第一下沉部使得能够实现在表面处第一栅格的接通。
根据另一优选的扩展方案，该制造方法具有：将第二下沉部的第一部分注入到中间层上；将第二下沉部的第一部分在中间层内扩散开并且进入到密封层中；将第二下沉部的第二部分注入到第二下沉部的第一部分上方的密封层中；将第二下沉部的第二部分在密封层内扩散开。因此，可以制造在先前的扩展方案中提到的第二下沉部，该第二下沉部使得能够实现在表面处中间层的接通。
附图说明
在下文中参考附图基于实施方式阐述本发明的其他特征和优点。
附图示出：
图1示出用于阐述根据本发明的第一实施方式的微机械压力传感器设备的示意性截面图；
图2a)至图2k)示出用于阐述根据本发明的第一实施方式的工艺方法中的步骤的示意图，更准确地说，图2a)和图2c)至图2k)以截面图并且图2b)以俯视图；
图3示出用于阐述根据本发明的第二实施方式的微机械压力传感器设备的示意性截面图；
图4示出用于阐述根据本发明的第三实施方式的微机械压力传感器设备的示意性截面图；
图5示出用于阐述根据本发明的第四实施方式的微机械压力传感器设备的示意性截面图；和
图6示出用于阐述根据本发明的第五实施方式的微机械压力传感器设备的示意性截面图。
在附图中，相同的附图标记表示相同的或功能相同的元件。
具体实施方式
图1是用于阐述根据本发明的第一实施方式的微机械压力传感器设备的示意性截面图。
在此，微机械压力传感器设备1是通过其下侧处的第一掺杂类型p的半导体基础衬底2构建的，在其上布置有第一掺杂类型p的中间层3。通过半导体基础衬底2的部分的凹槽和中间层3的凹槽形成空腔4，该空腔由布置在中间层3上方的、第二掺杂类型n的密封层5封闭并且包含参考压力。压力敏感的膜片区域6由密封层5的处于空腔4上方的区域形成。第二掺杂类型n的掩埋连接区域7处于半导体基础衬底2中，包围空腔4并且在侧向远离该空腔地延伸。在掩埋连接区域7处悬挂有第二掺杂类型n的第一栅格8。第二栅格9处于空腔4的上侧处。在掩埋连接区域7的侧向部分处连接有第二掺杂类型n的第一下沉部10，该第一下沉部在垂直方向上穿过中间层3和密封层5向上延伸。第一掺杂类型p的第二下沉部11从中间层3穿过密封层5向上延伸。第一连接部12a在上侧处与第一下沉部10连接并且因此经由掩埋连接区域7与第一栅格8电连接。施加在密封层5上的第二连接部12b与膜片区域6电连接，并且第三连接部12c经由第二下沉部11与中间层3电连接。在其深度方面穿透密封层5的绝缘沟槽13绕着膜片区域6环绕地布置并且因此使第一连接部12a与第二连接部12b绝缘并且使第二连接部12b与第三连接部12c绝缘。
参考电位与第二连接部12c的连接导致以下结果：第一掺杂类型p与第二掺杂类型n的区域之间的所有过渡部都具有电绝缘效果。由此第一栅格8与第二栅格9绝缘，由此可以形成电容C，其可以借助第一连接部12a和第二连接部12b截取。借助相应的电路，电容C可以转换为电信号、例如转换为电压，借助该电压可以通过与膜片区域的变形相关的电容变化来检测外部压力与参考压力之间的压力差。
优选地，选择掺杂的硅用于半导体基础衬底2、中间层3、密封层5、掩埋连接区域7、第一栅格8、第二栅格9、第一下沉部10和第二下沉部11。此外，优选地将具有第一掺杂类型的区域选择为p掺杂，从而这些第一掺杂类型的区域在价带中具有电子缺陷。在此，特别地，第二下沉部11以诸如硼之类的轻原子进行掺杂，以便该第二下沉部在制造方法中的扩散步骤中良好地扩散。将具有第二掺杂类型的区域优选地进行n掺杂，即产生电子过剩(Elektronenüberschuss)。然而，在此在第一下沉部10与其余区域之间进行区分。如此，第一下沉部10优选地获得以轻原子(例如磷)进行的掺杂，而其他n掺杂的区域(例如掩埋连接区域7、第一栅格8和第二栅格9)优选地以锑或砷进行掺杂。这在工艺技术方面是有利的，因为在扩散工艺中可以如此控制扩散速率，使得以轻原子进行掺杂的区域相对较好地扩散，而以重原子进行掺杂的区域完全不扩散或仅非常少地扩散。这使得能够制造传感器的期望形状，从而最终微机械压力传感器设备1的完整结构由硅构成。除了制造技术方面的优点(例如废料更少)之外，这种传感器还具有温度特性方面的优点。仅连接部12a、12b、12c优选地由诸如铝之类的金属形成，以便提供与外部电路的具有少量电阻的尽可能良好的接触。
