CN113227440B - 蒸镀材料和使用了其的带基底层的基材、带拒水拒油层的基材的制造方法 - Google Patents

Abstract

提供一种蒸镀时的沸腾受到抑制的蒸镀材料。本发明的蒸镀材料包含氧化物，所述氧化物包含：硅、铝、以及选自由碱金属元素和碱土金属元素组成的组中的至少1种元素I，铝的摩尔浓度相对于硅的摩尔浓度之比为0.006～0.71。

Description

蒸镀材料和使用了其的带基底层的基材、带拒水拒油层的基 材的制造方法

技术领域

本发明涉及蒸镀材料和使用了其的带基底层的基材、带拒水拒油层的基材的制造方法。

背景技术

为了对基材的表面赋予拒水拒油性、指纹污迹去除性、润滑性(用手指碰触时的顺滑度)等，已知的是：通过使用具有聚(氧全氟亚烷基)链和反应性甲硅烷基的含氟化合物进行表面处理，从而在基材的表面形成由含氟化合物的缩合物形成的拒水拒油层。

另外，由于对拒水拒油层要求耐磨耗性，因此，为了改善基材与拒水拒油层之间的粘接性而在它们之间设置基底层。例如，已知的是：通过蒸镀而在基材与拒水拒油层之间设置硅氧化物层(专利文献1、2)、在基材与拒水拒油层之间设置由Si(NCO)₄等水解缩合物形成的基底层(专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-218639号公报

专利文献2：日本特开2012-72272号公报

专利文献3：国际公开第2014/126064号

专利文献4：日本特开2011-63642号公报

发明内容

发明要解决的问题

专利文献1～3记载的硅氧化物层、基底层中，基材与拒水拒油层之间的粘接性有时不充分。对拒水拒油层要求耐磨耗性的进一步提高，为此，还要求基材与拒水拒油层之间的粘接性的进一步提高。

专利文献4公开了一种包含碱性硅酸盐的无机涂布剂。

本发明人等尝试了通过使用包含氧化物的蒸镀材料的蒸镀来形成设置在基材与拒水拒油层之间的基底层，所述氧化物包含硅和碱金属元素。其结果，通过使用该蒸镀材料来形成基底层，可确认到拒水拒油层的耐磨耗性的进一步提高。

然而，已明确在蒸镀时会发生沸腾。因由该沸腾导致的脱气而使容纳蒸镀材料的铜制炉容器及其周围受到污染，因此成为问题。

因而，本发明的课题在于，提供蒸镀时的沸腾受到抑制的蒸镀材料。

用于解决问题的方案

本发明人等经深入研究的结果发现：通过采用下述构成能够解决上述课题。

[1]一种蒸镀材料，其包含氧化物，所述氧化物包含：硅、铝、以及选自由碱金属元素和碱土金属元素组成的组中的至少1种金属元素，

前述铝的摩尔浓度相对于前述硅的摩尔浓度之比为0.006～0.71。

[2]根据[1]所述的蒸镀材料，其中，前述金属元素的合计摩尔浓度相对于前述硅的摩尔浓度之比为0.005～0.8。

[3]根据[1]或[2]所述的蒸镀材料，其包含碱金属元素作为前述金属元素。

[4]根据[1]～[3]中任一项所述的蒸镀材料，其中，前述氧化物还包含选自由铁、钛、锆、镍、钼和钨组成的组中的至少1种第二金属元素，

以前述第二金属元素的合计摩尔浓度相对于前述硅的摩尔浓度之比计，前述第二金属元素的含量为0.01以下。

[5]根据[1]～[4]中任一项所述的蒸镀材料，其为熔融体、烧结体或造粒体。

[6]一种带基底层的基材的制造方法，其中，通过使用了前述[1]～[5]中任一项所述的蒸镀材料的蒸镀法，在基材上形成包含氧化物的基底层，所述氧化物至少包含前述硅和前述金属元素。

[7]一种带拒水拒油层的基材的制造方法，其中，通过使用了前述[1]～[5]中任一项所述的蒸镀材料的蒸镀法，在基材上形成包含氧化物的基底层，所述氧化物至少包含前述硅和前述金属元素，

接着，在前述基底层上形成拒水拒油层，所述拒水拒油层由具有反应性甲硅烷基的含氟化合物的缩合物形成。

[8]根据[7]所述的带拒水拒油层的基材的制造方法，其中，通过干式涂布方法或湿式涂布方法，在前述基底层上涂布前述含氟化合物并使其缩合。

[9]根据[7]或[8]所述的带拒水拒油层的基材的制造方法，其中，前述反应性甲硅烷基为下式(2)所示的基团。

-Si(R)_nL_3-n···(2)

其中，R为一价烃基、L为水解性基团或羟基、n为0～2的整数。

[10]根据[7]～[9]中任一项所述的带拒水拒油层的基材的制造方法，其中，前述含氟化合物为具有2个以上的反应性甲硅烷基的含氟化合物。

[11]根据[7]～[10]中任一项所述的带拒水拒油层的基材的制造方法，其中，前述含氟化合物为具有聚(氧氟亚烷基)链和反应性甲硅烷基的含氟醚化合物。

[12]根据[11]所述的带拒水拒油层的基材的制造方法，其中，前述聚(氧氟亚烷基)链为以氧全氟亚烷基为主的聚(氧氟亚烷基)链。

发明的效果

根据本发明的蒸镀材料，能够抑制蒸镀时的沸腾。由此，能够防止装入蒸镀材料的炉容器及其周围的污染。

附图说明

图1是示出通过本发明的方法而得到的带基底层的基材的一例的剖视图。

图2是示出通过本发明的方法而得到的带拒水拒油层的基材的一例的剖视图。

具体实施方式

本说明书中，将式(1)所示的单元记作“单元(1)”。其它式所示的单元也同样记载。将式(2)所示的基团记作“基团(2)”。其它式所示的基团也同样记载。将式(3)所示的化合物记作“化合物(3)”。其它式所示的化合物也同样记载。

本说明书中，在“亚烷基任选具有A基”这一情况下，亚烷基可以在亚烷基中的碳-碳原子间具有A基，也可以如亚烷基-A基-那样在末端具有A基。

本发明中的术语的含义如下所示。

“2价的有机聚硅氧烷残基”是指下式所示的基团。下式中的R^x为烷基(优选碳原子数为1～10)或苯基。另外，g1为1以上的整数，优选为1～9的整数，特别优选为1～4的整数。

“硅亚苯基骨架基团”为-Si(R^y)₂PhSi(R^y)₂-(其中，Ph为亚苯基，R^y为1价的有机基团)所示的基团。作为R^y，优选为烷基(优选碳原子数为1～10)。

“二烷基亚甲硅烷基”为-Si(R^z)₂-(其中，R^z为烷基(优选碳原子数为1～10))所示的基团。

化合物的“数均分子量”通过利用¹H-NMR和¹⁹F-NMR，以末端基团为基准求出氧氟亚烷基的数量(平均值)来计算。

关于蒸镀材料中的各元素的含量，只要没有特别记载，则是通过湿式分析而测得的值。通过湿式分析而提供的各元素的含量为质量百分数浓度(质量％)。碱金属元素(Li、Na、K、Rb、Cs)的测定中使用原子吸光法，除此之外的元素的测定中使用电感耦合等离子体(ICP)发光分光分析法或ICP质谱分析法，通过标准曲线(基质匹配)法进行定量。需要说明的是，根据通过湿式分析而得的各元素的质量％和各元素的原子量(g/mol)，可以求出各元素彼此的摩尔浓度之比。计算中使用的原子量如下所示。

Si的原子量(g/mol)：28.09

Al的原子量(g/mol)：26.98

Li的原子量(g/mol)：6.941

Na的原子量(g/mol)：22.99

K的原子量(g/mol)：39.10

Rb的原子量(g/mol)：85.47

Cs的原子量(g/mol)：132.9

Ni的原子量(g/mol)：58.69

Fe的原子量(g/mol)：55.85

Ti的原子量(g/mol)：47.88

Zr的原子量(g/mol)：91.22

Mo的原子量(g/mol)：95.94

W的原子量(g/mol)：183.8

为了便于说明，图1～图2中的尺寸比与实际的尺寸比不同。

[蒸镀材料]

本发明的蒸镀材料包含氧化物，所述氧化物包含：硅、铝、以及选自由碱金属元素和碱土金属元素组成的组中的至少1种金属元素(以下记作“元素I”)。

本发明中，蒸镀材料是指蒸镀所使用的材料。本发明的蒸镀材料可适合地用于形成上述带拒水拒油层的基材中的基底层。

蒸镀材料所包含的氧化物可以为上述元素(硅、铝、元素I)单独的氧化物的混合物(例如硅的氧化物与铝的氧化物与元素I的氧化物的混合物)，也可以为包含2种以上的上述元素的复合氧化物，还可以为上述元素单独的氧化物与复合氧化物的混合物。

作为元素I的碱金属元素的具体例可列举出锂、钠、钾、铷和铯。

作为元素I的碱土金属的具体例可列举出铍、镁、钙、锶和钡。

氧化物可以进一步包含选自由铁、钛、锆、钼和钨组成的组中的至少1种第二金属元素(以下记作“元素II”)。

蒸镀材料所包含的氧化物中包含元素II时，可以为上述元素(硅、铝、元素I、元素II)单独的氧化物的混合物(例如硅的氧化物与铝的氧化物与元素I的氧化物与元素II的氧化物的混合物)，也可以为包含2种以上的上述元素的复合氧化物，还可以为上述元素单独的氧化物与复合氧化物的混合物。

从拒水拒油层的耐磨耗性更优异的观点出发，蒸镀材料中的氧化物的含量相对于蒸镀材料的总质量优选为80质量％以上、更优选为95质量％以上、特别优选为100质量％(蒸镀材料全部为氧化物)。

从拒水拒油层的耐磨耗性更优异的观点出发，蒸镀材料中的氧原子的含量以蒸镀材料中的氧原子相对于全部原子的摩尔浓度(摩尔％)计，优选为40～70摩尔％、更优选为50～70摩尔％、特别优选为60～70摩尔％。蒸镀材料中的氧原子的含量通过对将蒸镀材料充分粉碎并粒料化而得的物质进行XPS分析等来测定。

蒸镀材料中的硅含量以蒸镀材料中的硅相对于除氧之外的全部元素的摩尔浓度(摩尔％)计，优选为35摩尔％以上、更优选为40摩尔％以上、特别优选为60摩尔％以上。如果硅含量为上述范围，则按照后述步骤而形成的基底层中会充分形成Si-O-Si键，充分确保基底层的机械特性，在该基底层表面形成的拒水拒油层的耐磨耗性优异，故而优选。

从拒水拒油层的耐磨耗性更优异的观点出发，蒸镀材料中的硅含量以蒸镀材料中的硅相对于除氧之外的全部元素的质量百分数浓度(质量％)计，优选为35质量％以上、更优选为40质量％以上、特别优选为65质量％以上。

硅含量的上限值是从蒸镀材料的质量中去除元素I的合计含量和含有时的元素II的合计含量的合计而得的余量。

蒸镀材料中的元素I的合计摩尔浓度相对于蒸镀材料中的硅的摩尔浓度之比优选为0.005～0.8，从拒水拒油层的耐磨耗性更优异的观点出发，更优选为0.005～0.3，特别优选为0.04～0.3。如果蒸镀材料中的元素I的合计摩尔浓度之比为上述下限值以上，则通过蒸镀法能够在基材的表面稳定地形成基底层，基底层与拒水拒油层的粘接性优异，拒水拒油层的耐磨耗性优异，故而优选。另外，如果蒸镀材料中的元素I的合计摩尔浓度之比为上述上限值以下，则能够在基底层中充分形成Si-O-Si键，能够充分确保基底层的机械特性，拒水拒油层的耐磨耗性优异，故而优选。另外，通过蒸镀法能够在基材的表面稳定地形成基底层，故而优选。

从拒水拒油层的耐磨耗性更优异的观点出发，蒸镀材料中的元素I的含量的合计以蒸镀材料中的元素I相对于除氧之外的全部元素的合计摩尔浓度(摩尔％)计，优选为0.5～33摩尔％，更优选为0.5～18摩尔％，特别优选为3.5～18摩尔％。

从拒水拒油层的耐磨耗性更优异的观点出发，蒸镀材料中的元素I的含量的合计以蒸镀材料中的基底层中的元素I相对于除氧之外的全部元素的合计质量百分数浓度(质量％)计，优选为0.5～30质量％、更优选为0.5～15质量％、特别优选为3～15质量％。

蒸镀材料中，作为元素I，可以包含1种上述元素，也可以包含2种以上。例如，可以仅含有碱金属元素和碱土金属元素之中的一者，也可以含有两者。另外，可以含有2种以上的碱金属元素，也可以含有2种以上的碱土金属元素。

本申请的蒸镀材料如上所述通过含有元素I而使拒水拒油层的耐磨耗性提高。然而，若包含元素I，则在蒸镀时发生沸腾。本申请的蒸镀材料通过含有铝来抑制蒸镀时的沸腾。

若含有元素I则在蒸镀时发生沸腾的理由和通过含有铝来抑制沸腾的理由如下所述。

在蒸镀材料中，碱金属元素与硅元素形成复合氧化物。该复合氧化物具有非交联氧，因此，在蒸镀时发生沸腾。

出于上述理由，作为元素I，优选含有碱金属元素。

铝在复合氧化物中能够改变配位数，因此，蒸镀材料中含有的铝与非交联氧配位，从而抑制蒸镀时的沸腾。

蒸镀材料中的铝的摩尔浓度相对于蒸镀材料中的硅的摩尔浓度之比为0.006～0.71，从拒水拒油层的耐磨耗性更优异的观点出发，更优选为0.006～0.24，特别优选为0.03～0.24。如果蒸镀材料中的铝的摩尔浓度之比为上述下限值以上，则可优选地发挥出抑制上述沸腾的效果。另外，如果蒸镀材料中的铝的摩尔浓度之比为上述上限值以下，则由含有铝导致的蒸镀速度的降低在可允许的范围内。

从拒水拒油层的耐磨耗性更优异的观点出发，蒸镀材料中的铝含量以蒸镀材料中的铝相对于除氧之外的全部元素的摩尔浓度(摩尔％)计，优选为0.4～34摩尔％、更优选为0.4～18摩尔％、特别优选为2.5～18摩尔％。

从拒水拒油层的耐磨耗性更优异的观点出发，蒸镀材料中的铝含量以蒸镀材料中的基底层中的铝相对于除氧之外的全部元素的质量百分数浓度(质量％)计，优选为0.5～33质量％、更优选为0.5～17质量％、特别优选为2.5～17质量％。

蒸镀材料含有元素II时，蒸镀材料中的元素II的合计摩尔浓度相对于蒸镀材料中的硅的摩尔浓度之比优选为0.01以下，从拒水拒油层的耐磨耗性更优异的观点出发，特别优选为0.001以下。如果蒸镀材料中的元素II的合计摩尔浓度之比为上述上限值以下，则通过蒸镀法能够在基材的表面稳定地形成基底层，基底层与拒水拒油层的粘接性优异，拒水拒油层的耐磨耗性优异，故而优选。

蒸镀材料含有元素II时，从拒水拒油层的耐磨耗性更优异的观点出发，蒸镀材料中的元素II的含量的合计以蒸镀材料中的元素II相对于除氧之外的全部元素的合计摩尔浓度(摩尔％)计，优选为1摩尔％以下、特别优选为0.1摩尔％以下。

蒸镀材料含有元素II时，从拒水拒油层的耐磨耗性更优异的观点出发，蒸镀材料中的元素II的含量的合计以蒸镀材料中的基底层中的元素II相对于除氧之外的全部元素的合计质量百分数浓度(质量％)计，优选为1质量％以下、特别优选为0.1质量％以下。

蒸镀材料含有元素II时，蒸镀材料中，作为元素II，可以包含2种以上的元素。

作为蒸镀材料的形态的具体例，可列举出粉体、熔融体、烧结体、造粒体、破碎体，从处理性的观点出发，优选为熔融体、烧结体和造粒体。

此处，熔融体是指使蒸镀材料的粉体在高温下熔融后，进行冷却固化而得到的固态物。烧结体是指对蒸镀材料的粉体进行烧成而得到的固态物，根据需要，可以代替蒸镀材料的粉体，对粉体进行加压成形而使用成形体。造粒体是指将蒸镀材料的粉体与液体介质(例如水、有机溶剂)进行混炼而得到颗粒后，使颗粒干燥而得到的固态物。

蒸镀材料可通过例如下述方法来制造。

蒸镀材料可通过例如以下的方法来制造。

·将硅的氧化物的粉体、铝的氧化物的粉体、元素I的氧化物的粉体、以及根据需要的元素II的氧化物的粉体进行混合，得到蒸镀材料的粉体的方法。

·将上述蒸镀材料的粉体与水混炼而得到颗粒后，使颗粒干燥而得到蒸镀材料的造粒体的方法。

为了提高造粒时的收率，另外为了使造粒体中的元素分布均匀化，原料的硅氧化物粉体的直径优选为0.1μm～100μm。将100μm以上的硅氧化物粉体作为原料时，优选进行粉碎后再使用。为了提高造粒体的强度，或者，为了避免获得烧结体时的烧成时的固着，干燥温度优选为60℃以上。另一方面，为了完全去除水分，优选减压状态(绝对压力为50kPa以下)下的干燥。

·将包含硅的粉体(例如由硅的氧化物形成的粉体、硅砂、硅胶)、铝的粉体(例如铝的氧化物的粉体)、元素I的粉体(例如元素I的氧化物的粉体)、根据需要的元素II的粉体(例如元素II的氧化物的粉体)、以及水进行混合，使所得混合物干燥后，对干燥后的混合物、将该混合物加压成形而得的成形体、或者前述造粒体进行烧成而得到烧结体的方法。

为了降低烧成后的烧结体的吸湿性，烧成温度优选为900℃以上、更优选为1000℃以上。为了防止搬运烧结体时的输送容器(包装袋)的破损，防止源自容器的污染，优选无突起部的颗粒，更优选为球状颗粒。为了去除突起部，优选追加突起部去除工艺。

·将包含硅的粉体(例如由硅的氧化物形成的粉体、硅砂、硅胶)、铝的粉体(例如铝的氧化物的粉体)、元素I的粉体(例如元素I的氧化物的粉体)、以及根据需要的元素II的粉体(例如元素II的氧化物的粉体)投入至火焰中使其熔融后，将熔融物冷却固化而得到熔融体的方法。

[带基底层的基材的制造方法]

本发明的带基底层的基材的制造方法是通过使用本发明的蒸镀材料的蒸镀法，在基材上形成包含氧化物的基底层的方法，所述氧化物包含硅和元素I。

作为使用了蒸镀材料的蒸镀法的具体例，可列举出真空蒸镀法。真空蒸镀法是使蒸镀材料在真空槽内蒸发并附着于基材表面的方法。

蒸镀时的温度(例如，使用真空蒸镀装置时，设置蒸镀材料的铜制炉容器的温度)优选为100～3000℃、特别优选为500～3000℃。

蒸镀时的压力(例如，使用真空蒸镀装置时，设置蒸镀材料的槽内的压力)优选为1Pa以下、特别优选为0.1Pa以下。

使用蒸镀材料来形成基底层时，可以使用1种蒸镀材料，也可以使用包含不同元素的两种以上的蒸镀材料。

作为蒸镀材料的蒸发方法的具体例，可列举出：在铜制炉容器上将蒸镀材料熔融并使其蒸发的电阻加热法；对蒸镀材料照射电子束，将蒸镀材料直接加热而使表面熔融并蒸发的电子枪法。作为蒸镀材料的蒸发方法，从因能够局部加热而能够使高熔点物质也蒸发的观点、因不接触电子束的部位为低温而不用担心与容器发生反应或杂质混入的观点出发，优选为电子枪法。

为了防止在蒸镀时不期望被蒸镀的区域、部分(例如基材的背面等)的污染，可列举出用保护薄膜来覆盖该不期望被蒸镀的区域、部分的方法。

在蒸镀后，从提高膜质的观点出发，优选追加加湿处理。加湿处理时的温度优选为25～160℃，相对湿度优选为40％以上，处理时间优选为1小时以上。

图1是示意性地示出通过本发明的方法而制造的带基底层的基材的一例的剖视图。带基底层的基材10具有基材12和形成在基材12的一个表面上的基底层14。

在图1的例子中，基材12与基底层14相接触，但不限定于此，带基底层的基材可以在基材12与基底层14之间具有未图示的其它层。

在图1的例子中，在基材12的一个表面整体形成有基底层14，但不限定于此，可以仅在基材12的一部分区域形成有基底层14。

在图1的例子中，仅在基材12的一个面形成有基底层14，但不限定于此，可以在基材12的两面形成有基底层14。

(基材)

作为基材，由于能够赋予拒水拒油性，因此，特别优选为要求赋予拒水拒油性的基材。作为基材的材料的具体例，可列举出金属、树脂、玻璃、蓝宝石、陶瓷、石头和它们的复合材料。玻璃可以经化学强化。

作为基材，优选为触摸面板用基材、显示器用基材，特别优选为触摸面板用基材。触摸面板用基材优选具有透光性。“具有透光性”是指：基于JIS R3106:1998(ISO 9050:1990)的垂直入射型可见光透射率为25％以上。作为触摸面板用基材的材料，优选为玻璃和透明树脂。

另外，作为基材，可列举出下述例子。建材、装饰建材、装潢用品、运输设备(例如汽车)、看板/公告板、饮水机/餐具、水槽、观赏用器具(例如框、箱)、实验器具、家具、艺术/体育/游戏中使用的玻璃制品或树脂制品。便携电话(例如智能手机)、便携信息终端、游戏机、遥控器等设备中的外包装部分(除了显示部之外)中使用的玻璃制品或树脂制品。基材的形状可以为板状、薄膜状。

基材可以是一个表面或两面实施了电晕放电处理、等离子体处理、等离子体接枝聚合处理等表面处理的基材。实施了表面处理的表面中，基材与基底层的粘接性更优异，其结果，拒水拒油层的耐磨耗性更优异。因此，优选对基材的与基底层接触的一侧的表面实施表面处理。

(基底层)

基底层包含氧化物，所述氧化物至少包含硅和元素I。

基底层所包含的氧化物中，作为元素I，可以仅包含1种上述元素，也可以包含2种以上。

基底层中包含的氧化物可以进一步包含铝。

基底层中包含的氧化物可以进一步包含元素II。

基底层中包含的氧化物中，作为元素II，可以仅包含1种上述元素，也可以包含2种以上。

基底层中包含的氧化物可以为上述元素(硅和元素I、进一步含有时的铝和元素II)单独的氧化物的混合物(例如硅氧化物与元素I的氧化物的混合物)，也可以为包含上述元素的复合氧化物，还可以为上述元素单独的氧化物与复合氧化物的混合物。

基底层可以是所含的成分均匀分布的层(以下也称为“均质层”)，也可以是所含的成分不均匀分布的层(以下也称为“不均质层”)，但从拒水拒油层的耐磨耗性更优异的观点出发，优选为均质层。作为不均质层的具体例，可列举出在层中产生成分的浓度梯度的情况(渐变结构)、在连续存在的成分中不连续地存在其它成分的情况(海岛结构)。

基底层可以为单层，也可以为多层，从拒水拒油层的耐磨耗性更优异的观点出发，优选为单层。基底层可以在表面具有凹凸。

基底层的厚度优选为1～100nm、更优选为1～50nm、特别优选为2～20nm。如果基底层的厚度为上述下限值以上，则基于基底层的拒水拒油层的粘接性进一步提高，拒水拒油层的耐磨耗性更优异。如果基底层的厚度为上述上限值以下，则基底层自身的耐磨耗性优异。

基底层的厚度通过基于透射电子显微镜(TEM)的基底层的截面观察来测定。

[带拒水拒油层的基材的制造方法]

本发明的带拒水拒油层的基材的制造方法如本发明的带基底层的基材的制造方法所述那样，可列举出如下方法：通过使用本发明的蒸镀材料的蒸镀法，在基材上形成包含氧化物的基底层，所述氧化物包含硅和元素I，接着，在基底层上形成由具有反应性甲硅烷基的含氟化合物的缩合物形成的拒水拒油层。

拒水拒油层也可以使用包含含氟化合物或者含氟化合物和液体介质的组合物(以下也称为“组合物”)，并通过干式涂布和湿式涂布中的任意制造方法来形成。

作为组合物所包含的液体介质的具体例，可列举出水、有机溶剂。作为有机溶剂的具体例，可列举出氟系有机溶剂和非氟系有机溶剂。有机溶剂可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。

作为氟系有机溶剂的具体例，可列举出氟化烷烃、氟化芳香族化合物、氟烷基醚、氟化烷基胺、氟醇。

氟化烷烃优选为碳原子数4～8的化合物，可列举出例如C₆F₁₃H(AC-2000：制品名、AGC公司制)、C₆F₁₃C₂H₅(AC-6000：制品名、AGC公司制)、C₂F₅CHFCHFCF₃(Vertrel：制品名、杜邦公司制)。

作为氟化芳香族化合物的具体例，可列举出六氟苯、三氟甲基苯、全氟甲苯、1,3-双(三氟甲基)苯、1,4-双(三氟甲基)苯。

氟烷基醚优选为碳原子数4～12的化合物，可列举出例如CF₃CH₂OCF₂CF₂H(AE-3000：制品名、AGC公司制)、C₄F₉OCH₃(Novec-7100：制品名、3M公司制)、C₄F₉OC₂H₅(Novec-7200：制品名、3M公司制)、C₂F₅CF(OCH₃)C₃F₇(Novec-7300：制品名、3M公司制)。