图2a)至图2k)是用于阐述根据本发明的第一实施方式的工艺方法中的步骤的示意性截面图，更准确地说，图2a)和图2c)至图2k)以截面图并且图2b)以俯视图。
在此，图2a示出掩埋连接区域7、第一栅格8和第一下沉部10的第一部分10a已经注入其中的半导体基础衬底2。该工艺步骤优选地借助离子注入来执行，其包括离子轰击(Ionenbeschuss)和随后的温度处理，以便电激活原子。
在图2b中示出的、第一栅格8的俯视图示出，对压力不敏感的第一栅格8中的孔与连续的区域相比相对较小地构造。在此，孔具有0.5μm至2μm、优选1μm的直径，并且彼此之间具有2μm至10μm、优选4μm的间距。在此，栅格的侧向延伸为大于100μm，优选为300μm～500μm。
在图2c的设备中，中间层3已经外延生长到半导体基础衬底2上，并且随后通过扩散工艺扩散开。在此可以看到，第一下沉部10的第一部分10a已经扩散到中间层3中，而掩埋连接区域7和第一栅格8几乎保持不变。这种选择性的扩散是通过上面提到的、掺杂原子的选择来实现的。优选地，在扩散工艺中选择大约1000℃的工艺温度。
在图2d中示出注入第二栅格9、第一下沉部10的第二部分10b和第二下沉部11的第一部分11a的下一方法步骤。该方法步骤同样优选地借助离子注入来执行。
为了准备APSM工艺，将掩模14涂覆在设备的外部区域上，如在图2e中可以看到的那样。掩模14优选地通过光刻(lithographisch)工艺施加并且优选地由氮化物形成。
通过阳极氧化(Anodisieren)现在形成多孔区域15，如在图2f中所示出的那样。该多孔区域基本上限于先前未由掩模14覆盖的区域。优选地，多孔区域15由多孔硅形成。
在图2g中，已经将掩模14去除，并且已经将多孔区域15溶出，以形成空腔4。在此，优选地选择选择性的蚀刻工艺。
密封层5的外延生长和随后的扩散开之后的设备在图2h中示出。在生长期间，空腔4以参考压力进行封闭。在扩散开期间，第二栅格9几乎保持不变，而第一下沉部10的第二部分10b和第二下沉部11的第一部分11a都扩散到密封层5中。由此，第一下沉部10的第二部分10b与第一下沉部10的第一部分10a连接。选择性的扩散通过上面提到的、掺杂原子的选择实现。优选地，在此同样选择具有大约1000℃的工艺温度的扩散工艺。
在下一工艺步骤中，将第一下沉部10的第三部分10c和第二下沉部11的第二部分11b注入到密封层5中，如图2i所示。由于相同的掺杂，因此第一下沉部10的第三部分10c的注入是可选的。在此同样优选地使用离子注入。
为了完成下沉部，进行进一步的扩散工艺，如在图2j中所示出的那样。在该进一步的扩散工艺中，第一下沉部10的第三部分10c和第二下沉部11的第二部分11b进一步扩散到密封层5中。由此，第一下沉部10的第三部分10c与第一下沉部10的第二部分10b连接，并且第二下沉部11的第二部分11b与第二下沉部11的第一部分11a连接。所有其他掺杂区域几乎保持不变。选择性的扩散是通过上面已经提到的、掺杂原子的选择来实现的。优选地，在此同样选择具有大约1000℃的工艺温度的扩散工艺。
最后，为了进行接通而施加三个连接部12a、12b、12c，并且将第一绝缘沟槽13绕着膜片区域6环绕地构造，如在图2k中所示。在此，绝缘沟槽使第一连接部12a与第二连接部12b绝缘，并且使第二连接部12b与第三连接部12c绝缘，如上已经描述的那样。连接部12a、12b、12c优选地由铝焊盘形成，而绝缘沟槽通过蚀刻工艺、优选地通过交替的蚀刻和钝化制造。
图3是用于阐述根据本发明的第二实施方式的微机械压力传感器设备的示意性截面图。
第二实施方式的微机械压力传感器设1‘对应于第一实施方式的结构，其中，将保护层16插入到密封层5上并插入到绝缘沟槽13中。在此，将连接部12a、12b、12c穿过保护层16地执行，以便继续与相应的层电连接。保护层16优选地由氮化物形成并且如果需要保护则提供保护免受环境影响。
图4是用于阐述根据本发明的第三实施方式的微机械压力传感器设备的示意性截面图。