作为氟化烷基胺的具体例，可列举出全氟三丙基胺、全氟三丁基胺。

作为氟醇的具体例，可列举出2,2,3,3-四氟丙醇、2,2,2-三氟乙醇、六氟异丙醇。

作为非氟系有机溶剂，优选仅由氢原子和碳原子形成的化合物；以及仅由氢原子、碳原子和氧原子形成的化合物，具体而言，可列举出烃系有机溶剂、酮系有机溶剂、醚系有机溶剂、酯系有机溶剂、醇系有机溶剂。

作为烃系有机溶剂的具体例，可列举出己烷、庚烷、环己烷。

作为酮系有机溶剂的具体例，可列举出丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮。

作为醚系有机溶剂的具体例，可列举出二乙基醚、四氢呋喃、四乙二醇二甲基醚。

作为酯系有机溶剂的具体例，可列举出乙酸乙酯、乙酸丁酯。

作为醇系有机溶剂的具体例，可列举出异丙醇、乙醇、正丁醇。

组合物中的含氟化合物的含量相对于组合物的总质量优选为0.01～50质量％、特别优选为1～30质量％。

组合物中的液体介质的含量相对于组合物的总质量优选为50～99.99质量％、特别优选为70～99质量％。

拒水拒油层可通过例如以下的方法来制造。

·通过使用了含氟化合物的干式涂布法，对基底层的表面进行处理，从而在基底层的表面形成拒水拒油层的方法。

·通过湿式涂布法，将组合物涂布于基底层的表面，使其干燥，从而在基底层的表面形成拒水拒油层的方法。

作为干式涂布法的具体例，可列举出真空蒸镀法、CVD法、溅射法。这些之中，从抑制含氟化合物分解的观点和装置简便性的观点出发，优选为真空蒸镀法。在真空蒸镀时，可以使用使铁、钢等金属多孔体负载有含氟化合物或浸渗有组合物并干燥而得的粒料状物质。

作为湿式涂布法的具体例，可列举出旋涂法、揩涂法、喷涂法、刮板涂布法、浸涂法、模涂法、喷墨法、流涂法、辊涂法、流延法、Langmuir-Blodgett法、凹版涂布法。

为了提高拒水拒油层的耐磨耗性，根据需要，可以进行用于促进具有反应性甲硅烷基的含氟化合物与基底层的反应的操作。作为该操作，可列举出加热、加湿、光照射等。例如，在具有水分的大气中对形成有拒水拒油层的带基底层的基材进行加热，能够促进反应性甲硅烷基水解成硅烷醇基的水解反应、通过硅烷醇基的缩合反应来生成硅氧烷键、基底层表面的硅烷醇基与含氟化合物的硅烷醇基的缩合反应等反应。

在表面处理后，处于拒水拒油层中且不与其它化合物、硅氧化物层发生化学键合的化合物可根据需要而去除。作为具体方法，可列举出例如对拒水拒油层流淌溶剂的方法、用浸渗有溶剂的布进行擦拭的方法、对拒水拒油层表面进行酸清洗的方法等。

图2是示意性地示出通过本发明的方法而制造的带拒水拒油层的基材的一例的剖视图。带拒水拒油层的基材20具有基材22、在基材22的一个表面形成的基底层24、以及在基底层24的表面形成的拒水拒油层26。

在图2的例子中，基底层24与拒水拒油层26相接触，但带拒水拒油层的基材可以在基底层24与拒水拒油层26之间具有未图示的其它层。

另外，在图2的例子中，在基底层24的表面整体形成有拒水拒油层26，但不限定于此，可以仅在基底层24的一部分区域形成有拒水拒油层26。

在图2的例子中，仅在基材22的一个面形成有基底层24和拒水拒油层26，但不限定于此，可以在基材22的两面形成有基底层24和拒水拒油层26。

(拒水拒油层)

拒水拒油层由具有反应性甲硅烷基的含氟化合物的缩合物形成。

反应性甲硅烷基是指水解性甲硅烷基和硅烷醇基(Si-OH)。作为水解性甲硅烷基的具体例，可列举出后述式2所示基团的L为水解性基团的基团。

水解性甲硅烷基通过水解反应而形成Si-OH所示的硅烷醇基。硅烷醇基进一步在硅烷醇基之间发生脱水缩合反应而形成Si-O-Si键。另外，硅烷醇基可以与基底层所含的源自氧化物的硅烷醇基发生脱水缩合反应而形成Si-O-Si键。即，反应性甲硅烷基的至少一部分为水解性甲硅烷基时，拒水拒油层包含含氟化合物的反应性甲硅烷基发生水解反应和脱水缩合反应而得的缩合物。反应性甲硅烷基全部为硅烷醇基时，拒水拒油层包含含氟化合物的硅烷醇基发生脱水缩合反应而得的缩合物。作为含氟化合物所具有的反应性甲硅烷基，优选其中的至少一部分为水解性甲硅烷基。

拒水拒油层的厚度优选为1～100nm、特别优选为1～50nm。如果拒水拒油层的厚度为下限值以上，则能够充分获得基于拒水拒油层的效果。如果拒水拒油层的厚度为上述上限值以下，则利用效率高。

拒水拒油层的厚度可使用薄膜分析用X射线衍射计，通过X射线反射率法(XRR)而得到反射X射线的干涉图案，并由该干涉图案的振动周期来计算。

<具有反应性甲硅烷基的含氟化合物>

从拒水拒油层的拒水拒油性优异的观点出发，具有反应性甲硅烷基的含氟化合物优选为具有聚(氧氟亚烷基)链和反应性甲硅烷基的含氟醚化合物。

聚(氧氟亚烷基)链包含多个式(1)所示的单元。

(OX)···(1)

X为具有1个以上氟原子的氟亚烷基。

从拒水拒油层的耐候性和耐蚀性更优异的观点出发，氟亚烷基的碳原子数优选为2～6、特别优选为2～4。

氟亚烷基可以为直链状，也可以为支链状，但从本发明的效果更优异的观点出发，优选为直链状。

作为氟亚烷基中的氟原子的数量，从拒水拒油层的耐蚀性更优异的观点出发，优选为碳原子数的1～2倍、特别优选为1.7～2倍。

氟亚烷基可以是氟亚烷基中的全部氢原子被氟原子取代而得的基团(全氟亚烷基)。

作为单元(1)的具体例，可列举出-OCHF-、-OCF₂CHF-、-OCHFCF₂-、-OCF₂CH₂-、-OCH₂CF₂-、-OCF₂CF₂CHF-、-OCHFCF₂CF₂-、-OCF₂CF₂CH₂-、-OCH₂CF₂CF₂-、-OCF₂CF₂CF₂CH₂-、-OCH₂CF₂CF₂CF₂-、-OCF₂CF₂CF₂CF₂CH₂-、-OCH₂CF₂CF₂CF₂CF₂-、-OCF₂CF₂CF₂CF₂CF₂CH₂-、-OCH₂CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂-、-OCF₂-、-OCF₂CF₂-、-OCF₂CF₂CF₂-、-OCF(CF₃)CF₂-、-OCF₂CF₂CF₂CF₂-、-OCF(CF₃)CF₂CF₂-、-OCF₂CF₂CF₂CF₂CF₂-、-OCF₂CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂-。

聚(氧氟亚烷基)链中包含的单元(1)的重复数m为2以上，更优选为2～200的整数，进一步优选为5～150的整数，特别优选为5～100的整数，最优选为10～50的整数。

聚(氧氟亚烷基)链可以包含2种以上的单元(1)。作为2种以上的单元(1)，可列举出例如碳原子数不同的2种以上的单元(1)；碳原子数相同但侧链的有无、侧链的种类不同的2种以上的单元(1)；碳原子数相同但氟原子的数量不同的2种以上的单元(1)。

2种以上的(OX)的键合顺序没有限定，可以无规、交替、嵌段地配置。

为了制成指纹污迹去除性优异的膜，聚(氧氟亚烷基)链优选以属于氧全氟亚烷基的单元(1)为主的聚(氧氟亚烷基)链。在(OX)_m所示的聚(氧氟亚烷基)链中，属于氧全氟亚烷基的单元(1)的数量相对于单元(1)的总数m个的比例优选为50～100％、更优选为80～100％、特别优选为90～100％。

作为聚(氧氟亚烷基)链，更优选聚(氧全氟亚烷基)链、以及在单个末端或两个末端分别具有1个或2个具有氢原子的氧氟亚烷基单元的聚(氧全氟亚烷基)链。

作为聚(氧氟亚烷基)链所具有的(OX)_m，优选为(OCH_maF_(2-ma))_m11(OC₂H_mbF_(4-mb))_m12(OC₃H_mcF_(6-mc))_m13(OC₄H_mdF_(8-md))_m14(OC₅H_meF_(10-me))_m15(OC₆H_mfF_(12-mf))_m16。

ma为0或1，mb为0～3的整数，mc为0～5的整数，md为0～7的整数，me为0～9的整数，mf为0～11的整数。

m11、m12、m13、m14、m15和m16各自独立地为0以上的整数，优选为100以下。

m11+m12+m13+m14+m15+m16为2以上的整数，更优选为2～200的整数，更优选为5～150的整数，进一步优选为5～100的整数，特别优选为10～50的整数。

其中，m12优选为2以上的整数，特别优选为2～200的整数。

另外，C₃H_mcF_(6-mc)、C₄H_mdF_(8-md)、C₅H_meF_(10-me)和C₆H_mfF_(12-mf)可以为直链状，也可以为支链状，从拒水拒油层的耐摩擦性更优异的观点出发，优选为直链状。

需要说明的是，上述式表示单元的种类及其数量，不表示单元的排列。即，m11～m16表示单元的数量，例如，(OCH_maF_(2-ma))_m11不表示m11个(OCH_maF_(2-ma))单元连续而成的嵌段。同样地，(OCH_maF_(2-ma))～(OC₆H_mfF_(12-mf))的记载顺序不表示它们按照该记载顺序进行排列。

上述式中，m11～m16中的2个以上不是0时(即，(OX)_m由2种以上的单元构成时)，不同单元的排列可以为无规排列、交替排列、嵌段排列和这些排列的组合中的任意者。

进而，对于上述各单元而言，在包含2种以上该单元时，这些单元也可以不同。例如，m11为2以上时，多个(OCH_maF_(2-ma))可以相同也可以不同。

作为反应性甲硅烷基，优选为式(2)所示的基团。

-Si(R)_nL_3-n···(2)

含氟醚化合物所具有的基团(2)的数量为1个以上，从拒水拒油层的耐摩擦性更优异的观点出发，优选为2个以上，更优选为2～10个，进一步优选为2～5个，特别优选为2或3个。

基团(2)在1分子中存在多个时，存在的多个基团(2)可以相同也可以不同。从原料的获取容易性、含氟醚化合物的制造容易性的观点出发，优选彼此相同。

R为1价的烃基，优选为1价的饱和烃基。R的碳原子数优选为1～6，更优选为1～3，特别优选为1～2。

L为水解性基团或羟基。

水解性基团是通过水解反应而形成羟基的基团。即，Si-L所示的具有水解性的甲硅烷基通过水解反应而形成Si-OH所示的硅烷醇基。硅烷醇基进一步在硅烷醇基之间发生反应而形成Si-O-Si键。另外，硅烷醇基与基底层所含的源自氧化物的硅烷醇基发生脱水缩合反应，从而能够形成Si-O-Si键。

作为水解性基团的具体例，可列举出烷氧基、芳氧基、卤素原子、酰基、酰氧基、异氰酸酯基(-NCO)。作为烷氧基，优选为碳原子数1～4的烷氧基。作为芳氧基，优选为碳原子数3～10的芳氧基。其中，作为芳氧基的芳基，包含杂芳基。作为卤素原子，优选为氯原子。作为酰基，优选为碳原子数1～6的酰基。作为酰氧基，优选为碳原子数1～6的酰氧基。

作为L，从更容易制造含氟醚化合物的观点出发，优选为碳原子数1～4的烷氧基和卤素原子。作为L，从涂布时的排气少、含氟醚化合物的保存稳定性更优异的观点出发，优选为碳原子数1～4的烷氧基，在需要含氟醚化合物的长期保存稳定性的情况下，特别优选为乙氧基，在将涂布后的反应时间设为短时间的情况下，特别优选为甲氧基。

n为0～2的整数。

n优选为0或1，特别优选为0。通过存在多个L，拒水拒油层对基底层的密合性更牢固。

n为1以下时，1分子中存在的多个L可以相同也可以不同。从原料的获取容易性、含氟醚化合物的制造容易性的观点出发，优选彼此相同。n为2时，1分子中存在的多个R可以相同也可以不同。从原料的获取容易性、含氟醚化合物的制造容易性的观点出发，优选彼此相同。

作为含氟醚化合物，从拒水拒油层的拒水拒油性和耐摩擦性更优异的观点出发，优选为式(3)所示的化合物。

[A-(OX)_m-O-]_jZ[-Si(R)_nL_3-n]_g···(3)

A为全氟烷基或-Q[-Si(R)_nL_3-n]_k。

从拒水拒油层的耐摩擦性更优异的观点出发，全氟烷基中的碳原子数优选为1～20、更优选为1～10、进一步优选为1～6、特别优选为1～3。

全氟烷基可以为直链状，也可以为支链状。

其中，A为-Q[-Si(R)_nL_3-n]_k时，j为1。

作为全氟烷基，可列举出CF₃-、CF₃CF₂-、CF₃CF₂CF₂-、CF₃CF₂CF₂CF₂-、CF₃CF₂CF₂CF₂CF₂-、CF₃CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂-、CF₃CF(CF₃)-等。

作为全氟烷基，从拒水拒油层的拒水拒油性更优异的观点出发，优选为CF₃-、CF₃CF₂-、CF₃CF₂CF₂-。

Q为(k+1)价的连接基团。如后所述，k为1～10的整数。因而，作为Q，可列举出2～11价的连接基团。

作为Q，只要是不损害本发明效果的基团即可，可列举出例如任选具有醚性氧原子或2价有机聚硅氧烷残基的亚烷基、碳原子、氮原子、硅原子、2～8价的有机聚硅氧烷残基、以及基团(g2-1)～基团(g2-9)和基团(g3-1)～基团(g3-9)。

R、L、n、X和m的定义如上所述。

Z为(j+g)价的连接基团。

Z只要是不损害本发明效果的基团即可，可列举出例如任选具有醚性氧原子或2价有机聚硅氧烷残基的亚烷基、碳原子、氮原子、硅原子、2～8价的有机聚硅氧烷残基、以及基团(g2-1)～基团(g2-9)和基团(g3-1)～基团(g3-9)。

j为1以上的整数，从拒水拒油层的拒水拒油性更优异的观点出发，优选为1～5的整数，从容易制造化合物(3)的观点出发，特别优选为1。

g为1以上的整数，从拒水拒油层的耐摩擦性更优异的观点出发，优选为2～4的整数，更优选为2或3，特别优选为3。

作为化合物(3)，从拒水拒油层的初始水接触角和耐摩擦性更优异的观点出发，优选为化合物(3-11)、化合物(3-21)和化合物(3-31)。这些之中，化合物(3-11)和化合物(3-21)的拒水拒油层的初始水接触角特别优异，化合物(3-31)的拒水拒油层的耐摩擦性特别优异。

R^f1-(OX)_m-O-Y¹¹[-Si(R)_nL_3-n]_g1···(3-11)

[R^f2-(OX)_m-O-]_j2Y²¹[-Si(R)_nL_3-n]_g2···(3-21)

[L_3-n(R)_nSi-]_k3Y³²-(OX)_m-O-Y³¹[-Si(R)_nL_3-n]_g3···(3-31)

式(3-11)中，X、m、R、n和L分别与式(3)中的X、m、R、n和L的定义相同。

R^f1为全氟烷基，全氟烷基的优选方式和具体例如上所述。

Y¹¹为(g1+1)价的连接基团，其具体例与式(3)中的Z相同。

g1为2以上的整数，从拒水拒油层的耐摩擦性更优异的观点出发，优选为2～15的整数，更优选为2～4的整数，进一步优选为2或3，特别优选为3。

式(3-21)中，X、m、R、n和L分别与式(3)中的X、m、R、n和L的定义相同。

R^f2为全氟烷基，全氟烷基的优选方式和具体例如上所述。

j2为2以上的整数，优选为2～6的整数，更优选为2～4的整数。

Y²¹为(j2+g2)价的连接基团，其具体例与式(3)中的Z相同。

g2为2以上的整数，从拒水拒油层的耐摩擦性更优异的观点出发，优选为2～15的整数，更优选为2～6，进一步优选为2～4，特别优选为4。

式(3-31)中，X、m、R、n和L分别与式(3)中的X、m、R、n和L的定义相同。

k3为1以上的整数，优选为1～4的整数，更优选为2或3，特别优选为3。

Y³²为(k3+1)价的连接基团，其具体例与式(3)中的Q相同。

Y³¹为(g3+1)价的连接基团，其具体例与式(3)中的Z相同。

g3为1以上的整数，优选为1～4的整数，更优选为2或3，特别优选为3。

式(3-11)中的Y¹¹可以是基团(g2-1)(其中，d1+d3＝1(换言之，d1或d3为0)、g1＝d2+d4、d2+d4≥2)、基团(g2-2)(其中，e1＝1、g1＝e2、e2≥2)、基团(g2-3)(其中，g1＝2)、基团(g2-4)(其中，h1＝1、g1＝h2、h2≥2)、基团(g2-5)(其中，i1＝1、g1＝i2、i2≥2)、基团(g2-7)(其中，g1＝i3+1)、基团(g2-8)(其中，g1＝i4、i4≥2)或基团(g2-9)(其中，g1＝i5、i5≥2)。

式(3-21)中的Y²¹可以是基团(g2-1)(其中，j2＝d1+d3、d1+d3≥2、g2＝d2+d4、d2+d4≥2)、基团(g2-2)(其中，j2＝e1、e1＝2、g2＝e2、e2＝2)、基团(g2-4)(其中，j2＝h1、h1≥2、g2＝h2、h2≥2)或基团(g2-5)(其中，j2＝i1、i1＝2、g2＝i2、i2＝2)。

另外，式(3-31)中的Y³¹和Y³²可以各自独立地是基团(g2-1)(其中，g3＝d2+d4、k3＝d2+d4)、基团(g2-2)(其中，g3＝e2、k3＝e2)、基团(g2-3)(其中，g3＝2、k3＝2)、基团(g2-4)(其中，g3＝h2、k3＝h2)、基团(g2-5)(其中，g3＝i2、k3＝i2)、基团(g2-6)(其中，g3＝1、k3＝1)、基团(g2-7)(其中，g3＝i3+1、k3＝i3+1)、基团(g2-8)(其中，g3＝i4、k3＝i4)或基团(g2-9)(其中，g3＝i5、k3＝i5)。

(-A¹-)_e1C(R^e2)_4-e1-e2(-Q²²-)_e2···(g2-2)

-A¹-N(-Q²³-)₂···(g2-3)

(-A¹-)_h1Z¹(-Q²⁴-)_h2···(g2-4)

(-A¹-)_i1Si(R^e3)_4-i1-i2(-Q²⁵-)_i2···(g2-5)

-A¹-Q²⁶-···(g2-6)

-A¹-CH(-Q²²-)-Si(R^e3)_3-i3(-Q²⁵-)_i3···(g2-7)

-A¹-[CH₂C(R^e4)(-Q²⁷-)]_i4-R^e5···(g2-8)

-A¹-Z^a(-Q²⁸-)_i5···(g2-9)

其中，式(g2-1)～式(g2-9)中，A¹侧连接于(OX)_m，Q²²、Q²³、Q²⁴、Q²⁵、Q²⁶、Q²⁷和Q²⁸侧连接于[-Si(R)_nL_3-n]。

A¹为单键、亚烷基、或者在碳原子数为2以上的亚烷基的碳-碳原子间具有-C(O)NR⁶-、-C(O)-、-OC(O)O-、-NHC(O)O-、-NHC(O)NR⁶-、-O-或-SO₂NR⁶-的基团，各式中，A¹存在2个以上时，2个以上的A¹可以相同也可以不同。亚烷基的氢原子任选被氟原子取代。

Q²²为亚烷基；在碳原子数为2以上的亚烷基的碳-碳原子间具有-C(O)NR⁶-、-C(O)-、-NR⁶-或-O-的基团；在亚烷基的不与Si连接的一侧的末端具有-C(O)NR⁶-、-C(O)-、-NR⁶-或-O-的基团；或者在碳原子数为2以上的亚烷基的碳-碳原子间具有-C(O)NR⁶-、-C(O)-、-NR⁶-或-O-且在不与Si连接的一侧的末端具有-C(O)NR⁶-、-C(O)-、-NR⁶-或-O-的基团，各式中，Q²²存在2个以上时，2个以上的Q²²可以相同也可以不同。

Q²³为亚烷基、或者在碳原子数为2以上的亚烷基的碳-碳原子间具有-C(O)NR⁶-、-C(O)-、-NR⁶-或-O-的基团，2个Q²³可以相同也可以不同。

关于Q²⁴，在Q²⁴所键合的Z¹中的原子为碳原子的情况下是Q²²，在Q²⁴所键合的Z¹中的原子为氮原子的情况下是Q²³，各式中，Q²⁴存在2个以上时，2个以上的Q²⁴可以相同也可以不同。

Q²⁵为亚烷基、或者在碳原子数为2以上的亚烷基的碳-碳原子间具有-C(O)NR⁶-、-C(O)-、-NR⁶-或-O-的基团，各式中，Q²⁵存在2个以上时，2个以上的Q²⁵可以相同也可以不同。

Q²⁶为亚烷基、或者在碳原子数为2以上的亚烷基的碳-碳原子间具有-C(O)NR⁶-、-C(O)-、-NR⁶-或-O-的基团。

R⁶为氢原子、碳原子数1～6的烷基或苯基。

Q²⁷为单键或亚烷基。

Q²⁸为亚烷基、或者在碳原子数为2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子或2价有机聚硅氧烷残基的基团。

Z¹为具有h1+h2价环结构的基团，所述环结构具有与A¹直接键合的碳原子或氮原子且具有与Q²⁴直接键合的碳原子或氮原子。

R^e1为氢原子或烷基，各式中，R^e1存在2个以上时，2个以上的R^e1可以相同也可以不同。

R^e2为氢原子、羟基、烷基或酰氧基。

R^e3为烷基。

R^e4为氢原子或烷基，从容易制造化合物的观点出发，优选为氢原子。各式中，R^e4存在2个以上时，2个以上的R^e4可以相同也可以不同。

R^e5为氢原子或卤素原子，从容易制造化合物的观点出发，优选为氢原子。

d1为0～3的整数，优选为1或2。d2为0～3的整数，优选为1或2。d1+d2为1～3的整数。

d3为0～3的整数，优选为0或1。d4为0～3的整数，优选为2或3。d3+d4为1～3的整数。

d1+d3对于Y¹¹或Y²¹而言为1～5的整数，优选为1或2，对于Y¹¹、Y³¹和Y³²而言为1。

d2+d4对于Y¹¹或Y²¹而言为2～5的整数，优选为4或5，对于Y³¹和Y³²而言为3～5的整数，优选为4或5。

e1+e2为3或4。e1对于Y¹¹而言为1，对于Y²¹而言为2～3的整数，对于Y³¹和Y³²而言为1。e2对于Y¹¹或Y²¹而言为2或3，对于Y³¹和Y³²而言为2或3。

h1对于Y¹¹而言为1，对于Y²¹而言为2以上的整数(优选为2)，对于Y³¹和Y³²而言为1。h2对于Y¹¹或Y²¹而言为2以上的整数(优选为2或3)，对于Y³¹和Y³²而言为1以上的整数(优选为2或3)。

i1+i2对于Y¹¹而言为3或4，对于Y¹²而言为4，对于Y³¹和Y³²而言为3或4。i1对于Y¹¹而言为1，对于Y²¹而言为2，对于Y³¹和Y³²而言为1。i2对于Y¹¹而言为2或3，对于Y¹²而言为2，对于Y³¹和Y³²而言为2或3。

i3为2或3。

i4对于Y¹¹而言为2以上(优选为2～10的整数，特别优选为2～6的整数)，对于Y³¹和Y³²而言为1以上(优选为1～10的整数，特别优选为1～6的整数)。

i5为2以上，优选为2～7的整数。

从容易制造化合物(3-11)、化合物(3-21)和化合物(3-31)的观点以及拒水拒油层的耐摩擦性、耐光性和耐化学品性更优异的观点出发，Q²²、Q²³、Q²⁴、Q²⁵、Q²⁶、Q²⁷、Q²⁸的亚烷基的碳原子数优选为1～10，更优选为1～6，特别优选为1～4。其中，在碳-碳原子间具有特定键时的亚烷基的碳原子数的下限值为2。

作为Z¹中的环结构，可列举出上述环结构，优选形态也相同。需要说明的是，由于A¹、Q²⁴直接键合于Z¹中的环结构，因此，不存在环结构与例如亚烷基相连、该亚烷基与A¹、Q²⁴相连的情况。

Z^a为(i5+1)价的有机聚硅氧烷残基，优选为下述基团。其中，下式中的R^a为烷基(优选碳原子数为1～10)或苯基。

从容易制造化合物(3-11)、化合物(3-21)和化合物(3-31)的观点出发，R^e1、R^e2、R^e3或R^e4的烷基的碳原子数优选为1～10、更优选为1～6、进一步优选为1～3、特别优选为1～2。

从容易制造化合物(3-11)、化合物(3-21)和化合物(3-31)的观点出发，R^e2的酰氧基的烷基部分的碳原子数优选为1～10、更优选为1～6、进一步优选为1～3、特别优选为1～2。