第三实施方式的微机械压力传感器设备1“对应于第二实施方式的结构，其中，绝缘沟槽13由第一掺杂类型p的第三下沉部17替代，该第三下沉部绕着具有第一连接部12a的第一下沉部10地布置。通过第三下沉部17，第一连接部12a与第二连接部12b电绝缘，并且因此表示绝缘沟槽的替代解决方案。
图5是用于阐述根据本发明的第四实施方式的微机械压力传感器设备的示意性截面图。
第四实施方式的微机械压力传感器设备1“‘对应于第三实施方式的结构，其中，保护层16‘仅处于压力传感器的外部区域中、尤其是处于压力传感器的膜片区域6之外，但是也覆盖连接部的边缘。此外，在保护层16‘与密封层5之间存在绝缘层。这种布置确保，在连接部12a、12b、12c处不出现可能损害测量结果的不希望的电流。保护层16‘对连接部12a、12b、12c的边缘的覆盖也防止金属的氧化。优选地，将氮化物用于保护层16‘，并且将氧化物用于绝缘层18‘。
图6是用于阐述根据本发明的第五实施方式的微机械压力传感器设备的示意性截面图。
第五实施方式的微机械压力传感器设1““对应于第一实施方式的结构，其中，将中间层3‘在空腔4的侧向向下直到半导体衬底2‘和掩埋连接区域7‘为止地结构化，从而密封层5‘与掩埋连接区域7‘直接接触。绝缘沟槽13‘还环绕膜片区域6地布置并且使膜片区域的第二连接部12b与第一连接部12a和第三连接部12c绝缘。在此，第二下沉部11‘从半导体基础衬底2‘延伸穿过密封层5‘，从而第三连接部12c在此经由第二下沉部11‘和半导体基础衬底2‘与中间层3‘电连接。
尽管已经基于优选的实施例描述本发明，但是本发明不限于此。特别地，所提及的材料和拓扑仅是示例性的并且不限于所阐述的示例。
特别地，可以针对各个元件选择其他倾斜方向角度、几何形状等。

Claims (14)

1.一种微机械压力传感器设备(1；1‘；1“；1“‘；1““)，所述微机械压力传感器设备具有：
第一掺杂类型(p)的半导体基础衬底(2；2‘)，在所述半导体基础衬底上布置有所述第一掺杂类型(p)的中间层(3；3‘)；
空腔(4)，所述空腔包括所述半导体基础衬底(2；2‘)的部分区域的凹槽和所述中间层(3；3‘)的凹槽，其中，所述空腔(4)由第二掺杂类型(n)的密封层(5；5‘)封闭并且包含参考压力，其中，所述密封层(5；5‘)具有布置在所述空腔(4)的上侧处的膜片区域(6)；
所述第二掺杂类型(n)的第一栅格(8)，所述第一栅格在所述空腔(4)内悬挂在所述第二掺杂类型(n)的掩埋连接区域(7；7‘)处，其中，所述掩埋连接区域(7；7‘)在侧向远离所述空腔(4)地延伸到所述半导体基础衬底(2；2‘)中；
所述第二掺杂类型(n)的第二栅格(9)，所述第二栅格布置在所述膜片区域(6)的指向所述空腔(4)的一侧上并且悬挂在所述膜片区域(6)处；
其中，所述第一栅格(8)和所述第二栅格(9)彼此电绝缘并且形成电容C，
其中，第一连接部(12a)通过所述掩埋连接区域(7；7‘)与所述第一栅格(8)电连接，并且第二连接部(12b)与所述第二栅格(9)电连接，
其中，外部压力与所述参考压力之间的压力变化能够通过所述第一连接部(12a)与所述第二连接部(12b)之间的电容变化来检测。
2.根据权利要求1所述的微机械压力传感器设备(1；1‘；1“；1“‘)，其中，所述第二掺杂类型(n)的第一下沉部(10)从所述掩埋连接区域(7)延伸穿过所述中间层(3)并且将所述第一连接部(12a)与所述第一栅格(8)电连接。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的微机械压力传感器设备(1；1‘；1“；1“‘；1““)，其中，所述第一掺杂类型(p)的第二下沉部(11；11‘)从所述中间层(3；3‘)延伸穿过所述密封层(5；5‘)并且将第三连接部(12c)与所述中间层(3；3‘)电连接。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的微机械压力传感器设备(1；1‘；1““)，其中，绕着所述膜片区域(6)环绕地布置有第一绝缘沟槽(13；13‘)，所述第一绝缘沟槽使所述第一连接部(12a)与所述第二连接部(12b)电绝缘。