从容易制造化合物(3-11)、化合物(3-21)和化合物(3-31)的观点以及拒水拒油层的耐摩擦性和指纹污迹去除性更优异的观点出发，h1优选为1～6、更优选为1～4、进一步优选为1或2、特别优选为1。

从容易制造化合物(3-11)、化合物(3-21)和化合物(3-31)的观点以及拒水拒油层的耐摩擦性和指纹污迹去除性更优异的观点出发，h2优选为2～6、更优选为2～4、特别优选为2或3。

作为Y¹¹的其它形态，可列举出基团(g3-1)(其中，d1+d3＝1(换言之，d1或d3为0)、g1＝d2×r1+d4×r1)、基团(g3-2)(其中，e1＝1、g1＝e2×r1)、基团(g3-3)(其中，g1＝2×r1)、基团(g3-4)(其中，h1＝1、g1＝h2×r1)、基团(g3-5)(其中，i1＝1、g1＝i2×r1)、基团(g3-6)(其中，g1＝r1)、基团(g3-7)(其中，g1＝r1×(i3+1))、基团(g3-8)(其中，g1＝r1×i4)、基团(g3-9)(其中，g1＝r1×i5)。

作为Y²¹的其它形态，可列举出基团(g3-1)(其中，j2＝d1+d3、d1+d3≥2、g2＝d2×r1+d4×r1)、基团(g3-2)(其中，j2＝e1、e1＝2、g2＝e2×r1、e2＝2)、基团(g3-4)(其中，j2＝h1、h1≥2、g2＝h2×r1)、基团(g3-5)(其中，j2＝i1、i1为2或3、g2＝i2×r1、i1+i2为3或4)。

作为Y³¹和Y³²的其它形态，可列举出基团(g3-1)(其中，g3＝d2×r1+d4×r1、k3＝d2×r1+d4×r1)、基团(g3-2)(其中，g3＝e2×r1、k3＝e2×r1)、基团(g3-3)(其中，g3＝2×r1、k3＝2×r1)、基团(g3-4)(其中，g3＝h2×r1、k3＝h2×r1)、基团(g3-5)(其中，g3＝i2×r1、k3＝i2×r1)、基团(g3-6)(其中，g3＝r1、k3＝r1)、基团(g3-7)(其中，g3＝r1×(i3+1)、k3＝r1×(i3+1))、基团(g3-8)(其中，g3＝r1×i4、k3＝r1×i4)、基团(g3-9)(其中，g3＝r1×i5、k3＝r1×i5)。

(-A¹-)_e1C(R^e2)_4-e1-e2(-Q²²-G¹)_e2···(g3-2)

-A¹-N(-Q²³-G¹)₂···(g3-3)

(-A¹-)_h1Z¹(-Q²⁴-G¹)_h2···(g3-4)

(-A¹-)_i1Si(R^e3)_4-i1-i2(-Q²⁵-G¹)_i2···(g3-5)

-A¹-Q²⁶-G¹···(g3-6)

-A¹-CH(-Q²²-G¹)-Si(R^e3)_3-i3(-Q²⁵-G¹)_i3···(g3-7)

-A¹-[CH₂C(R^e4)(-Q²⁷-G¹)]_i4-R^e5···(g3-8)

-A¹-Z^a(-Q²⁸-G¹)_i5···(g3-9)

其中，式(g3-1)～式(g3-9)中，A¹侧连接于(OX)_m，G¹侧连接于[-Si(R)_nL_3-n]。

G¹为基团(g3)，各式中，G¹存在2个以上时，2个以上的G¹可以相同也可以不同。除G¹之外的符号与式(g2-1)～式(g2-9)中的符号相同。

-Si(R⁸)_3-r1(-Q³-)_r1···(g3)

其中，式(g3)中，Si侧连接于Q²²、Q²³、Q²⁴、Q²⁵、Q²⁶、Q²⁷和Q²⁸，Q³侧连接于[-Si(R)_nL_3-n]。R⁸为烷基。Q³为亚烷基；在碳原子数为2以上的亚烷基的碳-碳原子间具有-C(O)NR⁶-、-C(O)-、-NR⁶-或-O-的基团；或者-(OSi(R⁹)₂)_p-O-，2个以上的Q³可以相同也可以不同。r1为2或3。R⁶为氢原子、碳原子数1～6的烷基或苯基。R⁹为烷基、苯基或烷氧基，2个R⁹可以相同也可以不同。p为0～5的整数，p为2以上时，2个以上的(OSi(R⁹)₂)可以相同也可以不同。

从容易制造化合物(3-11)、化合物(3-21)和化合物(3-31)的观点以及拒水拒油层的耐摩擦性、耐光性和耐化学品性更优异的观点出发，Q³的亚烷基的碳原子数优选为1～10、更优选为1～6、特别优选为1～4。其中，在碳-碳原子间具有特定键时的亚烷基的碳原子数的下限值为2。

从容易制造化合物(3-11)、化合物(3-21)和化合物(3-31)的观点出发，R⁸的烷基的碳原子数优选为1～10、更优选为1～6、进一步优选为1～3、特别优选为1～2。

从容易制造化合物(3-11)、化合物(3-21)和化合物(3-31)的观点出发，R⁹的烷基的碳原子数优选为1～10、更优选为1～6、进一步优选为1～3、特别优选为1～2。

从化合物(3-11)、化合物(3-21)和化合物(3-31)的保存稳定性优异的观点出发，R⁹的烷氧基的碳原子数优选为1～10、更优选为1～6、进一步优选为1～3、特别优选为1～2。

p优选为0或1。

作为化合物(3-11)、化合物(3-21)和化合物(3-31)，可列举出例如下式的化合物。从工业上容易制造、容易处理、拒水拒油层的拒水拒油性、耐摩擦性、指纹污迹去除性、润滑性、耐化学品性、耐光性和耐化学品性更优异、其中耐光性特别优异的观点出发，优选为下式的化合物。下式的化合物中的R^f与上述式(3-11)中的R^f1-(OX)_m-O-或式(3-21)中的R^f2-(OX)_m-O-相同，优选方式也相同。下式的化合物中的Q^f与式(3-31)中的-(OX)_m-O-相同，优选方式也相同。

作为Y¹¹为基团(g2-1)的化合物(3-11)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y¹¹为基团(g2-2)的化合物(3-11)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y²¹为基团(g2-2)的化合物(3-21)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y¹¹为基团(g2-3)的化合物(3-11)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y¹¹为基团(g2-4)的化合物(3-11)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y¹¹为基团(g2-5)的化合物(3-11)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y¹¹为基团(g2-7)的化合物(3-11)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y¹¹为基团(g3-1)的化合物(3-11)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y¹¹为基团(g3-2)的化合物(3-11)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y¹¹为基团(g3-3)的化合物(3-11)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y¹¹为基团(g3-4)的化合物(3-11)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y¹¹为基团(g3-5)的化合物(3-11)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y¹¹为基团(g3-6)的化合物(3-11)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y¹¹为基团(g3-7)的化合物(3-11)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y²¹为基团(g2-1)的化合物(3-21)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y³¹和Y³²为基团(g2-1)的化合物(3-31)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y³¹和Y³²为基团(g2-2)的化合物(3-31)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y³¹和Y³²为基团(g2-3)的化合物(3-31)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y³¹和Y³²为基团(g2-4)的化合物(3-31)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y³¹和Y³²为基团(g2-5)的化合物(3-31)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y³¹和Y³²为基团(g2-6)的化合物(3-31)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y³¹和Y³²为基团(g2-7)的化合物(3-31)，可列举出例如下式的化合物。

作为Y³¹和Y³²为基团(g3-2)的化合物(3-31)，可列举出例如下式的化合物。

作为含氟醚化合物，从膜的拒水拒油性和耐摩擦性更优异的观点出发，还优选式(3X)所示的化合物。

[A-(OX)_m]_jZ’[-Si(R)_nL_3-n]_g···(3X)

从拒水拒油层的拒水拒油性更优异的观点出发，化合物(3X)优选为式(3-1)所示的化合物。

A-(OX)_m-Z³¹···(3-1)

式(3-1)中，A、X和m的定义与式(3)中的各基的定义相同。

Z’为(j+g)价的连接基团。

Z’只要为不损害本发明效果的基团即可，例如，可列举出任选具有醚性氧原子或2价有机聚硅氧烷残基的亚烷基、氧原子、碳原子、氮原子、硅原子、2～8价的有机聚硅氧烷残基、以及从式(3-1A)、式(3-1B)、式(3-1A-1)～(3-1A-6)中去除Si(R)nL3-n而得的基团。

Z³¹为基团(3-1A)或基团(3-1B)。

-Q^a-X³¹(-Q^b-Si(R)_nL_3-n)_h(-R³¹)_i···(3-1A)

-Q^c-[CH₂C(R³²)(-Q^d-Si(R)_nL_3-n)]_y-R³³···(3-1B)

Q^a为单键或2价的连接基团。

作为2价的连接基团，可列举出例如2价的烃基、2价的杂环基、-O-、-S-、-SO₂-、-N(R^d)-、-C(O)-、-Si(R^a)₂-、以及将它们中的2种以上组合而得的基团。此处，R^a为烷基(优选碳原子数为1～10)或苯基。R^d为氢原子或烷基(优选碳原子数为1～10)。

作为上述2价的烃基，可列举出2价的饱和烃基、2价的芳香族烃基、亚烯基、亚炔基。2价的饱和烃基可以为直链状、支链状或环状，可列举出例如亚烷基。2价的饱和烃基的碳原子数优选为1～20。另外，2价的芳香族烃基优选为碳原子数5～20，可列举出例如亚苯基。作为亚烯基，优选为碳原子数2～20的亚烯基，作为亚炔基，优选为碳原子数2～20的亚炔基。

需要说明的是，作为上述将它们组合2种以上而得的基团，可列举出例如-OC(O)-、-C(O)N(R^d)-、具有醚性氧原子的亚烷基、具有-OC(O)-的亚烷基、亚烷基-Si(R^a)₂-亚苯基-Si(R^a)₂。

X³¹为单键、亚烷基、碳原子、氮原子、硅原子或2～8价的有机聚硅氧烷残基。

需要说明的是，上述亚烷基任选具有-O-、硅亚苯基骨架基团、2价的有机聚硅氧烷残基或二烷基亚甲硅烷基。亚烷基任选具有多个选自由-O-、硅亚苯基骨架基团、2价的有机聚硅氧烷残基和二烷基亚甲硅烷基组成的组中的基团。

X³¹所示的亚烷基的碳原子数优选为1～20、特别优选为1～10。

作为2～8价的有机聚硅氧烷残基，可列举出2价的有机聚硅氧烷残基和后述(w+1)价的有机聚硅氧烷残基。

Q^b为单键或2价的连接基团。

2价的连接基团的定义与上述Q^a中说明的定义相同。

R³¹为羟基或烷基。

烷基的碳原子数优选为1～5、更优选为1～3、特别优选为1。

X³¹为单键或亚烷基时，h为1、i为0，

X³¹为氮原子时，h为1～2的整数，i为0～1的整数，满足h+i＝2，

X³¹为碳原子或硅原子时，h为1～3的整数，i为0～2的整数，满足h+i＝3，

X³¹为2～8价的有机聚硅氧烷残基时，h为1～7的整数，i为0～6的整数，满足h+i＝1～7。

(-Q^b-Si(R)_nL_3-n)存在2个以上时，2个以上的(-Q^b-Si(R)_nL_3-n)可以相同也可以不同。R³¹存在2个以上时，2个以上的(-R³¹)可以相同也可以不同。

Q^c为单键或任选具有醚性氧原子的亚烷基，从容易制造化合物的观点出发，优选为单键。

任选具有醚性氧原子的亚烷基的碳原子数优选为1～10、特别优选为2～6。

R³²为氢原子或碳原子数1～10的烷基，从容易制造化合物的观点出发，优选为氢原子。

作为烷基，优选为甲基。

Q^d为单键或亚烷基。亚烷基的碳原子数优选为1～10、特别优选为1～6。从容易制造化合物的观点出发，Q^d优选为单键或-CH₂-。

R³³为氢原子或卤素原子，从容易制造化合物的观点出发，优选为氢原子。

y为1～10的整数，优选为1～6的整数。

2个以上的[CH₂C(R³²)(-Q^d-Si(R)_nL_3-n)]可以相同也可以不同。

作为基团(3-1A)，优选为基团(3-1A-1)～(3-1A-6)。

-(X³²)_s1-Q^b1-SiR_nL_3-n···(3-1A-1)

-(X³³)_s2-Q^a2-N[-Q^b2-Si(R)_n3L_3-n]₂···(3-1A-2)

-Q^a3-G(R^g)[-Q^b3-Si(R)_nL_3-n]₂···(3-1A-3)

-[C(O)N(R^d)]_s4-Q^a4-(O)_t4-C[-(O)_u4-Q^b4-Si(R)_nL_3-n]₃···(3-1A-4)

-Q^a5-Si[-Q^b5-Si(R)_nL_3-n]₃···(3-1A-5)

-[C(O)N(R^d)]_v-Q^a6-Z^a’[-Q^b6-Si(R)_nL_3-n]_w···(3-1A-6)

需要说明的是，式(3-1A-1)～(3-1A-6)中，R、L和n的定义如上述所示。

X³²为-O-或-C(O)N(R^d)-(其中，式中的N键合于Q^b1)。

R^d的定义如上所述。

s1为0或1。

Q^b1为亚烷基。需要说明的是，亚烷基任选具有-O-、硅亚苯基骨架基团、2价的有机聚硅氧烷残基或二烷基亚甲硅烷基。亚烷基任选具有多个选自由-O-、硅亚苯基骨架基团、2价的有机聚硅氧烷残基和二烷基亚甲硅烷基组成的组中的基团。

需要说明的是，亚烷基具有-O-、硅亚苯基骨架基团、2价的有机聚硅氧烷残基或二烷基亚甲硅烷基时，优选在碳原子-碳原子间具有这些基团。

Q^b1所示的亚烷基的碳原子数优选为1～10、特别优选为2～6。

作为Q^b1，在s1为0的情况下，优选为-CH₂OCH₂CH₂CH₂-、-CH₂OCH₂CH₂OCH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂-、-CH₂OCH₂CH₂CH₂Si(CH₃)₂OSi(CH₃)₂CH₂CH₂-。在(X³²)_s1为-O-的情况下，优选为-CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH₂OCH₂CH₂CH₂-。在(X³²)_s1为-C(O)N(R^d)-的情况下，优选为碳原子数2～6的亚烷基(其中，式中的N键合于Q^b1)。若Q^b1为这些基团，则容易制造化合物。

作为基团(3-1A-1)的具体例，可列举出以下的基团。下述式中，*表示与(OX)_m键合的位置。

X³³为-O-、-NH-或-C(O)N(R^d)-。

R^d的定义如上所述。

Q^a2为单键、亚烷基、-C(O)-、或者在碳原子数为2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-或-NH-的基团。

Q^a2所示的亚烷基的碳原子数优选为1～10、特别优选为1～6。

Q^a2所示的在碳原子数为2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-或-NH-的基团的碳原子数优选为2～10、特别优选为2～6。

作为Q^a2，从容易制造化合物的观点出发，优选为-CH₂-、-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂-、-CH₂OCH₂CH₂-、-CH₂NHCH₂CH₂-、-CH₂CH₂OC(O)CH₂CH₂-、-C(O)-(其中，右侧键合于N)。

s2为0或1(其中，Q^a2为单键时是0)。从容易制造化合物的观点出发，优选为0。

Q^b2为亚烷基、或者在碳原子数为2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有2价的有机聚硅氧烷残基、醚性氧原子或-NH-的基团。

Q^b2所示的亚烷基的碳原子数优选为1～10、特别优选为2～6。

Q^b2所示的在碳原子数为2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有2价的有机聚硅氧烷残基、醚性氧原子或-NH-的基团的碳原子数优选为2～10、特别优选为2～6。

作为Q^b2，从容易制造化合物的观点出发，优选为-CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH₂OCH₂CH₂CH₂-(其中，右侧键合于Si)。

2个[-Q^b2-Si(R)_nL_3-n]可以相同也可以不同。

作为基团(3-1A-2)的具体例，可列举出以下的基团。下述式中，*表示与(OX)_m键合的位置。

Q^a3为单键或者任选具有醚性氧原子的亚烷基，从容易制造化合物的观点出发，优选为单键。

任选具有醚性氧原子的亚烷基的碳原子数优选为1～10、特别优选为2～6。

G为碳原子或硅原子。

R^g为羟基或烷基。R^g所示的烷基的碳原子数优选为1～4。

作为G(R^g)，从容易制造化合物的观点出发，优选为C(OH)或Si(R^ga)(其中，R^ga为烷基。烷基的碳原子数优选为1～10、特别优选为甲基)。

Q^b3为亚烷基、或者在碳原子数为2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子或2价的有机聚硅氧烷残基的基团。

Q^b3所示的亚烷基的碳原子数优选为1～10、特别优选为2～6。

Q^b3所示的在碳原子数为2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子或2价的有机聚硅氧烷残基的基团的碳原子数优选为2～10、特别优选为2～6。

作为Q^b3，从容易制造化合物的观点出发，优选为-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂CH₂CH₂CH₂CH₂CH₂-。

2个[-Q^b3-Si(R)_nL_3-n]可以相同也可以不同。

作为基团(3-1A-3)的具体例，可列举出以下的基团。下述式中，*表示与(OX)_m键合的位置。

式(3-1A-4)中的R^d的定义如上所述。

s4为0或1。

Q^a4为单键或任选具有醚性氧原子的亚烷基。

任选具有醚性氧原子的亚烷基的碳原子数优选为1～10、特别优选为2～6。

t4为0或1(其中，Q^a4为单键时是0)。

作为-Q^a4-(O)_t4-，从容易制造化合物的观点出发，在s4为0的情况下，优选为单键、-CH₂O-、-CH₂OCH₂-、-CH₂OCH₂CH₂O-、-CH₂OCH₂CH₂OCH₂-、-CH₂OCH₂CH₂CH₂CH₂OCH₂-(其中，左侧键合于(OX)_m)，在s4为1的情况下，优选为单键、-CH₂-、-CH₂CH₂-。

Q^b4为亚烷基，上述亚烷基任选具有-O-、-C(O)N(R^d)-(R^d的定义如上所述)、硅亚苯基骨架基团、2价的有机聚硅氧烷残基或二烷基亚甲硅烷基。

需要说明的是，亚烷基具有-O-或硅亚苯基骨架基团时，优选在碳原子-碳原子间具有-O-或硅亚苯基骨架基团。另外，亚烷基具有-C(O)N(R^d)-、二烷基亚甲硅烷基或2价的有机聚硅氧烷残基时，优选在碳原子-碳原子间或者与(O)_u4键合的一侧的末端具有这些基团。

Q^b4所示的亚烷基的碳原子数优选为1～10、特别优选为2～6。

u4为0或1。

作为-(O)_u4-Q^b4-，从容易制造化合物的观点出发，优选为-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂-、-CH₂OCH₂CH₂CH₂-、-CH₂OCH₂CH₂CH₂CH₂CH₂-、-OCH₂CH₂CH₂-、-OSi(CH₃)₂CH₂CH₂CH₂-、-OSi(CH₃)₂OSi(CH₃)₂CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂Si(CH₃)₂PhSi(CH₃)₂CH₂CH₂-(其中，右侧键合于Si)。

3个[-(O)_u4-Q^b4-Si(R)_nL_3-n]可以相同也可以不同。

作为基团(3-1A-4)的具体例，可列举出以下的基团。下述式中，*表示与(OX)_m键合的位置。

Q^a5为任选具有醚性氧原子的亚烷基。

任选具有醚性氧原子的亚烷基的碳原子数优选为1～10、特别优选为2～6。

作为Q^a5，从容易制造化合物的观点出发，优选为-CH₂OCH₂CH₂CH₂-、-CH₂OCH₂CH₂OCH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂-(其中，右侧键合于Si)。

Q^b5为亚烷基、或者在碳原子数为2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子或2价的有机聚硅氧烷残基的基团。

Q^b5所示的亚烷基的碳原子数优选为1～10、特别优选为2～6。

Q^b5所示的在碳原子数为2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子或2价的有机聚硅氧烷残基的基团的碳原子数优选为2～10、特别优选为2～6。

作为Q^b5，从容易制造化合物的观点出发，优选为-CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH₂OCH₂CH₂CH₂-(其中，右侧键合于Si(R)_nL_3-n)。

3个[-Q^b5-Si(R)_nL_3-n]可以相同也可以不同。

作为基团(3-1A-5)的具体例，可列举出以下的基团。下述式中，*表示与(OX)_m键合的位置。

式(3-1A-6)中的R^d的定义如上所述。

v为0或1。

Q^a6为任选具有醚性氧原子的亚烷基。

任选具有醚性氧原子的亚烷基的碳原子数优选为1～10、特别优选为2～6。

作为Q^a6，从容易制造化合物的观点出发，优选为-CH₂OCH₂CH₂CH₂-、-CH₂OCH₂CH₂OCH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂-(其中，右侧键合于Z^a’)。

Z^a’为(w+1)价的有机聚硅氧烷残基。

w为2以上，优选为2～7的整数。

作为(w+1)价的有机聚硅氧烷残基，可列举出与前述(i5+1)价的有机聚硅氧烷残基相同的基团。

Q^b6为亚烷基、或者在碳原子数为2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子或2价的有机聚硅氧烷残基的基团。

Q^b6所示的亚烷基的碳原子数优选为1～10、特别优选为2～6。

Q^b6所示的在碳原子数为2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子或2价的有机聚硅氧烷残基的基团的碳原子数优选为2～10、特别优选为2～6。

作为Q^b6，从容易制造化合物的观点出发，优选为-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂-。

w个[-Q^b6-Si(R)_n3L_3-n]可以相同也可以不同。

从拒水拒油层的拒水拒油性更优异的观点出发，化合物(3X)还优选为式(3-2)所示的化合物。

[A-(OX)_m-Q^a-]_j32Z³²[-Q^b-Si(R)_nL_3-n]_h32···(3-2)

式(3-2)中，A、X、m、Q^a、Q^b、R和L的定义与式(3-1)中和式(3-1A)中的各基团的定义相同。

Z³²为(j32+h32)价的烃基、或者在烃基的碳原子间具有1个以上醚性氧原子的碳原子数为2以上且(j32+h32)价的烃基。

作为Z³²，优选为从具有伯羟基的多元醇中去除羟基而得的残基。

作为Z³²，从原料的获取容易性的观点出发，优选为式(Z-1)～式(Z-5)所示的基团。其中，R³⁴为烷基，优选为甲基或乙基。

j32为2以上的整数，从拒水拒油层的拒水拒油性更优异的观点出发，优选为2～5的整数。

h32为1以上的整数，从拒水拒油层的耐摩擦性更优异的观点出发，优选为2～4的整数，更优选为2或3。

作为含氟醚化合物的具体例，可列举出例如下述文献记载的例子。

日本特开平11-029585号公报和日本特开2000-327772号公报记载的全氟聚醚改性氨基硅烷、

日本特许第2874715号公报记载的含硅有机含氟聚合物、

日本特开2000-144097号公报记载的有机硅化合物、

日本特表2002-506887号公报记载的氟化硅氧烷、

日本特表2008-534696号公报记载的有机硅酮化合物、

日本特许第4138936号公报记载的含氟化改性氢聚合物、美国专利申请公开第2010/0129672号说明书、国际公开第2014/126064号、日本特开2014-070163号公报记载的化合物、

国际公开第2011/060047号和国际公开第2011/059430号记载的有机硅化合物、

国际公开第2012/064649号记载的含氟有机硅烷化合物、

日本特开2012-72272号公报记载的含氟氧亚烷基的聚合物、

国际公开第2013/042732号、国际公开第2013/121984号、国际公开第2013/121985号、国际公开第2013/121986号、国际公开第2014/163004号、日本特开2014-080473号公报、国际公开第2015/087902号、国际公开第2017/038830号、国际公开第2017/038832号、国际公开第2017/187775号、国际公开第2018/216630号、国际公开第2019/039186号、国际公开第2019/039226号、国际公开第2019/039341号、国际公开第2019/044479号、国际公开第2019/049753号、国际公开第2019/163282号和日本特开2019-044158号公报记载的含氟醚化合物、

日本特开2014-218639号公报、国际公开第2017/022437号、国际公开第2018/079743号和国际公开第2018/143433号记载的含全氟(聚)醚的硅烷化合物、

国际公开第2018/169002号记载的含全氟(聚)醚基的硅烷化合物、

国际公开第2019/151442号记载的含氟(聚)醚基的硅烷化合物、

国际公开第2019/151445号记载的含(聚)醚基的硅烷化合物、

国际公开第2019/098230号记载的含全氟聚醚基的化合物、

日本特开2015-199906号公报、日本特开2016-204656号公报、日本特开2016-210854号公报和日本特开2016-222859号公报记载的含氟聚醚基的聚合物改性硅烷、

国际公开第2019/039083号和国际公开第2019/049754号记载的含氟化合物。

作为含氟醚化合物的市售品，可列举出信越化学工业公司制的KY-100系列(KY-178、KY-185、KY-195等)、AGC公司制的Afluid(注册商标)S550、DAIKIN工业公司制的Optool(注册商标)DSX、Optool(注册商标)AES、Optool(注册商标)UF503、Optool(注册商标)UD509等。

实施例

以下，通过实施例来详细说明本发明，但本发明不限定于它们。

例1～5、例7和例9～17为实施例，例6和例8为比较例。

[评价]

(沸腾次数)

在基底层的蒸镀时，计数从电子枪照射起至成膜结束而结束电子枪的照射为止的期间内发生破泡的次数，并除以时间，将由此得到的结果作为每10秒的沸腾次数(次/10秒)，并进行评价。

(污迹)