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的微机械压力传感器设备(1“；1“‘)，其中，绕着所述膜片区域(6)或绕着所述第二下沉部(10)环绕地布置有所述第一掺杂类型(p)的第三下沉部(17)，所述第三下沉部使所述第一连接部(12a)与所述第二连接部(12b)电绝缘。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的微机械压力传感器设备(1；1‘)，其中，绕着所述第二下沉部(10)环绕地布置有第二绝缘沟槽，所述第二绝缘沟槽使所述第一连接部(12a)与所述第二连接部(12b)电绝缘。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的微机械压力传感器设备(1‘；1“；1“‘)，其中，在所述密封层(5)上布置有保护层(16；16‘)，其中，所述连接部(12a，12b，12c)被引导穿过所述保护层(16；16‘)。
8.根据权利要求7所述的微机械压力传感器设备(1“‘)，其中，在所述密封层(5)与所述保护层(16‘)之间布置有绝缘层(18)，其中，所述连接部(12a，12b，12c)被引导穿过所述保护层(16‘)和所述绝缘层(18)。
9.根据权利要求8所述的微机械压力传感器设备(1“‘)，其中，所述保护层(16‘)和所述绝缘层(18)布置在所述密封层(5)之上、所述膜片区域(6)之外。
10.根据权利要求2至10中任一项所述的微机械压力传感器设备(1；1‘；1“；1“‘；1““)，其中，所述第一下沉部(10)是磷掺杂的，并且所述掩埋连接区域(7，7‘)、所述第一栅格(8)和所述第二栅格(9)是锑掺杂的或砷掺杂的。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的微机械压力传感器设备(1；1‘；1“；1“‘；1““)，其中，所述膜片区域(6)由单晶硅构造。
12.一种用于制造根据权利要求1所述的微机械压力传感器设备(1；1‘；1“；1“‘；1““)的方法，所述方法具有：
提供所述第一掺杂类型(p)的半导体基础衬底(2；2‘)；
将所述第二掺杂类型(n)的第一栅格(8)和所述第二掺杂类型(n)的掩埋连接区域(7，7‘)注入到所述半导体基础衬底(2；2‘)中；
外延生长所述第一掺杂类型(p)的中间层(3；3‘)；
注入所述第二掺杂类型(n)的第二栅格(9)；
施加掩模(14)；
在使用所述掩模(14)的情况下构造多孔区域(15)；
去除所述掩模(14)；
溶出所述多孔区域(15)；
外延生长所述第二掺杂类型(n)的密封层(5；5‘)以形成所述空腔(4)；
施加所述第一连接部(12a)，所述第一连接部通过所述掩埋连接区域(7，7‘)与所述第一栅格(8)电连接；
施加所述第二连接部(12b)，所述第二连接部与所述第二格栅(9)电连接。
13.一种根据权利要求13所述的用于制造微机械压力传感器设备(1；1‘；1“；1“‘)的方法，所述方法具有：
将所述第一下沉部(10)的第一部分(10a)注入在所述连接区域(7)的侧向延伸的部分上；
将所述第一下沉部(10)的第一部分(10a)在所述连接区域(7)内扩散开并且进入到所述中间层(3)中；
将所述第一下沉部(10)的第二部分(10b)注入到所述第一下沉部(10)的第一部分(10a)上方的中间层(3)中；
将所述第一下沉部(10)的第二部分(10b)在所述中间层(3)内扩散开并且进入到所述密封层(5)中。
14.一种根据权利要求13或14所述的用于制造微机械压力传感器设备(1；1‘；1“；1“‘)的方法，所述方法具有：
将所述第二下沉部(11)的第一部分(11a)注入到所述中间层(3)上；
将所述第二下沉部(11)的第一部分(11a)在所述中间层(3)内扩散开并且进入到所述密封层(5)中；
将所述第二下沉部(11)的第二部分(11b)注入到所述第二下沉部(11)的第一部分(11a)上方的所述密封层(5)中；
将所述第二下沉部(11)的第二部分(11b)在所述密封层(5)内扩散开。
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