将在基底层的蒸镀后的铜制炉容器的周边产生膜状、纤维状附着物质的情况定义为“污迹”，在蒸镀后通过目视来评价有无污迹。

(耐磨耗性1：钢丝绒磨耗试验)

针对拒水拒油层，按照JIS L0849:2013(ISO 105-X12:2001)，使用往返式磨耗试验机(KBT公司制)，使钢丝绒BONSTAR(支数：#0000、尺寸：5mm×10mm×10mm)以9.8N的载荷、80rpm的速度进行往返。在钢丝绒磨耗次数为4000次后，测定拒水拒油层的水的接触角，将水的接触角为100度以上的情况记作○(良好)，将小于100度的情况记作×(不良)。磨耗后的水的接触角的降低越小，则磨耗导致的性能降低越小，耐磨耗性越优异。

(耐磨耗性2)

与耐磨耗性1同样地进行。其中，往返次数设为12,000次。

◎：水的接触角为105度以上

〇：水的接触角为100度以上且小于105度

×：水的接触角小于100度

(耐磨耗性3)

与耐磨耗性1同样地进行。其中，往返次数设为16,000次。

◎：水的接触角为100度以上

〇：水的接触角为90度以上且小于100度

△：水的接触角为80度以上且小于90度

×：水的接触角小于80度

[含氟化合物的合成]

[合成例1]

以国际公开第2014/126064号记载的化合物(ii-2)的制造方法作为参考，得到化合物(3A)。

CF₃CF₂-OCF₂CF₂-(OCF₂CF₂CF₂CF₂OCF₂CF₂)_n-OCF₂CF₂CF₂-C(O)NH-CH₂CH₂CH₂-Si(OCH₃)₃···(3A)

单元数n的平均值：13、化合物(3A)的数均分子量：4,920。

[合成例2]

按照国际公开第2017/038832号的例3记载的方法，得到化合物(1-1A)。

CF₃-(OCF₂CF₂-OCF₂CF₂CF₂CF₂)_x3(OCF₂CF₂)-OCF₂CF₂CF₂-CH₂-N[CH₂CH₂CH₂-Si(OCH₃)₃]₂···(1-1A)

单元数x3的平均值：13、化合物(1-1A)的Mn：5,020

[合成例3]

按照国际公开第2017/038830号的例11记载的方法，得到化合物(1-1X)和化合物(1-1B)。

CF₃-(OCF₂CF₂OCF₂CF₂CF₂CF₂)_n(OCF₂CF₂)-OCF₂CF₂CF₂-C(O)NH-CH₂-C[CH₂CH＝CH₂]₃···(1-1X)

CF₃-(OCF₂CF₂OCF₂CF₂CF₂CF₂)_n(OCF₂CF₂)-OCF₂CF₂CF₂-C(O)NH-CH₂-C[CH₂CH₂CH₂-Si(OCH₃)₃]₃···(1-1B)

单元数n的平均值：13、化合物(1-1B)的Mn：5,400

[合成例4]

按照以下步骤来合成化合物(1-2B)。

在经氮气置换的反应器内，将在氮气置换箱中称量的NaH 21.8g投入至经脱水的THF(四氢呋喃)100g中，在冰浴中进行搅拌，添加经脱水的THF的溶解有丙二腈的50质量％丙二腈溶液40g后，添加烯丙基溴80.6g，在冰浴中搅拌4小时。添加稀盐酸水溶液并停止反应后，用水和饱和食盐水进行清洗，回收有机相。将回收的溶液用蒸发仪进行浓缩，得到粗产物。将粗产物在硅胶柱色谱中展开，萃取出化合物(X5-1)42g。

向经氮气置换的容量300mL的茄型烧瓶内添加LiAlH₄ 31.1g、经脱水的THF 100g，在冰浴中搅拌至达到0℃。缓慢滴加化合物(X5-1)40g。用薄层色谱确认化合物(X5-1)消失后，向反应粗液中缓慢添加Na₂SO₄·10H₂O进行淬灭后，用硅藻土进行过滤，用水和饱和食盐水进行清洗。减压馏去所回收的有机层，用柱色谱进行纯化，得到化合物(X5-2)32.5g。

向50mL茄型烧瓶中添加化合物(X5-2)0.4g和CF₃(OCF₂CF₂OCF₂CF₂CF₂CF₂)₁₃OCF₂CF₂OCF₂CF₂CF₂-C(O)-CH₃ 27g，搅拌12小时。根据NMR确认化合物(X5-2)全部转换成了化合物(X5-3)。另外，生成了作为副产物的甲醇。将所得溶液用9.0g AE-3000稀释，用硅胶柱色谱(展开溶剂：AE-3000)进行纯化，得到化合物(X5-3)16.3g(收率为66％)。

需要说明的是，下式中，PFPE为CF₃(OCF₂CF₂OCF₂CF₂CF₂CF₂)₁₃OCF₂CF₂OCF₂CF₂CF₂-。

向100mL的PFA制茄型烧瓶中投入化合物(X5-3)5.0g、铂/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物的二甲苯溶液(铂含量：2％)0.5g、HSi(OCH₃)₃ 0.3g、二甲基亚砜0.02g和1,3-双(三氟甲基)苯(东京化成工业公司制)5.0g，以40℃搅拌10小时。在反应结束后，减压馏去溶剂等，用孔径为0.2μm的膜滤器进行过滤，得到化合物(X5-3)的2个烯丙基经氢化硅烷化的化合物(1-2B)。氢化硅烷化的转化率为100％，未残留化合物(X5-3)。

需要说明的是，下式中，PFPE为CF₃(OCF₂CF₂OCF₂CF₂CF₂CF₂)₁₃OCF₂CF₂OCF₂CF₂CF₂-。

化合物(1-2B)的Mn：9,800

[合成例5]

按照下述步骤来合成包含下述化合物(1-3A)和下述化合物(1-1D)的混合物(M1)。

(合成例5-1)

按照国际公开第2013-121984号的实施例的例1-1记载的方法，得到化合物(X6-1)。

CF₂＝CFO-CF₂CF₂CF₂CH₂OH···(X6-1)

(合成例5-2)

向200mL茄型烧瓶中投入16.2g的HO-CH₂CF₂CF₂CH₂-OH、碳酸钾13.8g，以120℃进行搅拌，添加化合物(X4-1)278g，以120℃搅拌2小时。恢复至25℃，分别投入AC-2000(制品名、AGC公司制、C₆F₁₃H)和盐酸50g，进行分液，并浓缩有机相。将所得反应粗液用柱色谱进行纯化，得到化合物(X6-2)117.7g(收率为40％)。

化合物(X6-2)的NMR光谱；

¹H-NMR(300.4MHz、溶剂：CDCl₃、基准：四甲基硅烷(TMS))δ(ppm)：6.0(12H)、4.6(20H)、4.2(4H)、4.1(4H)。

¹⁹F-NMR(282.7MHz、溶剂：CDCl₃、基准：CFCl₃)

δ(ppm)：-85(24F)、-90(24F)、-120(20F)、-122(4F)、-123(4F)、-126(24F)、-144(12F)

单元数m+n的平均值：10。

(合成例5-3)

向连接有回流冷却器的50mL茄型烧瓶中添加通过合成例5-2而得的化合物(X6-2)20g、氟化钠的粉末2.4g、20g的AC-2000、18.8g的CF₃CF₂CF₂OCF(CF₃)COF。在氮气气氛下，以50℃搅拌24小时。在冷却至室温后，利用压滤机来去除氟化钠粉末后，减压馏去过量的CF₃CF₂CF₂OCF(CF₃)COF和AC-2000，得到化合物(X6-3)24g(收率为100％)。

化合物(X6-3)的NMR光谱；

¹H-NMR(300.4MHz、溶剂：CDCl₃、基准：四甲基硅烷(TMS))δ(ppm)：6.0(12H)、5.0(4H)、4.6(20H)、4.2(4H)。

¹⁹F-NMR(282.7MHz、溶剂：CDCl₃、基准：CFCl₃)δ(ppm)：-79(4F)、-81(6F)、-82(6F)、-85(24F)、-90(24F)、-119(4F)、-120(20F)、-122(4F)、-126(24F)、-129(4F)、-131(2F)、-144(12F)。

单元数m+n的平均值：10。

(合成例5-4)

向500mL的镍制反应器中投入ClCF₂CFClCF₂OCF₂CF₂Cl(以下记作“CFE-419”)250mL，鼓入氮气。在氧气浓度充分下降后，鼓入1小时用氮气进行了稀释的20体积％的氟气。耗费6小时投入合成例5-3中得到的化合物(X6-3)的CFE-419溶液(浓度：10质量％、化合物(X6-3)：24g)。以氟气的导入速度(mol/小时)与化合物(X6-3)中的氢原子的导入速度(mol/小时)之比达到2:1的方式进行控制。在结束化合物(X6-3)的投入后，间歇地投入苯的CFE-419溶液(浓度：0.1质量％、苯：0.1g)。在结束苯的投入后，鼓入1小时氟气，最后用氮气对反应器内进行充分置换。馏去溶剂，得到化合物(X6-4)25.3g(收率为90％)。

化合物(X6-4)的NMR光谱；

¹⁹F-NMR(282.7MHz、溶剂：CDCl₃、基准：CFCl₃)δ(ppm)：-79(4F)、-81(6F)、-82(6F)、-83(48F)、-87(44F)、-124(48F)、-129(4F)、-131(2F)。

单元数m+n的平均值：10。

(合成例5-5)

向50mL茄型烧瓶中投入通过合成例5-4而得的化合物(X6-4)25.3g、氟化钠2.2g、25mL AC-2000，在冰浴中进行搅拌。投入甲醇1.7g，在25℃下搅拌1小时。在过滤后，将滤液用柱色谱进行纯化。得到化合物(X6-5)15g(收率为80％)。

化合物(X6-5)的NMR光谱；

¹H-NMR(300.4MHz、溶剂：CDCl₃、基准：四甲基硅烷(TMS))δ(ppm)：4.2(6H)。

¹⁹F-NMR(282.7MHz、溶剂：CDCl₃、基准：CFCl₃)δ(ppm)：-83(44F)、-87(44F)、-119(4F)、-124(44F)。

单元数m+n的平均值：10。

(合成例5-6)

向50mL茄型烧瓶中投入通过合成例5-5而得的化合物(X6-5)15g、H₂NCH₂C(CH₂CH＝CH₂)₃ 3.2g、15mL AC-2000，以0℃搅拌24小时。将反应粗液用柱色谱进行纯化，分成包含目标物的3种馏分。其中，化合物(X6-6)共计获得11.2g(收率为70％)。分别将3种馏分记作(C4-6a)、(C4-6b)、(C4-6c)。另外，将(C4-6c)再次用柱色谱进行纯化，得到馏分(C4-6d)。

馏分(C4-6a)～(C4-6c)中包含化合物(X6-6)和化合物(X6-7)。然后，使用各馏分，通过¹⁹F-NMR来求出比值(CF₃/CF₂)。需要说明的是，比值中的CF₃是指位于化合物(X6-7)的一个末端的-CF₃基(式中的虚线框内的-CF₃基)的摩尔数，在¹⁹F-NMR中，在-85～-87ppm处观测到。另外，比值中的CF₂是指位于化合物(X6-7)的一个末端附近的-CF₂-基(式中的虚线框内的-CF₂-基)和位于化合物(X6-6)的两个末端附近的-CF₂-基(式中的虚线框内的-CF₂-基)的合计摩尔数，在¹⁹F-NMR中，在-120ppm处观测到。可确认在馏分(C4-6d)中未检测到化合物(X6-7)。

馏分(C4-6a)中的CF₃/CF₂＝0.11

馏分(C4-6b)中的CF₃/CF₂＝0.06

馏分(C4-6c)中的CF₃/CF₂＝0.05

化合物(X6-6)的NMR光谱；

¹H-NMR(300.4MHz、溶剂：CDCl₃、基准：四甲基硅烷(TMS))δ(ppm)：6.1(6H)、5.2(12H)、3.4(4H)、2.1(12H)。

¹⁹F-NMR(282.7MHz、溶剂：CDCl₃、基准：CFCl₃)δ(ppm)：-83(44F)、-87(44F)、-120(4F)、-124(44F)。

单元数m+n的平均值：10。

(合成例5-7)

向50mL茄型烧瓶中投入通过合成例5-6而得的馏分(C4-6a)1g、三甲氧基硅烷0.21g、苯胺0.001g、1.0g AC-6000、铂/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物0.0033g，以25℃搅拌一晚。减压馏去溶剂等，得到混合物(M1)1.2g(收率为100％)。

需要说明的是，混合物(M1)中包含化合物(1-1D)和化合物(1-3A)。

使用混合物(M1)，通过¹⁹F-NMR，利用与合成例5-6相同的方法求出比值(CF₃/CF₂)。式中的虚线框内的基团是作为¹⁹F-NMR的测定对象的基团。

混合物(M1)中的CF₃/CF₂＝0.11

化合物(1-3A)的NMR光谱；

¹H-NMR(300.4MHz、溶剂：CDCl₃、基准：四甲基硅烷(TMS))δ(ppm)：3.6(54H)、3.4(4H)、1.3(24H)、0.9(12H)。

¹⁹F-NMR(282.7MHz、溶剂：CDCl₃、基准：CFCl₃)δ(ppm)：-83(44F)、-87(44F)、-120(4F)、-124(44F)。

单元数m+n的平均值：10、化合物(1-3A)的Mn：5,200

以馏分(C4-6d)作为原料，利用与合成例5-7相同的方法，得到与化合物(1-3A)的分子量不同的化合物(1-4A)。需要说明的是，化合物(1-4A)在¹⁹F-NMR中未检测出在-85～-87ppm处观测到的峰。

单元数m+n的平均值：9、化合物(1-4A)的Mn：4,900

[合成例6]

按照日本特开2015-199906号公报的实施例4，得到化合物(1-3B)。

上述式(1-3B)中，p1:q1≈47:53、p1+q1≈43。

化合物(1-3B)的Mn：4,800

[合成例7]

针对按照上述“合成例5-5”而得到的化合物(X6-5)10g，使用15mL的AC-6000，将反应粗液用柱色谱进行纯化。对纯化物进行NMR分析，确认到未检测出源自CF₃的峰。向100mL圆底烧瓶内投入化合物5g的X6-5、3-氨基丙基三甲氧基硅烷0.61g，在室温下搅拌3小时。在反应结束后，减压馏去未反应物和副产物，得到化合物(1-3D)。

(CH₃O)₃Si-C₃H₆-NHC(O)-C₃F₆OC₂F₄-(OC₄F₈-OC₂F₄)_n-OC₄F₈O-(C₂F₄O-C₄F₈O)_m-C₂F₄OC₃F₆-C(O)NH-C₃H₆-Si(OCH₃)₃···(1-3D)

化合物(1-3D)的Mn：5,390

[混合物]

以国际公开第2017/038830号的例11-3的合成例作为参考，向50mL茄型烧瓶中投入将化合物(1-1X)(合成例3中记载)与馏分(C4-6c)以1:1(质量比)混合而得的混合物5g、三甲氧基硅烷0.60g、苯胺0.005g、5.0g的AC-6000、铂/1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物0.01g，在25℃下搅拌一晚。减压馏去溶剂等，得到混合物(M4)5.1g。需要说明的是，混合物(M4)中包含化合物(1-3A)和化合物(1-1B)。

另外，使用化合物(1-1A)和化合物(1-3B)来制造下述混合物(M6)。

混合物(M4)为各含50质量％化合物(1-3A)和化合物(1-1B)的混合物。混合物(M6)包含化合物(1-1A)30质量％和化合物(1-3B)70质量％。

(例1)

向Eirich强力搅拌器EL-1(日本Eirich公司制)中添加纯碱(Soda Ash Japan公司制)17.24g、二氧化硅颗粒15SQ-E2(商品名、ADMATECHS公司制)217.22g、氧化铝颗粒AZ2-75(商品名、新日铁住金公司制)，以2400rpm搅拌混合30秒钟。将搅拌速度变更为4800rpm，边搅拌边添加蒸馏水40g，进而，以4800rpm搅拌60秒钟。最后，以900rpm搅拌5分钟。将所得颗粒从EL-1中取出，以150℃干燥30分钟后，以1,150℃烧成1小时而得到烧结体1。针对烧结体1，将3～10g事先充分粉碎而制成微粉状态，供于硅、铝和钠的分析。

<硅>

取氢氧化钠0.5～1.0g至氧化锆坩埚中，用燃烧器使其熔解，并自然冷却。使用电子天平从经微粉碎的烧结体1中取出100mg左右，添加在该氢氧化钠上，用燃烧温度为600℃左右的燃烧器使其熔解1分钟。自然冷却后，与坩埚一同放入烧杯或塑料容器中。将纯水添加至坩埚中，使其加热溶解。将溶解的溶液转移至烧杯或塑料容器中，一口气添加6M盐酸20mL。定容并稀释至100mL后，利用ICP发光分光分析法(测定装置PS3520UVDDII：制品名、日立高新科技公司制)对硅进行定量。定量使用了标准曲线(基质匹配)法。

<铝·钠>

使用电子天平从经微粉碎的烧结体1中取出100mg左右。其后，使用氢氟酸-硫酸或氢氟酸-高氯酸进行分解，去除硅后，用硝酸或盐酸制成溶液。定容并稀释至100mL后，铝用ICP发光分光分析法(测定装置PS3520UVDDII：制品名、日立高新科技公司制)进行定量。钠利用原子吸光法(测定装置ZA3300：制品名、日立高新科技公司制)进行定量。定量使用了标准曲线(基质匹配)法。

然后，算出对象元素的含量(质量％)相对于硅的含量(质量％)之比(质量比)，使用各元素的原子量，由质量比求出摩尔比。将结果示于表1。

在真空蒸镀装置(ULVAC机工公司制、VTR-350M)内的铜制炉容器中，分别配置10g烧结体1作为基底层的蒸镀源，并配置0.5g化合物(3A)作为拒水拒油层的蒸镀源的含氟醚化合物。在真空蒸镀装置内配置通过离子束照射而实施了清洗处理的玻璃基材(AGC公司制、Dragontrail(注册商标))，排气至真空蒸镀装置内达到5×10^-3Pa以下的压力。

将载置有造粒体1的舟加热至1,000℃，使其真空蒸镀至玻璃基材，形成厚度10nm的基底层。将基底层的蒸镀时的沸腾次数和蒸镀后的污迹示于表1。

将载置有化合物(3A)的铜制炉容器加热至700℃，对基底层真空蒸镀化合物(3A)的缩合物，形成厚度10nm的拒水拒油层后，以140℃进行30分钟的热处理。将所得拒水拒油层的耐磨耗性示于表1。

(例2～7)

变更纯碱、二氧化硅颗粒和氧化铝颗粒的配混比例，制作组成为表1记载的烧结体，并对其加以使用，除此之外，实施与例1相同的步骤。将评价结果示于表1。

(例8)

仅配混纯碱和二氧化硅颗粒，制作组成为表1记载的烧结体，并对其加以使用，除此之外，实施与例1相同的步骤。将评价结果示于表1。

(例9～17)

使用例2中得到的基底层形成用烧结体，与例1同样地制造带基底层的基材，且使用表1记载的含氟化合物来代替化合物(3A)，在所得带基底层的基材的基底层表面与例1同样地形成拒水拒油层。将评价结果示于表1。

[表1]

在使用包含硅和钠的蒸镀源形成基底层后形成的例1～例6、例8的拒水拒水层的耐磨耗性均良好。

使用铝的摩尔浓度相对于硅的摩尔浓度之比为0.006以上的蒸镀源而得的例1～5中，蒸馏时的沸腾受到抑制，沸腾次数为1次/10秒以下，在铜制炉容器周边未确认到污迹。

另一方面，使用不含铝的蒸镀源而得的例8、使用铝的摩尔浓度相对于硅的摩尔浓度之比小于0.006的蒸镀源而得的例6中，沸腾次数为8次/10秒以上，在铜制炉容器周边确认到污迹。

产业上的可利用性

本发明的带拒水拒油层的基材可以用于要求赋予拒水拒油性的各种用途。例如，可以用于触摸面板等显示输入装置、透明的玻璃制或透明的塑料制构件、眼镜用等的透镜、厨房用防污构件、电子设备、换热器、电池等的拒水防湿构件、防污构件、洗护用品用防污构件、既需要导通又需要拒液的构件、换热机的拒水/防水/滑水用构件、振动筛、气缸内部等的表面低摩擦用构件等。作为更具体的使用例，可列举出显示器的前面保护板、防反射板、偏光板、防眩板、或者对它们的表面实施防反射膜处理而得的产物、便携电话(例如智能手机)、便携信息终端、游戏机、遥控器等设备的触摸面板片、触摸面板显示器等具有用人的手指或手掌进行画面上的操作的显示输入装置的各种设备(例如，显示部等中使用的玻璃或薄膜、以及除显示部之外的外饰部分中使用的玻璃或薄膜)。除了上述之外，还可列举出洗手间、浴室、盥洗室、厨房等用水场所的装饰建材、布线板用防水构件、换热机的拒水/防水/滑水用构件、太阳能电池的拒水构件、印刷电路板的防水/拒水用构件、电子设备壳体、电子构件用的防水/拒水用构件、输电线的绝缘性提高用构件、各种过滤器的防水/拒水用构件、电波吸收材料、吸音材料的防水用构件、浴室、厨房设备、洗护用品用的防污构件、振动筛、气缸内部等的表面低摩擦用构件、机械构件、真空设备构件、轴承构件、汽车等运输设备用构件、工具等表面保护用构件。

需要说明的是，将2018年12月26日申请的日本专利申请2018-242737号的说明书、权利要求书、摘要和附图的全部内容援引至此，作为本发明说明书的公开内容而并入。

附图标记说明

10 带基底层的基材

12 基材

14 基底层

20 带拒水拒油层的基材

22 基材

24 基底层

26 拒水拒油层

Claims (14)

1.一种带拒水拒油层的基材，其具有：基材、基底层和拒水拒油层，

所述基材为玻璃，

所述基底层由包含氧化物的蒸镀材料形成，所述氧化物包含：硅、铝、以及选自碱金属元素中的至少1种金属元素，

所述铝的摩尔浓度相对于所述硅的摩尔浓度之比为0.006～0.71，

所述金属元素的合计摩尔浓度相对于所述硅的摩尔浓度之比为0.005～0.8，

所述拒水拒油层由具有反应性甲硅烷基的含氟化合物的缩合物形成。

2.根据权利要求1所述的带拒水拒油层的基材，其中，所述氧化物还包含选自由铁、钛、锆、镍、钼和钨组成的组中的至少1种第二金属元素，

以所述第二金属元素的合计摩尔浓度相对于所述硅的摩尔浓度之比计，所述第二金属元素的含量为0.01以下。

3.根据权利要求1或2所述的带拒水拒油层的基材，其为熔融体、烧结体或造粒体。

4.一种带基底层的基材的制造方法，其中，通过使用了一种蒸镀材料的蒸镀法，在基材上形成包含氧化物的基底层，

所述蒸镀材料包含氧化物，所述氧化物包含：硅、铝、以及选自碱金属元素中的至少1种金属元素，

所述铝的摩尔浓度相对于所述硅的摩尔浓度之比为0.006～0.71，

所述金属元素的合计摩尔浓度相对于所述硅的摩尔浓度之比为0.005～0.8，

所述基材为玻璃。

5.一种带拒水拒油层的基材的制造方法，其中，通过使用了一种蒸镀材料的蒸镀法，在基材上形成包含氧化物的基底层，

接着，在所述基底层上形成拒水拒油层，所述拒水拒油层由具有反应性甲硅烷基的含氟化合物的缩合物形成，

所述蒸镀材料包含氧化物，所述氧化物包含：硅、铝、以及选自碱金属元素中的至少1种金属元素，

所述铝的摩尔浓度相对于所述硅的摩尔浓度之比为0.006～0.71，

所述金属元素的合计摩尔浓度相对于所述硅的摩尔浓度之比为0.005～0.8

所述基材为玻璃。

6.根据权利要求5所述的带拒水拒油层的基材的制造方法，其中，通过干式涂布方法或湿式涂布方法，在所述基底层上涂布所述含氟化合物并使其缩合。

7.根据权利要求5所述的带拒水拒油层的基材的制造方法，其中，所述反应性甲硅烷基为下式(2)所示的基团，

-Si(R)_nL_3-n…(2)

其中，R为一价烃基、L为水解性基团或羟基、n为0～2的整数。

8.根据权利要求6所述的带拒水拒油层的基材的制造方法，其中，所述反应性甲硅烷基为下式(2)所示的基团，

-Si(R)_nL_3-n…(2)

其中，R为一价烃基、L为水解性基团或羟基、n为0～2的整数。

9.根据权利要求5所述的带拒水拒油层的基材的制造方法，其中，所述含氟化合物为具有2个以上的反应性甲硅烷基的含氟化合物。

10.根据权利要求6所述的带拒水拒油层的基材的制造方法，其中，所述含氟化合物为具有2个以上的反应性甲硅烷基的含氟化合物。

11.根据权利要求7所述的带拒水拒油层的基材的制造方法，其中，所述含氟化合物为具有2个以上的反应性甲硅烷基的含氟化合物。

12.根据权利要求8所述的带拒水拒油层的基材的制造方法，其中，所述含氟化合物为具有2个以上的反应性甲硅烷基的含氟化合物。

13.根据权利要求5～12中任一项所述的带拒水拒油层的基材的制造方法，其中，所述含氟化合物为具有聚(氧氟亚烷基)链和反应性甲硅烷基的含氟醚化合物。

14.根据权利要求13所述的带拒水拒油层的基材的制造方法，其中，所述聚(氧氟亚烷基)链为以氧全氟亚烷基为主的聚(氧氟亚烷基)链。